JPH0425017A

JPH0425017A - 真空成膜装置

Info

Publication number: JPH0425017A
Application number: JP12781390A
Authority: JP
Inventors: Koji Wataya; 浩司渡谷
Original assignee: Shimadzu Corp
Current assignee: Shimadzu Corp
Priority date: 1990-05-16
Filing date: 1990-05-16
Publication date: 1992-01-28
Anticipated expiration: 2015-02-07
Also published as: JP3006029B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、基板に成膜処理を行うための真空成膜装置に
関する。

〔従来の技術及びその課題〕

基板上に薄膜を形成する装置として、たとえばプラズマ
ＣＶＤ装置等の真空成膜装置が用いられ°ζいる。この
真空成膜装置は、一般に、基板を保持するだめの基板ホ
ルダと、基板ホルダに対向して配置された対向電極とを
有している。成膜処理の際には、基板ホルダに基板を保
持させた状態で、基板ホルダと対向電極との間でグロー
放電を起こさせる。これにより、基板上に膜形成が行わ
れる。

一方、従来より、基板の処理枚数（すなわち、スループ
ット）向上の要請が強い。ところが、前記従来装置では
、基板の処理枚数には限界がある。

そこで、基板ホルダを大形にすることにより基板の処理
枚数を増やすことも考えられるが、基板ホルダを大形に
すると装置全体が大形化するため好ましくない。

本発明の目的は、装置を大形化することなく基板の処理
枚数を向上できる真空成膜装置を提供することにある。

〔課題を解決するだめの手段〕

本発明に係る真空成膜装置は、基板に成膜処理を行うた
めの装置であって、相対向して配置された対向電極と、
基板ホルダとを備えている。前記基板ホルダは、対向電
極の間に配置され、電気的に絶縁されるとともに基板を
保持するための第１゜第２主面を有している。

〔作用〕

本発明に係る真空成膜装置では、成膜処理すべき基板が
基板ホルダの第１．第２主面に保持される。そして、各
対向電極間で放電を起こさせる。

すると、一方の対向電極とこれに対向する第１主面との
間にプラズマ状態が形成される。これにより、第１主面
に保持された基板に膜形成が行われる。また、この場合
において、基板ホルダは電気的に絶縁されている。この
ため、他方の対向電極とこれに対向する第２主面との間
にもプラズマ状態が形成される。これにより、第２主面
に保持された基板上に膜形成が行われる。

この場合には、基板ホルダの両主面に保持された各基板
について成膜処理を行うことができるので、−回に処理
される基板の枚数を増加でき、スループットを向上でき
る。また、スループットの向上のために、装置を大形化
する必要がなくなる。

〔実施例］第１図は本発明の一実施例によるプラズマＣＶＤ装置を
示している。ここでは、基板縦置型の平行平板型装置を
例にとる。

第１図において、成膜室１の中央部には、電極（カソー
ド電極）２，３が設けられている。各電極２．３には、
マツチング回路４を介して高周波電源１５（周波数１３
．５６ＭＨ２）が接続されている。マツチング回路４は
成膜室１内に発生したプラズマに効率良く電力を供給す
るためのものであり、可変コンデンサ等を含んでいる。

成膜室１の左右側壁部には、カソード電極２゜３に対向
するように、それぞれアノード電極５゜６が設けられて
いる。アノード電極５，６は、それぞれアースに接続さ
れている。また、アノード電極５，６の裏面側にはヒー
タが設けられ°ζおり、このヒータはヒータ電源に接続
されている。電極２と電極５との間、及び電極３と電極
６との間には、それぞれ基板ホルダ７．８が配置されて
いる。

各基板ホルダ７．８は、それぞれガラス等の絶縁部材に
より支持されており、成膜室ｌ内において電気的に絶縁
され、フローティング状態となっている。また、各基板
ホルダ７．８の第１主面７ａ。

８ａ及び第２主面７ｂ、８ｂには、それぞれ基板９を保
持することができるようになっている。また、成膜室１
には排気「１１０が形成されており、図示しない排気系
に接続され′（いる。

次に、本成膜装置の作動につい°ζ説明する。

まず、成膜室１内を真空排気し、成膜室１内に反応ガス
を導入し−（所定の成膜条件に保つ。一方、ヒータをオ
ンにし、基板を所定の温度を維持する。

次に、高周波電源１５からマツチング回路４を通して電
極２．３に高周波電力を供給する。すると、電極２と電
極５との間、及び電極３と電極６との間でグロー放電が
発生ずる。これにより、電極２と基板ボルダ７との間、
及び電極３と基板ホルダ８との間にプラズマ領域が形成
される。これにより、各基板ホルダ７．８の各第１主面
７ａ、Ｂａ上に保持された各基板９−Ｆに膜形成が行わ
れる。

一方、この成膜時におけるプラズマポテンシャルと基板
９の位置との対応関係は第２図のようになっていると推
定される。なお、第２図では電極２側について示してい
るが、電極３側についても同様である。第２図におい°
Ｃ，縦軸はプラズマポテンシャルを示し、横軸は距離を
示している。これによると、基板９は、＋側のプラズマ
ポテンシャルのほぼ中間位置に位置している。なお、第
３図は従来装置の第２図に相当する図である。従来装置
では基板がアースに接続されているため、基板はプラズ
マポテンシャルが０の位置に位置している。

このように、本装置では、基板９が＋側のプラズマポテ
ンシャルにおいて電気的に浮いた状態にある。この結果
、基板ホルダ７と電極５との間、及び基板ホルダ８と電
極６との間にもプラズマ領域が形成されることになる。

これにより、基板ホルダ７．８の第２主面７ｂ、Ｂｂ上
に保持された基板９上にも膜形成が行われる。

なお、電極２．３として約６５０Ｘ６５０ｍｍのものを
用い、電極２と電極５との間、及び電極３と電極６との
間の間隔をそれぞれ約４５１１ＩＩ１１に保って成膜処
理を行った結果、各基板９につい”ζ成膜速度は約０．
８人／　ｓ　ｅ　ｃであった。また、従来装置に仕べ、
イオンダメージの少ない膜が得られるものと思われる。

このような本実施例では、基板ホルダの両主面上に保持
された各基板について成膜処理が行われるので、装置を
大形化することなく、−回に処理される端板枚数を増加
でき、スループットを向上できる。

〔他の実施例〕

前記実施例では、縦置型のプラズマＣＶＤ装置に本発明
が適用された場合について説明したが、本発明の適用は
これに限定されない。

たとえば、第４図に示すような横置型の装置にも同様に
適用できる。なお、第４図に示す装置では、成膜室２０
の上部に電極２１が配置され、これに対向するアース側
の電極２２が成膜室２０の上部に配置されている。そし
て、電極２■と電極２２との間に基板ホルダ２３が配置
されている。

基板ボルダ２３は、前記実施例装置と同様に絶縁部材に
より成膜室２０内に支持されている。この場合において
も、基板ボルダ２３の両主面上に保持された各基板９に
ついて成膜処理を行うことができるので、スループット
を向上できる。

〔発明の効果〕

本発明に係る真空成膜装置によれば、基板ホルダの第１
．第２主面に保持された各基板について成膜処理を行う
ことができるので、−回の処理枚数を増加でき、スルー
プッ１へを向上できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例によるプラズマＣＶＤ装置の
縦断面概略構成図、第２図はプラズマポテンシャルと基
板位置との対応関係を示す図、第３図は従来装置の第２
図に相当する図、第４図は本発明の他の実施例によるプ
ラズマＣＶＤ装置の縦断面概略構成図である。２．３・・・電極（カッ−１′電極）、５．６・・・ア
ノード電極、７，８・・・基板ボルダ、７ａ、８ａ・・
・第１主面、７ｂ、８ｂ・・・第２主面。特許出願人　株式会社島律製作所丼区

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板に成膜処理を行うための真空成膜装置であっ
て、相対向して配置された対向電極と、前記対向電極の間に配置され、電気的に絶縁されるとと
もに前記基板を保持するための第１、第２主面を有する
基板ホルダと、を備えた真空成膜装置。