JPH0119264B2 - - Google Patents
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- JPH0119264B2 JPH0119264B2 JP56155464A JP15546481A JPH0119264B2 JP H0119264 B2 JPH0119264 B2 JP H0119264B2 JP 56155464 A JP56155464 A JP 56155464A JP 15546481 A JP15546481 A JP 15546481A JP H0119264 B2 JPH0119264 B2 JP H0119264B2
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/69—Inorganic materials
- H10P14/694—Inorganic materials composed of nitrides
- H10P14/6943—Inorganic materials composed of nitrides containing silicon
- H10P14/69433—Inorganic materials composed of nitrides containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、族元素を有する化合物半導体結晶
上に族元素の窒化物でなる絶縁膜を形成する、
化合物半導体結晶上の絶縁膜の形成法に関する。
上に族元素の窒化物でなる絶縁膜を形成する、
化合物半導体結晶上の絶縁膜の形成法に関する。
従来、族元素を有する化合物半導体結晶上に
族元素の窒化物でなる絶縁膜を形成する方法と
して、族元素を有する化合物半導体結晶の表面
を熱窒化させることによつて、族元素を有する
化合物半導体結晶上に族元素の窒化物でなる絶
縁膜を形成する、という方法が提案されている。
族元素の窒化物でなる絶縁膜を形成する方法と
して、族元素を有する化合物半導体結晶の表面
を熱窒化させることによつて、族元素を有する
化合物半導体結晶上に族元素の窒化物でなる絶
縁膜を形成する、という方法が提案されている。
しかしながら、このような方法の場合、族元
素を有する化合物半導体結晶の表面が熱窒化する
速度が、極めて遅いので、族元素の窒化物でな
る絶縁膜を、所要の厚さに形成するのに長い時間
を要する、という欠点を有していた。
素を有する化合物半導体結晶の表面が熱窒化する
速度が、極めて遅いので、族元素の窒化物でな
る絶縁膜を、所要の厚さに形成するのに長い時間
を要する、という欠点を有していた。
また、族元素を有する化合物半導体結晶の表
面を熱窒化させる過程で、族元素を有する化合
物半導体結晶から、族元素が外部に蒸発するの
で、族元素の窒化物でなる絶縁膜が、族元素
を有する化合物半導体結晶との間で優れた界面特
性を有し且つ高品質なものとして形成されない、
などの欠点を有していた。
面を熱窒化させる過程で、族元素を有する化合
物半導体結晶から、族元素が外部に蒸発するの
で、族元素の窒化物でなる絶縁膜が、族元素
を有する化合物半導体結晶との間で優れた界面特
性を有し且つ高品質なものとして形成されない、
などの欠点を有していた。
よつて、本発明は、上述した欠点のない、新規
な、族元素を有する化合物半導体結晶上に族
元素の窒化物でなる絶縁膜を形成する、化合物半
導体結晶上の絶縁膜の形成法を提案せんとするも
ので、以下、その実施例を述べるところから明ら
かとなるであろう。
な、族元素を有する化合物半導体結晶上に族
元素の窒化物でなる絶縁膜を形成する、化合物半
導体結晶上の絶縁膜の形成法を提案せんとするも
ので、以下、その実施例を述べるところから明ら
かとなるであろう。
第１図は、本発明による絶縁膜の形成法の実施
例を示し、且つそれに用いる装置の一例を示す。
例を示し、且つそれに用いる装置の一例を示す。
第１図において、１は純粋な窒素ガスが得られ
る窒素ガス源、２は塩化水素ガスが得られる塩化
水素ガス源、３はソースガスとしてのホスフイン
（PH3）ガスが得られるソースガス源、４はアン
モニア（NH3）ガスが得られるアンモニアガス
源を示す。
る窒素ガス源、２は塩化水素ガスが得られる塩化
水素ガス源、３はソースガスとしてのホスフイン
（PH3）ガスが得られるソースガス源、４はアン
モニア（NH3）ガスが得られるアンモニアガス
源を示す。
また、５は石英で作られた反応管で、その反応
管５内には、族元素を有する化合物半導体結晶
としてのInP結晶７が配される。
管５内には、族元素を有する化合物半導体結晶
としてのInP結晶７が配される。
さらに、６は反応管５の周りに配された反応管
５を加熱する加熱源を示す。
５を加熱する加熱源を示す。
本発明による絶縁膜の形成法の一例において
は、まず、反応管５内に、窒素ガス源１から窒素
ガスを導入させて、反応管５内を窒素ガスで置換
させる。
は、まず、反応管５内に、窒素ガス源１から窒素
ガスを導入させて、反応管５内を窒素ガスで置換
させる。
次に、反応管５内に、塩化水素ガス源２から塩
化水素ガスを供給して、反応管５内の窒素ガス内
に、それに対して20％の量の塩化水素ガスを混入
させる。
化水素ガスを供給して、反応管５内の窒素ガス内
に、それに対して20％の量の塩化水素ガスを混入
させる。
次に、加熱源６によつて、反応管５を約200℃
に加熱し、それによつて、InP結晶７の表面を塩
化水素ガスによつてエツチングし、InP結晶７の
表面を清浄化する。
に加熱し、それによつて、InP結晶７の表面を塩
化水素ガスによつてエツチングし、InP結晶７の
表面を清浄化する。
次に、反応管５内に、窒素ガス源１からの窒素
ガスを導入して、反応管５内を窒素ガスで置換さ
せ、それによつて、反応管５内から塩化水素ガス
を除去する。
ガスを導入して、反応管５内を窒素ガスで置換さ
せ、それによつて、反応管５内から塩化水素ガス
を除去する。
次に、反応管５内に、ソースガス源３及びアン
モニアガス源４から、それぞれホスフイン
（PH3）ガス及びアンモニア（NH3）ガスを、約
１：１の割合で流入させる。
モニアガス源４から、それぞれホスフイン
（PH3）ガス及びアンモニア（NH3）ガスを、約
１：１の割合で流入させる。
この場合、反応管５内の温度分布を、第１図に
示すように、両側部の温度が、ホスフイン
（PH3）ガスとアンモニア（NH3）ガスとの反応
によつて、族元素としての燐（Ｐ）の窒化物で
なる５窒化３燐（P3N5）ガスが生成される850℃
以上の温度であり、中央部の温度が、両側部の温
度よりも200℃以上低い、例えば590℃である、と
いう谷形分布にする。
示すように、両側部の温度が、ホスフイン
（PH3）ガスとアンモニア（NH3）ガスとの反応
によつて、族元素としての燐（Ｐ）の窒化物で
なる５窒化３燐（P3N5）ガスが生成される850℃
以上の温度であり、中央部の温度が、両側部の温
度よりも200℃以上低い、例えば590℃である、と
いう谷形分布にする。
ここに、反応管５内の中央部の温度を、両側部
のそれに比し、200℃以上低い温度としている、
その200℃の温度は、第２図に示すように、ホス
フイン（PH3）ガスとアンモニア（NH3）ガス
とが反応して５窒化３燐（P3N5）が生成される
温度が、約850℃以上であり、また、InP結晶７
の温度が約500℃以上であれば、InP結晶７の表
面が効果的に熱窒化され、さらに、InP結晶７の
温度が約700℃以下であれば、InP結晶７から、
それを構成している燐（Ｐ）が不必要に蒸発する
ことがなく、なおさらに、InP結晶７の温度が、
約650℃以下であれば、InP結晶７上に効果的に
５窒化３燐（P3N5）が堆積されることなどの理
由で、ホスフイン（PH3）ガスとアンモニア
（NH3）ガスとが反応して５窒化３燐（P3N5）が
生成される温度の下限温度約850℃と、InP結晶
７上に５窒化３燐（P3N5）が効果的に堆積され
る上限温度約650℃との差から、決められたもの
である。
のそれに比し、200℃以上低い温度としている、
その200℃の温度は、第２図に示すように、ホス
フイン（PH3）ガスとアンモニア（NH3）ガス
とが反応して５窒化３燐（P3N5）が生成される
温度が、約850℃以上であり、また、InP結晶７
の温度が約500℃以上であれば、InP結晶７の表
面が効果的に熱窒化され、さらに、InP結晶７の
温度が約700℃以下であれば、InP結晶７から、
それを構成している燐（Ｐ）が不必要に蒸発する
ことがなく、なおさらに、InP結晶７の温度が、
約650℃以下であれば、InP結晶７上に効果的に
５窒化３燐（P3N5）が堆積されることなどの理
由で、ホスフイン（PH3）ガスとアンモニア
（NH3）ガスとが反応して５窒化３燐（P3N5）が
生成される温度の下限温度約850℃と、InP結晶
７上に５窒化３燐（P3N5）が効果的に堆積され
る上限温度約650℃との差から、決められたもの
である。
なお、反応管５内の中央部の温度を、両側部の
それに比し、200℃以上低い温度としている、そ
の反応管５の中央部の温度は、第２図で上述した
ところから、約500℃〜650℃の範囲にするのが望
ましい。
それに比し、200℃以上低い温度としている、そ
の反応管５の中央部の温度は、第２図で上述した
ところから、約500℃〜650℃の範囲にするのが望
ましい。
反応管５内に、上述したようにして、ホスフイ
ン（PH3）ガス及びアンモニア（NH3）ガスを
流せば、反応管５内の両側部の高温領域で、ホス
フイン（PH3）ガスとアンモニア（NH3）ガス
とが反応し、５窒化３燐（P3N5）ガスが生成さ
れる。
ン（PH3）ガス及びアンモニア（NH3）ガスを
流せば、反応管５内の両側部の高温領域で、ホス
フイン（PH3）ガスとアンモニア（NH3）ガス
とが反応し、５窒化３燐（P3N5）ガスが生成さ
れる。
この場合、高温領域に、この場合の反応に過剰
な燐（Ｐ）のガスと、反応性窒素（Ｎ）ガスとが
発生する。そして、それら、５窒化３燐（P3N5）
ガスと、燐（Ｐ）ガスと、反応性窒素（Ｎ）ガス
との全てが、反応管５内の両側部の高温領域と、
中央部の低温領域との温度勾配のために、InP結
晶７が配置されている中央部の低温領域に向つて
流れ、そこに滞留する。
な燐（Ｐ）のガスと、反応性窒素（Ｎ）ガスとが
発生する。そして、それら、５窒化３燐（P3N5）
ガスと、燐（Ｐ）ガスと、反応性窒素（Ｎ）ガス
との全てが、反応管５内の両側部の高温領域と、
中央部の低温領域との温度勾配のために、InP結
晶７が配置されている中央部の低温領域に向つて
流れ、そこに滞留する。
このため、上述した５窒化３燐（P3N5）ガス、
燐（Ｐ）ガス、及び反応性窒素（Ｎ）ガスが、効
果的に、InP結晶７上に存することになる。
燐（Ｐ）ガス、及び反応性窒素（Ｎ）ガスが、効
果的に、InP結晶７上に存することになる。
その結果、反応性窒素（Ｎ）ガスによつて、
InP結晶７の表面が熱窒化されながら、InP結晶
７上に、５窒化３燐（P3N5）が均一に堆積し、
よつて、InP結晶７上に、５窒化３燐（P3N5）で
なる絶縁膜８が形成される。
InP結晶７の表面が熱窒化されながら、InP結晶
７上に、５窒化３燐（P3N5）が均一に堆積し、
よつて、InP結晶７上に、５窒化３燐（P3N5）で
なる絶縁膜８が形成される。
この場合、InP結晶７上に燐（Ｐ）のガスの分
圧を有するので、InP結晶７から、それを構成し
ている燐（Ｐ）が、不必要に蒸発することがな
い。
圧を有するので、InP結晶７から、それを構成し
ている燐（Ｐ）が、不必要に蒸発することがな
い。
以上で、本発明による絶縁膜の形成法の実施例
が明らかとなつた。
が明らかとなつた。
このような本発明による絶縁膜の形成法によれ
ば、族元素（Ｐ）を含むソースガスとしてのホ
スフイン（PH3）ガスとアンモニア（NH3）ガ
スとを反応させ、その反応により生成される５窒
化３燐（P3N5）を、反応管５内に配されたInP結
晶７上に堆積させて、InP結晶７上に５窒化３燐
（P3N5）でなる絶縁膜８を形成する、というもの
である。
ば、族元素（Ｐ）を含むソースガスとしてのホ
スフイン（PH3）ガスとアンモニア（NH3）ガ
スとを反応させ、その反応により生成される５窒
化３燐（P3N5）を、反応管５内に配されたInP結
晶７上に堆積させて、InP結晶７上に５窒化３燐
（P3N5）でなる絶縁膜８を形成する、というもの
である。
このため、５窒化３燐（P3N5）でなる絶縁膜
８を形成する過程において、InP結晶７から、
族元素としての燐（Ｐ）が外部に蒸発せず、ま
た、InP結晶７の表面が、上述した反応により生
成される反応性窒素（Ｎ）ガスによつて窒化され
る。。
８を形成する過程において、InP結晶７から、
族元素としての燐（Ｐ）が外部に蒸発せず、ま
た、InP結晶７の表面が、上述した反応により生
成される反応性窒素（Ｎ）ガスによつて窒化され
る。。
従つて、上述した本発明による絶縁膜の形成法
によれば、絶縁膜８を、InP結晶７との間で優れ
た界面特性を有し且つ高品質なものとして形成す
ることができるとともに、絶縁膜８を、緻密な構
造を有し、且つ耐薬品性にも優れているものとし
て、形成することができる、という特徴を有す
る。
によれば、絶縁膜８を、InP結晶７との間で優れ
た界面特性を有し且つ高品質なものとして形成す
ることができるとともに、絶縁膜８を、緻密な構
造を有し、且つ耐薬品性にも優れているものとし
て、形成することができる、という特徴を有す
る。
このことは、上述した族元素を有する、InP
結晶７上に、本発明による絶縁膜の形成法によつ
て得られる絶縁膜８を形成している、という構成
を用いて、そのInP結晶７を半導体Ｓ、絶縁膜８
を絶縁体ＩとしたMISダイオードを作成し、その
半導体Ｓ及び金属Ｍ間の周波数をパラメータとし
た容量（PF）対電圧（Ｖ）特性を測定したとこ
ろ、その容量対電圧特性が、第４図に示すよう
に、ヒステリシス特性をほとんど呈しないで得ら
れ、また、ターマン法を用いて測定したInP結晶
７の表面準位密度が、1013／cm2eVと極めて小さ
な値で得られたことからも、確認された。
結晶７上に、本発明による絶縁膜の形成法によつ
て得られる絶縁膜８を形成している、という構成
を用いて、そのInP結晶７を半導体Ｓ、絶縁膜８
を絶縁体ＩとしたMISダイオードを作成し、その
半導体Ｓ及び金属Ｍ間の周波数をパラメータとし
た容量（PF）対電圧（Ｖ）特性を測定したとこ
ろ、その容量対電圧特性が、第４図に示すよう
に、ヒステリシス特性をほとんど呈しないで得ら
れ、また、ターマン法を用いて測定したInP結晶
７の表面準位密度が、1013／cm2eVと極めて小さ
な値で得られたことからも、確認された。
ちなみに、上述したMISダイオードにおいて、
その絶縁膜８が、従来のCVD法によつて形成さ
れた絶縁膜でなることを除いて、上述したと同様
のMISダイオードを作成し、同様の容量対電圧特
性を測定したところ、その容量対電圧特性が、第
５図に示すように、顕著なヒステリシス特性を呈
するものとして得られ、また、同様のInP結晶の
表面準位が、1013／cm2eVと極めて大なる値で得
られた。
その絶縁膜８が、従来のCVD法によつて形成さ
れた絶縁膜でなることを除いて、上述したと同様
のMISダイオードを作成し、同様の容量対電圧特
性を測定したところ、その容量対電圧特性が、第
５図に示すように、顕著なヒステリシス特性を呈
するものとして得られ、また、同様のInP結晶の
表面準位が、1013／cm2eVと極めて大なる値で得
られた。
また、上述した本発明による絶縁膜の形成法に
よれば、InP結晶７を、中央部が両側部に比し低
い温度である谷形分布を有する反応管５の中央部
に配し、そして、反応管５内で、その両側部の温
度を、ホスフイン（PH3）ガスとアンモニア
（NH3）ガスとが反応して５窒化３燐（P3N5）が
生成される温度以上の温度とし、反応管５内の中
央部の温度を、両側部の温度より200℃以上低い
温度とした状態で、ホスフイン（PH3）ガスとア
ンモニア（NH3）ガスとを反応させ、その反応
によつて生成される５窒化３燐（P3N5）を、InP
結晶７上に堆積させて、そのInP結晶７上に、５
窒化３燐（P3N5）でなる絶縁膜８を形成する、
というものである。
よれば、InP結晶７を、中央部が両側部に比し低
い温度である谷形分布を有する反応管５の中央部
に配し、そして、反応管５内で、その両側部の温
度を、ホスフイン（PH3）ガスとアンモニア
（NH3）ガスとが反応して５窒化３燐（P3N5）が
生成される温度以上の温度とし、反応管５内の中
央部の温度を、両側部の温度より200℃以上低い
温度とした状態で、ホスフイン（PH3）ガスとア
ンモニア（NH3）ガスとを反応させ、その反応
によつて生成される５窒化３燐（P3N5）を、InP
結晶７上に堆積させて、そのInP結晶７上に、５
窒化３燐（P3N5）でなる絶縁膜８を形成する、
というものである。
このため、５窒化３燐（P3N5）でなる絶縁膜
８を形成する過程において、InP結晶７が、ホス
フイン（PH3）ガスとアンモニア（NH3）ガス
とが反応して５窒化３燐（P3N5）が生成される
温度以上という高い温度に不必要に加熱されな
い。また、InP結晶７上に、それを構成している
燐（Ｐ）のガスの分圧が得られている。従つて、
InP結晶７から、それを構成している燐（Ｐ）
が、不必要に蒸発することがない。
８を形成する過程において、InP結晶７が、ホス
フイン（PH3）ガスとアンモニア（NH3）ガス
とが反応して５窒化３燐（P3N5）が生成される
温度以上という高い温度に不必要に加熱されな
い。また、InP結晶７上に、それを構成している
燐（Ｐ）のガスの分圧が得られている。従つて、
InP結晶７から、それを構成している燐（Ｐ）
が、不必要に蒸発することがない。
従つて、上述した本発明による絶縁膜の形成法
によれば、絶縁膜８を、上述したようにInP結晶
７との間で所期の優れた界面特性を有するものと
して形成することができる、という特徴を有す
る。
によれば、絶縁膜８を、上述したようにInP結晶
７との間で所期の優れた界面特性を有するものと
して形成することができる、という特徴を有す
る。
さらに、上述した本発明による絶縁膜の形成法
によれば、絶縁膜８を形成する時間に対する絶縁
膜８の膜厚（Å）の関係を測定したところ、第３
図に示すように、時間とともに膜厚が直線的に比
較的大きな変化分で変化するという結果が得られ
た。なお、第３図に示す結果は、反応管５の中央
部及び両側部の温度が、それぞれ590℃及び860℃
の場合である。
によれば、絶縁膜８を形成する時間に対する絶縁
膜８の膜厚（Å）の関係を測定したところ、第３
図に示すように、時間とともに膜厚が直線的に比
較的大きな変化分で変化するという結果が得られ
た。なお、第３図に示す結果は、反応管５の中央
部及び両側部の温度が、それぞれ590℃及び860℃
の場合である。
この結果からみても、上述した本発明による絶
縁膜の形成法によれば、絶縁膜８を、所要の厚さ
に、容易に形成することができるとともに、絶縁
膜８を、短い時間で、比較的厚い厚さに、形成す
ることができる、という特徴を有する。
縁膜の形成法によれば、絶縁膜８を、所要の厚さ
に、容易に形成することができるとともに、絶縁
膜８を、短い時間で、比較的厚い厚さに、形成す
ることができる、という特徴を有する。
なお、上述においては、族元素の窒化物でな
る絶縁膜が、ホスフイン（PH3）ガスでなるソー
スガスとアンモニア（NH3）ガスとの反応によ
り生成された燐（Ｐ）の窒化物が、InP結晶７上
に堆積して形成された膜でなる場合の実施例を述
べた。
る絶縁膜が、ホスフイン（PH3）ガスでなるソー
スガスとアンモニア（NH3）ガスとの反応によ
り生成された燐（Ｐ）の窒化物が、InP結晶７上
に堆積して形成された膜でなる場合の実施例を述
べた。
しかしながら、族元素の窒化物でなる絶縁膜
を、アルシン（AsH3）ガスでなるソースガスと
アンモニア（NH3）ガスとの反応により生成さ
れた砒素（As）の窒化物（５窒化３砒素
（As3N5））またはアンチモン（Sb）の水素化物
でなるソースガスとアンモニア（NH3）ガスと
の反応により生成されたアンチモン（Sb）の窒
化物がInP結晶７または他のGaAs、InAsなどの
族元素を有する化合物半導体結晶上堆積して形
成された膜とすることもできることは、明らかで
あろう。
を、アルシン（AsH3）ガスでなるソースガスと
アンモニア（NH3）ガスとの反応により生成さ
れた砒素（As）の窒化物（５窒化３砒素
（As3N5））またはアンチモン（Sb）の水素化物
でなるソースガスとアンモニア（NH3）ガスと
の反応により生成されたアンチモン（Sb）の窒
化物がInP結晶７または他のGaAs、InAsなどの
族元素を有する化合物半導体結晶上堆積して形
成された膜とすることもできることは、明らかで
あろう。
なお、このような場合でも、上述した特徴を有
する絶縁膜が得られることは明らかであろう。
する絶縁膜が得られることは明らかであろう。
また、上述においては、ソースガスとしてホス
フイン（PH3）ガスを用いて、InP結晶７上に５
窒化３燐（P3N5）でなる絶縁膜８を形成する、
絶縁膜の形成方法の実施例を述べた。
フイン（PH3）ガスを用いて、InP結晶７上に５
窒化３燐（P3N5）でなる絶縁膜８を形成する、
絶縁膜の形成方法の実施例を述べた。
しかしながら、ソースガスとしてアルシン
（AsH3）ガスを用いて、InP結晶またはGaAs、
InAsなどでなる族元素を有する化合物半導体
結晶上に、５窒化３砒素（As3N5）でなる絶縁膜
を形成する場合、ソースガスとしてアンチモン
（Sb）の水素化物でなるガスを用いて、InP結晶
またはAlSb、GaSb、InSbなどでなる族元素を
有する化合物半導体結晶上に、アンチモン（Sb）
の窒化物でなる絶縁膜を形成することもできるこ
とは明らかであろう。
（AsH3）ガスを用いて、InP結晶またはGaAs、
InAsなどでなる族元素を有する化合物半導体
結晶上に、５窒化３砒素（As3N5）でなる絶縁膜
を形成する場合、ソースガスとしてアンチモン
（Sb）の水素化物でなるガスを用いて、InP結晶
またはAlSb、GaSb、InSbなどでなる族元素を
有する化合物半導体結晶上に、アンチモン（Sb）
の窒化物でなる絶縁膜を形成することもできるこ
とは明らかであろう。
なお、このような場合も、上述した本発明によ
る絶縁膜の形成法の場合と同様の優れた特徴を得
ることができることは明らかであろう。
る絶縁膜の形成法の場合と同様の優れた特徴を得
ることができることは明らかであろう。
第１図は、本発明による化合物半導体結晶上
に、族元素の窒化物でなる絶縁膜を形成する方
法の実施例の説明に供する略線図である。第２図
は、本発明による絶縁膜の形成法の実施例の説明
に供する温度特性図である。第３図は、本発明に
よる絶縁膜の形成法によつて絶縁膜を形成すると
きの、時間に対する絶縁膜の膜厚の関係を示す図
である。第４図は、本発明による絶縁膜の形成法
を用いて構成されたMISダイオードの容量対電圧
特性図である。第５図は、従来の絶縁膜の形成法
を用いて構成されたMISダイオードの容量対電圧
特性図である。 １……窒素ガス源、２……塩化水素ガス源、３
……ホスフインガス源、４……アンモニアガス
源、５……反応管、６……加熱源、７……InP結
晶、８……絶縁膜。
に、族元素の窒化物でなる絶縁膜を形成する方
法の実施例の説明に供する略線図である。第２図
は、本発明による絶縁膜の形成法の実施例の説明
に供する温度特性図である。第３図は、本発明に
よる絶縁膜の形成法によつて絶縁膜を形成すると
きの、時間に対する絶縁膜の膜厚の関係を示す図
である。第４図は、本発明による絶縁膜の形成法
を用いて構成されたMISダイオードの容量対電圧
特性図である。第５図は、従来の絶縁膜の形成法
を用いて構成されたMISダイオードの容量対電圧
特性図である。 １……窒素ガス源、２……塩化水素ガス源、３
……ホスフインガス源、４……アンモニアガス
源、５……反応管、６……加熱源、７……InP結
晶、８……絶縁膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 族元素を有する化合物半導体結晶上に族
元素の窒化物でなる絶縁膜を形成する、化合物半
導体結晶上の絶縁膜の形成法において、 上記化合物半導体結晶を反応領域に配し、 その反応領域で、族元素を含むソースガスと
アンモニアガスとを反応させ、 その反応により生成される族元素の窒化物
を、上記化合物半導体結晶上に堆積させて、族
元素の窒化物でなる絶縁膜を形成することを特徴
とする化合物半導体結晶上の絶縁膜の形成法。 ２ 族元素を有する化合物半導体結晶上に族
元素の窒化物でなる絶縁膜を形成する、化合物半
導体結晶上の絶縁膜の形成法において、 上記化合物半導体結晶を、中央部が両側部に比
し低温である谷形温度分布を有する反応領域の上
記中央部に配し、 上記反応領域で、上記反応領域の両側部の温度
を、上記族元素を含むソースガスと上記アンモ
ニアガスとが反応して族元素の窒化物が生成さ
れる温度以上の温度とし、上記中央部の温度を、
上記両側部の温度より200℃以上低い温度とした
状態で、上記族元素を含むソースガスと上記ア
ンモニアガスとを反応させ、 その反応により生成される族元素の窒化物
を、上記化合物半導体結晶上に堆積させて、族
元素の窒化物でなる絶縁膜を形成することを特徴
とする化合物半導体結晶上の絶縁膜の形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56155464A JPS5856425A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 化合物半導体結晶上の絶縁膜の形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56155464A JPS5856425A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 化合物半導体結晶上の絶縁膜の形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5856425A JPS5856425A (ja) | 1983-04-04 |
| JPH0119264B2 true JPH0119264B2 (ja) | 1989-04-11 |
Family
ID=15606617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56155464A Granted JPS5856425A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 化合物半導体結晶上の絶縁膜の形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5856425A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4859253A (en) * | 1988-07-20 | 1989-08-22 | International Business Machines Corporation | Method for passivating a compound semiconductor surface and device having improved semiconductor-insulator interface |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP56155464A patent/JPS5856425A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5856425A (ja) | 1983-04-04 |
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