JPH01193842A - 放射線画像情報記録読取装置 - Google Patents
放射線画像情報記録読取装置Info
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- JPH01193842A JPH01193842A JP1923688A JP1923688A JPH01193842A JP H01193842 A JPH01193842 A JP H01193842A JP 1923688 A JP1923688 A JP 1923688A JP 1923688 A JP1923688 A JP 1923688A JP H01193842 A JPH01193842 A JP H01193842A
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- Japan
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- conversion panel
- radiation image
- panel
- heating
- heating element
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- Radiography Using Non-Light Waves (AREA)
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
一産業上の利用分野−
本発明は、輝尽性蛍光体を用いた放射線画像情報記録読
取装置に係り、特に放射線画像変換パネルの加熱による
保護装置に関する。
取装置に係り、特に放射線画像変換パネルの加熱による
保護装置に関する。
−発明の背景−
X線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられている。このX線画像を得るために、被写体を透
過したX線を蛍光体層(蛍光スクリーン)に照射し、こ
れにより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を
)最るときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射
して現像した、いわゆる放射線写真が利用されている。
いられている。このX線画像を得るために、被写体を透
過したX線を蛍光体層(蛍光スクリーン)に照射し、こ
れにより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を
)最るときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射
して現像した、いわゆる放射線写真が利用されている。
しかし、近年には銀塩を塗布したフィルムを使用しない
で蛍光体層から直接画像を取り出す方法が工夫されるよ
うになった。
で蛍光体層から直接画像を取り出す方法が工夫されるよ
うになった。
この方法としては、被写体を透過した放射線を蛍光体に
吸収せしめ、しかる後、この蛍光体を例えば光または熱
エネルギーで励起することによりこの蛍光体が上記吸収
により蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射
せしめ、この蛍光を検出して画像化する方法がある。具
体的には、例えば米国特許3,859.527号及び特
開昭55−12144号公報には輝尽性蛍光体を用い可
視光線または赤外線を輝尽励起光とした放射線画像変換
方法が示されている。この方法は支持体上に輝尽性蛍光
体層を形成した放射線画像変換パネルを使用するもので
、この放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体
を透過した放射線を当てて被写体各部の放射線透過度に
対応する放射線エネルギーを蓄積させて潜像を形成し、
しかる後にこの輝尽性蛍光体層を灯尽励起光で走査する
ことによって各部の蓄積された放射線エネルギーを放射
させてこれを光に変換し、この光の強弱による光信号に
より画像を得るものである。この最終的な画像はハード
コピーとして再生しても良いし、CRT上に再生しても
良い。
吸収せしめ、しかる後、この蛍光体を例えば光または熱
エネルギーで励起することによりこの蛍光体が上記吸収
により蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射
せしめ、この蛍光を検出して画像化する方法がある。具
体的には、例えば米国特許3,859.527号及び特
開昭55−12144号公報には輝尽性蛍光体を用い可
視光線または赤外線を輝尽励起光とした放射線画像変換
方法が示されている。この方法は支持体上に輝尽性蛍光
体層を形成した放射線画像変換パネルを使用するもので
、この放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体
を透過した放射線を当てて被写体各部の放射線透過度に
対応する放射線エネルギーを蓄積させて潜像を形成し、
しかる後にこの輝尽性蛍光体層を灯尽励起光で走査する
ことによって各部の蓄積された放射線エネルギーを放射
させてこれを光に変換し、この光の強弱による光信号に
より画像を得るものである。この最終的な画像はハード
コピーとして再生しても良いし、CRT上に再生しても
良い。
この放射線画像変換方法において使用される放射線画像
変換パネルは、放射線画像情報を蓄積した後輝尽励起光
の走査によって蓄積エネルギーを放出するので、走査後
再度放・射線画像の蓄積を行うことができ、繰返し使用
が可能である。
変換パネルは、放射線画像情報を蓄積した後輝尽励起光
の走査によって蓄積エネルギーを放出するので、走査後
再度放・射線画像の蓄積を行うことができ、繰返し使用
が可能である。
そこで、前記放射線画像変換パネルは、得られる放射線
画像の画質を劣化させることなく長期間あるいは多数回
の繰返しの使用に耐える性能を有することが望ましい。
画像の画質を劣化させることなく長期間あるいは多数回
の繰返しの使用に耐える性能を有することが望ましい。
そのためには前記放射線画像変換パネル中の輝尽性蛍光
体層が外部からの物理的あるいは化学的刺激から十分に
保護される必要がある。
体層が外部からの物理的あるいは化学的刺激から十分に
保護される必要がある。
特に、輝尽性蛍光体は吸湿性が強く前記輝尽性蛍光体層
が水分を吸収すると、弗化臭化バリウム系蛍光体(例え
ばBaFBr :Eu)等は分解し放射線に対する感度
が低下する。また、アルカリハライド系蛍光体(例えば
RbBr:T1)等は吸湿、脱湿により放射線エネルギ
ーのフェーディング速度が上下し、1最影条件が不安定
となり、また得られる放射線画像の画質の劣化をもたら
すため、前記輝尽性蛍光体層に水分が含有されないよう
保護することが望まれてきた。
が水分を吸収すると、弗化臭化バリウム系蛍光体(例え
ばBaFBr :Eu)等は分解し放射線に対する感度
が低下する。また、アルカリハライド系蛍光体(例えば
RbBr:T1)等は吸湿、脱湿により放射線エネルギ
ーのフェーディング速度が上下し、1最影条件が不安定
となり、また得られる放射線画像の画質の劣化をもたら
すため、前記輝尽性蛍光体層に水分が含有されないよう
保護することが望まれてきた。
従来の放射線画像変換パネルにおいては、上記の問題の
解決を図るため、放射線画像変換パネルの支持体上の輝
尽性蛍光体層面を被覆する保護層を設ける方法が採られ
てきた。
解決を図るため、放射線画像変換パネルの支持体上の輝
尽性蛍光体層面を被覆する保護層を設ける方法が採られ
てきた。
この保護層は、例えば特開昭59−42500号公報に
記述されているように、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体
層上に直接塗布して形成されるか、あるいは予め別途形
成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着する方法により
形成されている。
記述されているように、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体
層上に直接塗布して形成されるか、あるいは予め別途形
成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着する方法により
形成されている。
さらに、特開昭61−178900号公報及び特願昭1
io−156346公報において、放射線照射及び/又
は加熱によって重縮合あるいは架橋反応して硬化する樹
脂素材を含有する保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に
塗布した後、放射線の照射及び/又は加熱により前記樹
脂素材を硬化させて保護層を形成する方法が提案されて
いる。
io−156346公報において、放射線照射及び/又
は加熱によって重縮合あるいは架橋反応して硬化する樹
脂素材を含有する保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に
塗布した後、放射線の照射及び/又は加熱により前記樹
脂素材を硬化させて保護層を形成する方法が提案されて
いる。
−発明が解決しようとする課題−
放射線画像変換パネルの長寿命化を達成するために特に
耐湿性の点でより一層の改良が望まれているが、前記保
護層の透湿性を低下させるための方法以外は防湿性に関
して殆ど検討されてなく、長期間に渡って良好な状態で
放射線画像変換パネルの乾燥度を安定に保ち、その長寿
命化を図り得るものでなかった。
耐湿性の点でより一層の改良が望まれているが、前記保
護層の透湿性を低下させるための方法以外は防湿性に関
して殆ど検討されてなく、長期間に渡って良好な状態で
放射線画像変換パネルの乾燥度を安定に保ち、その長寿
命化を図り得るものでなかった。
本発明の目的は、輝尽性蛍光体層の乾燥度を安定に保ち
、長期間に渡り良好な状態で使用し、また長寿命化を図
ることができる放射線画像情報記録読取装置を提供する
にある。
、長期間に渡り良好な状態で使用し、また長寿命化を図
ることができる放射線画像情報記録読取装置を提供する
にある。
−課題を解決するための手段と作用−
本発明は、上記目的を達成するため、放射線源から照射
された放射線を輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換
パネルに照射して放射線画像情報を蓄積記録し、該記録
の後に該パネルを励起光で走査して上記蓄積記録されて
いる放射線画像情報を光電的に読取るように構成した放
射線画像情報記録読取装置において、前記放射線画像変
換パネルに組込まれて該パネルを加熱乾燥する乾燥用発
熱体と、撮影開始時間から逆算された予備加熱時刻に前
記乾燥用発熱体の動作を開始させるコントローラとを備
え、放射線画像変換パネルを発熱体で乾燥することによ
って放射線画像変換パネルの耐湿性を高め、この発熱体
の動作を撮影時間から逆算した時間コントロールによっ
て放射線画像変換パネルに画像蓄積記録のための最適温
度状態を得る。
された放射線を輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換
パネルに照射して放射線画像情報を蓄積記録し、該記録
の後に該パネルを励起光で走査して上記蓄積記録されて
いる放射線画像情報を光電的に読取るように構成した放
射線画像情報記録読取装置において、前記放射線画像変
換パネルに組込まれて該パネルを加熱乾燥する乾燥用発
熱体と、撮影開始時間から逆算された予備加熱時刻に前
記乾燥用発熱体の動作を開始させるコントローラとを備
え、放射線画像変換パネルを発熱体で乾燥することによ
って放射線画像変換パネルの耐湿性を高め、この発熱体
の動作を撮影時間から逆算した時間コントロールによっ
て放射線画像変換パネルに画像蓄積記録のための最適温
度状態を得る。
一実施例−
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。
。
光輝尽性蛍光体を用いる放射線画像変換パネル(以下、
変換パネルと略称する)は、−般に支持体上に輝尽性蛍
光体層(以下輝尽層と略称する)と該輝尽層の機能を補
完するための各種構成層(例えば保護層、フィルタ層あ
るいは接着層等)・からなっている。
変換パネルと略称する)は、−般に支持体上に輝尽性蛍
光体層(以下輝尽層と略称する)と該輝尽層の機能を補
完するための各種構成層(例えば保護層、フィルタ層あ
るいは接着層等)・からなっている。
第12図は、変換パネルの各種態様を例示する。同図(
a)において、1は支持体、2Hは乾燥用発熱体(以下
、発熱体と略称する)が含有組込まれた発熱輝尽層、3
は保護層である。尚、該保護層が輝尽層の周側面まで被
覆する例を示している。同図(b)は輝尽層2に対する
支持体1の裏面に発熱体からなる発熱層H1が支持体1
に接して設けられており、同図(C)において発熱体か
らなる発熱層H2は支持体に関し輝尽層2と同側、支持
体に接して設けられ、保護層3は輝尽層2のみの全表面
を被覆している。同図(d)においてIHは支持体中に
発熱体が含有組込まれた発熱支持体である。同図(e)
においては、H3は発熱体自身が支持体を兼ねる支持発
熱体であり、保護層3が輝尽層2及び支持発熱体H3の
裏面を含め全表面を包んで被覆している。同図(f)は
発熱層H4が輝尽層2の上面に接して設けられ、同図(
g)では輝尽層2が発熱層H2及びH4に差挟れた態様
である。同図(h)は発熱体が含有組込まれた発熱保護
層3Hを有する例である。
a)において、1は支持体、2Hは乾燥用発熱体(以下
、発熱体と略称する)が含有組込まれた発熱輝尽層、3
は保護層である。尚、該保護層が輝尽層の周側面まで被
覆する例を示している。同図(b)は輝尽層2に対する
支持体1の裏面に発熱体からなる発熱層H1が支持体1
に接して設けられており、同図(C)において発熱体か
らなる発熱層H2は支持体に関し輝尽層2と同側、支持
体に接して設けられ、保護層3は輝尽層2のみの全表面
を被覆している。同図(d)においてIHは支持体中に
発熱体が含有組込まれた発熱支持体である。同図(e)
においては、H3は発熱体自身が支持体を兼ねる支持発
熱体であり、保護層3が輝尽層2及び支持発熱体H3の
裏面を含め全表面を包んで被覆している。同図(f)は
発熱層H4が輝尽層2の上面に接して設けられ、同図(
g)では輝尽層2が発熱層H2及びH4に差挟れた態様
である。同図(h)は発熱体が含有組込まれた発熱保護
層3Hを有する例である。
本発明に係る変換パネルは上述のものに限らないが、発
熱体からなるか、あるいは発熱体が含有組込まれた層が
輝尽層より保護層側にあり且つ画像読み込を保護層側か
ら行う形態のときには該発熱体は透明な物質が用いられ
る。
熱体からなるか、あるいは発熱体が含有組込まれた層が
輝尽層より保護層側にあり且つ画像読み込を保護層側か
ら行う形態のときには該発熱体は透明な物質が用いられ
る。
前記発熱体が含有組込まれた層あるいは発熱支持体には
カーボンブラック、金属微粉末等の導電性微粉末が用い
られることが望ましい。
カーボンブラック、金属微粉末等の導電性微粉末が用い
られることが望ましい。
また、発熱体からなる発熱層には、透明な酸化インジウ
ム等の電気抵抗体の金属酸化物或は金属等の蒸着、スパ
ッタリングによる薄膜、又はカーボンブラック、金属微
粉末等を分散懸濁する塗料の塗布膜が用いられる。
ム等の電気抵抗体の金属酸化物或は金属等の蒸着、スパ
ッタリングによる薄膜、又はカーボンブラック、金属微
粉末等を分散懸濁する塗料の塗布膜が用いられる。
また、前記発熱体自身が支持体を兼ねる支持発熱体には
、カーボンファイバシート等が用いられる。
、カーボンファイバシート等が用いられる。
変換パネルの乾燥もしくは防湿のための加熱温度範囲は
40〜150℃、好ましくは40〜100℃であって、
該温度範囲においては、支持体、保護層に非耐熱性素材
(例えばポリエチレンテレフタレート等)使用の自由が
許される。また、加熱温度が高すぎると、読取時には輝
尽層への放射エネルギー蓄積にロスを生じたり、残光量
が増大したりして好ましくない。
40〜150℃、好ましくは40〜100℃であって、
該温度範囲においては、支持体、保護層に非耐熱性素材
(例えばポリエチレンテレフタレート等)使用の自由が
許される。また、加熱温度が高すぎると、読取時には輝
尽層への放射エネルギー蓄積にロスを生じたり、残光量
が増大したりして好ましくない。
加熱の時期は放射線画像を輝尽励起する読取時及び/又
は非読取時の任意時期で良い。
は非読取時の任意時期で良い。
さらに、乾燥に要する時間は含湿により30%相対感度
に低下した変換パネルに於ても80℃で1〜3時間でほ
ぼ100%に回復できる。また、気相堆積によるバイン
ダフリーの輝尽層の方が乾燥効率(感度回復速度)が良
い。また、読取時よりも非読取時の加熱温度を高め、乾
燥効果よび画像消去効率を上げる等の方策を講じてもよ
いし、読取時は加熱を中止するようにしても良い。また
、使用の都度逐次乾燥処理を行っても良いし、夜間等の
非使用時或は蛍光体が水分により分解しその機能回復不
能に陥らない限度の長期貯留後に一括除湿処理を行って
も良い。
に低下した変換パネルに於ても80℃で1〜3時間でほ
ぼ100%に回復できる。また、気相堆積によるバイン
ダフリーの輝尽層の方が乾燥効率(感度回復速度)が良
い。また、読取時よりも非読取時の加熱温度を高め、乾
燥効果よび画像消去効率を上げる等の方策を講じてもよ
いし、読取時は加熱を中止するようにしても良い。また
、使用の都度逐次乾燥処理を行っても良いし、夜間等の
非使用時或は蛍光体が水分により分解しその機能回復不
能に陥らない限度の長期貯留後に一括除湿処理を行って
も良い。
前記した態様例のように発熱体を変換パネルに組込む場
合、発熱体は電流回路を形成しパネル全面に十分加熱効
果を及ぼしつる形態であれば如何様のパターンを採って
も良い。
合、発熱体は電流回路を形成しパネル全面に十分加熱効
果を及ぼしつる形態であれば如何様のパターンを採って
も良い。
その例を第13図に示す。同図(a)は発熱体に均一薄
層回路を形成させた例であり、同図(b)は櫛型、同図
(c)は屈曲単線型回路とした例である。なお、同図に
おいてPは電極、Hは発熱体である。
層回路を形成させた例であり、同図(b)は櫛型、同図
(c)は屈曲単線型回路とした例である。なお、同図に
おいてPは電極、Hは発熱体である。
上記に詳述した本発明に係る変換パネルは、輝尽性蛍光
体プレートを内蔵した撮影・読取一体型放射線画像情報
記録読取公理に利用することが特に適するが、撮影と読
取のり置が別個になるものにも適用できる。
体プレートを内蔵した撮影・読取一体型放射線画像情報
記録読取公理に利用することが特に適するが、撮影と読
取のり置が別個になるものにも適用できる。
本発明に係る変換パネルは第14図に概略的に示す放射
線画像情報記録読取装置に通用される。同図において、
21は放射線発生装置、22は被写体、23は変換パネ
ル、24は輝尽励起光源、25は該変換パネルより放射
された輝尽発光を検出する光電変換装置、26は光電変
換装置25で検出された信号を画像として再生する装置
、27は再生された画像を記憶・表示する装置、28は
輝尽励起光と輝尽発光とを分離し、輝尽発光のみを透過
させるフィルタである。29は記憶・表示装置27を制
御する制御装置でこれら27及び29はコントロール装
置30を構成する。31は再生装置26や光源24を制
御し、ざらにヒータ制御装置31を制御する制御装置で
、これらは放射線画像情報記録読取装置33を構成する
。なお、光電変換装置25以降は変換パネル23からの
光情報を何等かの形で画像として再生できるものであれ
ば良く、上記の構成に限られるものでない。
線画像情報記録読取装置に通用される。同図において、
21は放射線発生装置、22は被写体、23は変換パネ
ル、24は輝尽励起光源、25は該変換パネルより放射
された輝尽発光を検出する光電変換装置、26は光電変
換装置25で検出された信号を画像として再生する装置
、27は再生された画像を記憶・表示する装置、28は
輝尽励起光と輝尽発光とを分離し、輝尽発光のみを透過
させるフィルタである。29は記憶・表示装置27を制
御する制御装置でこれら27及び29はコントロール装
置30を構成する。31は再生装置26や光源24を制
御し、ざらにヒータ制御装置31を制御する制御装置で
、これらは放射線画像情報記録読取装置33を構成する
。なお、光電変換装置25以降は変換パネル23からの
光情報を何等かの形で画像として再生できるものであれ
ば良く、上記の構成に限られるものでない。
また、制御装置29は放射線画像情報記録読取装置33
をもコントロールするし、ヒータ制御装置32をもコン
トロールする構成でも良い。
をもコントロールするし、ヒータ制御装置32をもコン
トロールする構成でも良い。
上述の図に示されるように、放射線発生装置21からの
放射線は被写体22を通して変換パネル23に入射する
。この入射した放射線は変換パネル23の輝尽層に吸収
され、そのエネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積
像が形成される。次に、この蓄積像を輝尽励起光源24
からの輝尽励起光で励起して輝尽発光として放出せしめ
る。放出される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネ
ルギー量に比例するので、この光信号は例えば光電子増
倍管等の光電変換装置25で光電変換し、画像再生装晋
26によって画像として再生し、コントロール装置の画
像記録表示装置27によって表示することにより、被写
体の放射線透過像を観察することができる。
放射線は被写体22を通して変換パネル23に入射する
。この入射した放射線は変換パネル23の輝尽層に吸収
され、そのエネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積
像が形成される。次に、この蓄積像を輝尽励起光源24
からの輝尽励起光で励起して輝尽発光として放出せしめ
る。放出される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネ
ルギー量に比例するので、この光信号は例えば光電子増
倍管等の光電変換装置25で光電変換し、画像再生装晋
26によって画像として再生し、コントロール装置の画
像記録表示装置27によって表示することにより、被写
体の放射線透過像を観察することができる。
ここで、本発明では変換パネル23の乾燥温度制御のた
めのヒータ制御装置32とそのコントロールのための制
御装置31又は制御装置29を第1図に示す構造にする
。同図中、Aは温度検出器、Bは温度制御器、Cはヒー
タ用電源および電源制御器、Dは温度センサである。こ
のような構造による温度制御はフィードバック方式でな
され、放射線画像変換パネルに組込まれて該パネルを加
熱乾燥する乾燥用発熱体に対して、撮影開始時間から逆
算された予備加熱時刻に前記乾燥用発熱体の動作を開始
させることで、輝尽性蛍光体層の乾燥度を安定に保ち、
長期間に渡り良好な状態で使用し、また長寿命化を図る
。
めのヒータ制御装置32とそのコントロールのための制
御装置31又は制御装置29を第1図に示す構造にする
。同図中、Aは温度検出器、Bは温度制御器、Cはヒー
タ用電源および電源制御器、Dは温度センサである。こ
のような構造による温度制御はフィードバック方式でな
され、放射線画像変換パネルに組込まれて該パネルを加
熱乾燥する乾燥用発熱体に対して、撮影開始時間から逆
算された予備加熱時刻に前記乾燥用発熱体の動作を開始
させることで、輝尽性蛍光体層の乾燥度を安定に保ち、
長期間に渡り良好な状態で使用し、また長寿命化を図る
。
上述までのように変換パネルに加熱用ヒータを設けた装
置において、本発明による温度制御を施した具体例を以
下に詳細に説明する。
置において、本発明による温度制御を施した具体例を以
下に詳細に説明する。
支持体として500μm圧の化学強化ガラスを蒸着器中
に設置し、抵抗加熱用のタングステンボード中にアルカ
リハライド光輝尽性蛍光体(0,9RbBr−0,IC
5F:0.0ITI)を入れ、抵抗加熱用電極にセット
し、つづいて蒸着器を排気して2*10−’Torrの
真空度とした。次に、タングステンボードに電流を流し
、抵抗加熱方によってアルカリハライド光輝尽性蛍光体
を蒸発させ、化学強化ガラス上に輝尽層の層厚が300
μmになるまで堆積させた。次に、このパネルを大気中
に取り出した後、化学強化ガラスの輝尽層の設けられて
いない面に、ポリイミドフィルム上にITOを上着した
導電膜シート(ミクロ技術研究新製、1oΩ/口)を接
着し、また輝尽層表面には20μm厚の透明ポリエチレ
ンテレフタレトシートを接着して、第12図(b)に示
した構造の変換パネルを得た。
に設置し、抵抗加熱用のタングステンボード中にアルカ
リハライド光輝尽性蛍光体(0,9RbBr−0,IC
5F:0.0ITI)を入れ、抵抗加熱用電極にセット
し、つづいて蒸着器を排気して2*10−’Torrの
真空度とした。次に、タングステンボードに電流を流し
、抵抗加熱方によってアルカリハライド光輝尽性蛍光体
を蒸発させ、化学強化ガラス上に輝尽層の層厚が300
μmになるまで堆積させた。次に、このパネルを大気中
に取り出した後、化学強化ガラスの輝尽層の設けられて
いない面に、ポリイミドフィルム上にITOを上着した
導電膜シート(ミクロ技術研究新製、1oΩ/口)を接
着し、また輝尽層表面には20μm厚の透明ポリエチレ
ンテレフタレトシートを接着して、第12図(b)に示
した構造の変換パネルを得た。
この変換パネルAに電極と第1図のような温度制御回路
を取付け、80℃に輝尽層を加熱しながら、30℃、相
対湿度70%の恒温室に放置し、経時による感度変化を
測定した結果を第15図に曲線aで示す。
を取付け、80℃に輝尽層を加熱しながら、30℃、相
対湿度70%の恒温室に放置し、経時による感度変化を
測定した結果を第15図に曲線aで示す。
上述の変換パネルにおいて、輝尽層の加熱を140℃に
した以外は同様の条件になる変)^パネルの経時による
感度変化を第15図の曲線すに示す。
した以外は同様の条件になる変)^パネルの経時による
感度変化を第15図の曲線すに示す。
また、支持体として予め輝尽層を設ける側に透明導電膜
(ITo、10Ω/口)が蒸若されている500μm厚
の化学強化ガラスを用いた以外は同様の条件になる変換
パネルBを得た。なお、透明導電膜上には透明導電膜と
光輝尽性蛍光体との反応を防止するためのSiO膜(2
000オングストローム)が設けである。この変換パネ
ルBの経時による感度変化は第15図の曲線Cとして示
す。
(ITo、10Ω/口)が蒸若されている500μm厚
の化学強化ガラスを用いた以外は同様の条件になる変換
パネルBを得た。なお、透明導電膜上には透明導電膜と
光輝尽性蛍光体との反応を防止するためのSiO膜(2
000オングストローム)が設けである。この変換パネ
ルBの経時による感度変化は第15図の曲線Cとして示
す。
上述の変換パネルAについて、その輝尽層を加熱しない
で30℃で相対湿度70%の恒温層に放置し、経時によ
る感度変化を測定した結果を第15図に曲線pで示す。
で30℃で相対湿度70%の恒温層に放置し、経時によ
る感度変化を測定した結果を第15図に曲線pで示す。
この特性から、変換パネルは輝尽層を加熱することによ
って吸湿による感度の低下を防止し、使用の恒久性が保
証される。
って吸湿による感度の低下を防止し、使用の恒久性が保
証される。
次に、他の変換パネルとして、アルカリハライド光輝尽
性蛍光体(0,9RbBr・0、IC5F:O,ITI
)8重量部とポリビニルブチラール樹脂1重量部と溶剤
(シクロヘキサノン)5重量部を用いて混合・分散し、
輝尽層用塗布液を調整した。次に、この塗布液を水平に
置いた500μm厚の化学強化ガラス支持体上に均一に
塗布し、自然乾燥させて300.um厚の輝尽層を形成
した。
性蛍光体(0,9RbBr・0、IC5F:O,ITI
)8重量部とポリビニルブチラール樹脂1重量部と溶剤
(シクロヘキサノン)5重量部を用いて混合・分散し、
輝尽層用塗布液を調整した。次に、この塗布液を水平に
置いた500μm厚の化学強化ガラス支持体上に均一に
塗布し、自然乾燥させて300.um厚の輝尽層を形成
した。
このようにして得られたパネルの化学強化ガラスの輝尽
層の設けられていない面に上述の変換パネルAと同様の
導電性シートを接若し、また輝尽層表面には20μm厚
の透明ポリエチレンテレフタレートシートを接着して変
換パネルCを得た。
層の設けられていない面に上述の変換パネルAと同様の
導電性シートを接若し、また輝尽層表面には20μm厚
の透明ポリエチレンテレフタレートシートを接着して変
換パネルCを得た。
上述の変換パネルAとCとを30℃で相対湿度80%の
恒温室に十分長期間放置した後、30℃で相対湿度60
%の恒温室に取だし、第1図のような温度制御回路を取
付け、輝尽層を80℃に加熱して前記変換パネルA、C
の感度回復の様子を調べた。こ゛の結果を第16図の曲
線d(変換パネルA)及び曲線e(変換パネルC)とし
て示す。
恒温室に十分長期間放置した後、30℃で相対湿度60
%の恒温室に取だし、第1図のような温度制御回路を取
付け、輝尽層を80℃に加熱して前記変換パネルA、C
の感度回復の様子を調べた。こ゛の結果を第16図の曲
線d(変換パネルA)及び曲線e(変換パネルC)とし
て示す。
また、変換パネルAを変換パネルCの場合と同様に30
℃で相対湿度80%の恒温室に十分長期間放置した後、
30℃で相対湿度60%の恒温室に取だし、輝尽層を加
熱しないで前記変換パネルAの感度回復の様子を調べた
。この結果を第16図に曲線qとして示す。上述までの
ことから、変換パネルは吸湿により一旦感度が低下して
も、輝尽層の加熱により感度が回復することが解る。な
お、上述の変換パネルのうち、変換パネルAは輝尽層に
決着剤を含んでいないので感度の回復が早い。
℃で相対湿度80%の恒温室に十分長期間放置した後、
30℃で相対湿度60%の恒温室に取だし、輝尽層を加
熱しないで前記変換パネルAの感度回復の様子を調べた
。この結果を第16図に曲線qとして示す。上述までの
ことから、変換パネルは吸湿により一旦感度が低下して
も、輝尽層の加熱により感度が回復することが解る。な
お、上述の変換パネルのうち、変換パネルAは輝尽層に
決着剤を含んでいないので感度の回復が早い。
本発明は上述までのような変換パネルの特性を利用し、
変換パネルに組込まれる乾燥用発熱体の構造及び該発熱
体の発熱動作のコントロールにより、輝尽性蛍光体層の
乾燥度を安定に保ち、長期間に渡り良好な状態で使用し
、また長寿命化を図る。
変換パネルに組込まれる乾燥用発熱体の構造及び該発熱
体の発熱動作のコントロールにより、輝尽性蛍光体層の
乾燥度を安定に保ち、長期間に渡り良好な状態で使用し
、また長寿命化を図る。
以下、発熱体構造とコントローラについて詳細に説明す
る。
る。
第2図は第1図における温度検出器Aと温度制御器Bと
ヒータ用電源及び電源制御器Cと温度センサDの回路構
成を示す。同図(A)においては、変換パネル23の温
度検出器にサーミスタ42を使用し、サーミスタ42の
温度変化による抵抗値の変化をアンプ43で電圧増幅し
、この電圧をA/D変換器44によってディジタル値に
変換し、 CPU45に検出温度データとして取込む。
ヒータ用電源及び電源制御器Cと温度センサDの回路構
成を示す。同図(A)においては、変換パネル23の温
度検出器にサーミスタ42を使用し、サーミスタ42の
温度変化による抵抗値の変化をアンプ43で電圧増幅し
、この電圧をA/D変換器44によってディジタル値に
変換し、 CPU45に検出温度データとして取込む。
CPU45には変換パネル23の乾燥温度上限値と下限
値が設定されており、まず変換パネル23の温度が上限
値に達するとサイリスタスイッチ46をオフさせ、交流
電源47h)ら乾燥用発熱層への通電路を遮断する。こ
の遮断で変換パネル23の温度が下がり始め、この温度
が下限値に達するとCPU45がスイッチ46をオンさ
せ、発熱層への通電を再開する。このようなオシ・オフ
制御方式による?W 度コントロールによって変換パネ
ル23の温度は上限値と下限値の範囲内に制御され、乾
燥温度は温度40〜100℃の範囲内であれば良いので
、例えば上限値80℃、下限値81℃に制御される。
値が設定されており、まず変換パネル23の温度が上限
値に達するとサイリスタスイッチ46をオフさせ、交流
電源47h)ら乾燥用発熱層への通電路を遮断する。こ
の遮断で変換パネル23の温度が下がり始め、この温度
が下限値に達するとCPU45がスイッチ46をオンさ
せ、発熱層への通電を再開する。このようなオシ・オフ
制御方式による?W 度コントロールによって変換パネ
ル23の温度は上限値と下限値の範囲内に制御され、乾
燥温度は温度40〜100℃の範囲内であれば良いので
、例えば上限値80℃、下限値81℃に制御される。
同図(B)は、温度検出器として熱電対48を使用し、
この熱電対48の電流を温度変換器49で電圧値に変換
し、A/D変換器50を通してCPU51に取込み、 CPU51は設定される乾燥温度値と検出温度値との偏
差に応じた値をD/A変換器52に制御量として与え、
この制御量に従って電圧制御アンプ53が発熱層に印加
する電圧を変化させ、変換パネル23の温度を設定値に
一致させる。
この熱電対48の電流を温度変換器49で電圧値に変換
し、A/D変換器50を通してCPU51に取込み、 CPU51は設定される乾燥温度値と検出温度値との偏
差に応じた値をD/A変換器52に制御量として与え、
この制御量に従って電圧制御アンプ53が発熱層に印加
する電圧を変化させ、変換パネル23の温度を設定値に
一致させる。
こうした加熱制御回路において、変換パネル23は放射
線画像情報読取装置33内に第3図に示すような状態で
固定される。即ち、変換パネル23は外装で密閉される
ハウジング61内でパネル固定板62と共にパネル固定
板取付部63で垂直に保持され、ハウジング61内には
励起・読取ユニット64が収納され、背部には放熱用の
ファン65が設けられる。
線画像情報読取装置33内に第3図に示すような状態で
固定される。即ち、変換パネル23は外装で密閉される
ハウジング61内でパネル固定板62と共にパネル固定
板取付部63で垂直に保持され、ハウジング61内には
励起・読取ユニット64が収納され、背部には放熱用の
ファン65が設けられる。
このような状態及び環境に置かれる変換パネル23の温
度分布は以下のようになる。加熱開始後の時間経過と共
に、加熱された空気がハウジング61内上部に上昇し、
上部の温度が高くなる。このため、垂直にある変換パネ
ル23はその下部よりも上部の温度が高くなり、また変
換パネル23の四辺の端部が取付部63に接触して該部
分の温度が中央部よりも低くなる。
度分布は以下のようになる。加熱開始後の時間経過と共
に、加熱された空気がハウジング61内上部に上昇し、
上部の温度が高くなる。このため、垂直にある変換パネ
ル23はその下部よりも上部の温度が高くなり、また変
換パネル23の四辺の端部が取付部63に接触して該部
分の温度が中央部よりも低くなる。
上述のことから、変換パネル23の輝尽性蛍光体の乾燥
状態は上下及び中央部と端部とで異なるものになる。こ
のよな不均一な状態は画像の記録・読取感度に影響を与
え、変換パネルの均一な加熱と乾燥が必要となる。そこ
で、本発明では変換パネルを均一の温度分布及び乾燥状
態にするため、以下のような変換パネル構造にする。
状態は上下及び中央部と端部とで異なるものになる。こ
のよな不均一な状態は画像の記録・読取感度に影響を与
え、変換パネルの均一な加熱と乾燥が必要となる。そこ
で、本発明では変換パネルを均一の温度分布及び乾燥状
態にするため、以下のような変換パネル構造にする。
(1)電力密度分布の均一な発熱体を複数に分割し、各
発熱体を変換パネルの温度分布状態に応じて温度制御す
るゆ第4図は発熱体を上下2分割にし、変換パネル23
の上下に上部発熱体71と下部発熱体72を設け、両全
熱体を夫々温度センサ73.74と、温度検出器75.
76と、ヒータ用電源及び電源制御器77.78と、1
つのCPU79とで温度制御する。この構成において、
変換パネル23を均一に加熱乾燥するには温度上昇しに
くい下部発熱体72に上部発熱体71よりも高い電圧を
かけるか(第2図すの構成)、または通電時間比を高く
すれば良い(第2図aの構成)。なお、通電時間比を変
える制御は第5図に示す温度制御状態になる。
発熱体を変換パネルの温度分布状態に応じて温度制御す
るゆ第4図は発熱体を上下2分割にし、変換パネル23
の上下に上部発熱体71と下部発熱体72を設け、両全
熱体を夫々温度センサ73.74と、温度検出器75.
76と、ヒータ用電源及び電源制御器77.78と、1
つのCPU79とで温度制御する。この構成において、
変換パネル23を均一に加熱乾燥するには温度上昇しに
くい下部発熱体72に上部発熱体71よりも高い電圧を
かけるか(第2図すの構成)、または通電時間比を高く
すれば良い(第2図aの構成)。なお、通電時間比を変
える制御は第5図に示す温度制御状態になる。
(2)電力密度分布が均一でない発熱体を使用して一括
制御する。第6図は2種類の電力密度を持つ発熱体を変
換パネル23に取付けた状態を示し、密度分布の高い発
熱体81を変換パネル23の下部と両側部に配置し、電
力密度の低い発熱体82を残りの部分に配置する。即ち
、変換パネル23の面の内、温度上昇し易い上部と中央
部には電力密度分布の低い発熱体82を配置し、温度上
昇の悪い下部と側部に電力密度分布の高い発熱体81を
配置することで変換パネル23の温度分布を均一にする
。このとき、発熱体81と82は1つの温度制御回路に
よる通電制御で済む。なお、1つの面状ヒータ中で電力
密度を変えるには第13図(a)の構成では材料の抵抗
値を変え、第13図(b)及び(C)の構成では発熱体
の分布密度を変えることで実現される。
制御する。第6図は2種類の電力密度を持つ発熱体を変
換パネル23に取付けた状態を示し、密度分布の高い発
熱体81を変換パネル23の下部と両側部に配置し、電
力密度の低い発熱体82を残りの部分に配置する。即ち
、変換パネル23の面の内、温度上昇し易い上部と中央
部には電力密度分布の低い発熱体82を配置し、温度上
昇の悪い下部と側部に電力密度分布の高い発熱体81を
配置することで変換パネル23の温度分布を均一にする
。このとき、発熱体81と82は1つの温度制御回路に
よる通電制御で済む。なお、1つの面状ヒータ中で電力
密度を変えるには第13図(a)の構成では材料の抵抗
値を変え、第13図(b)及び(C)の構成では発熱体
の分布密度を変えることで実現される。
(3)ハウジングに備える放熱用ファンを変換パネルの
加熱中には高い送風量にする。
加熱中には高い送風量にする。
変換パネル23の上部が温度上昇し易いのは加熱された
空気の対流による。そこで、第7図に示すように、ハウ
ジング61の背部に備えるファン65の送風量を強くす
ることで変換パネル23の面を通る空気流を多くし、対
流空気の温度上昇を少なくすることで変換パネル23の
温度分布を均一にする。なお、放熱用ファン65の送風
量調整はその運転台数又は時間切換や回転数調整で実現
されるし、複数の温度センサによる変換パネル23の各
部温度偏差が一定値を越えるとぎにファン運転を行う制
御でも良い。この制御は、例えば変換パネル23の上部
温度センサ93と、下部温度センサ94とによる温度が
第8図に示すように許容温度差以上になるとファン65
を運転するようにする。
空気の対流による。そこで、第7図に示すように、ハウ
ジング61の背部に備えるファン65の送風量を強くす
ることで変換パネル23の面を通る空気流を多くし、対
流空気の温度上昇を少なくすることで変換パネル23の
温度分布を均一にする。なお、放熱用ファン65の送風
量調整はその運転台数又は時間切換や回転数調整で実現
されるし、複数の温度センサによる変換パネル23の各
部温度偏差が一定値を越えるとぎにファン運転を行う制
御でも良い。この制御は、例えば変換パネル23の上部
温度センサ93と、下部温度センサ94とによる温度が
第8図に示すように許容温度差以上になるとファン65
を運転するようにする。
(4)変換パネルの取付は部を断熱構造にする。変換パ
ネル23の四辺の端部はその取付は部に接しているため
、熱伝導によって放熱がなさ挑、該端部の温度低下を来
す。そこで、変換パネル23とその取付は部との間を断
熱構造にすることで該端部の温度低下を無くす。このた
めの構造は、第9図(A)及び(B)に示す。同図(A
)は変換パネル23の四辺端部とパネル取付は部63と
の間に断熱材91を設け、断熱材91による放熱を抑制
する。同図(B)はパネル取付は部63に凸部63aを
設け、変換パネル23との接触面積を小さくして断熱効
果を上げる。
ネル23の四辺の端部はその取付は部に接しているため
、熱伝導によって放熱がなさ挑、該端部の温度低下を来
す。そこで、変換パネル23とその取付は部との間を断
熱構造にすることで該端部の温度低下を無くす。このた
めの構造は、第9図(A)及び(B)に示す。同図(A
)は変換パネル23の四辺端部とパネル取付は部63と
の間に断熱材91を設け、断熱材91による放熱を抑制
する。同図(B)はパネル取付は部63に凸部63aを
設け、変換パネル23との接触面積を小さくして断熱効
果を上げる。
このとき出来る隙間には空気層によるに限らず、断熱材
を満たしても良い。
を満たしても良い。
(5)輝尽性蛍光体層の画像領域よりも面積の大きな発
熱体を使用する。変換パネル端部では、前述のように、
熱伝導による放熱が生じ、該端部の温度を低下させる。
熱体を使用する。変換パネル端部では、前述のように、
熱伝導による放熱が生じ、該端部の温度を低下させる。
そこで、該端部が蛍光体層の画像領域よりも外にするこ
とで蛍光体中の加熱乾燥を均一にする。第10図はこの
構造を示し、変換パネル23の蛍光体層41aよりも広
い面積の発熱体41bを設け、しかも温度の低下を起し
易い蛍光体層41aの下部をより大きくした構造にする
ことで、均一加熱状態を得る。
とで蛍光体中の加熱乾燥を均一にする。第10図はこの
構造を示し、変換パネル23の蛍光体層41aよりも広
い面積の発熱体41bを設け、しかも温度の低下を起し
易い蛍光体層41aの下部をより大きくした構造にする
ことで、均一加熱状態を得る。
以上までの加熱構造においては、変換パネル23を垂直
に配置する構造の場合で示すが、変換パネル23をハウ
ジング内に水平に配置する構造又は傾斜して配置する構
造の場合にも同様の手法で均一加熱構造を得ることがで
きるのは勿論である。
に配置する構造の場合で示すが、変換パネル23をハウ
ジング内に水平に配置する構造又は傾斜して配置する構
造の場合にも同様の手法で均一加熱構造を得ることがで
きるのは勿論である。
以上までの加熱構造に対して、発熱体のヒータ通電制御
のためのコントロールを以下に説明する。
のためのコントロールを以下に説明する。
第11図は第14図の読取装置33とコントロール装置
30とヒータ制御装置32との関係を示す。ヒータ制御
装置32はコントロール装置30もしくは読取装置33
からの命令で作動を開始し、ヒートモードに入る。
30とヒータ制御装置32との関係を示す。ヒータ制御
装置32はコントロール装置30もしくは読取装置33
からの命令で作動を開始し、ヒートモードに入る。
作動を開始すると、ヒータをオンさせ、前記のように温
度センサで温度検出をし、一定温度を保ちながら変換パ
ネル23の加熱乾燥を行う。乾燥に必要な時間後、ヒー
タはオフ制御され、ファンによる対流空気で冷却がなさ
れる。このファンの制御は一部のファンのオン・オフに
より行われる。このような冷却により、変換パネル23
が通常温度に達するとヒートモードを終了する。なお、
ヒート開始命令は通常コントロール装置30から送られ
るが、該装置30がパワーオフのときには読取装置33
の制御装置31によってヒート開始命令が送られる。読
取装置33はコントロール装置30のパワーオフによっ
てスリーブモードに入り、このモード中は画像読取に必
要なガルバノミラ−、フォトマル、ハロゲンランプ等の
装置がオフされ、低消費電力化が行われる。
度センサで温度検出をし、一定温度を保ちながら変換パ
ネル23の加熱乾燥を行う。乾燥に必要な時間後、ヒー
タはオフ制御され、ファンによる対流空気で冷却がなさ
れる。このファンの制御は一部のファンのオン・オフに
より行われる。このような冷却により、変換パネル23
が通常温度に達するとヒートモードを終了する。なお、
ヒート開始命令は通常コントロール装置30から送られ
るが、該装置30がパワーオフのときには読取装置33
の制御装置31によってヒート開始命令が送られる。読
取装置33はコントロール装置30のパワーオフによっ
てスリーブモードに入り、このモード中は画像読取に必
要なガルバノミラ−、フォトマル、ハロゲンランプ等の
装置がオフされ、低消費電力化が行われる。
ここで、加熱中の画像読取は輝尽層への放射線エネルギ
ー蓄積にロスを生じたり、残光量が増大して好ましくな
くなる。
ー蓄積にロスを生じたり、残光量が増大して好ましくな
くなる。
そこで、本発明では、加熱中には読取が行われないよう
、パネル23を加熱乾燥するヒータへの通電を撮影開始
時間から逆算された予備加熱時刻に動作を開始させ、撮
影時にはヒータの加熱動作及びこの後の冷却動作を完全
に終了しておき、撮影直後の読取動作に上述の不都合を
無くしている。また、加熱動作に入る前にも警告、表示
を行い、加熱制御のキャンセル、延期を行えるようにし
ている。なお、変換パネルの加熱乾燥が終了したことの
表示もなされ、この表示により、撮影及び真後の読取等
の操作に警告をし、更には加熱完了をしない内にtai
影を開始しようとするときには撮影準備操作等に対して
ブザー等による警告を行うし、ti影操作を禁止する。
、パネル23を加熱乾燥するヒータへの通電を撮影開始
時間から逆算された予備加熱時刻に動作を開始させ、撮
影時にはヒータの加熱動作及びこの後の冷却動作を完全
に終了しておき、撮影直後の読取動作に上述の不都合を
無くしている。また、加熱動作に入る前にも警告、表示
を行い、加熱制御のキャンセル、延期を行えるようにし
ている。なお、変換パネルの加熱乾燥が終了したことの
表示もなされ、この表示により、撮影及び真後の読取等
の操作に警告をし、更には加熱完了をしない内にtai
影を開始しようとするときには撮影準備操作等に対して
ブザー等による警告を行うし、ti影操作を禁止する。
また、オペレータはこれら警告に対して、緊急の場合な
ど撮影情況によっては加熱制御をキャンセルできるよう
にされる。このキャンセル制御には該キャンセルの実行
がなされたことを記憶し、その表示でオペレータに注意
を促すし、撮影と読取の終了時に再度の加熱制御に入る
ようにされる。
ど撮影情況によっては加熱制御をキャンセルできるよう
にされる。このキャンセル制御には該キャンセルの実行
がなされたことを記憶し、その表示でオペレータに注意
を促すし、撮影と読取の終了時に再度の加熱制御に入る
ようにされる。
一発明の効果−
以上の通り、本発明は、輝尽性蛍光体による放射線画像
情報記録読取装置において、放射線画像変換パネルに組
込まれて該パネルを加熱乾燥する乾燥用発熱体を設け、
この発熱体を撮影開始時間から逆算された予備加熱時刻
に動作開始させるようにしたため、発熱体による加熱乾
燥を確実にしなから輝尽性蛍光体層の乾燥度を安定に保
ち、長期間に渡り良好な状態で使用し、また長寿命化を
図ることができる効果がある。
情報記録読取装置において、放射線画像変換パネルに組
込まれて該パネルを加熱乾燥する乾燥用発熱体を設け、
この発熱体を撮影開始時間から逆算された予備加熱時刻
に動作開始させるようにしたため、発熱体による加熱乾
燥を確実にしなから輝尽性蛍光体層の乾燥度を安定に保
ち、長期間に渡り良好な状態で使用し、また長寿命化を
図ることができる効果がある。
第1図は本発明の温度制御のブロック図、第2図は第1
図における温度制御回路図、第3図は読取装置における
変換パネルの配f24m成図、第4図は本発明における
温度制御の具体的な構成図、第5図は第4図における制
御波形例を示す図、第6図は本発明における発熱体の配
置図、第7図はファンによるハウジング内空気対流状態
を示す図、第8図は第7図に基く温度制御波形図、第9
図は本発明における変換パネルの取付は構造図、第10
図は本発明における発熱体の取付は構造図、第11図は
本発明における温度制御タイムチャート、第12図は本
発明に係る変換バネルの断面構造図、第13図は発熱体
の回路パターンを示す図、第14図は放射線画像情報記
録読取装置の概略構成図、第15図は変換パネルの防湿
に対する温度効果を示す特性図、第16図は変換パネル
の加熱による感度回復挙動を示す特性図である。 1・・・支持体、2・・・輝尽層、3・・・保護層、2
H・・・発熱輝尽層、3H・・・発熱保護層、A・・・
温度検出器、B・・・温度制御器、C・・・ヒータ用電
源及び電源制御部、D・・・温度センサ。 特許出願人 コ ニ カ 株式会社 1′ A ・ 温度検出器 B : 温ま制御器 (CPUI C: ヒータ用電源および電源制御器 H2二 発熱層 D : 温度センサ 第7M 第8図 7′:′請 1\ @ 区 ○23 第12図 第13図 H 第14− 21・・放射線発生装置 22・・被写体 23・・・放射線画像変換バネ1し 24・・・!18励起光源 25・・光電変換装置 266.・放射線画像再生装置 27°°放射線画像記憶&表示装置 28・・・ フィルタ 29・・制御装置 30−“コシドロー1し装置 31・・・制御装置 32゛亡−夕制御装置 33・・・放射線画像情報記録読取装置第15図 時間(日) 第16図 oO1020 乾燥時間thr)
図における温度制御回路図、第3図は読取装置における
変換パネルの配f24m成図、第4図は本発明における
温度制御の具体的な構成図、第5図は第4図における制
御波形例を示す図、第6図は本発明における発熱体の配
置図、第7図はファンによるハウジング内空気対流状態
を示す図、第8図は第7図に基く温度制御波形図、第9
図は本発明における変換パネルの取付は構造図、第10
図は本発明における発熱体の取付は構造図、第11図は
本発明における温度制御タイムチャート、第12図は本
発明に係る変換バネルの断面構造図、第13図は発熱体
の回路パターンを示す図、第14図は放射線画像情報記
録読取装置の概略構成図、第15図は変換パネルの防湿
に対する温度効果を示す特性図、第16図は変換パネル
の加熱による感度回復挙動を示す特性図である。 1・・・支持体、2・・・輝尽層、3・・・保護層、2
H・・・発熱輝尽層、3H・・・発熱保護層、A・・・
温度検出器、B・・・温度制御器、C・・・ヒータ用電
源及び電源制御部、D・・・温度センサ。 特許出願人 コ ニ カ 株式会社 1′ A ・ 温度検出器 B : 温ま制御器 (CPUI C: ヒータ用電源および電源制御器 H2二 発熱層 D : 温度センサ 第7M 第8図 7′:′請 1\ @ 区 ○23 第12図 第13図 H 第14− 21・・放射線発生装置 22・・被写体 23・・・放射線画像変換バネ1し 24・・・!18励起光源 25・・光電変換装置 266.・放射線画像再生装置 27°°放射線画像記憶&表示装置 28・・・ フィルタ 29・・制御装置 30−“コシドロー1し装置 31・・・制御装置 32゛亡−夕制御装置 33・・・放射線画像情報記録読取装置第15図 時間(日) 第16図 oO1020 乾燥時間thr)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)放射線源から照射された放射線を輝尽性蛍光体層を
有する放射線画像変換パネルに照射して放射線画像情報
を蓄積記録し、該記録の後に該パネルを励起光で走査し
て上記蓄積記録されている放射線画像情報を光電的に読
取るように構成した放射線画像情報記録読取装置におい
て、前記放射線画像変換パネルに組込まれて該パネルを
加熱乾燥する乾燥用発熱体と、撮影開始時間から逆算さ
れた予備加熱時刻に前記乾燥用発熱体の動作を開始させ
るコントローラとを備えたことを特徴とする放射線画像
情報記録読取装置。 2)前記乾燥用発熱体は電力密度分布の均一な発熱体を
複数に分割し、各発熱体を変換パネルの温度分布状態に
応じて温度制御することを特徴とする請求項1記載の放
射線画像情報記録読取装置。 3)前記乾燥用発熱体は変換パネルの温度分布状態に応
じた電力密度分布になる構造にしたことを特徴とする請
求項1記載の放射線画像情報記録読取装置。 4)前記コントローラは変換パネルのハウジングに備え
る放熱用ファンを該変換パネルの加熱中には高い送風量
にすることを特徴とする請求項1記載の放射線画像情報
記録読取装置。 5)前記変換パネルはその取付け部を断熱構造にしたこ
とを特徴とする請求項1記載の放射線画像情報記録読取
装置。 6)前記加熱用発熱体は変換パネルの輝尽性蛍光体層の
画像領域よりも面積を大きくしたことを特徴とする請求
項1記載の放射線画像情報記録読取装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63019236A JP2651689B2 (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 放射線画像情報記録読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63019236A JP2651689B2 (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 放射線画像情報記録読取装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01193842A true JPH01193842A (ja) | 1989-08-03 |
| JP2651689B2 JP2651689B2 (ja) | 1997-09-10 |
Family
ID=11993754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63019236A Expired - Lifetime JP2651689B2 (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 放射線画像情報記録読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2651689B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002107852A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線像変換パネルおよび放射線画像情報読取方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58215575A (ja) * | 1982-06-09 | 1983-12-15 | Toshiba Corp | 二次元放射線検出器 |
-
1988
- 1988-01-29 JP JP63019236A patent/JP2651689B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58215575A (ja) * | 1982-06-09 | 1983-12-15 | Toshiba Corp | 二次元放射線検出器 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002107852A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線像変換パネルおよび放射線画像情報読取方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2651689B2 (ja) | 1997-09-10 |
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