JPS58215575A - 二次元放射線検出器 - Google Patents
二次元放射線検出器Info
- Publication number
- JPS58215575A JPS58215575A JP9778482A JP9778482A JPS58215575A JP S58215575 A JPS58215575 A JP S58215575A JP 9778482 A JP9778482 A JP 9778482A JP 9778482 A JP9778482 A JP 9778482A JP S58215575 A JPS58215575 A JP S58215575A
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- Japan
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- light
- film
- panel
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2012—Measuring radiation intensity with scintillation detectors using stimulable phosphors, e.g. stimulable phosphor sheets
- G01T1/2014—Reading out of stimulable sheets, e.g. latent image
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- Radiography Using Non-Light Waves (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
この発明は二次元放射線検出器に関する。
木光明に関係の深い従来発明例金第１図（ａ） 、 ｆ
ｌ）＋に示す。これらは！特開昭５６−１１３９３号、
特開昭５６−１１３９７号公報に開示されているもので
、図（ａ）は吹射線像の記録状態を、又、図ｆｂ）は再
生状態を氏わしている。図中、１はＸ線管、２は破検体
、３は蓄積性螢光体膜、４はＨｅ−Ｎｃレーザ、５は偏
光装置、６は集光シート、７は光電子増倍管、８はデー
タ処理装置、９は画像表示装置をそれぞれ示す。
ｌ）＋に示す。これらは！特開昭５６−１１３９３号、
特開昭５６−１１３９７号公報に開示されているもので
、図（ａ）は吹射線像の記録状態を、又、図ｆｂ）は再
生状態を氏わしている。図中、１はＸ線管、２は破検体
、３は蓄積性螢光体膜、４はＨｅ−Ｎｃレーザ、５は偏
光装置、６は集光シート、７は光電子増倍管、８はデー
タ処理装置、９は画像表示装置をそれぞれ示す。
しかるにこの従来例は以下のような欠点や問題点が存在
する。
する。
ｔｌ） 蓄積性螢光体膜は放射線像記録後に、付属す
る再生装置に改めてかける必要があり、即時性に欠けろ
。
る再生装置に改めてかける必要があり、即時性に欠けろ
。
（２） 蓄積性螢光体膜の放射線像＊ｔｒ ’：ｌ＝
時に１？ける光掃引ｆｄ、！ｉｌ械的手段によってなさ
れて論るため、再生時間の短縮化が回器であ乙。
時に１？ける光掃引ｆｄ、！ｉｌ械的手段によってなさ
れて論るため、再生時間の短縮化が回器であ乙。
〔発明の１」的〕
この発明は上述した従東装置１１ｑの欠点を改良したも
ので、操作性がよく放射線像の１１手生時間も短かい二
次元放射線検出器全提供すること全１」的とする。
ので、操作性がよく放射線像の１１手生時間も短かい二
次元放射線検出器全提供すること全１」的とする。
本発明は蓄積性螢光体膜に記録される放射・曜像全二次
元売、光パネル又は二次元発熱パネルによって励起掃引
し、それによって発する光を二次元光検出機能膜によっ
て検出することにより、像の再生を行うことを特徴とす
る二次元放射線検出器である。
元売、光パネル又は二次元発熱パネルによって励起掃引
し、それによって発する光を二次元光検出機能膜によっ
て検出することにより、像の再生を行うことを特徴とす
る二次元放射線検出器である。
〔発明の効果）
本発明の効果は以下の点である。
（１）蓄積性螢光体膜と光励起あるいは熱励起用の二次
元励起パネルおよび光検出用の二次元光検出機能膜が一
体化されているので、特別な像再生装置が不要である。
元励起パネルおよび光検出用の二次元光検出機能膜が一
体化されているので、特別な像再生装置が不要である。
（２）蓄積性螢光体膜の放射線像再生時における励起掃
引け、二次元励起パネルにより電気的に行なわれるので
、像再生時間の短縮が可能である。
引け、二次元励起パネルにより電気的に行なわれるので
、像再生時間の短縮が可能である。
以下本発明の一実施例全第２図に示す。図中、１０はＸ
線管、１１は被検体、１２はアモルファスシリコン光検
出膜、１３は蓄積性螢光体膜、１４は二次元励起パネル
、１５ばＸアドレス回路、１６はＹアドレス回路、１７
は増幅器、１８はデータ処理装置、】９は画像表示装置
をそれぞれ示す。
線管、１１は被検体、１２はアモルファスシリコン光検
出膜、１３は蓄積性螢光体膜、１４は二次元励起パネル
、１５ばＸアドレス回路、１６はＹアドレス回路、１７
は増幅器、１８はデータ処理装置、】９は画像表示装置
をそれぞれ示す。
上記のような構成により、蓄積性螢光体膜に記録される
放射線像は、二次元励起パネルにより高速に掃引され、
光信号として１７ 、１８ 、１９によって再生される
。二次元励起パネルは、螢光体膜の種類により光励起と
熱励起に区別される。前者の場合のＸ線検出部の断面構
造例を第３図に、後者の場合を第４図にそれぞれ示す。
放射線像は、二次元励起パネルにより高速に掃引され、
光信号として１７ 、１８ 、１９によって再生される
。二次元励起パネルは、螢光体膜の種類により光励起と
熱励起に区別される。前者の場合のＸ線検出部の断面構
造例を第３図に、後者の場合を第４図にそれぞれ示す。
第３図は光励起としてプラズマ放電を利用する方式で、
図中、２０はガラス基板、２１けＸ電極、２２は放電ガ
ス、２３ばＸ電極、２４けガラス基板、２５は蓄積性螢
光体膜（希土類元素付活バリウムフルオロノ・ライトナ
ト）、２５ ハＩＴＯ透明信号＠極（Ｉｎ、０．−８ｎ
（′）２）。
図中、２０はガラス基板、２１けＸ電極、２２は放電ガ
ス、２３ばＸ電極、２４けガラス基板、２５は蓄積性螢
光体膜（希土類元素付活バリウムフルオロノ・ライトナ
ト）、２５ ハＩＴＯ透明信号＠極（Ｉｎ、０．−８ｎ
（′）２）。
２７はｎ−ａ−８ｉ（ｎ型アモルファスシリコン）、２
８は１−ａ−８ｉ（ｉ型アモルファスシリコン）、
２９ｔｄｐ−ａ−８ｉ（ｐ型アモルファスシリコン）、
３０ばＡＩ接地電極をそれぞれ示す。２６〜３０は、ｐ
ｉｎ型アモルファスシリコン光検出膜で、２５の螢光体
膜から発する光音検出する役割を果す。製造方法として
は、例えば、ガラス基板２４に連続的に２５〜３０の膜
を形成すればよい。
８は１−ａ−８ｉ（ｉ型アモルファスシリコン）、
２９ｔｄｐ−ａ−８ｉ（ｐ型アモルファスシリコン）、
３０ばＡＩ接地電極をそれぞれ示す。２６〜３０は、ｐ
ｉｎ型アモルファスシリコン光検出膜で、２５の螢光体
膜から発する光音検出する役割を果す。製造方法として
は、例えば、ガラス基板２４に連続的に２５〜３０の膜
を形成すればよい。
一方、第４図は二次元熱励起パネルを利用する方式で、
図中、３１はガラス基板、３２！ｄＸ・成極、３３ｉｄ
発熱抵抗素子（Ｗ 、 Ｎｉ −Ｃｒ 、 ８ｍＯ，な
ど）、３４はＸ電極、３５はガラス基板、３６は蓄積性
螢光体膜（ＣａＦ、 ：Ｍ＋ｎなど）、３７はＩＴＯ透
明信号電極、３８はｎ−ａ−８ｉ、３９は１−ａ−８ｉ
、４０はｐ−ａ−８ｉ、４１はＡ／接地電極をそれぞれ
示す。
図中、３１はガラス基板、３２！ｄＸ・成極、３３ｉｄ
発熱抵抗素子（Ｗ 、 Ｎｉ −Ｃｒ 、 ８ｍＯ，な
ど）、３４はＸ電極、３５はガラス基板、３６は蓄積性
螢光体膜（ＣａＦ、 ：Ｍ＋ｎなど）、３７はＩＴＯ透
明信号電極、３８はｎ−ａ−８ｉ、３９は１−ａ−８ｉ
、４０はｐ−ａ−８ｉ、４１はＡ／接地電極をそれぞれ
示す。
（１）二次元励起パネルとしては、前述の実施例で説明
したもの以外に、二次元Ｉ・Ｅｌ’） ノ＜ネル、二次
元ｔａｒ、 （エレクトロ・ルミネッセンス）パネル
などを使用することが可能である。
したもの以外に、二次元Ｉ・Ｅｌ’） ノ＜ネル、二次
元ｔａｒ、 （エレクトロ・ルミネッセンス）パネル
などを使用することが可能である。
１２） 前述の実施例においては、多層構造が（二次
元励起パネル）→（蓄積性螢光体膜）→（二次元光検出
機能膜）の順序であるが、この順序は任意に変更可能で
、ちる。
元励起パネル）→（蓄積性螢光体膜）→（二次元光検出
機能膜）の順序であるが、この順序は任意に変更可能で
、ちる。
（３） 二次元光励起パネルから発する光と、蓄積性
螢光体膜から発する光とを分離するために、波長選択性
フィルタ膜を多層構造の裂果として挿入することができ
る。（前述の実施例（第３図）の場合、２５と２６の間
に挿入する。） （４） 二次元光検出機能膜としては、アモルファス
シリコン膜以外に任意の素材から構成される光検出機能
膜を利用することができる。
螢光体膜から発する光とを分離するために、波長選択性
フィルタ膜を多層構造の裂果として挿入することができ
る。（前述の実施例（第３図）の場合、２５と２６の間
に挿入する。） （４） 二次元光検出機能膜としては、アモルファス
シリコン膜以外に任意の素材から構成される光検出機能
膜を利用することができる。
（５） 二次元光検出機能膜からの信号出力の取り出
しは、単一の電極だけで行うのではなく、分離されてい
る複数個の電極を利用する方法もある。
しは、単一の電極だけで行うのではなく、分離されてい
る複数個の電極を利用する方法もある。
第１図は従来例を示す図、第２図乃至第４図は本発明の
実施例を示す図である。 Ｉ Ｘ線管 ２ 被検体 ３ 蓄積性螢光体Ｉｌの ４、− ｔ（ｅ−Ｎｅレー
ザ５ 偏光装置 ６ 集光シート７ 光電子増
倍管 ８ データ処理装置９ 画像表示装置
１０ Ｘ線管 １１ 被検体 １２アモルフｒスシリコン光検出ｌｌ１１３ 蓄積性
螢光体膜 １４ 二次元励起パネル１５、−Ｘアド
レス回路 １６ Ｙアドレス回路１７ 増幅器
１８ データ処理装置１９ 画像表示装置
２０，２４，３１，３．５ ・ガラス基板２．
１ 、３２−、 Ｘ ｉα極 ２２ 放電ガス
２３．３４− Ｙ磁極 ３３ 発熱抵抗素子２５
、３６・蓄積性螢光体膜 ３ｆｉ 、 ３７・・・ＩＴＯ透明信号電極２７．３８
− ｎ−ａ−８ｉ ２８，３９−ｉ −ａ−８
ｔ２９．４Ｏ−ｐ−ａ−８ｉ 、 ３０．４ｌ−
Ａｅ接地Ｋｔｉ’１（７３１７） 代理入 弁理士
則 近 憲 佑 （ほか１名）ゐｒｆｉ図 第２図
実施例を示す図である。 Ｉ Ｘ線管 ２ 被検体 ３ 蓄積性螢光体Ｉｌの ４、− ｔ（ｅ−Ｎｅレー
ザ５ 偏光装置 ６ 集光シート７ 光電子増
倍管 ８ データ処理装置９ 画像表示装置
１０ Ｘ線管 １１ 被検体 １２アモルフｒスシリコン光検出ｌｌ１１３ 蓄積性
螢光体膜 １４ 二次元励起パネル１５、−Ｘアド
レス回路 １６ Ｙアドレス回路１７ 増幅器
１８ データ処理装置１９ 画像表示装置
２０，２４，３１，３．５ ・ガラス基板２．
１ 、３２−、 Ｘ ｉα極 ２２ 放電ガス
２３．３４− Ｙ磁極 ３３ 発熱抵抗素子２５
、３６・蓄積性螢光体膜 ３ｆｉ 、 ３７・・・ＩＴＯ透明信号電極２７．３８
− ｎ−ａ−８ｉ ２８，３９−ｉ −ａ−８
ｔ２９．４Ｏ−ｐ−ａ−８ｉ 、 ３０．４ｌ−
Ａｅ接地Ｋｔｉ’１（７３１７） 代理入 弁理士
則 近 憲 佑 （ほか１名）ゐｒｆｉ図 第２図
Claims (1)
- 放射１￥９照射後に光励起あるいは熱励起することによ
り照射線用に対応する址の光を発する螢光体膜と、前記
螢光体膜を光励起掃引あるいは熱励起掃引するための二
次元励起パネルと、前記螢光体から発する光音検出する
ための二次元光検出機能順とを構１戊要素として含み、
これらが互いに近接して多１響（黄造をなしていること
を特徴とする二次元放射線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9778482A JPS58215575A (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | 二次元放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9778482A JPS58215575A (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | 二次元放射線検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58215575A true JPS58215575A (ja) | 1983-12-15 |
| JPH0555825B2 JPH0555825B2 (ja) | 1993-08-18 |
Family
ID=14201437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9778482A Granted JPS58215575A (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | 二次元放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58215575A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4767927A (en) * | 1984-08-16 | 1988-08-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for reading radiation image information stored in imaging plate |
| JPS63259500A (ja) * | 1987-04-16 | 1988-10-26 | 化成オプトニクス株式会社 | 放射線画像変換パネル及び放射線画像読取方法 |
| JPH01193842A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-03 | Konica Corp | 放射線画像情報記録読取装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56123000A (en) * | 1980-03-03 | 1981-09-26 | Kogyo Gijutsuin | Radiation recording medium |
-
1982
- 1982-06-09 JP JP9778482A patent/JPS58215575A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56123000A (en) * | 1980-03-03 | 1981-09-26 | Kogyo Gijutsuin | Radiation recording medium |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4767927A (en) * | 1984-08-16 | 1988-08-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for reading radiation image information stored in imaging plate |
| JPS63259500A (ja) * | 1987-04-16 | 1988-10-26 | 化成オプトニクス株式会社 | 放射線画像変換パネル及び放射線画像読取方法 |
| JPH01193842A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-03 | Konica Corp | 放射線画像情報記録読取装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0555825B2 (ja) | 1993-08-18 |
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