JPH01194134A - 光ディスク記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、レーザ光によりディスク上にピットを形成
してデータの記録を行なうマーク長記録方式の光ディス
ク記録装置に関し、ピット長く光スポツト進行方向の長
さ）あるいはブランク長（ピットとピットの間にあるブ
ランク部の光スポツト進行方向の長さ）の誤差を少なく
することにより、再生信号中のジッタを減少させて、Ｓ
／Ｎの向上等により再生信号の品位を高めたものである
。

〔従来の技術〕

コンパクトディスク（ＣＤ）、ビデオディスク等の原盤
や文書ファイル用ディスクメモリとして書込可能なりＲ
ＡＷ（追記形）ディスク等は、テルル、ビスマス等の記
録膜を均一に塗布したディスクを回転速度一定または線
速度一定で回転し、レーザ光により該膜を溶融してピッ
トを形成し、情報の記録を行なう。従来においては、こ
の記録を行なう場合、第２図に示すようなレーザ発生回
路が用いられていた。

第２図において、トランジスタＴ　ｒ　１　、　Ｔ　ｒ
　２は差動スイッチを構成し、共通エミッタはトランジ
スタＴ　ｒ　３および抵抗Ｒｐを介して電源−■ｏ。

に接続されている。ＶｐはトランジスタＴｒ３のオンオ
フ用直流電圧であり、実際には図示しないレーザダイオ
ード熱補償サーボ回路から制御電圧が重畳されるもので
あるが、ここでは便宜上単なるオンオフ制御電圧と考え
る。

レーザダイオードＬＤはＩ・ランジスタＴｒ２のコレク
タとアース間に挿入されている。また、トランジスタＴ
　ｒ　２のコレクタと電源−７６０間にはレーザダイオ
ードＬＤのバイアス電流ＩＢを決定するバイアス回路１
０が接続されている。このバイアス回路１０は、トラン
ジスタＴｒ２がオフのとき（すなわちブランク部を形成
するときまたは非記録時すなわち再生するとき）にレー
ザダイオードＬＤに一定のバイアス電流■８を与えて、
記録膜を溶融しない程度のバイアス光を発光させるため
のものである。

記録すべき１”、“０″の論理値データは、トランジス
タＴｒｉのベースに入力される。論理値“１”が入力さ
れた場合はトランジスタＴ　ｒ　１はオン、トランジス
タＴ　ｒ　２はオフされてレーザダイオードＬＤはバイ
アス電流ＩＢのみで駆動されピット記録は行なわれない
。すなわちピットとピットの間のブランク部が形成され
る。論理値“０”が入力された場合はトランジスタＴｒ
ｉはオフ、トランジスタＴｒ２はオンされてレーザダイ
オードＬＤは記録用電流値ＩＰ＋バイアス電流値ＩＢで
駆動され、記録膜の溶融がなされピットが形成される。

このときの記録用電流値ＩＰは抵抗ＲＰによって決定さ
れる。

なお、バイアス光を発光させるのは、１つには、ブラン
ク部でレーザ光出力を完全にＯにしてしまうと、次のピ
ットの始端が後方にずれ易くなることを防止するためで
ある。すなわち、ブランク部でレーザ光出力を完全に０
にしてしまうと、ディスクはブランク部でレーザ光照射
が完全に遮断されて冷却されるため、次にレーザ光照射
が開始されても即座には記録膜の溶融が開始されない。

これらの原因によりピット始端が後方にずれて、ピット
長、ブランク長に誤差が生じ、再生信号がジッタを多く
含むものとなる。バイアス光で予熱しておくことにより
、冷却の度合は減少する。また１つには、このバイアス
光が、読取用のレーザ光照射となるのでその都度、バイ
アス光をオンオフする必要がないことである。

なお、第３図は、第２図のレーザ発生回路によるレーザ
光照射の一例を示したものである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

以上のように、ピットを形成する際に、ブランク部でバ
イアス光を発生させることにより、ピット始端でのレー
ザ光の立上りが良好になり、また記録膜の溶融が良好に
なり、ジッタかある程度減少される。

ところが、本来ジッタ量は一定ではなく、ブランク長に
よって変化する。すなわち、ブランク長が長いほどディ
スクやレーザダイオードの冷却が著しくなるので、次の
ピットの始端での溶融が悪くなり、ジッタが多くなる。

このため、第２図の回路のようにブランク長にかかわら
ず一定のバイアス光を与えるものでは、ジッタを十分に
減少させることはできなかった。

第４図は第２図の回路によって形成されるピット長が直
前のブランク長によって変化する様子を３７．７Ｔ、Ｉ
ＩＴの各ピットについて示したものである。ピット長と
同じ長さの直前のブランク長の組合せを基準として、そ
の基準Ｒｅｆからのずれでそれぞれ表わしている。この
図かられがるように、直前のブランク長が長いほどその
前のピットを形成したときの熱の影響が少なくなり、溶
融されにくくなっているので、照射時間が同じでもピッ
ト長が短く形成されている。逆に、直前のブランク長が
短いほどその前のピットを形成したときの熱の影響で溶
融されやすくなっているので、照射時間が同じでもピッ
ト長が長く形成されている。

したがって、前記従来装置のようにブランク時に一定の
バアイス光を与えるものでは、ブランク長が短い部分に
合わせてバイアス光の強度を比較的低く定めると、ブラ
ンク長が長い部分ではピット始端位置の溶融が不足気味
になり、逆にプランり長が長い部分に合わせてバイアス
光の強度を比較的高く定めると、ブランク長が短い部分
ではピット始端位置の溶融が過剰になってしまい、いず
れの場合もジッタの原因となる。

この発明は、前記従来の技術における問題点を解決して
、ブランク長の長短にかかわらず、ピット始端位置を正
確に規定できるようにして、ジッタの減少を図るように
した光ディスク記録装置を提供しようとするしのである
。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明は、記録時にブランク長に応じてバイアス光出
力を変化させるようにしたもので、ブランク長が長い場
合にバイアス光出力を高目にし、ブランク長の短い場合
にバイアス光出力を低目にしたものである。

〔作　用〕

ブランク長が長い部分では冷却か進み次のピット始端位
置の溶融が不足気味になるので、バイアス光出力を高目
にすることにより溶融を良好にすることができる。また
、ブランク長が短い部分ではピット始端位置の溶融が過
剰気味になるので、バイアス光出力が低目にすることに
より溶融過剰を防止することができる。これにより、ブ
ランク長にかかわらずジッタを減少させることができる
。

〔実施例〕

この発明の一実施例を第１図に示す。ここでは３Ｔ〜Ｉ
ＩＴのブランク長をとる信号を扱う場合について説明す
る。第２図の回路構成と同様の部分については同一符号
を付すことによりその説明は省略しな。

第１図において、トランジスタＴ　ｒ　２のコレクタと
電源−７６６間にはバイアス回路１０が接続されている
。このバイアス回路１０は、トランジスタＴ　ｒ　２が
オフのときくすなわちブランク部を形成するときまたは
非記録時すなわち再生するとき）にレーザダイオードＬ
Ｄにブランク長によって可変のバイアス電流ＩＢを与え
て、記録膜を溶融しない程度のバイアス光を発光させる
ためのものである。

バイアス回路１０は第２図の構成に加えて各ブランク長
４Ｔ〜ＩＩＴに対応して回路１０−４乃至１０−１１が
並列接続されている。各回路１０−４乃至１０−１１は
トランジスタＴｒＢ４〜Ｔ　ｒ　Ｂ　１１と抵抗ＲＢ４
〜ＲＢ１１とで構成されている。

これら回路１０−４乃至１０−１１は、ブランク時に、
そのときのブランク長に対応する回路のトランジスタＴ
ｒＢ４〜ＴｒＢ１１がそのベースに加わる信号ＶＢ４〜
Ｖ　Ｂ１１によりオンされて、バイアス電流ＩＢ４〜Ｉ
　Ｂ１１を流す。例えばブランク長か４Ｔの場合は、信
号ＶＢ４が発生されて、トランジスタＴｒＢ４をオンし
、バイアス電流ＩＢ４を流す。

なお、バイアス回路１０−０は基本のバイアス電流ＩＢ
Ｏを供給する回路で、ブランク長にかかわらずトランジ
スタＴｒ４は常にオンして基本のバイアス電流を供給し
ている。したがって、ブランク長３Ｔのときはバイアス
電流は基本のバイアス電流ＩＢＯたけとなり、ブランク
長４Ｔ〜１１Ｔのときは基本のバイアス電流ＩＢＯにバ
イアス電流ＩＢ４〜Ｉ　Ｂ１１をそれぞれ加算した値と
なる。

ブランク長が長い場合はどバイアス電流ＩＢが大きくな
るように、抵抗ＢＢ４．・・・・・・ＲＢｌｌの値は、
ＲＢ４＞　ＲＢ５＞・・・・・・＞　ＲＢ１１に設定す
る。

このようにバイアス電流ＩＢＯ，ＩＢｎ（ｎ＝４゜５、
・・・、１１）を設定した場合の照射状態の一例を第５
図に示す。これによれば、ブランク長が長い場合にバイ
アス光を高目にしているので、ブランク長が長いことに
よるディスクおよびレーザダイオードＬＤの冷却が抑制
されて、次のピットの始端でのレーザ光の立上りが良好
になり、ピット始端の溶融不足が解消されて、ジッタが
減少される。また、ブランク長が短い場合にバイアス光
を低目にしているのでピット始端の溶融過剰が解消され
て、ジッタが減少される。

第６図は、このようにブランク長によりバイアス電流を
変化させた場合の再生ピット長センタ位置のずれを示し
たものである。これによれば、前記第４図の一定のバイ
アス光出力の場合に比べてピット長センタ位置のずれが
少なくなり、ジッタが減少されている。

〔変更例〕

なおブランク長に応じてバイアス光出力を変化させるに
あたって、前記実施例ではブランク期間−律にバイアス
光出力を変化させているが、これに限られることなくブ
ランク期間の終端近傍のみを変化させるようにしても同
様の効果を奏する。

〔発明の効果〕

以上説明したようにこの発明によれば、ブランク長に応
じてバイアス光出力を変化させるようにして、ブランク
長が長い場合にバイアス光出力を高目にし、ブランク長
の短い場合にこのバイアス光出力を低目にしたので、ブ
ランク長が長い部分では溶融不足を解消して溶融を良好
にすることかできる。また、ブランク長が短い部分では
バイアス光出力が低目にすることにより溶融過剰を防止
することができる。これにより、ブランク長にかかわら
ず規定のピット長、ブランク長を得ることができ、ジッ
タを減少して、Ｓ／Ｎを向上させて、再生信号の品位を
高めさせることができる。

【図面の簡単な説明】

第′１図は、この発明の一実施例を示す回路図である。 第２図は、従来回路を示す回路図である。 第３図は、第２図の回路によるレーザ光照射の一例を示
す図である。 第４図は、第２図の回路によ、るピット長のずれを示す
線図である。 第５図は、第１図の回路によるレーザ光照射の一例を示
す図である。 第６図は、第１図の回路によるピット長のずれを示す線
図である。 ＬＤ・・・レーザダイオード、１０・・・バイアス回路
。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 形成すべきピット長に応じた時間レーザ光を照射してデ
   ィスク上にピットを形成するマーク長記録方式のレーザ
   光制御手段を具えた光ディスク記録装置において、 前記レーザ光制御手段が、ブランク部でバイアス光を与
   えるものであって、ブランク長が長い場合にこのバイア
   ス光出力を高目にし、ブランク長が短い場合にこのバイ
   アス光出力を低目にすることを特徴とする光ディスク記
   録装置。