JPH0119444Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 (a) 考案の技術分野 本考案は同軸ケーブルとストリツプ線路との接
続に係る高周波同軸接続体に関す。

(b) 技術の背景 ギガヘルツ帯高周波伝送線路は、線路の曲りや
あるいは線路の急峻な寸法変化により反射や放射
が起り、このため隣接の構成回路と電磁的干渉が
出やすく、又伝送信号の歪が発生したりする。

本考案は係る伝送線路において同軸コネクタを
介して例えば50オームの同軸ケーブルと絶縁基板
上形成のマイクロ波ストリツプ線路との接続部
で、前記線路端から発生の電磁エネルギ放射を極
小に抑止しうる構成手段を提示するものである。

(c) 従来技術と問題点 第１図は従来の前記同軸ケーブルとストリツプ
線路との接続構成を示す断面図である。

図において、１は同軸コネクタ、２はストリツ
プ線路側の金属筐体であつて、該線路の接地導体
を兼ねる。前記同軸コネクタ１は筐体２端面に螺
着され、図示３は１の螺着フランジ、及び４と５
は夫々線路形成の絶縁基板と該基板上に形成の薄
膜導体いわゆるストリツプ線路である。尚、又６
は１の中心導体であつて前記接地導体２に螺着の
フランジ側とは絶縁環７を介して固定される。

しかして、同軸コネクタ１は雌構成の中心導体
６を具えて図示されない同軸ケーブル端装着の雄
構成同軸コネクタと嵌入接続されるにより、前記
ストリツプ線路５は同軸ケーブルと接続される。

ところで、通常中心導体６は右端８の部処でス
トリツプ線路５と半田付け接続される電気的導通
がとられる。しかし、該接続端８では急峻な寸法
上の変化をともなうため、伝送のマイクロ波は電
磁エネルギを空間放射し損失となる。

更に、又かかる線路の入出力端露出部において
は近接して設けられた信号処理回路からの洩漏マ
イクロ波と電磁的に結合して伝送信号の歪を発生
し好ましくない。

(d) 考案の目的 本考案の目的は、前記の不都合を解消する接続
構成手段を提示するにある。

(e) 考案の構成 前記目的達成のため、本考案によればストリツ
プ線路接続の同軸コネクタは該コネクタ中心導体
の延長線上基板表面に楔状誘電体が付設されるこ
とにより、ストリツプ線路周辺への電磁放射を無
くしたものである。

(f) 考案の実施例 以下、第１図の前記従来接続構成断面図、及び
第１図の基板表面斜視図を示す第２図に従がつて
本考案を説明する。

斜視図において、同軸コネクタ１装着になるス
トリツプ線路形成面には本考案の楔状誘電体９が
設けられる。該誘電体は前記中心導体の接続端子
の中心導体６、接続部８を上方から被覆し、その
下方のストリツプ線路形成面１０は例えば接着剤
で安定に固定される。

楔状誘電体９は同軸コネクタ中心導体の絶縁環
７の高さより若干高いフランジ側接触端面１１を
有し、該端面から離れるにしたがい、即ち、中心
導体の延長方向にその高さがなだらかに減少する
例図の如き勾配が付される。

楔状誘電体９として例えばポリ四弗化エチレ
ン、又は弗化エチレンプロピレン共重合体等の弗
素樹脂を用いれば誘電損失も少く、かつ耐熱性の
優れた被覆を形成することが出来る。

しかしながら、前記樹脂体はいずれも誘電率が
小さい、このため樹脂中に高誘電率の粉未体例え
ばセラミツク誘電粉未を分散せしめて硬化させる
ことも有効である。

(g) 考案の効果 前記本考案の高周波同軸接続体構成とすること
により、従来、接続端子部で生起する電磁放射や
又電磁放射にもとづく電磁的干渉がなくなり、こ
の種マイクロ波伝送線路における伝送特性がよく
なる等の利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の同軸線路接続構成を示す断面
図、第２図は本考案の一実施例を示す同軸接続体
斜視図である。 図中、１は同軸コネクタ、３は１のフランジ、
４はストリツプ線路５形成の基板、６は中心導
体、９は楔状誘電体である。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 同軸ケーブルが接続されるストツプ線路形式の
   マイクロ波回路基板の入出力端部において、前記
   接続のコネクタは該コネクタ中心導体の延長線上
   基板表面に楔状誘電体が付設されて前記線路周辺
   への電磁放射を無くしたことを特徴とする高周波
   同軸接続体。