JPH01195280A - 付着強固に化学的金属化するためのプラスチックの前処理方法、およびそれにより製造されたプリント配線板 - Google Patents
付着強固に化学的金属化するためのプラスチックの前処理方法、およびそれにより製造されたプリント配線板Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/22—Roughening, e.g. by etching
- C23C18/26—Roughening, e.g. by etching using organic liquids
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/381—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
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- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、付着強固に\化学的金属M(メタライジング
)するためのプラスチック、特にポリエーテルイミド、
ポリカーボネートおよびポリ(エステル−CO−カーボ
ネート)の前処理方法に関する。
)するためのプラスチック、特にポリエーテルイミド、
ポリカーボネートおよびポリ(エステル−CO−カーボ
ネート)の前処理方法に関する。
前処理とは、充填剤(たとえばガラス繊維)を含めたプ
ラスチック表面を、準備および変化と理解され、完全で
かつ均一な活性化(薬品生成)を保証しひいては化学的
金属望を有利に調節する目的で、準備および ポリアミド、ポリスルホン、ポリウレタンを主体とする
プラスチックの前処理はすでに公知である。これには、
たとえばアルカリ性・洗浄剤、ガス相中の803、湿潤
剤含有溶剤またはヒドロキシルイオンを溶媒和する水溶
性有機溶解助剤を用いる処理が入る。
ラスチック表面を、準備および変化と理解され、完全で
かつ均一な活性化(薬品生成)を保証しひいては化学的
金属望を有利に調節する目的で、準備および ポリアミド、ポリスルホン、ポリウレタンを主体とする
プラスチックの前処理はすでに公知である。これには、
たとえばアルカリ性・洗浄剤、ガス相中の803、湿潤
剤含有溶剤またはヒドロキシルイオンを溶媒和する水溶
性有機溶解助剤を用いる処理が入る。
しかし、これらの処理方法は、ポリエーテルイミド、ポ
リカーボネートおよびポリ(エステル−C〇−カーボネ
ート)を主体とするシラスチックの前処理には適さない
。それというのもこの処理法は析出した金属層の不十分
な固着を惹起するにすぎないためである。
リカーボネートおよびポリ(エステル−C〇−カーボネ
ート)を主体とするシラスチックの前処理には適さない
。それというのもこの処理法は析出した金属層の不十分
な固着を惹起するにすぎないためである。
本発明の課題は、付着強固な化学的金属呪与可能にする
前記のdMのプラスチックの前処理法を提供することで
ある。
前記のdMのプラスチックの前処理法を提供することで
ある。
この課題は請求項1の特徴部による方法、つまりプラス
チックを、有機溶剤中に溶解された第4級塩基で処理す
ることによって解決される。
チックを、有機溶剤中に溶解された第4級塩基で処理す
ることによって解決される。
有利な構成は請求項2以下に記載されている。
本発明による方法は特に有利にプラスチック表面の付着
強固な金属ツを可能にする。
強固な金属ツを可能にする。
それで、プラスチックは驚異的に強く親水性化され、た
いては特別な方法で活性化のため準備され、その際同時
に表面は膨潤され、腐食媒体の作用が容易になシ、従っ
て強化される。
いては特別な方法で活性化のため準備され、その際同時
に表面は膨潤され、腐食媒体の作用が容易になシ、従っ
て強化される。
さらに、特に驚異的利点は、このように処理された表面
が微細な凹凸を有しないことにあシ、このことが電気的
表面特性に有利な影響を与える。
が微細な凹凸を有しないことにあシ、このことが電気的
表面特性に有利な影響を与える。
ポリエーテルイミドとは、鎖中に周期的に繰り返えされ
る芳香族の置換および非置換のフタル酸イミド基を含有
する、エーテル基含有熱可塑性芳香族ポリイミドを表わ
す。
る芳香族の置換および非置換のフタル酸イミド基を含有
する、エーテル基含有熱可塑性芳香族ポリイミドを表わ
す。
ポリカーボネートとはく通常置換または非置換のビスフ
ェノールAおよびホスゲンから合成されるようなプラス
チックを表わす。
ェノールAおよびホスゲンから合成されるようなプラス
チックを表わす。
ポリ(エステル−CO−カ〜ボネート)は、長鎖ビスフ
ェノールA−PCセグメントおよび短鎖ビスフェノール
へ−エチレンセグメントマタハデチレンテレフタレート
セグメントからなる開発されたポリカーボネートと見な
される。
ェノールA−PCセグメントおよび短鎖ビスフェノール
へ−エチレンセグメントマタハデチレンテレフタレート
セグメントからなる開発されたポリカーボネートと見な
される。
これらのプラスチックは、所望の場合ガラス繊維成分ま
たは鉱物成分を含有していてもよい。
たは鉱物成分を含有していてもよい。
本発明により使用すべき第4級塩基としては特に次のも
のが挙げらnる: 水酸化アンモニウム、アルキルアンモニウムヒドロキシ
ド、アリールアンモニウムヒドロキシド、ビニルトリア
リールホスホニウムヒドロキシド、テトラフェニルホス
ホニウムヒドロキシドおよびテトラエチルアンモウムヒ
ドロキシド。
のが挙げらnる: 水酸化アンモニウム、アルキルアンモニウムヒドロキシ
ド、アリールアンモニウムヒドロキシド、ビニルトリア
リールホスホニウムヒドロキシド、テトラフェニルホス
ホニウムヒドロキシドおよびテトラエチルアンモウムヒ
ドロキシド。
さらに、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドが優れ
た作用を発揮する。
た作用を発揮する。
それ以外の適当な化合物は次の塩基ないしはヒドロキシ
ルイオンと一緒に使用されるこれらの塩である:アルキ
ルペンジルジメチルアンモニウムクロリド、(−)−N
−ペンジルキニニウムクロリド、ベンジルトリブチルア
ンモニウムプロミド、ベンジルトリブチルアンモニウム
クロリド、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド、
ベンジルトリエチルアンモニウムヒドロキシド、ベンジ
ルトリメチルアンモニウムクロリド、ベンジルトリメチ
ルアンモニウムヒドロキシド、ブチルトリフェニルホス
ホニウムクロリド、(−)−N−ドデシル−N−メチル
エフニドリニウムプロミド、エチルヘキサデシルジメチ
ルアンセニウムプロミド、エチルトリオクチルホスホニ
ウムゾロミド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムプ
ロミド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロリド
、メチルトリオクチルアンモニウムクロリド、テトラエ
チルアンモニウムクロリド・3水和物、テトラプチルア
ンモニウムヒドロデンスルフェート、テトラブチルアン
モニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムイオ
ジド、テトラブチルアンモニウムテトラフルオロボレー
ト、テトラブチルホスホニウムプロミド、テトラブチル
ホスホニウムクロリド、テトラエチルアンモニウムゾロ
ミド、テトラエチルアンモニウムクロリド、テトラエチ
ルアンモニウムシアニド、テトラエチルアンモニウムヒ
ドロキシド、テトラエチルアンモニウムフルオロボレー
ト、テトラオクチルアンモニウムプロミド、テトラフェ
ニルホスホニウムプロミド、テトラフェニルホスホニウ
ムクロリド、テトラプロピルアンモニウムプロミド、ト
リプチルヘキサデシルホスホニウムプロミr、トリブチ
ルメチルアンモニウムクロリド、テトラペンチルアンモ
ニウムプロミr1 テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド(水容
液)、テトラヘキシルアンモニウムゾロミド、テトラデ
シルトリメチルアンモニウムプロミド、メチルトリデシ
ルアンモニウムクロリド。
ルイオンと一緒に使用されるこれらの塩である:アルキ
ルペンジルジメチルアンモニウムクロリド、(−)−N
−ペンジルキニニウムクロリド、ベンジルトリブチルア
ンモニウムプロミド、ベンジルトリブチルアンモニウム
クロリド、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド、
ベンジルトリエチルアンモニウムヒドロキシド、ベンジ
ルトリメチルアンモニウムクロリド、ベンジルトリメチ
ルアンモニウムヒドロキシド、ブチルトリフェニルホス
ホニウムクロリド、(−)−N−ドデシル−N−メチル
エフニドリニウムプロミド、エチルヘキサデシルジメチ
ルアンセニウムプロミド、エチルトリオクチルホスホニ
ウムゾロミド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムプ
ロミド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロリド
、メチルトリオクチルアンモニウムクロリド、テトラエ
チルアンモニウムクロリド・3水和物、テトラプチルア
ンモニウムヒドロデンスルフェート、テトラブチルアン
モニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムイオ
ジド、テトラブチルアンモニウムテトラフルオロボレー
ト、テトラブチルホスホニウムプロミド、テトラブチル
ホスホニウムクロリド、テトラエチルアンモニウムゾロ
ミド、テトラエチルアンモニウムクロリド、テトラエチ
ルアンモニウムシアニド、テトラエチルアンモニウムヒ
ドロキシド、テトラエチルアンモニウムフルオロボレー
ト、テトラオクチルアンモニウムプロミド、テトラフェ
ニルホスホニウムプロミド、テトラフェニルホスホニウ
ムクロリド、テトラプロピルアンモニウムプロミド、ト
リプチルヘキサデシルホスホニウムプロミr、トリブチ
ルメチルアンモニウムクロリド、テトラペンチルアンモ
ニウムプロミr1 テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド(水容
液)、テトラヘキシルアンモニウムゾロミド、テトラデ
シルトリメチルアンモニウムプロミド、メチルトリデシ
ルアンモニウムクロリド。
これらの化合物は、0.05〜2001/iの一度で使
用される。
用される。
本発明による前処理剤は、そのものとしてはもとの形で
または所望の場合にヒドロキシルイオンの存在で第4級
塩基を遊離するその塩の形でヒドロキシルイオンの存在
で使用することができることは明らかである。
または所望の場合にヒドロキシルイオンの存在で第4級
塩基を遊離するその塩の形でヒドロキシルイオンの存在
で使用することができることは明らかである。
有機溶剤ないしは溶解助剤としてはたとえば次のものが
挙げられる二N−メチルホルムアミド、N−メチルアセ
トアミド、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネ
ート、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド、N、N
−ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−
メチルピロリドン、塩化メチレン、酢酸エチルエステル
、1.41’オキサン、ジエチルカーボネート、r−ブ
チロラクトン、エチレングリコール、エチレングリコー
ルモノメチルエーテル、エチレンクリコールモノエチル
エーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールモノイソプロビルエーテル、エチレン
クリコールモノイソブチルエーテル、エチレングリコー
ルモノ−1−ブチルエーテル、エチルクリコールモノ−
〇−ヘキシルx −チル、エチレングリコールモノ(2
−アミノエチル)−エーテル、エチレングリコールジグ
リシジルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエ
ーテル、エチレングリコールモノアセテート、エチレン
クI7コールジアセテート、エチレングリコールモノエ
チルエーテル−アセテート、エチレングリコールモノア
リルエーテル、エチレンクリコールジメチルエーテル、
エチレングリコールモノメチルエーテル−アセテ−1’
、エチレングリコールモノベンジルエーテル、エチレン
グリコールモノイソアミルエーテル、メタノール、エタ
ノール、n−7’ロバノール、i−7’ロバノール、n
−エタノール、グリセリン、グリセリンアルデヒド、グ
リセリングリシド、グリセリンモノメチルエーテル、グ
リセリンモノエチルエーテル、ジエチレングリコール、
ジエチレンクリコールモノメチルエーテル、ジエチレン
クリコールモノメチルエーテル、ジエチレンモツプチル
エーテル、ジエチレンジエチルエーテル、シエチレング
リコールシ) fl:r−−チル、トリエチレンクリコ
ール、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ト
リエチレングリコールモノエチルエーテル。
挙げられる二N−メチルホルムアミド、N−メチルアセ
トアミド、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネ
ート、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド、N、N
−ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−
メチルピロリドン、塩化メチレン、酢酸エチルエステル
、1.41’オキサン、ジエチルカーボネート、r−ブ
チロラクトン、エチレングリコール、エチレングリコー
ルモノメチルエーテル、エチレンクリコールモノエチル
エーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールモノイソプロビルエーテル、エチレン
クリコールモノイソブチルエーテル、エチレングリコー
ルモノ−1−ブチルエーテル、エチルクリコールモノ−
〇−ヘキシルx −チル、エチレングリコールモノ(2
−アミノエチル)−エーテル、エチレングリコールジグ
リシジルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエ
ーテル、エチレングリコールモノアセテート、エチレン
クI7コールジアセテート、エチレングリコールモノエ
チルエーテル−アセテート、エチレングリコールモノア
リルエーテル、エチレンクリコールジメチルエーテル、
エチレングリコールモノメチルエーテル−アセテ−1’
、エチレングリコールモノベンジルエーテル、エチレン
グリコールモノイソアミルエーテル、メタノール、エタ
ノール、n−7’ロバノール、i−7’ロバノール、n
−エタノール、グリセリン、グリセリンアルデヒド、グ
リセリングリシド、グリセリンモノメチルエーテル、グ
リセリンモノエチルエーテル、ジエチレングリコール、
ジエチレンクリコールモノメチルエーテル、ジエチレン
クリコールモノメチルエーテル、ジエチレンモツプチル
エーテル、ジエチレンジエチルエーテル、シエチレング
リコールシ) fl:r−−チル、トリエチレンクリコ
ール、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ト
リエチレングリコールモノエチルエーテル。
溶剤は、有利に10〜100重量%の使用濃度で使用さ
れる。
れる。
所望の場合、これらの溶剤に水を混合することができる
。
。
本発明により使用すべき溶液はアルカリ性であシか91
6〜14のβ値を有する。
6〜14のβ値を有する。
プラスチックの処理は、好ましくは15〜30℃の温度
で、有利に25°Cの温度で行われる。
で、有利に25°Cの温度で行われる。
本発明による方法の実施は、プラスチック加工品、たと
えばシート、射出成形品、銅張シ押出成形板または成形
品を本発明による前処理液中へ常法で浸漬することによ
って行なわれる。
えばシート、射出成形品、銅張シ押出成形板または成形
品を本発明による前処理液中へ常法で浸漬することによ
って行なわれる。
処理時間はそれぞれのプラスチックに依存し、原則とし
て3〜10分、有利には5分である。
て3〜10分、有利には5分である。
次いで、前処理された部品は洗浄し、それからさらに処
理することができる。このように前処理された加工品は
もはや水をはじかない。
理することができる。このように前処理された加工品は
もはや水をはじかない。
本発明により前処理されたプラスチック加工品の活性化
および化学的金MWは、自体公知の方法で行なわれる。
および化学的金MWは、自体公知の方法で行なわれる。
活性化は、たとえばイオン化された形でまたはコロイド
状粒子の形で存在するパラジウム活性剤を用いて行なう
ことができる。場合により、パラジウムイオンは基材表
面上で、たとえばジメチルアミノボランまたはホウ水素
化ナトリウムの作用により還元される。コロイド状パラ
ジウム芽晶からは0、ホウフッ化水素酸または苛性ソー
ダを用いてその保護コロイドを除去することができる。
状粒子の形で存在するパラジウム活性剤を用いて行なう
ことができる。場合により、パラジウムイオンは基材表
面上で、たとえばジメチルアミノボランまたはホウ水素
化ナトリウムの作用により還元される。コロイド状パラ
ジウム芽晶からは0、ホウフッ化水素酸または苛性ソー
ダを用いてその保護コロイドを除去することができる。
このように前処理された光面は通常の方法により化学的
に、つまり無電流ニッケル浴、コバルト浴、鉄浴、スズ
浴、金浴または銅浴の使用下に金PAag :r’Lる
。たとえば化学的に銅めつきまたはニッケルめっきした
プラスチック成形体は、結合強化の目的で、場合により
水または溶剤の除去のため、80〜120°Cの熱処理
にかけることができ、この熱処理は約1時間かかる。
に、つまり無電流ニッケル浴、コバルト浴、鉄浴、スズ
浴、金浴または銅浴の使用下に金PAag :r’Lる
。たとえば化学的に銅めつきまたはニッケルめっきした
プラスチック成形体は、結合強化の目的で、場合により
水または溶剤の除去のため、80〜120°Cの熱処理
にかけることができ、この熱処理は約1時間かかる。
金属化されたプラスチック成形体の要件に応じて、金属
の層厚を化学的または成対めっきにより補強し、通常の
構造化方法によって加工することができる。この金属・
プラスチック複合材は、その大きい安定性および基材表
面上の金属ノーの著しい固着性によって優れている。
の層厚を化学的または成対めっきにより補強し、通常の
構造化方法によって加工することができる。この金属・
プラスチック複合材は、その大きい安定性および基材表
面上の金属ノーの著しい固着性によって優れている。
本発明による方法は、特に電気および電子工学における
プリント配線板の製造に使用することができる。
プリント配線板の製造に使用することができる。
このように製造されたプリント配線板は、微細な凹凸が
少なくかつ固着性が高いという特別な利点を有し、この
ことは著しい利点である。
少なくかつ固着性が高いという特別な利点を有し、この
ことは著しい利点である。
ろう付融合後の特に有利な付着は、プラスチックと前処
理を行った後に、腐食浴、有利に酸性酸化剤を含有する
浴を用いて粗面化し、次いで通常の方法でさらに処理す
る場合に達成される。酸性酸化剤としては、クロム硫酸
のほかに、塩素酸、過酸化水素およびベルオキシジ憶ば
を使用することができる。
理を行った後に、腐食浴、有利に酸性酸化剤を含有する
浴を用いて粗面化し、次いで通常の方法でさらに処理す
る場合に達成される。酸性酸化剤としては、クロム硫酸
のほかに、塩素酸、過酸化水素およびベルオキシジ憶ば
を使用することができる。
本発明により公知のプラスチック加工品は2ON/fl
ffiまでの時に高い付着値を有する。
ffiまでの時に高い付着値を有する。
次に、本発明を実施例につき詳説する。
例 1
20%のガラス繊維含量を有するポリエーテルイミド板
を、ジエチレングリコールモノテチルエーテル/N−メ
チル−ピロリドン(30:40)中のテトラエチルアン
モニウムヒドロキシ)”40g/Aの溶液中で室温で5
分間浸漬し、引き続き洗浄し、次いで室温で5分間プリ
ント配線板の金属化のための常用のアルカリ性洗浄剤中
に浸漬する。
を、ジエチレングリコールモノテチルエーテル/N−メ
チル−ピロリドン(30:40)中のテトラエチルアン
モニウムヒドロキシ)”40g/Aの溶液中で室温で5
分間浸漬し、引き続き洗浄し、次いで室温で5分間プリ
ント配線板の金属化のための常用のアルカリ性洗浄剤中
に浸漬する。
引き続き上記の板を洗浄し、パラジウム活性剤中で活性
化し、次いでパラジウムイオンを還元浴中で金属パラジ
ウムに還元する。次に、こうして前処理さnた板に化学
的還元性銀浴中で薄い銅層を設け、熱処理しかつ電気め
っきにより銅で65μmの層厚に補強し、引き続き13
2℃で2時間熱処理する。DIN規格5649・4によ
り測定した付着値はろう付する前では12〜13N/C
r++であり、板を2−65℃の熱いスズ鉛ろう付浴中
へ5秒間浸漬した後はION/(1’+71である。
化し、次いでパラジウムイオンを還元浴中で金属パラジ
ウムに還元する。次に、こうして前処理さnた板に化学
的還元性銀浴中で薄い銅層を設け、熱処理しかつ電気め
っきにより銅で65μmの層厚に補強し、引き続き13
2℃で2時間熱処理する。DIN規格5649・4によ
り測定した付着値はろう付する前では12〜13N/C
r++であり、板を2−65℃の熱いスズ鉛ろう付浴中
へ5秒間浸漬した後はION/(1’+71である。
例 2
20%のガラス繊維含量を有するポリエーテルイミド板
を乾燥しかつ130℃で4時間応力除去し、テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド80g/沼、アセトニトリ
ル90Qml、メタノール50m1および水50rnl
とからなる50°Cの混溶液中で5分間処理する。引き
続き、板を6分間洗浄し、例1に記載したようにアルカ
リ様に測定)はろう付する前では12〜16N/口、板
を5秒間235℃の温度のスズ鉛ろう付浴に浸漬した後
ではION/cInである。
を乾燥しかつ130℃で4時間応力除去し、テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド80g/沼、アセトニトリ
ル90Qml、メタノール50m1および水50rnl
とからなる50°Cの混溶液中で5分間処理する。引き
続き、板を6分間洗浄し、例1に記載したようにアルカ
リ様に測定)はろう付する前では12〜16N/口、板
を5秒間235℃の温度のスズ鉛ろう付浴に浸漬した後
ではION/cInである。
例 6
20%のガラス−a、fa含量ヲ有するポリエーテルイ
ミド板を、例2に記載したと同様にただしアセトニトリ
ルの代りに次の有機感剤を同じ濃度範囲で含有する4液
中で処理する: a)N、N−ジメチルアセトアミド 9 Q Qrn
lb) N−メチ/I/ t oリドン900m1c
)N、N−ジメチルホルムアミド 900ml引
き続き、ポリエーテルイミド板を洗浄し、例2と同様に
さらに処理する。DIN規格剥離試験により測定した付
着値は、次の表から明らかである: a)N、N−ジメチルアセトアミド 2ON/
mリ N−メチルピロリドン 20 N
、’tvC)N、N−ジメチルホルムアミt’
75N/ci例 4 それぞれ1つのTi○2配合ポリカーボネート板を5分
間 a) テトラメチルアンモニウムヒドロキシド 409
/13エチレングリコールモノブチルエーテル soo
mzN、N−ジメチルアセトアミド 150m
/水 5Q
mlからなるかまたは b) テトラメチルアンモニウムヒドロキシド 4C
Jg/iジエチレングリコールモツプチルエーテルso
omzジエチルカーボネー) 15
0m1水
50rnlからなる50℃の熱い溶液中で処理する。
ミド板を、例2に記載したと同様にただしアセトニトリ
ルの代りに次の有機感剤を同じ濃度範囲で含有する4液
中で処理する: a)N、N−ジメチルアセトアミド 9 Q Qrn
lb) N−メチ/I/ t oリドン900m1c
)N、N−ジメチルホルムアミド 900ml引
き続き、ポリエーテルイミド板を洗浄し、例2と同様に
さらに処理する。DIN規格剥離試験により測定した付
着値は、次の表から明らかである: a)N、N−ジメチルアセトアミド 2ON/
mリ N−メチルピロリドン 20 N
、’tvC)N、N−ジメチルホルムアミt’
75N/ci例 4 それぞれ1つのTi○2配合ポリカーボネート板を5分
間 a) テトラメチルアンモニウムヒドロキシド 409
/13エチレングリコールモノブチルエーテル soo
mzN、N−ジメチルアセトアミド 150m
/水 5Q
mlからなるかまたは b) テトラメチルアンモニウムヒドロキシド 4C
Jg/iジエチレングリコールモツプチルエーテルso
omzジエチルカーボネー) 15
0m1水
50rnlからなる50℃の熱い溶液中で処理する。
水中で6分間洗浄した後、板を常用の・硫酸〜性酸化ク
ロム(Vl )腐食剤に浸漬し、2分間洗浄し、なお基
材表面上に存在する6価クロムを2−のNaH8O3水
啓液を用いてクロム(II)に還元する。
ロム(Vl )腐食剤に浸漬し、2分間洗浄し、なお基
材表面上に存在する6価クロムを2−のNaH8O3水
啓液を用いてクロム(II)に還元する。
板の基材表面を前記双方の例における処理の後、軽度に
粗面にし、水による良好なぬれを示す。双方の板を例1
に記載したとようにパラジウム活性剤で活性化し、引き
続き常用の濃厚銀浴中で1μmの層厚に化学的に銅めっ
きする。
粗面にし、水による良好なぬれを示す。双方の板を例1
に記載したとようにパラジウム活性剤で活性化し、引き
続き常用の濃厚銀浴中で1μmの層厚に化学的に銅めっ
きする。
ポリカーボネート板を100℃で1時間熱処理した後に
それぞn鋼層はその付層値がテサテス) (Tesa−
Teθりに合格する。
それぞn鋼層はその付層値がテサテス) (Tesa−
Teθりに合格する。
ポリ(エステル−CO−カーボネート)板を、水酸化カ
リウム2DjJ/lおよびテトラフェニルホスホニウム
ゾロミド20g/J3’frニジエチレンクリコール七
ツメチルエーテル950m1中に溶解して含有する溶液
中で室温で2分間処理する。板を6分間水中で洗浄し、
アルカリにより洗浄し、パラジウム芽晶で活性化し、化
学的におよび電気めっきにより銅で補強し例1に記載し
たと同様の方法で熱処理する。金属板金100℃で1時
間熱処理した後に、テサテストに合格した。
リウム2DjJ/lおよびテトラフェニルホスホニウム
ゾロミド20g/J3’frニジエチレンクリコール七
ツメチルエーテル950m1中に溶解して含有する溶液
中で室温で2分間処理する。板を6分間水中で洗浄し、
アルカリにより洗浄し、パラジウム芽晶で活性化し、化
学的におよび電気めっきにより銅で補強し例1に記載し
たと同様の方法で熱処理する。金属板金100℃で1時
間熱処理した後に、テサテストに合格した。
20%のガラス繊維含量を有するポリエーテルイミドか
らなる、同様に処理された板は、ろう付する前には16
N/cIn1試料を235°Cの熱いはんだ中に5秒間
浸漬した後では16N/備の1MN規格による付着値を
有する。
らなる、同様に処理された板は、ろう付する前には16
N/cIn1試料を235°Cの熱いはんだ中に5秒間
浸漬した後では16N/備の1MN規格による付着値を
有する。
例 6
20%のガラス繊維含t’を有するポリエーテルイミド
板を、テトラゾチルアンモニウムヒドロキシド809/
I!jおよびジエチレングリコールモノブチルエーテル
40011tlからなる溶液中に5分間浸漬し、洗浄し
、例1と同様に65μmの層厚になるまで鋼めっきする
。付層(DIN規格により測定)は14N/clnであ
る。
板を、テトラゾチルアンモニウムヒドロキシド809/
I!jおよびジエチレングリコールモノブチルエーテル
40011tlからなる溶液中に5分間浸漬し、洗浄し
、例1と同様に65μmの層厚になるまで鋼めっきする
。付層(DIN規格により測定)は14N/clnであ
る。
例 7
20%のガラス繊維含itを有するポリエーテルイミド
板を、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド30g、
エチレングリコールモツプチルエーテル400al、ジ
メチルスルホキシド400m1およびメタノール2[I
Q mlとからなる溶液中に5分間浸漬し、洗浄し、
例1と同様に65μmに銅めっきする。DIN規格によ
り測定した付着は2ON/cr11である。
板を、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド30g、
エチレングリコールモツプチルエーテル400al、ジ
メチルスルホキシド400m1およびメタノール2[I
Q mlとからなる溶液中に5分間浸漬し、洗浄し、
例1と同様に65μmに銅めっきする。DIN規格によ
り測定した付着は2ON/cr11である。
例 8
20%のガラス繊維含量を有するポリエーテルイミド板
を、 a) ゾエチレンダリコールモノブチルエーテル中の
テトラメチルアンモニウムヒドロキシV80I/−eか
らなる溶液中に5分間またはb)ジメチルスルホキシド
400m1′J?よびメタノール200 ml中のテト
ラメチルアンモニウムヒドロキシドロ011からなる溶
液中に6分間 浸漬し、引き続き5分間洗浄し、酸化クロム(VD−硫
酸腐食剤中に65°Cで15分間処理し、引き続き2分
間洗浄し、なお過剰の6価りロム?、10%のNaH8
O3水肩液を用いて6価クロムに還元する。別々に処理
した双方の板の基材表面は軽度に粗面化され、水による
優れたぬれを示す。双方の板を例1と同様にパラジウム
芽晶で気めっきにより銅により層厚35μmに金属被覆
する。引き続き130℃で2時間熱処理した後、双方の
ポリエーテルイミド板から2.54ffiの幅の細長片
を切シ取シ、DIN規格による付庸値を即ノ定する。
を、 a) ゾエチレンダリコールモノブチルエーテル中の
テトラメチルアンモニウムヒドロキシV80I/−eか
らなる溶液中に5分間またはb)ジメチルスルホキシド
400m1′J?よびメタノール200 ml中のテト
ラメチルアンモニウムヒドロキシドロ011からなる溶
液中に6分間 浸漬し、引き続き5分間洗浄し、酸化クロム(VD−硫
酸腐食剤中に65°Cで15分間処理し、引き続き2分
間洗浄し、なお過剰の6価りロム?、10%のNaH8
O3水肩液を用いて6価クロムに還元する。別々に処理
した双方の板の基材表面は軽度に粗面化され、水による
優れたぬれを示す。双方の板を例1と同様にパラジウム
芽晶で気めっきにより銅により層厚35μmに金属被覆
する。引き続き130℃で2時間熱処理した後、双方の
ポリエーテルイミド板から2.54ffiの幅の細長片
を切シ取シ、DIN規格による付庸値を即ノ定する。
処31aおよびbの付層値は次のとお9である:a:ろ
う腺前で13.5 N/cm b:17N/crn 板を235℃の熱いはんだ浴中に5秒間浸漬した侯、付
層は12N/crn(a)および15N/CIn(b)
である。
う腺前で13.5 N/cm b:17N/crn 板を235℃の熱いはんだ浴中に5秒間浸漬した侯、付
層は12N/crn(a)および15N/CIn(b)
である。
例 9
190 Q N / mu2の曲げ弾性率を有するポリ
(エステル−CO−カーがネート板を、アセトニトリル
4QO+nl、水40Q mlおよびメタノール200
ml中のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド8g
とからなる溶液中に2分間浸漬し、6分間洗浄し、常用
のクロム硫酸腐食剤中でCr03680 g/13 督
よび硫酸680g/J3の濃度で10分間処理する。水
中で2分間洗浄し、10慢亜硫酸水素ナトリウム溶液に
6分間浸漬し、なおもう1度5分間洗浄した後、ポリ(
エステル−CO−カーボネート)板を常用の酸性パラジ
ウム−塩化スズ活性剤中に浸漬し、通常の方法で後処理
し、死浄し、次いで化学的ニッケル浴中で55°Cで1
μmのl−厚に金属被覆する。
(エステル−CO−カーがネート板を、アセトニトリル
4QO+nl、水40Q mlおよびメタノール200
ml中のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド8g
とからなる溶液中に2分間浸漬し、6分間洗浄し、常用
のクロム硫酸腐食剤中でCr03680 g/13 督
よび硫酸680g/J3の濃度で10分間処理する。水
中で2分間洗浄し、10慢亜硫酸水素ナトリウム溶液に
6分間浸漬し、なおもう1度5分間洗浄した後、ポリ(
エステル−CO−カーボネート)板を常用の酸性パラジ
ウム−塩化スズ活性剤中に浸漬し、通常の方法で後処理
し、死浄し、次いで化学的ニッケル浴中で55°Cで1
μmのl−厚に金属被覆する。
こワして得られた全面ニッケルめっきさnた板を、13
0°Cで2時間熱処理した後、電気めっきで銅で層厚6
5μmになるまで金属被覆し、DIN規格による付着値
は10.6N/crnと測定される。
0°Cで2時間熱処理した後、電気めっきで銅で層厚6
5μmになるまで金属被覆し、DIN規格による付着値
は10.6N/crnと測定される。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、プラスチックを有機溶剤中に溶解された第4級塩基
で処理することを特徴とする、付着強固に化学的金属化
するためのプラスチックの前処理方法。 2、第4級塩基として第4級水酸化アンモニウム、水酸
化ホスホニウムまたは水酸化アルソニウムを使用する請
求項1記載の方法。 3、第4級塩基としてC_1〜C_4−アルキル−アン
モニウムヒドロキシド、アリールアンモニウムヒドロキ
シド、ビニルトリアリールホスホニウムヒドロキシド、
テトラフエニルホスホニウムヒドロキシドまたはテトラ
フエニルアルソニウムヒドロキシドを使用する請求項1
または2記載の方法。 4、第4級塩基としてテトラメチルアンモニウムヒドロ
キシドを使用する請求項1から3までのいずれか1項記
載の方法。 5、第4級塩基をその塩からヒドロキシルイオンの存在
で生成させる請求項1から4までのいずれか1項記載の
方法。 6、塩としてハロゲン化物、テトラフルオロ(ヒドロ、
フエニル)ホウ酸塩、過ヨウ素酸塩、ヒドロ硫酸塩、二
水素リン酸塩、ヘキサフルオロリン酸塩を使用する請求
項5記載の方法。 7、ヒドロキシルイオンをアルカリ金属水酸化物から生
成させる請求項5記載の方法。 8、水、アルコールまたはエーテルに可溶性の有機溶剤
を使用する請求項1記載の方法。9、有機溶剤が同時に
プラスチックの膨潤剤である請求項8記載の方法。 10、溶剤および/または膨潤剤としてアルキルスルホ
キシド、ジアルキルスルホキシド、ジアルキルカーボネ
ート、ジアルキルアセトアミド、N,N−ジアルキルホ
ルムアミド、ピロリドン、アルコールおよび/またはエ
ーテルを使用する請求項8または9記載の方法。 11、溶剤および/または膨潤剤を水と混合して使用す
る請求項8から10までのいずれか1項記載の方法。 12、第4級塩基を0.05〜200g/lの濃度で使
用する請求項1記載の方法。 13、有機溶剤を10〜100重量%の使用濃度で使用
する請求項1記載の方法。 14、処理を15〜30℃の温度で実施する請求項1記
載の方法。 15、プラスチックを前処理を行った後に、腐食浴を用
いて相面化する請求項1記載の方法。 16、酸化クロム(VI)含有硫酸腐食浴を使用する請求
項15記載の方法。 17、プラスチックを、前処理を行った後、自体公知の
方法で活性化し、化学的に金属被覆する請求項1記載の
方法。 18、活性質を、コロイド状またはイオンのパラジウム
を含有する溶液を用いて行ない、公知方法で保護コロイ
ドを除去するかまたはゼロ価の金属に還元する請求項1
7記載の方法 19、銅浴、銀浴、金浴、スズ浴、コバルト浴および/
またはニッケル浴を用いて化学的金属被覆を行う請求項
1記載の方法。 20、ポリエーテルイミドを主体とするプラスチックと
して、高温安定性で熱可塑性の無定形芳香族ポリエーテ
ルイミドを使用する請求項1記載の方法。 21、ポリカーボネートを主体とするプラスチックとし
て、熱可塑性で無定形のビスフェノールA−ポリカーボ
ネートを使用する請求項1記載の方法。 22、ポリ(エステル−CO−カーボネート)を主体と
するプラスチックが、コポリマーのビスフェノールA−
エチレンテレフタレートまたはブチレンテレフタレート
を有する熱可塑性ビスフェノールA−ポリカーボネート
である請求項1記載の方法。 23、プラスチックがシート、射出成形品、銅張を押出
成形板としてまたは成形体として存在する請求項1記載
の方法。 24、請求項1から23までのいずれか1項記載の、プ
リント配線板の製造方法。 25、請求項1から23までのいずれか1項記載の方法
により製造されたプリント配線板。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19873740369 DE3740369A1 (de) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | Verfahren zur vorbehandlung von kunststoffen |
| DE3740369.9 | 1987-11-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01195280A true JPH01195280A (ja) | 1989-08-07 |
Family
ID=6341468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63294843A Pending JPH01195280A (ja) | 1987-11-25 | 1988-11-24 | 付着強固に化学的金属化するためのプラスチックの前処理方法、およびそれにより製造されたプリント配線板 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5019425A (ja) |
| EP (1) | EP0317748A3 (ja) |
| JP (1) | JPH01195280A (ja) |
| DE (1) | DE3740369A1 (ja) |
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