JPH01195697A - 薄膜型エレクトロルミネッセンス表示素子 - Google Patents

薄膜型エレクトロルミネッセンス表示素子

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Publication number
JPH01195697A
JPH01195697A JP63018924A JP1892488A JPH01195697A JP H01195697 A JPH01195697 A JP H01195697A JP 63018924 A JP63018924 A JP 63018924A JP 1892488 A JP1892488 A JP 1892488A JP H01195697 A JPH01195697 A JP H01195697A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
base material
luminescent
thin film
tfel
ions
Prior art date
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Pending
Application number
JP63018924A
Other languages
English (en)
Inventor
Fusakichi Kido
木戸 房吉
Naohisa Matsuda
直寿 松田
Hideo Yoshikawa
英男 吉川
Masaaki Tamaya
正昭 玉谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH01195697A publication Critical patent/JPH01195697A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、薄膜型エレクトロルネツセンス表示素子(以
下、TFELと称す)に関する。
(従来の技術) TFELに使用される発光材料としては、従来より下記
第1表に示すように母材に発光中心となる元素イオンを
添加したものが知られている。
第1表 ところで、TFELの発光機構は数M V / cry
の高電界によって発生したホットエレクトロンが発光材
料の母材の結晶中を走行し、母材中に存在する発光中心
となる元素イオンを直接衝突励起するか、もしくはホッ
トエレクトロンのエネルギーが母材の結晶格子を介して
伝達することにより発光中心となる元素イオンを励起す
る。前記元素イオンが励起されると、そのイオンの不完
全電子殻内でエネルギー遷移が行われ、この時発光現象
が現われる。TFELの発光効率は、前記発光機構の諸
段階におけるエネルギー損失によって見積もられるが、
中でも損失要因の大なるものの1つとして母材となる化
合物と発光中心となる元素のイオン価の整合性がある。
このような観点から上記従来の発光材料を考察すると、
母材となる化合物は2価である。このため、発光中心と
して用いるマンガンイオン(Mn”)は母材とイオン価
の整合性がとれていることになる。しかしながら、ラン
タニド元素イオンの場合は発光中心となるイオン価はE
u以外全てプラス3価であり、整合性がない。この整合
性をとる(以下、電荷補償と称す)ためには、F−1C
,l?−等のハロゲンイオンの付与が必要となる。例え
ば、ZnSの母材で緑の発光色を得る場合には発光中心
にTbF3を用いる。しかしTFELにおける薄膜形成
方法では一般的に電子ビーム蒸着法又はスパッタ蒸着法
が採用されるため、化学量論的組成の薄膜が得られない
場合がある。Zn S :Tb F3の例では、Fが不
足する傾向となり、TbイオンがZnS格子に入り難く
なり、結果的にTbイオンのホットキャリアにたいる衝
突断面積が小さくなり、発光効率が低下する。
(発明が解決しようとする課題) 本発明は、上記従来の課題を解決するためになされたも
ので、カラー化に必要な発光中心としてのプラス3価の
元素イオンと、この元素イオンに電荷補償を行なわずに
容易に整合し得る母材からなる発光層を備えたTFEL
を提供しようとするものである。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明は、発光層の両面もしくは片面に誘電体層を有す
る薄膜型エレクトロルネッセンス表示素子において、前
記発光層はIIIb−Vb族化合物からなる母材に発光
中心となる元素イオンを添加したものから構成されるこ
とを特徴とする薄膜型エレクトロルネッセンス表示素子
である。
上記母材であるIIIb−Vb族化合物としては、例え
ばA、l?N、AノP、AノA s s G a N 
1GaP等を、発光中心となる元素イオンとしては、ラ
ンタニド元素イオン、マンガンイオンを、夫々挙げるこ
とができる。前記IIIb−Vb族化合物の中でA、I
?N、及びGaNは緑、赤、青の3原色を発光するラン
タニド元素イオンに対して整合し、A、7?Pは緑、赤
を発光するランタニド元素イオンに対して整合し、Aノ
As及びGaPは赤を発光するランタニド元素イオンに
対して整合する。但し、A、ffP、A、/Asは室温
で水と反応するため取扱いの上で難点がある。
(作用) 本発明によれば、発光層の一構成成分としてIIIb−
Vb族化合物からなる母材を用いることによって、発光
中心としてのプラス3価の元素イオンに電荷補償を行な
わずに容易に整合できるため、カラー化に必要な所望の
色を効率よく発光できるTFELを得ることができる。
(発明の実施例) 以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
実施例1 図中の1は、ガラス基板であり、この基板1上にはIT
Oからなる厚さ1700人の透明電極2が被覆されてい
る。この透明電極2上には、厚さ4000〜5000人
のTa 205からなる誘電体層3が被覆されている。
この誘電体層3上には、GaNの母材に発光中心として
のTm3+を0.1wt%添加した組成の厚さ4000
〜4500人の発光層4が被覆されている。この発光層
4上には、厚さ4000〜5000人のTa205から
なる誘電体層5が被覆されており、かつ該誘電体層5上
にはA、e電極6が設けられている。
しかして、本実施例1のTFELにおける透明電極2と
A、e電極6間に電圧120 V rms 、周波数(
正弦波) 500 Hzの条件で印加させた時の発光ス
ペクトルをill定したところ、第2図に示す発光スペ
クトル特性図が得られ、ブルーの発光がなされることが
確認された。
実施例2.3 発光層としてGaNの母材に発光中心としてのTb3+
を4 vt%、Sm3+を0.5 wt%夫々添加した
組成のものを用いた以外、実施例1と同構造の2種のT
FELを組立てた。
しかして、本実施例2.3のTFELについて実施例1
と同様な条件で電極間に電圧を印加させた時の発光スペ
クトルを測定したところ、夫々第3図、第4図に示す発
光スペクトル特性図が得られ、実施例2ではグリーンの
発光が、実施例3ではオレンジの発光がなされることが
確認された。
実施例4〜6 発光層としてAI!Nの母材に発光中心としてのTm3
+を0.1 wt%、Tb3+を4 vt%、Sm3+
を0.5 wt%夫々添加した組成のものを用いた以外
、実施例1と同構造の3種のTFELを組立てた。
しかして、本実施例4〜6のTFELについて実施例1
と同様な条件で電極間に電圧を印加させた時の発光スペ
クトルを測定したところ、夫々第5図〜第7図に示す発
光スペクトル特性図が得られ、実施例4ではブルーの発
光が、実施例5ではグリーンの発光が、実施例6ではオ
レンジの発光かなされることが確認された。
実施例7 発光層としてGaNの母材に発光中心としてのMn2+
をI WL%添加した組成のものを用いた以外、実施例
1と同構造のTFELを組立てた。
しかして、本実施例7のTFELについて実施例1と同
様な条件で電極間に電圧を印加させた時の発光スペクト
ルを測定したところ、第8図に示す発光スペクトル特性
図が得られ、黄色を帯びたオレンジの発光がなされるこ
とが確認された。本実施例7では、母材(Ga N)と
発光中心の元素イオン(Mn”)とのイオン価の整合性
がとれていないが、Mn固有の発光がなされた。
実施例8 発光層としてGaPの母材に発光中心としてのPr3+
を0,3νt%添加した組成のものを用いた以外、実施
例1と同構造のTFELを組立てた。
しかして、本実施例8のTFELについて実施例1と同
様な条件で電極間に電圧を印加させた時の発光スペクト
ルをAI定したところ、第9図に示す発光スペクトル特
性図が得られ、赤色の発光がなされることが確認された
。発光中心としてのP「3+の発光スペクトルには、通
常大きなピークを示す波長が2つある。1つは、500
 nr6付近、もう1つは650 nm付近であり、前
者はエネルギー準位において3 po−3H4の発光で
あり、後者は3 p o−2F 2の発光である。しか
し、本実施例8のTFELでは第9図に示すように前者
のピークは認められない。これは、母材としてのGaP
の吸収帯波長が550 nl!1であることによる。
このことは、ランタニド元素イオンの殆どがいくつかの
発光学位を有するので、これらイオンのうち赤色に適し
たイオンを発光中心として用いた場合、赤の色純度を向
上できることを意味するものである。
[発明の効果] 以上詳述した如く、本発明によればIIIb−Vb族化
合物を母材とすることによりプラス3価のランタニド元
素イオンが電荷補償を行なうことなく最適な発光中心と
して作用でき、ひいてはカラー化に必要な所望の色を効
率よく発光し得る薄膜型エレクトロルミネッセンス表示
素子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明のTFELの一形態を示す概略断面図
、第2図〜第9図は夫々本実施例1〜8のTFELの発
光スペクトル図である。 l・・・ガラス基板、2.6・・・電極、3.5・・・
誘電体層、4・・・発光層。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 α的、7m(nm) 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図 第8図 GaP:Pr    (nm) 第9図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  発光層の両面もしくは片面に誘電体層を有する薄膜型
    エレクトロルネッセンス表示素子において、前記発光層
    はIIIb−Vb族化合物からなる母材に発光中心となる
    元素イオンを添加したものから構成されることを特徴と
    する薄膜型エレクトロルネッセンス表示素子。
JP63018924A 1988-01-29 1988-01-29 薄膜型エレクトロルミネッセンス表示素子 Pending JPH01195697A (ja)

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JP63018924A JPH01195697A (ja) 1988-01-29 1988-01-29 薄膜型エレクトロルミネッセンス表示素子

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JPH01195697A true JPH01195697A (ja) 1989-08-07

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