JPH01195697A - 薄膜型エレクトロルミネッセンス表示素子 - Google Patents
薄膜型エレクトロルミネッセンス表示素子Info
- Publication number
- JPH01195697A JPH01195697A JP63018924A JP1892488A JPH01195697A JP H01195697 A JPH01195697 A JP H01195697A JP 63018924 A JP63018924 A JP 63018924A JP 1892488 A JP1892488 A JP 1892488A JP H01195697 A JPH01195697 A JP H01195697A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base material
- luminescent
- thin film
- tfel
- ions
- Prior art date
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- Pending
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、薄膜型エレクトロルネツセンス表示素子(以
下、TFELと称す)に関する。
下、TFELと称す)に関する。
(従来の技術)
TFELに使用される発光材料としては、従来より下記
第1表に示すように母材に発光中心となる元素イオンを
添加したものが知られている。
第1表に示すように母材に発光中心となる元素イオンを
添加したものが知られている。
第1表
ところで、TFELの発光機構は数M V / cry
の高電界によって発生したホットエレクトロンが発光材
料の母材の結晶中を走行し、母材中に存在する発光中心
となる元素イオンを直接衝突励起するか、もしくはホッ
トエレクトロンのエネルギーが母材の結晶格子を介して
伝達することにより発光中心となる元素イオンを励起す
る。前記元素イオンが励起されると、そのイオンの不完
全電子殻内でエネルギー遷移が行われ、この時発光現象
が現われる。TFELの発光効率は、前記発光機構の諸
段階におけるエネルギー損失によって見積もられるが、
中でも損失要因の大なるものの1つとして母材となる化
合物と発光中心となる元素のイオン価の整合性がある。
の高電界によって発生したホットエレクトロンが発光材
料の母材の結晶中を走行し、母材中に存在する発光中心
となる元素イオンを直接衝突励起するか、もしくはホッ
トエレクトロンのエネルギーが母材の結晶格子を介して
伝達することにより発光中心となる元素イオンを励起す
る。前記元素イオンが励起されると、そのイオンの不完
全電子殻内でエネルギー遷移が行われ、この時発光現象
が現われる。TFELの発光効率は、前記発光機構の諸
段階におけるエネルギー損失によって見積もられるが、
中でも損失要因の大なるものの1つとして母材となる化
合物と発光中心となる元素のイオン価の整合性がある。
このような観点から上記従来の発光材料を考察すると、
母材となる化合物は2価である。このため、発光中心と
して用いるマンガンイオン(Mn”)は母材とイオン価
の整合性がとれていることになる。しかしながら、ラン
タニド元素イオンの場合は発光中心となるイオン価はE
u以外全てプラス3価であり、整合性がない。この整合
性をとる(以下、電荷補償と称す)ためには、F−1C
,l?−等のハロゲンイオンの付与が必要となる。例え
ば、ZnSの母材で緑の発光色を得る場合には発光中心
にTbF3を用いる。しかしTFELにおける薄膜形成
方法では一般的に電子ビーム蒸着法又はスパッタ蒸着法
が採用されるため、化学量論的組成の薄膜が得られない
場合がある。Zn S :Tb F3の例では、Fが不
足する傾向となり、TbイオンがZnS格子に入り難く
なり、結果的にTbイオンのホットキャリアにたいる衝
突断面積が小さくなり、発光効率が低下する。
母材となる化合物は2価である。このため、発光中心と
して用いるマンガンイオン(Mn”)は母材とイオン価
の整合性がとれていることになる。しかしながら、ラン
タニド元素イオンの場合は発光中心となるイオン価はE
u以外全てプラス3価であり、整合性がない。この整合
性をとる(以下、電荷補償と称す)ためには、F−1C
,l?−等のハロゲンイオンの付与が必要となる。例え
ば、ZnSの母材で緑の発光色を得る場合には発光中心
にTbF3を用いる。しかしTFELにおける薄膜形成
方法では一般的に電子ビーム蒸着法又はスパッタ蒸着法
が採用されるため、化学量論的組成の薄膜が得られない
場合がある。Zn S :Tb F3の例では、Fが不
足する傾向となり、TbイオンがZnS格子に入り難く
なり、結果的にTbイオンのホットキャリアにたいる衝
突断面積が小さくなり、発光効率が低下する。
(発明が解決しようとする課題)
本発明は、上記従来の課題を解決するためになされたも
ので、カラー化に必要な発光中心としてのプラス3価の
元素イオンと、この元素イオンに電荷補償を行なわずに
容易に整合し得る母材からなる発光層を備えたTFEL
を提供しようとするものである。
ので、カラー化に必要な発光中心としてのプラス3価の
元素イオンと、この元素イオンに電荷補償を行なわずに
容易に整合し得る母材からなる発光層を備えたTFEL
を提供しようとするものである。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
本発明は、発光層の両面もしくは片面に誘電体層を有す
る薄膜型エレクトロルネッセンス表示素子において、前
記発光層はIIIb−Vb族化合物からなる母材に発光
中心となる元素イオンを添加したものから構成されるこ
とを特徴とする薄膜型エレクトロルネッセンス表示素子
である。
る薄膜型エレクトロルネッセンス表示素子において、前
記発光層はIIIb−Vb族化合物からなる母材に発光
中心となる元素イオンを添加したものから構成されるこ
とを特徴とする薄膜型エレクトロルネッセンス表示素子
である。
上記母材であるIIIb−Vb族化合物としては、例え
ばA、l?N、AノP、AノA s s G a N
1GaP等を、発光中心となる元素イオンとしては、ラ
ンタニド元素イオン、マンガンイオンを、夫々挙げるこ
とができる。前記IIIb−Vb族化合物の中でA、I
?N、及びGaNは緑、赤、青の3原色を発光するラン
タニド元素イオンに対して整合し、A、7?Pは緑、赤
を発光するランタニド元素イオンに対して整合し、Aノ
As及びGaPは赤を発光するランタニド元素イオンに
対して整合する。但し、A、ffP、A、/Asは室温
で水と反応するため取扱いの上で難点がある。
ばA、l?N、AノP、AノA s s G a N
1GaP等を、発光中心となる元素イオンとしては、ラ
ンタニド元素イオン、マンガンイオンを、夫々挙げるこ
とができる。前記IIIb−Vb族化合物の中でA、I
?N、及びGaNは緑、赤、青の3原色を発光するラン
タニド元素イオンに対して整合し、A、7?Pは緑、赤
を発光するランタニド元素イオンに対して整合し、Aノ
As及びGaPは赤を発光するランタニド元素イオンに
対して整合する。但し、A、ffP、A、/Asは室温
で水と反応するため取扱いの上で難点がある。
(作用)
本発明によれば、発光層の一構成成分としてIIIb−
Vb族化合物からなる母材を用いることによって、発光
中心としてのプラス3価の元素イオンに電荷補償を行な
わずに容易に整合できるため、カラー化に必要な所望の
色を効率よく発光できるTFELを得ることができる。
Vb族化合物からなる母材を用いることによって、発光
中心としてのプラス3価の元素イオンに電荷補償を行な
わずに容易に整合できるため、カラー化に必要な所望の
色を効率よく発光できるTFELを得ることができる。
(発明の実施例)
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。
。
実施例1
図中の1は、ガラス基板であり、この基板1上にはIT
Oからなる厚さ1700人の透明電極2が被覆されてい
る。この透明電極2上には、厚さ4000〜5000人
のTa 205からなる誘電体層3が被覆されている。
Oからなる厚さ1700人の透明電極2が被覆されてい
る。この透明電極2上には、厚さ4000〜5000人
のTa 205からなる誘電体層3が被覆されている。
この誘電体層3上には、GaNの母材に発光中心として
のTm3+を0.1wt%添加した組成の厚さ4000
〜4500人の発光層4が被覆されている。この発光層
4上には、厚さ4000〜5000人のTa205から
なる誘電体層5が被覆されており、かつ該誘電体層5上
にはA、e電極6が設けられている。
のTm3+を0.1wt%添加した組成の厚さ4000
〜4500人の発光層4が被覆されている。この発光層
4上には、厚さ4000〜5000人のTa205から
なる誘電体層5が被覆されており、かつ該誘電体層5上
にはA、e電極6が設けられている。
しかして、本実施例1のTFELにおける透明電極2と
A、e電極6間に電圧120 V rms 、周波数(
正弦波) 500 Hzの条件で印加させた時の発光ス
ペクトルをill定したところ、第2図に示す発光スペ
クトル特性図が得られ、ブルーの発光がなされることが
確認された。
A、e電極6間に電圧120 V rms 、周波数(
正弦波) 500 Hzの条件で印加させた時の発光ス
ペクトルをill定したところ、第2図に示す発光スペ
クトル特性図が得られ、ブルーの発光がなされることが
確認された。
実施例2.3
発光層としてGaNの母材に発光中心としてのTb3+
を4 vt%、Sm3+を0.5 wt%夫々添加した
組成のものを用いた以外、実施例1と同構造の2種のT
FELを組立てた。
を4 vt%、Sm3+を0.5 wt%夫々添加した
組成のものを用いた以外、実施例1と同構造の2種のT
FELを組立てた。
しかして、本実施例2.3のTFELについて実施例1
と同様な条件で電極間に電圧を印加させた時の発光スペ
クトルを測定したところ、夫々第3図、第4図に示す発
光スペクトル特性図が得られ、実施例2ではグリーンの
発光が、実施例3ではオレンジの発光がなされることが
確認された。
と同様な条件で電極間に電圧を印加させた時の発光スペ
クトルを測定したところ、夫々第3図、第4図に示す発
光スペクトル特性図が得られ、実施例2ではグリーンの
発光が、実施例3ではオレンジの発光がなされることが
確認された。
実施例4〜6
発光層としてAI!Nの母材に発光中心としてのTm3
+を0.1 wt%、Tb3+を4 vt%、Sm3+
を0.5 wt%夫々添加した組成のものを用いた以外
、実施例1と同構造の3種のTFELを組立てた。
+を0.1 wt%、Tb3+を4 vt%、Sm3+
を0.5 wt%夫々添加した組成のものを用いた以外
、実施例1と同構造の3種のTFELを組立てた。
しかして、本実施例4〜6のTFELについて実施例1
と同様な条件で電極間に電圧を印加させた時の発光スペ
クトルを測定したところ、夫々第5図〜第7図に示す発
光スペクトル特性図が得られ、実施例4ではブルーの発
光が、実施例5ではグリーンの発光が、実施例6ではオ
レンジの発光かなされることが確認された。
と同様な条件で電極間に電圧を印加させた時の発光スペ
クトルを測定したところ、夫々第5図〜第7図に示す発
光スペクトル特性図が得られ、実施例4ではブルーの発
光が、実施例5ではグリーンの発光が、実施例6ではオ
レンジの発光かなされることが確認された。
実施例7
発光層としてGaNの母材に発光中心としてのMn2+
をI WL%添加した組成のものを用いた以外、実施例
1と同構造のTFELを組立てた。
をI WL%添加した組成のものを用いた以外、実施例
1と同構造のTFELを組立てた。
しかして、本実施例7のTFELについて実施例1と同
様な条件で電極間に電圧を印加させた時の発光スペクト
ルを測定したところ、第8図に示す発光スペクトル特性
図が得られ、黄色を帯びたオレンジの発光がなされるこ
とが確認された。本実施例7では、母材(Ga N)と
発光中心の元素イオン(Mn”)とのイオン価の整合性
がとれていないが、Mn固有の発光がなされた。
様な条件で電極間に電圧を印加させた時の発光スペクト
ルを測定したところ、第8図に示す発光スペクトル特性
図が得られ、黄色を帯びたオレンジの発光がなされるこ
とが確認された。本実施例7では、母材(Ga N)と
発光中心の元素イオン(Mn”)とのイオン価の整合性
がとれていないが、Mn固有の発光がなされた。
実施例8
発光層としてGaPの母材に発光中心としてのPr3+
を0,3νt%添加した組成のものを用いた以外、実施
例1と同構造のTFELを組立てた。
を0,3νt%添加した組成のものを用いた以外、実施
例1と同構造のTFELを組立てた。
しかして、本実施例8のTFELについて実施例1と同
様な条件で電極間に電圧を印加させた時の発光スペクト
ルをAI定したところ、第9図に示す発光スペクトル特
性図が得られ、赤色の発光がなされることが確認された
。発光中心としてのP「3+の発光スペクトルには、通
常大きなピークを示す波長が2つある。1つは、500
nr6付近、もう1つは650 nm付近であり、前
者はエネルギー準位において3 po−3H4の発光で
あり、後者は3 p o−2F 2の発光である。しか
し、本実施例8のTFELでは第9図に示すように前者
のピークは認められない。これは、母材としてのGaP
の吸収帯波長が550 nl!1であることによる。
様な条件で電極間に電圧を印加させた時の発光スペクト
ルをAI定したところ、第9図に示す発光スペクトル特
性図が得られ、赤色の発光がなされることが確認された
。発光中心としてのP「3+の発光スペクトルには、通
常大きなピークを示す波長が2つある。1つは、500
nr6付近、もう1つは650 nm付近であり、前
者はエネルギー準位において3 po−3H4の発光で
あり、後者は3 p o−2F 2の発光である。しか
し、本実施例8のTFELでは第9図に示すように前者
のピークは認められない。これは、母材としてのGaP
の吸収帯波長が550 nl!1であることによる。
このことは、ランタニド元素イオンの殆どがいくつかの
発光学位を有するので、これらイオンのうち赤色に適し
たイオンを発光中心として用いた場合、赤の色純度を向
上できることを意味するものである。
発光学位を有するので、これらイオンのうち赤色に適し
たイオンを発光中心として用いた場合、赤の色純度を向
上できることを意味するものである。
[発明の効果]
以上詳述した如く、本発明によればIIIb−Vb族化
合物を母材とすることによりプラス3価のランタニド元
素イオンが電荷補償を行なうことなく最適な発光中心と
して作用でき、ひいてはカラー化に必要な所望の色を効
率よく発光し得る薄膜型エレクトロルミネッセンス表示
素子を提供できる。
合物を母材とすることによりプラス3価のランタニド元
素イオンが電荷補償を行なうことなく最適な発光中心と
して作用でき、ひいてはカラー化に必要な所望の色を効
率よく発光し得る薄膜型エレクトロルミネッセンス表示
素子を提供できる。
第1図は、本発明のTFELの一形態を示す概略断面図
、第2図〜第9図は夫々本実施例1〜8のTFELの発
光スペクトル図である。 l・・・ガラス基板、2.6・・・電極、3.5・・・
誘電体層、4・・・発光層。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 α的、7m(nm) 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図 第8図 GaP:Pr (nm) 第9図
、第2図〜第9図は夫々本実施例1〜8のTFELの発
光スペクトル図である。 l・・・ガラス基板、2.6・・・電極、3.5・・・
誘電体層、4・・・発光層。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 α的、7m(nm) 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図 第8図 GaP:Pr (nm) 第9図
Claims (1)
- 発光層の両面もしくは片面に誘電体層を有する薄膜型
エレクトロルネッセンス表示素子において、前記発光層
はIIIb−Vb族化合物からなる母材に発光中心となる
元素イオンを添加したものから構成されることを特徴と
する薄膜型エレクトロルネッセンス表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63018924A JPH01195697A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 薄膜型エレクトロルミネッセンス表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63018924A JPH01195697A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 薄膜型エレクトロルミネッセンス表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01195697A true JPH01195697A (ja) | 1989-08-07 |
Family
ID=11985170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63018924A Pending JPH01195697A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 薄膜型エレクトロルミネッセンス表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01195697A (ja) |
-
1988
- 1988-01-29 JP JP63018924A patent/JPH01195697A/ja active Pending
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