JPS5835587A - 薄膜el素子 - Google Patents

薄膜el素子

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Publication number
JPS5835587A
JPS5835587A JP56135255A JP13525581A JPS5835587A JP S5835587 A JPS5835587 A JP S5835587A JP 56135255 A JP56135255 A JP 56135255A JP 13525581 A JP13525581 A JP 13525581A JP S5835587 A JPS5835587 A JP S5835587A
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JP
Japan
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thin film
light
light emitting
emitting layer
filter
Prior art date
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Pending
Application number
JP56135255A
Other languages
English (en)
Inventor
勝 吉田
猪口 敏夫
柿原 良亘
山下 卓郎
浩司 谷口
康一 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
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Publication of JPS5835587A publication Critical patent/JPS5835587A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は交流電界の印加に依ってE L(Electr
Lum1nescence)発光を呈する薄膜EL素子
の構成に関す条ものである。
従来、交流動作の薄膜EL素子に関して、発光層に規則
的に高い電界(106V^程度)を印加し、絶縁耐圧、
発光効率及び動作の安定性等を高めるために、0.1〜
20wt%のMn(あるいはCut At。
Br等)をドープしたZnS、Zn5e等の半導体発光
層をY2O3,TiO2等の誘電体薄膜でサンドイッチ
した三層構造ZnS:Mn(又はZn5e:Mn)EL
、素子が開発され、発光緒特性の向上が確かめられてい
る。この薄膜EL素子は数KHzの交流電界印加によっ
て坐輝度発光し、しかも長寿命であるという特徴を有し
ている。またこの薄膜EL素子の発光に関しては印加電
圧を昇圧していく過程と高電圧−より降圧していく過程
で、同じ印加電解に対して発光輝度が異なるといったヒ
ステリシス特性を有していることが発見され、そしてこ
のヒステリシス特性を有する薄膜EL素子に印加電圧を
昇圧する過程に於いて、光、電界、熱等が付与されると
薄膜EL素子はその強度に対応した発光輝度の状態に励
起され、光、電界、熱等を除去して元の状態に戻しても
発光輝度は高くなった状態で維持される、いわゆるメモ
リー現象が表示技術の新たな利用分野を開拓するに到っ
た。
薄膜EL素子の1例としてZnS:Mn薄膜EL素子の
基本的構造を第1図に示す。
第1図に基いて薄膜EL素子の構造を具体的に説明する
と、ガラス基板1上に1n2Q3,5n02等の透明電
極2、さらにその上に積層してY 203+TiO2,
Al2O3,Si3N4,5i02等からなる第1の誘
電体層8がスパッタあるいは電子ビーム蒸着法等により
重畳形成されている。第1の誘電体層8上にはZnS:
Mn焼結ペレットを電子ビーム蒸着することにより得ら
れるZnS発光層4が形成されている。この時蒸着用の
ZnS:Mn焼結ペレットには活性物質となるMnが目
的に応じた濃度に設定されたベレットが使用される。Z
nS発光層4上には第1の誘電体層3と同様の材質から
成る第2の誘電体層5が積層され、更にその上にA/、
等から成る背面電極6が蒸着形成されている。透明電極
2と背面電極6は交流電源7に接続され、薄膜EL素子
が駆動される。
電極2.6間にAC電圧を印加すると、ZnS発光層4
の両側の誘電体層3.5間に上記AC電圧が誘起される
ことになり、従ってZnS発光層4内に発生した電界に
よって伝導帯に励起されかつ加速されて充分なエネルギ
ーを得た電子が、自由電子となって発光層界面へ誘引さ
れる過程で直接Mn発光センターを励起し、励起された
Mn発光センターが基底状態に戻る際に黄橙色のEL光
を放射する。即ち高電界で加速された電子がZnS発光
層4中の発光センターであるZnサイトに入ったMn原
子の電子を励起し、基底状態に落ちる時、略々5850
Aをピークに幅広い波長領域で、強い発光を呈する。活
性物質としてMn以外に希土類の゛弗化物を用いた場合
にはこの希土類に特有の緑色その他の発光色が得られる
上記の如き構造を有する薄膜EL素子はスペース・ファ
クタの利点を生かした平面薄型ディスプレイ・デバイス
として、文字及び図形を含むコンピューターの出力表示
端末機器その他種々の表示装置に文字、記号、静止画像
、動画像等の表示手段として利用することができる。し
かしながら、上記薄膜EL素子は発光中心を形成する活
性物質によって放射されるEL光の発光色が単一に決定
されるものであり、単一素子で複数の発光色を選択して
放射させる技術は駆使されていない。一方、薄膜EL素
子をディスプレイとして使用する場合′には、情報の多
様化に応じて単一の素子で複数の発光色を呈するEL光
を選択的に放射させることが望まれることもある。
本発明は上記要求に対して、技術的手段を駆使すること
により、単一の素子で複数の発光色を得ることのできる
新規有用な薄膜EL素子を提供することを目的とするも
のである。
以下、本発明を実施例に従って図面を参照しながら詳説
する。
第2図は本発明の1実施徊として用いられる弗化プラセ
オジウム(PrFa)を活性物質としてZnS発光層中
に添加した場合に得られるEL光のスペクトル図である
。この図より明らかな如< 、P r F 3のスペク
トルは青緑色に対応す−る4900λの成分と赤色に対
応する6500Aの成分とから成っており、全体として
は白色として知覚される。従って、このスペクトル成分
に対し、適当なフィルターを使用することによって一方
のスペクトル成分をフィルターで吸収し、青緑色、赤色
、白色の三種類の発光色を生起せしめることができる。
第8図は本発明のl実施例を示す薄膜EL素子の構成図
である。第1図と同一符号は同一内容を示す。
本実施例の薄膜EL素子はガラス基板1上に透明電極2
を帯状に多数平行配列し、その上に非晶質のSi3%4
から成る第1の誘電体層3を1000〜8000A程度
形成し、発光層4′としてZnS層中にPrF3の活性
物質が添加された層を3000〜100OOA程度積層
し、更にY2O3とSi3N4の2層構造から成る第2
の誘電体層5を1000〜aoooλ程度重畳し、At
の背面電極6を蒸着するとともに透明電極2と直交する
方向へ帯状に成形配列することにより構成されている。
ガラス基板1の前面には1組のフィルター8が着脱自在
に設置されている。このフィルター8の光透過特性を第
4図に示す。フィルター8は図中に曲線f!で示す透過
特性を有する青緑フィルター(V−G50)と曲m f
 2で示す赤色フィルター(V−R62)より成る。上
記構成の薄膜EL素子を発光駆動すると、発光層4′よ
りガラス基板1側へ導出されるEL光はフィルター8が
離脱されている場合には白色光として直”接そのEL光
が認認されるが、青緑色又は赤色のフィルター8がガラ
ス基板1前面に介設されるとEL光はこのフィルター8
を通過した後、第5図あるいは第6図に示すスペクトル
を持った発光として認識される。従ってフィルター8を
適宜選定してガラス基板1前面に着脱させることにより
、4900^近傍にピーク波長を有する青緑色発光、6
500A近傍にピーク波長を有する赤色発光、あるいは
白色発光が任意に得られる。
第7図は本発明の他の実施例を示す薄膜EL素子の平面
図である。
薄膜EL素子のガラス基板1の前面KV−G50の青緑
色フィルターを載置した背縁発光領域9、V−R62の
赤色フィルターを載置した赤色発光領域10、フィルタ
ーが介設されていない白色発光領域11が構成されてい
る。従って発光層から放射されるEL光は各領域9.1
0.11で色分けされ、多色化された情報が表示される
ことになる。
以上詳説した如く本発明は単一の薄膜EL素子にフィル
ターを介設することによって複数の発光色を得ることが
できるものであり、ディスプレイとして用いた場合表示
情報の多様化を満し得る非常に技術的に卓越したもので
ある0
【図面の簡単な説明】
第1図は薄膜EL素子の基本的構造を示す構成図である
。 第2図は発光層としてZnS:PrF3を用いた場合の
EL光の発光スペクトルを示す説明図である。 第8図は本発明の1実施例を示す薄膜EL素子の構成図
である。 第4図は第8図に示すフィルターの光透過スペクトルを
示す説明図である。 第5図及び第6図は第3図に示す薄膜EL素子の発光ス
ペクトルを説明する説明図である。 第7図は本発明の他の実施例を示す薄膜EL素子の前面
側の平面図である。 l・・・ガラス基板、4′・・・発光層、8・・・フィ
ルター。 代理人 弁理士  福 士 愛 彦

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、交流電界の印加によりEL発光を呈する発光層を有
    する薄膜EL素子に於いて、前記発光層の発光スペクト
    ルのピーク波長に対応したフィルターを前面側に着脱自
    在に介設したことを特徴とする薄膜EL素子。 2 発光層に活性物質としてPrF3を添加し、青緑色
    と赤色に対応したピーク波長を有する発光スペクトルを
    構成した特許請求の範囲第1項記、載の薄膜EL素子。
JP56135255A 1981-08-27 1981-08-27 薄膜el素子 Pending JPS5835587A (ja)

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