JPH01196836A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH01196836A JPH01196836A JP2223888A JP2223888A JPH01196836A JP H01196836 A JPH01196836 A JP H01196836A JP 2223888 A JP2223888 A JP 2223888A JP 2223888 A JP2223888 A JP 2223888A JP H01196836 A JPH01196836 A JP H01196836A
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- JP
- Japan
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- silicon
- semiconductor
- defects
- wafer
- heat treatment
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は、半導体単結晶基板内に製造工程中に生ずる微
小欠陥あるいは金属汚染を吸収して結晶の健全化を図り
、特性を向上させる半導体基板のゲッタリングを行う半
導体素子の製造方法に関する。
小欠陥あるいは金属汚染を吸収して結晶の健全化を図り
、特性を向上させる半導体基板のゲッタリングを行う半
導体素子の製造方法に関する。
半導体単結晶基板に工程中に生ずる微小欠陥。
金属汚染を除去するゲッタリング方法としゼは、半導体
基板の裏面全面へサンドブラスト法あるいはエツチング
法により損傷を与えるかあるいは多結晶シリコン膜を形
成し、熱処理段階で微小欠陥や金属不純物をひずみによ
る結晶欠陥あるいは多結晶膜の欠陥に吸収させる方法、
もしくは熱処理の温度やガスにより微小欠陥や不純物を
集める方法などがあり、その後欠陥あるいは不純物の多
い部分を除去して健全な結晶を得る。
基板の裏面全面へサンドブラスト法あるいはエツチング
法により損傷を与えるかあるいは多結晶シリコン膜を形
成し、熱処理段階で微小欠陥や金属不純物をひずみによ
る結晶欠陥あるいは多結晶膜の欠陥に吸収させる方法、
もしくは熱処理の温度やガスにより微小欠陥や不純物を
集める方法などがあり、その後欠陥あるいは不純物の多
い部分を除去して健全な結晶を得る。
〔発明が解決しようとする！ＩＮ）
しかし、裏面にひずみを与えるかあるいは欠陥の多い膜
を形成してゲッタリングした場合、裏面にゲッタリング
しきれない汚染源が基板の表面側に残って基板表面に結
晶欠陥を誘起し、特にその表面層をＭＯ３素子の特性を
低下させることが防止できなかった。一方、熱処理条件
によってゲッタリングする方法は、温度プロフィルなど
が複雑であると共に長時間の処理が必要となり、製造装
置の効率などが低下してしまうという問題点があった。
を形成してゲッタリングした場合、裏面にゲッタリング
しきれない汚染源が基板の表面側に残って基板表面に結
晶欠陥を誘起し、特にその表面層をＭＯ３素子の特性を
低下させることが防止できなかった。一方、熱処理条件
によってゲッタリングする方法は、温度プロフィルなど
が複雑であると共に長時間の処理が必要となり、製造装
置の効率などが低下してしまうという問題点があった。
本発明のｉＪＢは、上記の従来の半導体素子製造技術の
難点を克服するためになされたもので、簡単な工程で素
子形成に利用される基板の一面に近い層の欠陥、汚染を
除去するゲッタリングを行う半導体素子の製造方法を提
供することにある。
難点を克服するためになされたもので、簡単な工程で素
子形成に利用される基板の一面に近い層の欠陥、汚染を
除去するゲッタリングを行う半導体素子の製造方法を提
供することにある。
上記の課題の解決のために、本発明の方法は、半導体基
板の表面の半導体素子としての機能を持たせない部分に
局部的に損傷を与えたのち不純物のドーピング工程を行
うものとする。
板の表面の半導体素子としての機能を持たせない部分に
局部的に損傷を与えたのち不純物のドーピング工程を行
うものとする。
通常不純物ドーピングのための熱処理の際に結晶欠陥の
発生あるいは成長が起こるが、半導体基板の素子として
の機能を持たない部分に損傷を与えることによって生じ
た結晶欠陥には不純物ドーピングのための熱処理により
微小欠陥や金属汚染のゲッタリングが行われ、素子とし
ての機能を持つ部分の結晶は健全化する。
発生あるいは成長が起こるが、半導体基板の素子として
の機能を持たない部分に損傷を与えることによって生じ
た結晶欠陥には不純物ドーピングのための熱処理により
微小欠陥や金属汚染のゲッタリングが行われ、素子とし
ての機能を持つ部分の結晶は健全化する。
以下図を引用して本発明の実施例について説明する０本
発明の実施例では、不純物のドーピング前、すなわちド
ーピングの際のマスクとなるＳｉｎ。
発明の実施例では、不純物のドーピング前、すなわちド
ーピングの際のマスクとなるＳｉｎ。
膜などのフォトエツチング工程後において、半導体基板
の半導体素子の機能をもたない部分、例えば第１図に示
すシリコンウェハ１のダイシング線２、自動位置合わせ
マーカ３．ウェハ１の外周で斜線を引いて示したような
素子とならない領域４の全部あるいは一部にレーザビー
ムあるいは電子ビームを照射し、シリコンの結晶構造を
多孔質なものにする。そのあと、拡散法あるいはイオン
注入法で不純物ドーピングを行うと、そあ際１１００℃
以上の熱処理温度により微小欠陥あるいはｓｉ結晶格子
に入り込まない重金属原子等の汚染源は近くに存在する
シリコンの多孔質部分にゲッタリングされる。さらに簡
単な実施例としては、ビーム照射でなく、半導体基板表
面の一部分に機械的に損傷を与える方法、例えばダイヤ
モンド刃によって傷をつける方法などにより欠陥を形成
し、不純物ドーピングの際にその部分にゲッタリングさ
せることもできる。
の半導体素子の機能をもたない部分、例えば第１図に示
すシリコンウェハ１のダイシング線２、自動位置合わせ
マーカ３．ウェハ１の外周で斜線を引いて示したような
素子とならない領域４の全部あるいは一部にレーザビー
ムあるいは電子ビームを照射し、シリコンの結晶構造を
多孔質なものにする。そのあと、拡散法あるいはイオン
注入法で不純物ドーピングを行うと、そあ際１１００℃
以上の熱処理温度により微小欠陥あるいはｓｉ結晶格子
に入り込まない重金属原子等の汚染源は近くに存在する
シリコンの多孔質部分にゲッタリングされる。さらに簡
単な実施例としては、ビーム照射でなく、半導体基板表
面の一部分に機械的に損傷を与える方法、例えばダイヤ
モンド刃によって傷をつける方法などにより欠陥を形成
し、不純物ドーピングの際にその部分にゲッタリングさ
せることもできる。
本発明によれば、半導体素子としての機能を持たせる半
導体基板の表面のうちの素子としての機能をもたない部
分に局部的に損傷を与え、そのあとの不純物ドーピング
工程での熱処理によりゲッタリングを行うので、素子に
近接し、しかも素子として用いられない部分に微小欠陥
、金属汚染が吸収されるため、その部分を特に除去する
工程を必要とせずに製造された半導体素子の特性の向上
。
導体基板の表面のうちの素子としての機能をもたない部
分に局部的に損傷を与え、そのあとの不純物ドーピング
工程での熱処理によりゲッタリングを行うので、素子に
近接し、しかも素子として用いられない部分に微小欠陥
、金属汚染が吸収されるため、その部分を特に除去する
工程を必要とせずに製造された半導体素子の特性の向上
。
製造歩留りの安定が容易に達せられる。
第１図は本発明の一実施例に用いるシリコンウェハの平
面図である。 １：ウェハ、２：ダイシング線、３；自動位置第１図
面図である。 １：ウェハ、２：ダイシング線、３；自動位置第１図
Claims (1)
- １）半導体基板の表面の半導体素子としての機能を持た
せない部分に局部的に損傷を与えたのち不純物のドーピ
ング工程を行うことを特徴とする半導体素子の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2223888A JPH01196836A (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2223888A JPH01196836A (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01196836A true JPH01196836A (ja) | 1989-08-08 |
Family
ID=12077215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2223888A Pending JPH01196836A (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01196836A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6864190B2 (en) | 2002-10-17 | 2005-03-08 | National Research Council Of Canada | Laser chemical fabrication of nanostructures |
| WO2012156792A1 (en) * | 2011-05-16 | 2012-11-22 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Process for producing semiconductor device and semiconductor device |
-
1988
- 1988-02-02 JP JP2223888A patent/JPH01196836A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6864190B2 (en) | 2002-10-17 | 2005-03-08 | National Research Council Of Canada | Laser chemical fabrication of nanostructures |
| WO2012156792A1 (en) * | 2011-05-16 | 2012-11-22 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Process for producing semiconductor device and semiconductor device |
| US9508802B2 (en) | 2011-05-16 | 2016-11-29 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Gettering process for producing semiconductor device |
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