JPH01196985A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH01196985A JPH01196985A JP63021496A JP2149688A JPH01196985A JP H01196985 A JPH01196985 A JP H01196985A JP 63021496 A JP63021496 A JP 63021496A JP 2149688 A JP2149688 A JP 2149688A JP H01196985 A JPH01196985 A JP H01196985A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- lead frame
- state image
- image pickup
- imaging device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は透明樹脂等によって封止された固体撮像素子に
関するものである。
関するものである。
従来より、撮像系を始めとして固体撮像素子が広く用い
られている。
られている。
−これらの固体撮像素子の構成は、一般に第６図及び第
７図にそれぞれ示すようなタイプのものがよく知られて
いる。
７図にそれぞれ示すようなタイプのものがよく知られて
いる。
第６図のタイプではリードフレーム４上にたとえばＣＯ
Ｄ等の固体撮像素子のセンサチップ１が配されており、
配線用のワイヤ３によって所定の部分と接続されている
。そしてセンサチップ１は、その表面を含む周囲を透明
の樹脂でモールド成形されたパッケージによって封止さ
れている。
Ｄ等の固体撮像素子のセンサチップ１が配されており、
配線用のワイヤ３によって所定の部分と接続されている
。そしてセンサチップ１は、その表面を含む周囲を透明
の樹脂でモールド成形されたパッケージによって封止さ
れている。
また第７図のタイプでは、リードフレーム４上にセンサ
チップ１が配線用のワイヤ３とともに配されるとともに
、センサチップ１の表面にガラス板５が透明のアクリル
樹脂または透明のシリコン接着剤で貼着され、さらにそ
の周囲を透明又は不透明の樹脂によって枠組みがモール
ド成形されている。このタイプの従来例としてはたとえ
ば特開昭６２−１８６６７３号等がある。
チップ１が配線用のワイヤ３とともに配されるとともに
、センサチップ１の表面にガラス板５が透明のアクリル
樹脂または透明のシリコン接着剤で貼着され、さらにそ
の周囲を透明又は不透明の樹脂によって枠組みがモール
ド成形されている。このタイプの従来例としてはたとえ
ば特開昭６２−１８６６７３号等がある。
しかしながら上述したような従来のタイプの固体撮像素
子によると、撮像領域の周辺部に強い入射光Ｐがあフた
場合、第８図に示すように撮像領域内に記号Ｆで示すよ
うな円形状のゴースト。
子によると、撮像領域の周辺部に強い入射光Ｐがあフた
場合、第８図に示すように撮像領域内に記号Ｆで示すよ
うな円形状のゴースト。
フレアが発生するという問題があり、特に同図の−よう
な２次元の撮像素子ではきわめて重大な欠点となってい
るのもである。このような撮像領域内に発生するゴース
ト、フレアは、撮像領域の周辺のアルミ電極、映像信号
の黒の基準信号を作るための遮光アルミ層、センサチッ
プを取り付けるためのリードフレーム等に入射光が反射
することによって生じることが考えられる。そして、ア
ルミ電極または遮光アルミといったセンサチップの表面
における反射については、従来、たとえばセラミックパ
ッケージの固体撮像素子で実施されているように、それ
らの反射の生じる部分の上面に色素の層を形成すること
によって反射率を下げるような対策がとられていた。し
かしながら、リードフレームについてみると、たとえば
リードフレーム単体に色素の層を付けると、その後のセ
ンサチップとリードフレームの組み立てにおいて、両者
の導電性を劣化させるため、用いることができず、また
センサチップとリードフレームの組み立て後にリードフ
レーム表面に色素を配することはきわめて難しく、リー
ドフレームにおける反射に起因するゴースト、フレアの
問題についてはも未解決のまま残されていた。
な２次元の撮像素子ではきわめて重大な欠点となってい
るのもである。このような撮像領域内に発生するゴース
ト、フレアは、撮像領域の周辺のアルミ電極、映像信号
の黒の基準信号を作るための遮光アルミ層、センサチッ
プを取り付けるためのリードフレーム等に入射光が反射
することによって生じることが考えられる。そして、ア
ルミ電極または遮光アルミといったセンサチップの表面
における反射については、従来、たとえばセラミックパ
ッケージの固体撮像素子で実施されているように、それ
らの反射の生じる部分の上面に色素の層を形成すること
によって反射率を下げるような対策がとられていた。し
かしながら、リードフレームについてみると、たとえば
リードフレーム単体に色素の層を付けると、その後のセ
ンサチップとリードフレームの組み立てにおいて、両者
の導電性を劣化させるため、用いることができず、また
センサチップとリードフレームの組み立て後にリードフ
レーム表面に色素を配することはきわめて難しく、リー
ドフレームにおける反射に起因するゴースト、フレアの
問題についてはも未解決のまま残されていた。
〔問題点を解決するための手段）
本発明は上述した欠点を除去することを目的としてなさ
れたもので、固体撮像素子をリードフレーム上に配Ｌ、
その周囲を透明樹脂で封止された固体撮像装置において
、外部より入射光があった場合、前記リードフレーム及
び前記透明樹脂の内部上面を介して、前記固体撮像素子
上の撮像領域内へと入射される反射光を前記固体撮像素
子の側面で阻止し得る如く前記固体撮像素子と前記リー
ドフレームの寸法または実装位置を設定することにより
、入射光のリードフレーム上における反射に起因して撮
像領域上に発生するゴースト、フレアを防止するように
したものである。
れたもので、固体撮像素子をリードフレーム上に配Ｌ、
その周囲を透明樹脂で封止された固体撮像装置において
、外部より入射光があった場合、前記リードフレーム及
び前記透明樹脂の内部上面を介して、前記固体撮像素子
上の撮像領域内へと入射される反射光を前記固体撮像素
子の側面で阻止し得る如く前記固体撮像素子と前記リー
ドフレームの寸法または実装位置を設定することにより
、入射光のリードフレーム上における反射に起因して撮
像領域上に発生するゴースト、フレアを防止するように
したものである。
また本発明によれば、固体撮像素子をリードフレーム上
に配Ｌ、その周囲を透明樹脂で封止された固体撮像装置
において、前記固体撮像素子の側面から前記リードフレ
ーム上の反射率の高い領域の端面までの距離をＬ、前記
固体撮像素子の前記リードフレーム上における高さをＴ
、前記固体撮像素子上の撮像面から前記透明樹脂の上面
までの距離をＤ、前記撮像面の端面から前記固体撮像素
子の側面までの距離をＬｓとしたとき、の関係となるよ
うに実装することにより、入射光のリードフレーム上に
おける反射に起因して撮像領域上に発生するゴースト、
フレアを防止するようにしたものである。
に配Ｌ、その周囲を透明樹脂で封止された固体撮像装置
において、前記固体撮像素子の側面から前記リードフレ
ーム上の反射率の高い領域の端面までの距離をＬ、前記
固体撮像素子の前記リードフレーム上における高さをＴ
、前記固体撮像素子上の撮像面から前記透明樹脂の上面
までの距離をＤ、前記撮像面の端面から前記固体撮像素
子の側面までの距離をＬｓとしたとき、の関係となるよ
うに実装することにより、入射光のリードフレーム上に
おける反射に起因して撮像領域上に発生するゴースト、
フレアを防止するようにしたものである。
〔実施例〕
以下本発明における固体撮像装置を図面を参照しながら
その一実施例について詳細に説明する。
その一実施例について詳細に説明する。
第１図（ａ）は本発明における固体撮像素子の側断面図
、第１図（ｂ）は同部分平面図である。
、第１図（ｂ）は同部分平面図である。
第６図、第７図に示す従来例と同一構成部分については
同一の符号を用いて説明するものとする。
同一の符号を用いて説明するものとする。
リードフレーム４′上に固体撮像素子のセンサチップ１
′を取り付け、ワイヤ３によって所定の配線を行った後
、透明の樹脂によってモールド成形されたパッケージ２
によって全体を封止されている。図中Ｔはセンサチップ
１′のリードフレーム４′上からの高さ、Ｌｒはセンサ
チップ１′の端面とリードフレーム４′の端面との間の
距離である。また第１図（ｂ）示すようにセンサチップ
１′を上方より見ると、センサチップ１′の枠体１ａ内
に撮像領域（イメージエリア）１′ｂが形成されており
、Ｌｓはイメージエリアｔ’ ｂの端面とセンサチッ
プ１′の端面までの距離すなわちセンサチップ１′のイ
メージエリア以外の枠体１’ａの幅を示すものである。
′を取り付け、ワイヤ３によって所定の配線を行った後
、透明の樹脂によってモールド成形されたパッケージ２
によって全体を封止されている。図中Ｔはセンサチップ
１′のリードフレーム４′上からの高さ、Ｌｒはセンサ
チップ１′の端面とリードフレーム４′の端面との間の
距離である。また第１図（ｂ）示すようにセンサチップ
１′を上方より見ると、センサチップ１′の枠体１ａ内
に撮像領域（イメージエリア）１′ｂが形成されており
、Ｌｓはイメージエリアｔ’ ｂの端面とセンサチッ
プ１′の端面までの距離すなわちセンサチップ１′のイ
メージエリア以外の枠体１’ａの幅を示すものである。
ここで撮像装置へと入射した光のリードフレーム４′上
における反射光によってイメージエリア上にゴースト、
フレア等が発生する理由について、第１図においてＡで
示す部分を拡大した第２図を用いて解析する。
における反射光によってイメージエリア上にゴースト、
フレア等が発生する理由について、第１図においてＡで
示す部分を拡大した第２図を用いて解析する。
第２図において、センサチップ１′の端部から距＠ Ｌ
ｒのリードフレーム４′上の位置ａにおいて光線りが
入射されたとき、そのリードフレーム４′による反射光
の一部はセンサチップ側面によって妨げられパッケージ
表面に達しないが、別の一部Ｉ１１は透明樹脂パッケー
ジ表面の位置すへと到達して再びセンサチップ１′側へ
と反射され反射光λ２を撮像領域内の位置Ｃへと入射す
る。
ｒのリードフレーム４′上の位置ａにおいて光線りが
入射されたとき、そのリードフレーム４′による反射光
の一部はセンサチップ側面によって妨げられパッケージ
表面に達しないが、別の一部Ｉ１１は透明樹脂パッケー
ジ表面の位置すへと到達して再びセンサチップ１′側へ
と反射され反射光λ２を撮像領域内の位置Ｃへと入射す
る。
このような経路で撮像領域内に入射された光の強度は第
３図に示すようになる。同図において縦軸は撮像領域内
における入射光の強度、横軸は撮像素子の外方から撮像
領域周辺に入射した光ｌの入射位置ａと、入射位置ａに
おいてパッケージ表面のｂ位置へと反射した光１１のざ
らに撮像領域上へと反射した光線１．の入射位置Ｃとの
間の距離である。
３図に示すようになる。同図において縦軸は撮像領域内
における入射光の強度、横軸は撮像素子の外方から撮像
領域周辺に入射した光ｌの入射位置ａと、入射位置ａに
おいてパッケージ表面のｂ位置へと反射した光１１のざ
らに撮像領域上へと反射した光線１．の入射位置Ｃとの
間の距離である。
撮像領域内に入射される光の強度は、同図に示されてい
るように、位置ａから位置Ｃまでの距離が、反射光１１
のパッケージ表面に対する入射角θがスネルの法則で決
まる臨界角以下の角度となるような条件では、撮像領域
への反射（光線Ｕ２）が少ないため小さく、入射角θが
スネルの法則で決まる臨界角となるような距ｌｉｄにお
いて急激に大きくなり、入射角θがスネルの法則で決ま
る臨界角より大きくなる６以上の距離になると距離の２
乗に反比例して小さくなる。
るように、位置ａから位置Ｃまでの距離が、反射光１１
のパッケージ表面に対する入射角θがスネルの法則で決
まる臨界角以下の角度となるような条件では、撮像領域
への反射（光線Ｕ２）が少ないため小さく、入射角θが
スネルの法則で決まる臨界角となるような距ｌｉｄにお
いて急激に大きくなり、入射角θがスネルの法則で決ま
る臨界角より大きくなる６以上の距離になると距離の２
乗に反比例して小さくなる。
第４図はパッケージ表面の入射角θに対するパッケージ
表面の反射率を示す特性図で、縦軸は反射率、横軸は入
射角θを示す。入射角θが臨界角θ′ となる前後で反
射率が大きく変化することがわかる。
表面の反射率を示す特性図で、縦軸は反射率、横軸は入
射角θを示す。入射角θが臨界角θ′ となる前後で反
射率が大きく変化することがわかる。
上述のように、撮像領域周辺に強い光が入射した場合、
その入射した点を中心として第８図に示したように光の
強度に応じた偽信号が固体撮像素子に発生Ｌ、前記の距
ｌ１ｌｌｉｄを半径とする円形状のゴースト、フレアが
発生する。そしてこのゴーストは、半径ｄの円形の内側
が暗く１．外側が明るくなり、半径ｄの円形の影が生じ
たように見える。
その入射した点を中心として第８図に示したように光の
強度に応じた偽信号が固体撮像素子に発生Ｌ、前記の距
ｌ１ｌｌｉｄを半径とする円形状のゴースト、フレアが
発生する。そしてこのゴーストは、半径ｄの円形の内側
が暗く１．外側が明るくなり、半径ｄの円形の影が生じ
たように見える。
このフレアの範囲Ｌｆは、第２図において、センサチッ
プ１の端面から光線Ａのリードフレーム４上の入射点ａ
までの距離をＬｒ、ａ点から撮像領域上への反射光の到
達点Ｃまでの距離をＬｉ１センサチツプの上面のリード
フレーム４上からの高さをＴ、センサチップの撮像面上
からパッケージ表面までの距離をＤｌさらに第１図（ｂ
）に示す上面図に示すように、センサチップの外形と撮
像領域との間の間隔をＬｓとすると、Ｌｆ＝Ｌｉ−Ｌｓ
・・・・・・ ■の関係があり、撮像領
域上の幅Ｌｆの範囲にフレアを生じることになる。
プ１の端面から光線Ａのリードフレーム４上の入射点ａ
までの距離をＬｒ、ａ点から撮像領域上への反射光の到
達点Ｃまでの距離をＬｉ１センサチツプの上面のリード
フレーム４上からの高さをＴ、センサチップの撮像面上
からパッケージ表面までの距離をＤｌさらに第１図（ｂ
）に示す上面図に示すように、センサチップの外形と撮
像領域との間の間隔をＬｓとすると、Ｌｆ＝Ｌｉ−Ｌｓ
・・・・・・ ■の関係があり、撮像領
域上の幅Ｌｆの範囲にフレアを生じることになる。
したがって０式によって表されるフレアの範囲Ｌｆの大
きさが、センサチップ１上面における枠体１ａの幅Ｌｓ
より小さければ、すなわちＬｓ≧Ｌｆ
・・・・・・ ■となるようにすれば、強い入射光によ
って上述したプロセスにもとづいて内部反射光がセンサ
チップ１上に到達したとしても、枠体１ａ上であり、イ
メージエリア１ｂ内には入射されず、ゴースト、フレア
は発生しない。
きさが、センサチップ１上面における枠体１ａの幅Ｌｓ
より小さければ、すなわちＬｓ≧Ｌｆ
・・・・・・ ■となるようにすれば、強い入射光によ
って上述したプロセスにもとづいて内部反射光がセンサ
チップ１上に到達したとしても、枠体１ａ上であり、イ
メージエリア１ｂ内には入射されず、ゴースト、フレア
は発生しない。
モして０式を０式に代入した後０式に代入することによ
り、次のような０式を得る。
り、次のような０式を得る。
Ｌｓ≧□・Ｌｒ 川・・・ ■
すなわち、撮像素子を実装設計するにあたり、センサチ
ップ１の外形とイメージエリア１ｂの端面との距１１ｉ
Ｌ ｓ、センサチップ１の端面とリードフレーム４′
端面との距離Ｌｒとの関係を０式を満足するように決定
することにより、イメージエリア周辺に強い入射光があ
り、内部反射がおこっても、イメージエリア上における
ゴースト、フレアの発生を防止することかできる。
ップ１の外形とイメージエリア１ｂの端面との距１１ｉ
Ｌ ｓ、センサチップ１の端面とリードフレーム４′
端面との距離Ｌｒとの関係を０式を満足するように決定
することにより、イメージエリア周辺に強い入射光があ
り、内部反射がおこっても、イメージエリア上における
ゴースト、フレアの発生を防止することかできる。
第５図は本発明の他の実施例を示すものである。上述の
第１の実施例によると、Ｌｒで示すリードフレーム４′
のセンサチップ周囲の領域全面において反射するものと
して考えたが、上述の説明はリードフレーム４″上の反
射の生じる領域について適用されるものである。
第１の実施例によると、Ｌｒで示すリードフレーム４′
のセンサチップ周囲の領域全面において反射するものと
して考えたが、上述の説明はリードフレーム４″上の反
射の生じる領域について適用されるものである。
すなわち従来技術の説明において述べたが、一般にリー
ドフレーム４″上に色素の層を設けることは導電性を劣
化させるため不適当であり、またセンサチップの外形ぎ
りぎりの部分に色素を高精度に付着させることは実装精
度から考えて難しいが、本発明の上記０式の関係を満足
する範囲であれば、第５図に示すようにリードフレーム
４″自体の大きさを切断しなくても、センサチップ１′
側面から距離Ｌｒ以上の部分に色素の層６を形成するこ
とはできる。すなわちセンサチップ１からある程度離れ
た位置で、しかもセンサチップ１の実装位置に重ならな
ければＬｒより内側に色素の位置がずれても全く問題と
ならないため、色素の層６を形成することによって反射
率を低下させることが可能である。
ドフレーム４″上に色素の層を設けることは導電性を劣
化させるため不適当であり、またセンサチップの外形ぎ
りぎりの部分に色素を高精度に付着させることは実装精
度から考えて難しいが、本発明の上記０式の関係を満足
する範囲であれば、第５図に示すようにリードフレーム
４″自体の大きさを切断しなくても、センサチップ１′
側面から距離Ｌｒ以上の部分に色素の層６を形成するこ
とはできる。すなわちセンサチップ１からある程度離れ
た位置で、しかもセンサチップ１の実装位置に重ならな
ければＬｒより内側に色素の位置がずれても全く問題と
ならないため、色素の層６を形成することによって反射
率を低下させることが可能である。
特にリードフレーム４″の寸法を別の要因によって変更
できない場合、またはセンサチップのリードフレーム４
″上からの距１ｉＴを高くとれない場合、さらにはパッ
ケージ２の厚みＤに制約がある場合等、他の条件によっ
て実装寸法が自由に設定できない場合等において有効な
手段である。
できない場合、またはセンサチップのリードフレーム４
″上からの距１ｉＴを高くとれない場合、さらにはパッ
ケージ２の厚みＤに制約がある場合等、他の条件によっ
て実装寸法が自由に設定できない場合等において有効な
手段である。
以上述べたように、本発明における固体撮像装置によれ
ば、外部より入射され、リードフレーム表面及び透明樹
脂の封止用枠体内上面で反射されて固体撮像素子上の撮
像面上へと到達する反射光を前記撮像素子側面で未然に
阻止し得る如く、前記固体撮像素子側面の高さ、前記撮
像素子周囲におけるリードフレーム上の反射面の幅等を
始めとする各要素の寸法、実装位置を設定したので、特
別な構成を用いることなく、各構成部品の製造、組み立
て時における寸法設定によって撮像領域内におけるゴー
スト、フレアの発生を防止することができ、常に入射画
像に忠実で、高画質、高゛品位な撮像を行うことができ
るものである。
ば、外部より入射され、リードフレーム表面及び透明樹
脂の封止用枠体内上面で反射されて固体撮像素子上の撮
像面上へと到達する反射光を前記撮像素子側面で未然に
阻止し得る如く、前記固体撮像素子側面の高さ、前記撮
像素子周囲におけるリードフレーム上の反射面の幅等を
始めとする各要素の寸法、実装位置を設定したので、特
別な構成を用いることなく、各構成部品の製造、組み立
て時における寸法設定によって撮像領域内におけるゴー
スト、フレアの発生を防止することができ、常に入射画
像に忠実で、高画質、高゛品位な撮像を行うことができ
るものである。
第１図（ａ）は本発明における固体撮像装置の第１の実
施例を示す側面図、 第１図（ｂ）は同部分平面図、 第２図はゴースト、フレアの発生及び本発明の詳細な説
明するための部分側面図、 第３図は入射される光の強度と入射位置からの距離の関
係を示す特性図、 第４図は固体撮像装置の透明樹脂パッケージ内面に対す
る入射角と反射率との関係を示す特性図、 第５図は本発明における固体撮像装置の他の実施例を示
す側面図、 第６図、第７図はそれぞれ従来の固体撮像装置の一例を
示す側面図、 第８図は撮像領域上に発生するゴースト、フレアを示す
図である。 １・・・固体撮像素子（センサチップ）、２・・・透明
樹脂パッケージ、 ３・・・ワイヤ ４．４’ 、４”・・・リードフレーム、５・・・ガラ
ス板、 ６・・・色素の層 第４図 Ｗ入狙爾θ
施例を示す側面図、 第１図（ｂ）は同部分平面図、 第２図はゴースト、フレアの発生及び本発明の詳細な説
明するための部分側面図、 第３図は入射される光の強度と入射位置からの距離の関
係を示す特性図、 第４図は固体撮像装置の透明樹脂パッケージ内面に対す
る入射角と反射率との関係を示す特性図、 第５図は本発明における固体撮像装置の他の実施例を示
す側面図、 第６図、第７図はそれぞれ従来の固体撮像装置の一例を
示す側面図、 第８図は撮像領域上に発生するゴースト、フレアを示す
図である。 １・・・固体撮像素子（センサチップ）、２・・・透明
樹脂パッケージ、 ３・・・ワイヤ ４．４’ 、４”・・・リードフレーム、５・・・ガラ
ス板、 ６・・・色素の層 第４図 Ｗ入狙爾θ
Claims (4)
- （１）固体撮像素子をリードフレーム上に配し、その周
囲を透明樹脂で封止された固体撮像装置において、外部
より入射光があった場合、前記リードフレーム及び前記
透明樹脂の内部上面を介して、前記固体撮像素子上の撮
像領域内へと入射される反射光を前記固体撮像素子の側
面で阻止し得る如く前記固体撮像素子と前記リードフレ
ームの寸法または実装位置を設定したことを特徴とする
固体撮像装置。 - （２）特許請求の範囲第（１）項において、前記反射光
の前記固体撮像素子の撮像面上における到達位置を、前
記固体撮像素子側面から前記リードフレーム上の反射率
の高い領域の端部までの距離によって設定したことを特
徴とする固体撮像装置。 - （３）特許請求の範囲第（１）項において、前記反射光
の前記固体撮像素子の撮像面上における到達位置を、前
記固体撮像素子側面の前記リードフレームに対する高さ
寸法によって設定したことを特徴とする固体撮像装置。 - （４）固体撮像素子をリードフレーム上に配し、その周
囲を透明樹脂で封止された固体撮像装置において、前記
固体撮像素子の側面から前記リードフレーム上の反射率
の高い領域の端面までの距離をＬ、前記固体撮像素子の
前記リードフレーム上における高さをＴ、前記固体撮像
素子上の撮像面から前記透明樹脂の上面までの距離をＤ
、前記撮像面の端面から前記固体撮像素子の側面までの
距離をＬｓとしたとき、 Ｌｓ≧Ｄ／Ｔ・Ｌｒ の関係となるように実装してなる固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63021496A JPH01196985A (ja) | 1988-02-01 | 1988-02-01 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63021496A JPH01196985A (ja) | 1988-02-01 | 1988-02-01 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01196985A true JPH01196985A (ja) | 1989-08-08 |
Family
ID=12056575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63021496A Pending JPH01196985A (ja) | 1988-02-01 | 1988-02-01 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01196985A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09331050A (ja) * | 1996-06-07 | 1997-12-22 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-02-01 JP JP63021496A patent/JPH01196985A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09331050A (ja) * | 1996-06-07 | 1997-12-22 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
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