JPH01199428A - 電子ビーム露光方法及びその装置 - Google Patents
電子ビーム露光方法及びその装置Info
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- JPH01199428A JPH01199428A JP63022795A JP2279588A JPH01199428A JP H01199428 A JPH01199428 A JP H01199428A JP 63022795 A JP63022795 A JP 63022795A JP 2279588 A JP2279588 A JP 2279588A JP H01199428 A JPH01199428 A JP H01199428A
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- H01J2237/30411—Details using digital signal processors [DSP]
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
電子ビームによりステージ上の試料にパターンを形成づ
′る電子ビーム露光方法及びその装置に関し、 部分的にパターン１濃度が著しく異なるような多様性の
あるパターン描画を高３￥で行なうことを［１的とし、 メインデフレクタとサブデフレクタとを右し、可変形成
ビームをステージ上の試料面のパターン描画領域のみ偏
向走査してパターンを描画する電子ビーム露光方法にお
いて、該試料面の描画すべきパターンのｍ度を予め検出
し、該パターンの濃度が設定値以上のとぎは前記ステー
ジをＩＲＩ欠的に移動してステップアンドリピートでパ
ターン描画を行ない、該パターンのｉＩ！度が該設定値
未満のときは前記ステージを連続的に移動してパターン
描画を行なうよう構成づる。
′る電子ビーム露光方法及びその装置に関し、 部分的にパターン１濃度が著しく異なるような多様性の
あるパターン描画を高３￥で行なうことを［１的とし、 メインデフレクタとサブデフレクタとを右し、可変形成
ビームをステージ上の試料面のパターン描画領域のみ偏
向走査してパターンを描画する電子ビーム露光方法にお
いて、該試料面の描画すべきパターンのｍ度を予め検出
し、該パターンの濃度が設定値以上のとぎは前記ステー
ジをＩＲＩ欠的に移動してステップアンドリピートでパ
ターン描画を行ない、該パターンのｉＩ！度が該設定値
未満のときは前記ステージを連続的に移動してパターン
描画を行なうよう構成づる。
本発明は電子ビーム露光方法及びその装置に係り、特に
電子ビームによりステージ上の試料にパターンを形成す
る電子ビーム露光方法及びその装置に関する。
電子ビームによりステージ上の試料にパターンを形成す
る電子ビーム露光方法及びその装置に関する。
電子ビーム露光方法として、従来から知られているもの
の一つにステップアンドリピートの装置がある。このス
テップアンドリピートの装置は、スフ２−ジを停止させ
た状態でそのステージ上の試ＦＡ（例えばウェーハ）表
面の成る描画領域の所のみ電子ビームを偏向走査した後
、ステージを定寸送りした侵停止させ再び次の描画領域
を偏向走査することを繰り返すことにより、所望のパタ
ーンを試料表面に描画形成する。
の一つにステップアンドリピートの装置がある。このス
テップアンドリピートの装置は、スフ２−ジを停止させ
た状態でそのステージ上の試ＦＡ（例えばウェーハ）表
面の成る描画領域の所のみ電子ビームを偏向走査した後
、ステージを定寸送りした侵停止させ再び次の描画領域
を偏向走査することを繰り返すことにより、所望のパタ
ーンを試料表面に描画形成する。
従って、このステップアンドリピートの装けによれば、
パターンの存在しない所は電子ビームを走査しないから
、パターンの密度に疎密があっても描画時間には著しい
不利がないという特長がある。
パターンの存在しない所は電子ビームを走査しないから
、パターンの密度に疎密があっても描画時間には著しい
不利がないという特長がある。
しかし、その反面、ステップアンドリピート装置はステ
ージ移動期間中は露光を行なっていないから、同−濃、
Ｉａのパターンを形成する場合などでは描画時間の短縮
がそれほど得られない。
ージ移動期間中は露光を行なっていないから、同−濃、
Ｉａのパターンを形成する場合などでは描画時間の短縮
がそれほど得られない。
そこで、近年ステージを連続移動させつつ、電子ビーム
をパターン存在領域だけ、偏向走査する装置も提案され
ている。この提案装置によれば、同一濃度のパターン形
成時にはステップアンドリピート装置よりも短時間で描
画づることができる。
をパターン存在領域だけ、偏向走査する装置も提案され
ている。この提案装置によれば、同一濃度のパターン形
成時にはステップアンドリピート装置よりも短時間で描
画づることができる。
しかし、上記の提案装置ではパターンのＩｌ＋衰に応じ
てスフ２−ジの連続移動濃度を選択しなければならない
ＩＣめ、第４図に示す如きウェーハ１の表面に２などの
白地で示した濃度の小さい領域の他に、ラストパターン
類ＩＪＡ３や位盾合わせ用領［４などのように濃度が著
しく高い領域も含まれるような場合には、パターン濃度
はウェーハ１の位置に応じて第５図に示す如く変化Ｊる
ことになり、部分的にパターン濃度が著しく異なってし
まう。
てスフ２−ジの連続移動濃度を選択しなければならない
ＩＣめ、第４図に示す如きウェーハ１の表面に２などの
白地で示した濃度の小さい領域の他に、ラストパターン
類ＩＪＡ３や位盾合わせ用領［４などのように濃度が著
しく高い領域も含まれるような場合には、パターン濃度
はウェーハ１の位置に応じて第５図に示す如く変化Ｊる
ことになり、部分的にパターン濃度が著しく異なってし
まう。
このようなウェーハ１に対して所定のパターン形成を行
なうために、各パターン位置毎に最適なステージ連続移
動速度を選ぶのは容易ではない。
なうために、各パターン位置毎に最適なステージ連続移
動速度を選ぶのは容易ではない。
このため、最もパターン濃度の大きい所を露光できるよ
うな速度でステージを連続移動させつつストライプ描画
することになるが、このようにするとステージ連続移動
方式の特長である描画の高速性が得られなくなってしま
うという問題点があった。
うな速度でステージを連続移動させつつストライプ描画
することになるが、このようにするとステージ連続移動
方式の特長である描画の高速性が得られなくなってしま
うという問題点があった。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、部分的にパ
ターン濃度が著しく異なるような多様性のあるパターン
描画をｉ速で行うことができる電子ビーム露光方法及び
その装置を提供することを目的とする。
ターン濃度が著しく異なるような多様性のあるパターン
描画をｉ速で行うことができる電子ビーム露光方法及び
その装置を提供することを目的とする。
本発明の電子ビーム露光方法は、パターン濃度が設定値
以上のときはス・ｊ−ジを間欠的に移動１ノでパターン
描画を行ない、設定値未満のときはスまた、本発明の電
子ビーム露光装置はメインデフメモリタとサブデフレク
タとを為し、メインフィールド内の矩形領域で定義され
たパターンデータに基づいてステージ上の試料面のパタ
ーン描画領域のみ偏向走査してパターンを描画する電子
ビーム露光装置であ−）ｔ、ステージの現在位置の座標
データを記憶する第１の記憶手段、館記矩形領域の中心
が１ラム中心にくるべき！！標をステージの目標位置の
座標データとして記憶する第２の記憶手段、取り込み手
段、第１及び第２の差分器、第１及び第２の加算手段及
びステージ駆動手段を具備し−（なる。
以上のときはス・ｊ−ジを間欠的に移動１ノでパターン
描画を行ない、設定値未満のときはスまた、本発明の電
子ビーム露光装置はメインデフメモリタとサブデフレク
タとを為し、メインフィールド内の矩形領域で定義され
たパターンデータに基づいてステージ上の試料面のパタ
ーン描画領域のみ偏向走査してパターンを描画する電子
ビーム露光装置であ−）ｔ、ステージの現在位置の座標
データを記憶する第１の記憶手段、館記矩形領域の中心
が１ラム中心にくるべき！！標をステージの目標位置の
座標データとして記憶する第２の記憶手段、取り込み手
段、第１及び第２の差分器、第１及び第２の加算手段及
びステージ駆動手段を具備し−（なる。
上記取り込み手段はパターンａｍが設定値以上のときは
ステージの１］標位置の座標データを取り込み、パター
ン濃度が設定値未満の時はステージの現在位置の座標デ
ータを取り込む。第１及び第２の差分器は夫々取り込み
手段の出力座標データと第１及び第２の記憶手段の出力
座標データとの誤差分を得る。また第１、Ｗ４２の加ｎ
丁段は第１、第２の差分器の出力信号をシブデフレクタ
のλツノ偏向信号、メインデルクタ偏向データに加算す
る。更に、ステージ駆動手段はステージを間欠的又は連
続的に移動させる。
ステージの１］標位置の座標データを取り込み、パター
ン濃度が設定値未満の時はステージの現在位置の座標デ
ータを取り込む。第１及び第２の差分器は夫々取り込み
手段の出力座標データと第１及び第２の記憶手段の出力
座標データとの誤差分を得る。また第１、Ｗ４２の加ｎ
丁段は第１、第２の差分器の出力信号をシブデフレクタ
のλツノ偏向信号、メインデルクタ偏向データに加算す
る。更に、ステージ駆動手段はステージを間欠的又は連
続的に移動させる。
パターン濃度が設定値未満のときはステージ駆動手段に
よりステージが連続的に移動される一方、取り込み手段
によりステージの現在位Ｕの座標データが所定の８１問
に取り込まれるの°Ｃ１第２の差分器からはステージの
現在位置と目標位置との誤差分が取り出され、これが第
２の加算手段によりメインデフメモリの出力データと加
算された後、メインデルクタ偏向データとして供給され
る。
よりステージが連続的に移動される一方、取り込み手段
によりステージの現在位Ｕの座標データが所定の８１問
に取り込まれるの°Ｃ１第２の差分器からはステージの
現在位置と目標位置との誤差分が取り出され、これが第
２の加算手段によりメインデフメモリの出力データと加
算された後、メインデルクタ偏向データとして供給され
る。
一方、これと同時に第１の差分器からは上記の所定の瞬
間におけるステージ位置座標と現在のステージ位置座標
との誤差分が取り出され、これが第１の加算手段を通し
てサブデフレクタへ補正信号として常時印加され、号プ
フィールド描画中はステージの連続移動に追従して電子
ビームの偏向量を補正する。このようにして、連続移動
するステージ上の試料に対して露光ができる。
間におけるステージ位置座標と現在のステージ位置座標
との誤差分が取り出され、これが第１の加算手段を通し
てサブデフレクタへ補正信号として常時印加され、号プ
フィールド描画中はステージの連続移動に追従して電子
ビームの偏向量を補正する。このようにして、連続移動
するステージ上の試料に対して露光ができる。
これに対し、パターン濃度が設定値以上のときはステー
ジ駆動手段によりステージが間欠的に移動される一方、
取り込み手段によりステージの目標位置の座標データが
所定の瞬間に取り込まれるので、第２の差分器の出力誤
差分は零となり、かつ、第１の差分器からは上記目標り
置とステージの現在位置との誤差分を示すデータが取り
出される。
ジ駆動手段によりステージが間欠的に移動される一方、
取り込み手段によりステージの目標位置の座標データが
所定の瞬間に取り込まれるので、第２の差分器の出力誤
差分は零となり、かつ、第１の差分器からは上記目標り
置とステージの現在位置との誤差分を示すデータが取り
出される。
この第１の差分器の出力データはＤ／Ａ変換された模サ
ブフィールド描画中、ナブデフレクタへ偏向補正信号と
して供給される。これにより、ステップアンドリピート
の描画が可能となる。
ブフィールド描画中、ナブデフレクタへ偏向補正信号と
して供給される。これにより、ステップアンドリピート
の描画が可能となる。
第１図は本発明の一実施例のブロック図を示す。
同図中、カソード６、グリッド７及び７ノード８よりな
る電子銃から放射された電子ビームは、第１スリツト９
、ビームサイズ変化用デルクタ１０、第２スリツト１１
、メインデフレクタを構成するコイル１２ｘ ＊ １２
Ｙ １ナブデフレクタを構成する電極１３を通してステ
ージ１４上に載置された試料としてのウェーハ１５に照
射される。
る電子銃から放射された電子ビームは、第１スリツト９
、ビームサイズ変化用デルクタ１０、第２スリツト１１
、メインデフレクタを構成するコイル１２ｘ ＊ １２
Ｙ １ナブデフレクタを構成する電極１３を通してステ
ージ１４上に載置された試料としてのウェーハ１５に照
射される。
この電子ビームはデフレクタ１０によりサイズを変化さ
れる司変形成ビームであり、またコイル１２ ｘ ＊
１２ Ｙよりなるメインデフレクタによりウェーハ１５
の表面のＸ軸方向、Ｙ軸方向に人なる偏向量（例えば１
０ａｍｇ程度以下）′Ｃ偏向せしめられ、電極１３によ
る勺プデフレクタによりつ工−ハ１５の表面のＸ軸方向
に小なる偏向量（例えば１００μ−程度以））で偏向せ
しめられる。
れる司変形成ビームであり、またコイル１２ ｘ ＊
１２ Ｙよりなるメインデフレクタによりウェーハ１５
の表面のＸ軸方向、Ｙ軸方向に人なる偏向量（例えば１
０ａｍｇ程度以下）′Ｃ偏向せしめられ、電極１３によ
る勺プデフレクタによりつ工−ハ１５の表面のＸ軸方向
に小なる偏向量（例えば１００μ−程度以））で偏向せ
しめられる。
なお、第１図では電子ビームをウェーハ１５の表面上Ｙ
軸方向へ偏向走査させるためのサブデフレクタ及びその
ＩＩＩｗＪ回路系は便宜上、図示を省略しであるが、実
際には必要であることは勿論である。
軸方向へ偏向走査させるためのサブデフレクタ及びその
ＩＩＩｗＪ回路系は便宜上、図示を省略しであるが、実
際には必要であることは勿論である。
一方、１６は中央処理装置（ＣＰＵ）、１７はメインデ
フメモリ、１８はサブデフメモリ、１９はディジタル・
シグナル・プロセッサ（ＤＳＰ）を含むモータ駆動回路
、２０はステージ移動用モータである。メインデノメ七
り１７及びサブデフメモリ１８には磁気ディスク装置等
の外部記憶装置（図示せず）から読み出されたパターン
データが記憶されており、メインデフメモリ１７にはそ
の記憶データに対応するサブデノメ七り１８のアドレス
を示すポインタも記憶されている。
フメモリ、１８はサブデフメモリ、１９はディジタル・
シグナル・プロセッサ（ＤＳＰ）を含むモータ駆動回路
、２０はステージ移動用モータである。メインデノメ七
り１７及びサブデフメモリ１８には磁気ディスク装置等
の外部記憶装置（図示せず）から読み出されたパターン
データが記憶されており、メインデフメモリ１７にはそ
の記憶データに対応するサブデノメ七り１８のアドレス
を示すポインタも記憶されている。
ステージ１４の現在位置の座標データはレーザー干渉計
２１を用いて得られ、この座標データは前記第１の記憶
手段を構成するステージレーザー干渉計レジスタ（以上
単にレジスタという）２２に供給されて記憶される。
２１を用いて得られ、この座標データは前記第１の記憶
手段を構成するステージレーザー干渉計レジスタ（以上
単にレジスタという）２２に供給されて記憶される。
−・方、２３は前記第２の記憶手段を構成するステージ
目標レジスタ（以下単にレジスタという）で、第２図に
示すメインフィールドの矩形領域４１で定義されたパタ
ーンデータによるその矩形領１４１の中心がコラム中心
へくるべき座Ｆ！ Ｘ ２（ただし、゛ここではＸ座標
のみに：ついで説明する）を目標値として記憶する。な
お、第２図中、×１はステージ１４の現在位置の座標、
４２は矩形領域（メインフィールド）４１内の１つのサ
ブフィールドを示す。上記の目Ｉ！！値を示すデータは
ＣＰＵ１６よりレジスタ２３へ供給される。
目標レジスタ（以下単にレジスタという）で、第２図に
示すメインフィールドの矩形領域４１で定義されたパタ
ーンデータによるその矩形領１４１の中心がコラム中心
へくるべき座Ｆ！ Ｘ ２（ただし、゛ここではＸ座標
のみに：ついで説明する）を目標値として記憶する。な
お、第２図中、×１はステージ１４の現在位置の座標、
４２は矩形領域（メインフィールド）４１内の１つのサ
ブフィールドを示す。上記の目Ｉ！！値を示すデータは
ＣＰＵ１６よりレジスタ２３へ供給される。
ＣＰＵ１６の制御の−１・にメインデフメモリ１７から
メインフィールドを示すパターンデータが読み出されて
後述する加粋器２９に供給され、またサブデフメモリ１
８から読み出されたサブフィールドを示すパターンデー
タがパターンジェネレータ３０及びサブデフ補正演算回
路３１に夫々供給される。
メインフィールドを示すパターンデータが読み出されて
後述する加粋器２９に供給され、またサブデフメモリ１
８から読み出されたサブフィールドを示すパターンデー
タがパターンジェネレータ３０及びサブデフ補正演算回
路３１に夫々供給される。
Ｃ１１Ｕ１６はパターンデータからパターン濃度が予め
設定した値以上か否かを判別し、パターン１濃度がこの
設定値未満のときはモータ駆１１１１！１路１９を通し
てモータ２０を・一定速度で連続回転さＵると共に、各
サブフィールド露光開始の瞬間にのみＡＮＤ回路２４ヘ
ハイレベルの信号（セットパルス）を送出してこれをゲ
ートＥ開」状態とし、その時点におけるレジスタ２２の
記憶データをへＮＤ回路２４を通して取り込みレジスタ
２５へ取り込ませる。従って、このときは取り込みレジ
スタ２５には、各サブフィールド内のパターン描画の最
初の瞬間におけるステージ１４の現在位置の座標Ｘ＋（
ｊｏ）のデータが取り込まれることになる。
設定した値以上か否かを判別し、パターン１濃度がこの
設定値未満のときはモータ駆１１１１！１路１９を通し
てモータ２０を・一定速度で連続回転さＵると共に、各
サブフィールド露光開始の瞬間にのみＡＮＤ回路２４ヘ
ハイレベルの信号（セットパルス）を送出してこれをゲ
ートＥ開」状態とし、その時点におけるレジスタ２２の
記憶データをへＮＤ回路２４を通して取り込みレジスタ
２５へ取り込ませる。従って、このときは取り込みレジ
スタ２５には、各サブフィールド内のパターン描画の最
初の瞬間におけるステージ１４の現在位置の座標Ｘ＋（
ｊｏ）のデータが取り込まれることになる。
これに対して、パターン１ＩｆＩｔが前記設定値以上の
ときには、ＣＰＵ１６は七−夕駆動回路１９を通し°（
モータ２０を一つのメインフィールド露光期間中は回転
停止し、露光終了後火のメインフィールド露光開始時ま
では回転づるように間欠的に回転させると共に、レジス
タ２３に格納されている目標値×２と同一の鎗を取り込
みレジスタ２５に供給し、かつ、ＡＮＤ回路２４はゲー
ト１閑」状態に引続き保持す−る。従って、このときは
取り込みレジスタ２５には目標値×２のデータが取り込
まれることになる。
ときには、ＣＰＵ１６は七−夕駆動回路１９を通し°（
モータ２０を一つのメインフィールド露光期間中は回転
停止し、露光終了後火のメインフィールド露光開始時ま
では回転づるように間欠的に回転させると共に、レジス
タ２３に格納されている目標値×２と同一の鎗を取り込
みレジスタ２５に供給し、かつ、ＡＮＤ回路２４はゲー
ト１閑」状態に引続き保持す−る。従って、このときは
取り込みレジスタ２５には目標値×２のデータが取り込
まれることになる。
取り込みレジスタ２５に取り込まれたデータは差分器２
７及び２８に夫々供給され、レジスタ２２及び２３より
のデータＸｚ、Ｘ鵞 （１）との差分をとられる。χ分
器２８より取り出された信号は、加痺♂２９においてメ
インデフレクタ用幅向データと加算された後、補正演算
回路３２に供給され、ここでメインフィールド歪み補正
メモリ３３よりの歪みデータに基づき歪みを補正する公
知の演篩を行なわれてから、メインデフＤＡＣ（０／Ａ
変換器）３４Ｘ、３４ｙによりアナログ信号に変換され
る。
７及び２８に夫々供給され、レジスタ２２及び２３より
のデータＸｚ、Ｘ鵞 （１）との差分をとられる。χ分
器２８より取り出された信号は、加痺♂２９においてメ
インデフレクタ用幅向データと加算された後、補正演算
回路３２に供給され、ここでメインフィールド歪み補正
メモリ３３よりの歪みデータに基づき歪みを補正する公
知の演篩を行なわれてから、メインデフＤＡＣ（０／Ａ
変換器）３４Ｘ、３４ｙによりアナログ信号に変換され
る。
このメインデ゛ノＤＡＣ３４Ｘ、３４Ｙより取り出され
たアナログ信号はアンプ３５Ｘ、３５Ｙを通して」イル
１２Ｘ、１２Ｙに供給され、電子ビームをパターンデー
タに応じて偏向させる。
たアナログ信号はアンプ３５Ｘ、３５Ｙを通して」イル
１２Ｘ、１２Ｙに供給され、電子ビームをパターンデー
タに応じて偏向させる。
他方、差分器２７より取り出された信号は、補正演算ス
テージフィードバック回路３６によりメインフィールド
歪み補正メモリ３３よりのデータに基づいて公知の補正
演幹を行なわれた後、ステーシフイードバックＤＡＣ（
１）／Ａ変換器）３７に供給され゛（アナログ信号に変
換される。このアナログ信号はサブアンプ３８に供給さ
れ、ここでサブデフ補正演１１４１路３１よりサブデフ
ＤＡＣ（Ｄ／Ａ変換器）３９を通して得られたサブフィ
ールド内のパターンを１ｉｉｌべきアナログ信号とアナ
ログ的に加ｎされた後サブデフレクタを構成する電極１
３に供給され、電子ビームを静電偏向させる。
テージフィードバック回路３６によりメインフィールド
歪み補正メモリ３３よりのデータに基づいて公知の補正
演幹を行なわれた後、ステーシフイードバックＤＡＣ（
１）／Ａ変換器）３７に供給され゛（アナログ信号に変
換される。このアナログ信号はサブアンプ３８に供給さ
れ、ここでサブデフ補正演１１４１路３１よりサブデフ
ＤＡＣ（Ｄ／Ａ変換器）３９を通して得られたサブフィ
ールド内のパターンを１ｉｉｌべきアナログ信号とアナ
ログ的に加ｎされた後サブデフレクタを構成する電極１
３に供給され、電子ビームを静電偏向させる。
差分！Ｓ２７の出り信号をアナログ的に勺プデフレクタ
の偏向信号に加粋するようにしたのは、レーザー干渉計
２１よりのパルスに同期したレーザークロックとパター
ンデータによるショットタイミングとは無関係であり、
ディジタル的に細枠するとデータミスを起こし、それに
より所謂ショット飛びを発生してしまうことがあるから
である。
の偏向信号に加粋するようにしたのは、レーザー干渉計
２１よりのパルスに同期したレーザークロックとパター
ンデータによるショットタイミングとは無関係であり、
ディジタル的に細枠するとデータミスを起こし、それに
より所謂ショット飛びを発生してしまうことがあるから
である。
このようにして、ウェーハ１５の表面の大部分を占める
濃度が低い領域のＳ−光時は、各サブフィールド描ｈＲ
１ＩｈＦＩ！ｆ点におけるステー２位置座標Ｘ＋（ｊｏ
）と峙々刻々と変化する現在のステージ位置座標ＸＩ
（ｔ）との誤差分のみをサブデフレクタへの補正量とし
、かつ、目標ＩＩ Ｘ ２とステージの位！！ＩＩ！Ｘ
＋ （ｔｏ ）との誤差分をメインデフレクタの偏向
データとすることにより、ステージを連続移動しながら
、前記矩形領域が一列に連なるストライプ状の領域の露
光が行なえる。
濃度が低い領域のＳ−光時は、各サブフィールド描ｈＲ
１ＩｈＦＩ！ｆ点におけるステー２位置座標Ｘ＋（ｊｏ
）と峙々刻々と変化する現在のステージ位置座標ＸＩ
（ｔ）との誤差分のみをサブデフレクタへの補正量とし
、かつ、目標ＩＩ Ｘ ２とステージの位！！ＩＩ！Ｘ
＋ （ｔｏ ）との誤差分をメインデフレクタの偏向
データとすることにより、ステージを連続移動しながら
、前記矩形領域が一列に連なるストライプ状の領域の露
光が行なえる。
他方、ウェーハ１５の表面の小部分を占める濃度が高い
領域（ｆＦＪ記ぬりつぶしの領域など）の露光時は、差
分１２８の出ノＪ信号はゼロとなり、かつ、目標値ｘ２
と現在のステージ位置座標×１（１）との誤差分のみが
サブデフレクタの補正量となり、ステージ１４が間欠的
に移動され、従来と同様のステップアンドリピートの描
画を行なうことができる。
領域（ｆＦＪ記ぬりつぶしの領域など）の露光時は、差
分１２８の出ノＪ信号はゼロとなり、かつ、目標値ｘ２
と現在のステージ位置座標×１（１）との誤差分のみが
サブデフレクタの補正量となり、ステージ１４が間欠的
に移動され、従来と同様のステップアンドリピートの描
画を行なうことができる。
なお、本発明は上記の実施例に限定されるものではなく
、例えば取り込みレジスタ２５の入力側の回路は第３図
に示す如く構成することもできる。
、例えば取り込みレジスタ２５の入力側の回路は第３図
に示す如く構成することもできる。
同図中、第１図と同一構成部分には同一符号を付し、そ
の説明を省略する。第３図におい１．４４及び４５は２
人力ＡＮＤ回路で、各一方の入力端子にはレジスタ２２
．２３の各記ｍ座標データが入力される。
の説明を省略する。第３図におい１．４４及び４５は２
人力ＡＮＤ回路で、各一方の入力端子にはレジスタ２２
．２３の各記ｍ座標データが入力される。
ＣＰＵ１６は濃度の高いパターン露光時は常時ハイレベ
ルの信号を発生してＡＮＤ回路４５の他方の入り端子に
印加してこれをゲート「−」状態とすると共に、インバ
ータ４６によりローレベルとされた信号をＡＮＤ回路４
４の他方の入力端子に印加してこれをゲート「閑」状態
とする。これにより、レジスタ２３の記憶座標データが
ＡＮＤ回路４５を通して取り込みレジスタ２５に印加さ
れる。
ルの信号を発生してＡＮＤ回路４５の他方の入り端子に
印加してこれをゲート「−」状態とすると共に、インバ
ータ４６によりローレベルとされた信号をＡＮＤ回路４
４の他方の入力端子に印加してこれをゲート「閑」状態
とする。これにより、レジスタ２３の記憶座標データが
ＡＮＤ回路４５を通して取り込みレジスタ２５に印加さ
れる。
ａｍの低いパターン露光時は、ＣＰＵ１６は各サブ２イ
ールド描ａｌｌ１９始時点でのみ短期１１［１−レベル
のパルスを出力し、レジスタ２２よりの各シブフィール
ド描画開始時点におけるスター２位置座標のデータをＡ
ＮＤＩ回路４４を通して取り込みレジスタ２５に取り込
ませる。
ールド描ａｌｌ１９始時点でのみ短期１１［１−レベル
のパルスを出力し、レジスタ２２よりの各シブフィール
ド描画開始時点におけるスター２位置座標のデータをＡ
ＮＤＩ回路４４を通して取り込みレジスタ２５に取り込
ませる。
（発明の効果）
上述の如（、本発明によれば、霧光時間がかがるために
ステージ３！続移動速度を低く抑えざるを得なかったパ
ターンの１ｍ度が設定値以上の所は連続移動でなくステ
ップアンドリピートで露光するようにしたので、それ以
外の設定給未満の濃度のパターンは従来に比べて高速度
のステージ達続移動速度で描画することができ、よって
非常に多様性に富んだ配置のパターンも短時間で描画す
ることができ、汎用性及び高速性に富んだパターン形成
ができる等の特長を有Ｊるものである。
ステージ３！続移動速度を低く抑えざるを得なかったパ
ターンの１ｍ度が設定値以上の所は連続移動でなくステ
ップアンドリピートで露光するようにしたので、それ以
外の設定給未満の濃度のパターンは従来に比べて高速度
のステージ達続移動速度で描画することができ、よって
非常に多様性に富んだ配置のパターンも短時間で描画す
ることができ、汎用性及び高速性に富んだパターン形成
ができる等の特長を有Ｊるものである。
第１図は本発明の一実施例のブロック図、第２図は第１
図の動作説明図、 第３図は本発明の要部の伯の実施例のブロック図、 第４図は描画パターンの一例を丞す図、第５図はパター
ン濃度の変化の一例を示す図である。 図において、 １２Ｘ、１２Ｙはメインデフレクタを構成するコイル、 １３はサブデフレクタを構成する電極、１４はスｆ−ジ
、 １５はウェーハ、 １６は中央処理装置（ＣＰＵ） １７はメインデフレクタ、 １８はサブデフメモリ、 １９はせ一タ駆動回路、 ２０はｔ−夕、 ２１はレーザーモ渉計、 ２２はステージレーザー干渉計レジスタ、２３はステー
ジ１」標値レジスタ、 ２４はＡＮＤ回路、 ２５は取り込みレジスタ、 ２７．２８は差分器、 ３８はサブアンプ を示す。 具１１．乙動１乍説弓弓ス 第２図 第３図 描画パターンの一例を示す図 第４図 パターン＃度の変化の一例を示す図 第５図 手°続補正書 平成元年 ３月２２１１ １、事件の表示 昭和６３年 特許願 第２２７９５Ｑ ２、発明の名称 電子ビーム露光方法及びその装置 ａ 補正をする名 事件との関係 特許出願人 住所 〒２１１ 神奈川県用崎市中原区上小田中１０
１５番地名称（５２２）富士通株式会社 代表者 取締役社長 山 本 卓 眞 ４、代理人 、 （１所 〒１０２ 東京都千代■区麹町５
丁目７番地６、 補正の対象 明細占の特許請求の範囲、発明の詳細な説明の欄。 ７、補正の内容 （１）明細店中、特許請求の範囲の欄記載を別紙の通り
補正する。 ■ 同、第４頁第１０行のｒ可変形成、１を削除する。 ■ 同、第４頁第１１行の「のみ、１を「に」と補正す
る。 （Ａ） 同、第８頁第２行〜第１０頁第１４行の［ま
た、本発明・・・可能となる。」を次の文の通り補正す
る ［また、本発明の電子ビーム露光装Ｕは試料面のパター
ン描画領域に電子ビームを走査してパターンを描画する
電子ビーム露光装置であって、前記試料を１置するステ
ージと、電子ビーム発生１段と、電子ビーム発生手段よ
り発生する電子ビームを偏向する偏向手段と、偏向手段
にパターンデータにもとづく偏向信号を与える偏向信号
発生手段と、該ステージを駆動するステージ駆動手段と
、制御手段とを具備してなる。 前記制御手段はパターンデータにより得られたパターン
濃度が設定値以上か否かを判定し、パターン濃度が設定
値以上の場合は、前記ステ−ジ駆動手段に制御信号を与
えてステージを間欠的に移動させ、パターン濃１σが設
定値未満の場合は、前記ステージ駆動手段に制御信号を
与えてステージを連続的に移動さゼる。 〔作用〕 本発明では、パターン濃度が設定値以上のときにはステ
ージが間欠的に移動されてステップアンドリピートでパ
ターン描画が行なわれるので、ステージ連続移動速度を
低く抑えなくても、高速のパターン描画ができる。 他方、パターン濃度が設定値未満のときには、ステージ
を連続移動させてパターン描画が行なわれるので、ステ
ージを間欠的に移動させる場合よりも高速でパターン描
画ができる３、」（５）同、第１２頁第１０行及び第１
３行名記載の「前記」を特徴する 特許請求の範囲 「（１） ビームをステージ（１４）上の試料（１５
）面のパターン描画領域に偏向走査してパターンを描画
する電子ビーム露光方法において、該試料（１５）面の
描画すべきパターンの濃度を予め検出し、該パターンの
ｍ度が設定値以上のときは前記ステージ（１４）を間欠
的に移動してステップアンドリピートでパターン描画を
行ない、該パターンの濃度が該設定値未満のときは前記
ステージ（１４）を連続的に移動してパターン描画を行
なうことを特徴とする電子ビーム露光方法。 ζ工 上１Ｌ亙− ｆ ＝ロ −＜−−一 に とづ Ｖ組北フレクタ
（１２ｘ Ｉ Ｙ に ０７２１′／、 、
１ 二
−之よ 検出された前記ステージ（１４）の現在位置の座標デー
タを記憶する第１の記憶手段（２２）と、前記パターン
データによる前記へ叉二之唱扁領域の中心がコラム中心
にくるべき座標をステージ（１４）の目標位置の座標デ
ータとして記憶する第２の記憶手段（２３）と、 前記制 ・１１６ かへの１″１に共 キ 前記パター
ンデータにより得られたパターン濃１αが設定値以上の
ときは該ステージ（１４）の目標位置の座標データを取
り込み、該パターン濃度が該設定値未満のときは該ステ
ージ（１４）の現６位置の座標データを所定の瞬間に取
り込む取り込み手段（２４，２５＞と、 該取り込み手段（２４，２５）の出力座標データと該第
１の記憶手段（２２）の出力座標データとの誤差分を得
る第１の差分器（２７）と、該取り込み手段（２４，２
５）の出力座標データと該第２の記憶手段（２３）の出
力座標データとの誤差分を得る第２の差分器（２８）と
、該第１の差分器（２７）の出力信号ξ用正ｍと−と− 該第２の差分器（２８）の出力信号を１１旦上（２９）
と、 を具備したことを特徴とするＬＬ旦り記五辺電子ビーム
露光装置。」
図の動作説明図、 第３図は本発明の要部の伯の実施例のブロック図、 第４図は描画パターンの一例を丞す図、第５図はパター
ン濃度の変化の一例を示す図である。 図において、 １２Ｘ、１２Ｙはメインデフレクタを構成するコイル、 １３はサブデフレクタを構成する電極、１４はスｆ−ジ
、 １５はウェーハ、 １６は中央処理装置（ＣＰＵ） １７はメインデフレクタ、 １８はサブデフメモリ、 １９はせ一タ駆動回路、 ２０はｔ−夕、 ２１はレーザーモ渉計、 ２２はステージレーザー干渉計レジスタ、２３はステー
ジ１」標値レジスタ、 ２４はＡＮＤ回路、 ２５は取り込みレジスタ、 ２７．２８は差分器、 ３８はサブアンプ を示す。 具１１．乙動１乍説弓弓ス 第２図 第３図 描画パターンの一例を示す図 第４図 パターン＃度の変化の一例を示す図 第５図 手°続補正書 平成元年 ３月２２１１ １、事件の表示 昭和６３年 特許願 第２２７９５Ｑ ２、発明の名称 電子ビーム露光方法及びその装置 ａ 補正をする名 事件との関係 特許出願人 住所 〒２１１ 神奈川県用崎市中原区上小田中１０
１５番地名称（５２２）富士通株式会社 代表者 取締役社長 山 本 卓 眞 ４、代理人 、 （１所 〒１０２ 東京都千代■区麹町５
丁目７番地６、 補正の対象 明細占の特許請求の範囲、発明の詳細な説明の欄。 ７、補正の内容 （１）明細店中、特許請求の範囲の欄記載を別紙の通り
補正する。 ■ 同、第４頁第１０行のｒ可変形成、１を削除する。 ■ 同、第４頁第１１行の「のみ、１を「に」と補正す
る。 （Ａ） 同、第８頁第２行〜第１０頁第１４行の［ま
た、本発明・・・可能となる。」を次の文の通り補正す
る ［また、本発明の電子ビーム露光装Ｕは試料面のパター
ン描画領域に電子ビームを走査してパターンを描画する
電子ビーム露光装置であって、前記試料を１置するステ
ージと、電子ビーム発生１段と、電子ビーム発生手段よ
り発生する電子ビームを偏向する偏向手段と、偏向手段
にパターンデータにもとづく偏向信号を与える偏向信号
発生手段と、該ステージを駆動するステージ駆動手段と
、制御手段とを具備してなる。 前記制御手段はパターンデータにより得られたパターン
濃度が設定値以上か否かを判定し、パターン濃度が設定
値以上の場合は、前記ステ−ジ駆動手段に制御信号を与
えてステージを間欠的に移動させ、パターン濃１σが設
定値未満の場合は、前記ステージ駆動手段に制御信号を
与えてステージを連続的に移動さゼる。 〔作用〕 本発明では、パターン濃度が設定値以上のときにはステ
ージが間欠的に移動されてステップアンドリピートでパ
ターン描画が行なわれるので、ステージ連続移動速度を
低く抑えなくても、高速のパターン描画ができる。 他方、パターン濃度が設定値未満のときには、ステージ
を連続移動させてパターン描画が行なわれるので、ステ
ージを間欠的に移動させる場合よりも高速でパターン描
画ができる３、」（５）同、第１２頁第１０行及び第１
３行名記載の「前記」を特徴する 特許請求の範囲 「（１） ビームをステージ（１４）上の試料（１５
）面のパターン描画領域に偏向走査してパターンを描画
する電子ビーム露光方法において、該試料（１５）面の
描画すべきパターンの濃度を予め検出し、該パターンの
ｍ度が設定値以上のときは前記ステージ（１４）を間欠
的に移動してステップアンドリピートでパターン描画を
行ない、該パターンの濃度が該設定値未満のときは前記
ステージ（１４）を連続的に移動してパターン描画を行
なうことを特徴とする電子ビーム露光方法。 ζ工 上１Ｌ亙− ｆ ＝ロ −＜−−一 に とづ Ｖ組北フレクタ
（１２ｘ Ｉ Ｙ に ０７２１′／、 、
１ 二
−之よ 検出された前記ステージ（１４）の現在位置の座標デー
タを記憶する第１の記憶手段（２２）と、前記パターン
データによる前記へ叉二之唱扁領域の中心がコラム中心
にくるべき座標をステージ（１４）の目標位置の座標デ
ータとして記憶する第２の記憶手段（２３）と、 前記制 ・１１６ かへの１″１に共 キ 前記パター
ンデータにより得られたパターン濃１αが設定値以上の
ときは該ステージ（１４）の目標位置の座標データを取
り込み、該パターン濃度が該設定値未満のときは該ステ
ージ（１４）の現６位置の座標データを所定の瞬間に取
り込む取り込み手段（２４，２５＞と、 該取り込み手段（２４，２５）の出力座標データと該第
１の記憶手段（２２）の出力座標データとの誤差分を得
る第１の差分器（２７）と、該取り込み手段（２４，２
５）の出力座標データと該第２の記憶手段（２３）の出
力座標データとの誤差分を得る第２の差分器（２８）と
、該第１の差分器（２７）の出力信号ξ用正ｍと−と− 該第２の差分器（２８）の出力信号を１１旦上（２９）
と、 を具備したことを特徴とするＬＬ旦り記五辺電子ビーム
露光装置。」
Claims (2)
- （１）メインデフレクタ（１２＿Ｘ、１２＿Ｙ）とサブ
デフレクタ（１３）とを有し、可変形成ビームをステー
ジ（１４）上の試料（１５）面のパターン描画領域のみ
偏向走査してパターンを描画する電子ビーム露光方法に
おいて、 該試料（１５）面の描画すべきパターンの濃度を予め検
出し、該パターンの濃度が設定値以上のときは前記ステ
ージ（１４）を間欠的に移動してステップアンドリピー
トでパターン描画を行ない、該パターンの濃度が該設定
値未満のときは前記ステージ（１４）を連続的に移動し
てパターン描画を行なうことを特徴とする電子ビーム露
光方法。 - （２）メインデフレクタ（１２＿Ｘ、１２＿Ｙ）とサブ
デフレクタ（１３）とを有し、メインフィールド内の矩
形領域で定義されたパターンデータに基づいてステージ
（１４）上の試料（１５）面のパターン描画領域のみ偏
向走査してパターンを描画する電子ビーム露光装置であ
つて、 検出された前記ステージ（１４）の現在位置の座標デー
タを記憶する第１の記憶手段（２２）と、前記パターン
データによる前記矩形領域の中心がコラム中心にくるべ
き座標をステージ（１４）の目標位置の座標データとし
て記憶する第２の記憶手段（２３）と、 前記パターンデータにより得られたパターン濃度が設定
値以上のときは該ステージ（１４）の目標位置の座標デ
ータを取り込み、該パターン濃度が該設定値未満のとき
は該ステージ（１４）の現在位置の座標データを所定の
瞬間に取り込む取り込み手段（２４、２５）と、 該取り込み手段（２４、２５）の出力座標データと該第
１の記憶手段（２２）の出力座標データとの誤差分を得
る第１の差分器（２７）と、該取り込み手段（２４、２
５）の出力座標データと該第２の記憶手段（２３）の出
力座標データとの誤差分を得る第２の差分器（２８）と
、該第１の差分器（２７）の出力信号を前記サブデフレ
クタ（１３）による偏向ビーム補正量として該サブデフ
レクタ（１３）の入力偏向信号に常時加算する第１の加
算手段（３７、３８）と、該第２の差分器（２８）の出
力信号をメインデフメモリ（１７）の出力データと加算
してメインデフレクタ偏向データとする第２の加算手段
（２９）と、 前記取り込み手段（２４、２５）が前記ステージの目標
位置の座標データを取り込むときは前記ステージ（１４
）を間欠的に移動させ、前記ステージの現在位置の座標
データを取り込むときは前記ステージ（１４）を連続的
に移動させるステージ駆動手段（１９、２０）とを具備
したことを特徴とする電子ビーム露光装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63022795A JP2614884B2 (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | 電子ビーム露光方法及びその装置 |
| US07/304,242 US4950910A (en) | 1988-02-04 | 1989-01-31 | Electron beam exposure method and apparatus |
| DE68915007T DE68915007T2 (de) | 1988-02-04 | 1989-02-02 | Verfahren und Gerät zur Elektronenstrahlbelichtung. |
| EP89101825A EP0327093B1 (en) | 1988-02-04 | 1989-02-02 | Electron beam exposure method and apparatus |
| KR1019890001300A KR930003134B1 (ko) | 1988-02-04 | 1989-02-03 | 전자비임 노광(露光)방법과 그의 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63022795A JP2614884B2 (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | 電子ビーム露光方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01199428A true JPH01199428A (ja) | 1989-08-10 |
| JP2614884B2 JP2614884B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=12092616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63022795A Expired - Fee Related JP2614884B2 (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | 電子ビーム露光方法及びその装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4950910A (ja) |
| EP (1) | EP0327093B1 (ja) |
| JP (1) | JP2614884B2 (ja) |
| KR (1) | KR930003134B1 (ja) |
| DE (1) | DE68915007T2 (ja) |
Families Citing this family (17)
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|---|---|---|---|---|
| JP2675411B2 (ja) * | 1989-02-16 | 1997-11-12 | 三洋電機株式会社 | 半導体集積回路の製造方法 |
| DK294189D0 (da) * | 1989-06-15 | 1989-06-15 | Andersen Allan V | Fremgangsmaade og scanningapparat til praeparering af store arbejdsflader, navnlig trykmoenstre paa serigrafi rammer |
| JPH03166713A (ja) * | 1989-11-27 | 1991-07-18 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビーム露光方法 |
| JPH0821537B2 (ja) * | 1989-12-13 | 1996-03-04 | 安藤電気株式会社 | 図形データの分割変換に対する誤差処理回路 |
| DE69030243T2 (de) * | 1989-12-21 | 1997-07-24 | Fujitsu Ltd | Verfahren und Gerät zur Steuerung von Ladungsträgerstrahlen in einem Belichtungssystem mittels Ladungsträgerstrahlen |
| JP2512184B2 (ja) * | 1990-01-31 | 1996-07-03 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線描画装置及び描画方法 |
| US5253182A (en) * | 1990-02-20 | 1993-10-12 | Hitachi, Ltd. | Method of and apparatus for converting design pattern data to exposure data |
| EP0447241B1 (en) * | 1990-03-14 | 1996-06-12 | Fujitsu Limited | Electron beam exposure system having an improved data transfer efficiency |
| JP3043031B2 (ja) * | 1990-06-01 | 2000-05-22 | 富士通株式会社 | 露光データ作成方法，パターン露光装置及びパターン露光方法 |
| US5194741A (en) * | 1991-03-20 | 1993-03-16 | Fujitsu Limited | Method for writing a pattern on an object by a focused electron beam with an improved efficiency |
| JP2501726B2 (ja) * | 1991-10-08 | 1996-05-29 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | コンピュ―タ・イメ―ジ生成装置及びデ―タ減縮方法 |
| US5481472A (en) * | 1993-05-18 | 1996-01-02 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for automatically recognizing repeated shapes for data compaction |
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| US6984526B2 (en) | 1995-02-08 | 2006-01-10 | University Of South Florida | Spectrophotometric method for determining the viability of a sample containing platelets |
| JPH11149893A (ja) * | 1997-11-18 | 1999-06-02 | Sony Corp | 電子ビーム描画装置および描画方法並びに半導体装置 |
| US5990540A (en) * | 1997-12-15 | 1999-11-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP6869695B2 (ja) * | 2016-10-28 | 2021-05-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
Family Cites Families (13)
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|---|---|---|---|---|
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| JPS5511303A (en) * | 1978-07-10 | 1980-01-26 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Electron-beam exposure device |
| JPS5693318A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-28 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure device |
| JPS5753938A (en) * | 1980-09-17 | 1982-03-31 | Toshiba Corp | Electron beam exposure apparatus |
| US4365163A (en) * | 1980-12-19 | 1982-12-21 | International Business Machines Corporation | Pattern inspection tool - method and apparatus |
| JPS5961134A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム露光装置 |
| US4477729A (en) * | 1982-10-01 | 1984-10-16 | International Business Machines Corporation | Continuously writing electron beam stitched pattern exposure system |
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| JPH0691005B2 (ja) * | 1985-12-24 | 1994-11-14 | 株式会社東芝 | 荷電ビ−ム描画方法 |
| JPH0789534B2 (ja) * | 1986-07-04 | 1995-09-27 | キヤノン株式会社 | 露光方法 |
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-
1988
- 1988-02-04 JP JP63022795A patent/JP2614884B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
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