JPH01241122A - 電子ビーム露光装置及び露光方法 - Google Patents
電子ビーム露光装置及び露光方法Info
- Publication number
- JPH01241122A JPH01241122A JP63068763A JP6876388A JPH01241122A JP H01241122 A JPH01241122 A JP H01241122A JP 63068763 A JP63068763 A JP 63068763A JP 6876388 A JP6876388 A JP 6876388A JP H01241122 A JPH01241122 A JP H01241122A
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- JP
- Japan
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- acceleration
- stage
- speed
- exposure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
電子ビーム露光装置に関し、
ショットずれを抑制し、露光精度を上げて不留りを向上
させることができる電子ビーム露光装置を提供すること
を目的とし、 パターン密度の異なる領域に応じてステージ移動速度を
変化させて露光をするステージ連続移動型の電子ビーム
露光装置において、パターン密度の異なる領域を遂行す
るに適切なステージ移動速度を決定し、該ステージ移動
速度から加速度を計算し、該加速度を許容加速度と比較
して一定値以下になるように制限している。
させることができる電子ビーム露光装置を提供すること
を目的とし、 パターン密度の異なる領域に応じてステージ移動速度を
変化させて露光をするステージ連続移動型の電子ビーム
露光装置において、パターン密度の異なる領域を遂行す
るに適切なステージ移動速度を決定し、該ステージ移動
速度から加速度を計算し、該加速度を許容加速度と比較
して一定値以下になるように制限している。
本発明は、電子ビーム露光装置に係り、詳しくは、特に
一定の露光精度を確保することができる電子ビーム露光
装置に関する。
一定の露光精度を確保することができる電子ビーム露光
装置に関する。
近年、例えば（ウェハ直接描画用露光機としても使う）
ステージを連続して移動させながら露光を行う方式のス
テ７ジ連続移動型電子ビーム露光装置が注目されている
。これは、光（紫外線）を利用したフォト・エツチング
技術が限界にきたため、波長の短い電子ビームを利用し
ようとするもので、波長が短いため微細加工に適してい
る。
ステージを連続して移動させながら露光を行う方式のス
テ７ジ連続移動型電子ビーム露光装置が注目されている
。これは、光（紫外線）を利用したフォト・エツチング
技術が限界にきたため、波長の短い電子ビームを利用し
ようとするもので、波長が短いため微細加工に適してい
る。
しかしながら、ステージ連続移動型電子ビーム露光装置
においては、ビームを偏向せずに真下に照射した場合、
ビームが照射されている座標とステージ座標（本来ショ
ットすべき座標）とを一致させることで、実用上問題を
残している。特に、パターン密度の異なる領域へ移動し
て露光する際、生じ易い。具体的には、パターン密度の
異なる領域ごとに露光していく場合、例えば、パターン
密度の小さい領域からパターン密度の大きい領域へ露光
してい（場合には次のような二つの露光方法が考えられ
ていた、まず、一つの方法としては、パターン密度の大
きい領域の速度に合わせて等速で移動して露光する場合
である。パターン密度の大きい領域の速度に合わせるの
は、通常パターン密度の大きい領域はパターン密度の小
さい領域より小さい速度で設定するのが好ましく、パタ
ーン密度の小さい領域の速度で露光すると、ショットず
れ（本来ショットすべき座標にショットしないこと）が
生じ易くなるためである。この場合、ショットずれが起
こりに（く露光精度が良くなる反面、スルーブツトが悪
くなるという欠点がある。
においては、ビームを偏向せずに真下に照射した場合、
ビームが照射されている座標とステージ座標（本来ショ
ットすべき座標）とを一致させることで、実用上問題を
残している。特に、パターン密度の異なる領域へ移動し
て露光する際、生じ易い。具体的には、パターン密度の
異なる領域ごとに露光していく場合、例えば、パターン
密度の小さい領域からパターン密度の大きい領域へ露光
してい（場合には次のような二つの露光方法が考えられ
ていた、まず、一つの方法としては、パターン密度の大
きい領域の速度に合わせて等速で移動して露光する場合
である。パターン密度の大きい領域の速度に合わせるの
は、通常パターン密度の大きい領域はパターン密度の小
さい領域より小さい速度で設定するのが好ましく、パタ
ーン密度の小さい領域の速度で露光すると、ショットず
れ（本来ショットすべき座標にショットしないこと）が
生じ易くなるためである。この場合、ショットずれが起
こりに（く露光精度が良くなる反面、スルーブツトが悪
くなるという欠点がある。
また、別の露光方法としては、パターン密度の異なる領
域の適性な速度ごとに設定して露光する場合である。こ
の場合、スルーブツトの点では有利である反面、加速し
たり減速したりして次の領域の速度に設定するのにある
所定の時間がどうし°ζも必要であり、この時間内に露
光が進行していくため、ショットずれが生じ易（、露光
精度が悪く、不留りも悪いという欠点がある。
域の適性な速度ごとに設定して露光する場合である。こ
の場合、スルーブツトの点では有利である反面、加速し
たり減速したりして次の領域の速度に設定するのにある
所定の時間がどうし°ζも必要であり、この時間内に露
光が進行していくため、ショットずれが生じ易（、露光
精度が悪く、不留りも悪いという欠点がある。
したがって、ショットずれを抑制し露光精度を上げて不
留りを向上させることができる電子ビーム露光装置が望
まれている。
留りを向上させることができる電子ビーム露光装置が望
まれている。
パターン密度の異なる領域へ露光していく方法として、
例えばパターン密度の小さい領域からパターン密度の大
きい領域へ露光していく場合には、以下に述べる二つの
露光方法が考えられていた。
例えばパターン密度の小さい領域からパターン密度の大
きい領域へ露光していく場合には、以下に述べる二つの
露光方法が考えられていた。
まず、一つの方法としては、パターン密度の大きい領域
の速度に合わせて等速で移動して露光する場合である。
の速度に合わせて等速で移動して露光する場合である。
パターン密度の大きい領域はパターン密度の小さい領域
より速度は小さ（、パターン密度の大きい領域がパター
ン密度の小さい領域より小さい速度に合わせるのは、パ
ターン密度の大きい速度に設定するのがショットずれが
起こりにり＜、露光精度が良く好ましいからである。
より速度は小さ（、パターン密度の大きい領域がパター
ン密度の小さい領域より小さい速度に合わせるのは、パ
ターン密度の大きい速度に設定するのがショットずれが
起こりにり＜、露光精度が良く好ましいからである。
また、別の方法としては、パターン密度の異なる領域の
適正な速度ごとに設定（パターン密度の小さい領域の速
度が例えば４０鶴／Ｓ、パターン密度の大きい領域の速
度が例えば１０ｍ／ｓという具合に適宜設定する）して
露光する場合である。
適正な速度ごとに設定（パターン密度の小さい領域の速
度が例えば４０鶴／Ｓ、パターン密度の大きい領域の速
度が例えば１０ｍ／ｓという具合に適宜設定する）して
露光する場合である。
しかしながら、このような等速で移動して、露光する従
来の電子ビーム露光装置にあっては、常にパターン密度
の大きい領域の速度（パターン内の一番小さい速度）で
露光していくため、ショットずれが起こりにく（露光精
度が良くなるという反面、スルーブツトが悪くなるとい
う問題点があった。
来の電子ビーム露光装置にあっては、常にパターン密度
の大きい領域の速度（パターン内の一番小さい速度）で
露光していくため、ショットずれが起こりにく（露光精
度が良くなるという反面、スルーブツトが悪くなるとい
う問題点があった。
また、パターン密度の異なる領域の適正な速度ごとに設
定して露光する電子ビーム露光装置にあっては、スルー
ブツトの点では有利（時間的な効率がよい）である反面
、加速したり減速したりして次の領域の速度に設定する
のに、ある所定の時間がどうしても必要であり、この経
過時間内に露光が進行していくためショア）ずれが生じ
易く、露光精度が悪く、不留りが悪いという問題点があ
った・ そこで本発明は、スループットがよく、シａ ットずれ
を抑制し、露光精度を上げて不留りを向上させることが
できる電子ビーム露光装置を提供することを目的として
いる。
定して露光する電子ビーム露光装置にあっては、スルー
ブツトの点では有利（時間的な効率がよい）である反面
、加速したり減速したりして次の領域の速度に設定する
のに、ある所定の時間がどうしても必要であり、この経
過時間内に露光が進行していくためショア）ずれが生じ
易く、露光精度が悪く、不留りが悪いという問題点があ
った・ そこで本発明は、スループットがよく、シａ ットずれ
を抑制し、露光精度を上げて不留りを向上させることが
できる電子ビーム露光装置を提供することを目的として
いる。
本発明による電子ビーム露光装置は上記目的達成のため
、パターン密度の異なる領域に応じてステージ移動速度
を変化させて露光をするステージ連続移動型の電子ビー
ム露光装置において、パタ−ン密度の異なる領域を遂行
するに適切なステージ移動速度を決定し、該ステージ移
動速度から加速度を計算し、該加速度を許容加速度と比
較して一定値以下になるように制限している。
、パターン密度の異なる領域に応じてステージ移動速度
を変化させて露光をするステージ連続移動型の電子ビー
ム露光装置において、パタ−ン密度の異なる領域を遂行
するに適切なステージ移動速度を決定し、該ステージ移
動速度から加速度を計算し、該加速度を許容加速度と比
較して一定値以下になるように制限している。
本発明においては、パターン密度の異なる領域を遂行す
るに適切なステージ移動速度が決定され、このステージ
移動速度から加速度が計算され、この加速度が許容加速
度と比較されて一定値以下になるように制限される。
るに適切なステージ移動速度が決定され、このステージ
移動速度から加速度が計算され、この加速度が許容加速
度と比較されて一定値以下になるように制限される。
したがって、ショットずれが抑制されて一定の露光精度
が確保される。
が確保される。
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明に係る電子ビーム露光装置の一実施例の
構成を示す装置概略図、第２図は一実施例の構成を示す
フローチャート、第３図は一実施例のＣＰＵの制御内容
を示すフローチャート、第４図は一実施例のパターンの
状態を説明する図である。
構成を示す装置概略図、第２図は一実施例の構成を示す
フローチャート、第３図は一実施例のＣＰＵの制御内容
を示すフローチャート、第４図は一実施例のパターンの
状態を説明する図である。
これらの図において、ｌはＣＰＵ、２はバッファメモリ
、３はシーケンスコントローラ、４はパターンジェネレ
ータ、５はステージ制御部、６はステージ、７はＤＡコ
ンバータ、８はアンプ、９はコラム、１０はパターンデ
ータ、１１は電子銃、１２はアライメントコイル、１３
はビーム形成スリット、１４はビーム形成デフレクタ、
１５は集束レンズ、１６はメインデフレクタ、１７はサ
ブデフレクタ、１８はレーザ、１９はミラー、２０は被
露光物、２１はモータ、２２は制御部で、バッファメモ
リ２、シーケンスコントローラ３およびパターンジェネ
レータ４で構成されている。２３はウェハ、Ａ、Ｂはパ
ターン密度の異なる領域で、領域Ａ、Ｈの適正な速度は
それぞれ例えば１０ｓｎ／ ｓ 、４０ｍ／ ｓであり
、領域Ａは領域Ｂよりもパターン密度が大きくなってい
る。
、３はシーケンスコントローラ、４はパターンジェネレ
ータ、５はステージ制御部、６はステージ、７はＤＡコ
ンバータ、８はアンプ、９はコラム、１０はパターンデ
ータ、１１は電子銃、１２はアライメントコイル、１３
はビーム形成スリット、１４はビーム形成デフレクタ、
１５は集束レンズ、１６はメインデフレクタ、１７はサ
ブデフレクタ、１８はレーザ、１９はミラー、２０は被
露光物、２１はモータ、２２は制御部で、バッファメモ
リ２、シーケンスコントローラ３およびパターンジェネ
レータ４で構成されている。２３はウェハ、Ａ、Ｂはパ
ターン密度の異なる領域で、領域Ａ、Ｈの適正な速度は
それぞれ例えば１０ｓｎ／ ｓ 、４０ｍ／ ｓであり
、領域Ａは領域Ｂよりもパターン密度が大きくなってい
る。
２４はサブフィールド、領域Ａ、Ｂはサブフィールド２
４で構成されている。
４で構成されている。
次に、その動作原理について説明する。
まず、パターンデータｌＯに基づいて、ＣＰＵ １が露
光データをバッファメモリ２に送るとともに、ステージ
データをステージ制御部５に送る。具体的には第３図に
示すように、次の領域の最適移動速度を決定し、この速
度から加速度を計算し、この加速度が許容加速度と比較
して小さい場合（例えば、加速度が ０．０１５ Ｇで
許容加速度が０．１Ｇの時）は、最初に計算した最適移
動速度がそのまま次の領域の速度となり、許容加速度よ
り大きい場合（例えば、加速度が０．４Ｇで許容加速度
が０゜１Ｇの時）は許容加速度を超えないように速度が
計算され、これが次の領域の速度となる。このデータは
ステージデータとしてステージ制御部５に送られる。ま
た、現在の速度からステージ移動骨の補正が決まり、こ
れが露光データ（偏向データ）としてシーケンスコント
ローラ３に送られる。
光データをバッファメモリ２に送るとともに、ステージ
データをステージ制御部５に送る。具体的には第３図に
示すように、次の領域の最適移動速度を決定し、この速
度から加速度を計算し、この加速度が許容加速度と比較
して小さい場合（例えば、加速度が ０．０１５ Ｇで
許容加速度が０．１Ｇの時）は、最初に計算した最適移
動速度がそのまま次の領域の速度となり、許容加速度よ
り大きい場合（例えば、加速度が０．４Ｇで許容加速度
が０゜１Ｇの時）は許容加速度を超えないように速度が
計算され、これが次の領域の速度となる。このデータは
ステージデータとしてステージ制御部５に送られる。ま
た、現在の速度からステージ移動骨の補正が決まり、こ
れが露光データ（偏向データ）としてシーケンスコント
ローラ３に送られる。
ここで、許容加速度を０．１ Ｇ （現在理想とされる
許容加速度）とし、サブフィールド２４露光に１００μ
ｓかかるとして、ｎ番目のサブフィールド露光開始時に
ステージ６が加速を始めるとｎ＋１番目のサブフィール
ド露光開始直前に生じる誤差を求めると次のような値に
なる。
許容加速度）とし、サブフィールド２４露光に１００μ
ｓかかるとして、ｎ番目のサブフィールド露光開始時に
ステージ６が加速を始めるとｎ＋１番目のサブフィール
ド露光開始直前に生じる誤差を求めると次のような値に
なる。
Ｌ ＝ −＊ ０．１ｘ ９．８ｘ （１００ｘｌＯ−
’） ”＝ ４．９Ｘ１０−’ ζ０．００５（μｍ） これから、露光精度をｏ、ｏｏｓｐｍ以内とするには露
光中のステージ加速度は０．１ Ｇ以下に抑えればよい
。
’） ”＝ ４．９Ｘ１０−’ ζ０．００５（μｍ） これから、露光精度をｏ、ｏｏｓｐｍ以内とするには露
光中のステージ加速度は０．１ Ｇ以下に抑えればよい
。
次に、ステージ制御部５は送られたステージデータに基
づいてステージ６を制御する。一方、バッファメモリ２
に記憶された露光データはシーケンスコントローラ３を
介してパターンジェネレータ４に送られる。この時、シ
ーケンスコントローラ３は、ステージ６の遅れをレーザ
測長器で観測されたデータに基づいて補正を行っている
。次いで、ディジタル信号で送ってきた露光データをＤ
Ａコンバータ７によってアンプ８に送るため電流値（電
圧値）に変換して、最終的に露光データがコラム９へ送
られる。
づいてステージ６を制御する。一方、バッファメモリ２
に記憶された露光データはシーケンスコントローラ３を
介してパターンジェネレータ４に送られる。この時、シ
ーケンスコントローラ３は、ステージ６の遅れをレーザ
測長器で観測されたデータに基づいて補正を行っている
。次いで、ディジタル信号で送ってきた露光データをＤ
Ａコンバータ７によってアンプ８に送るため電流値（電
圧値）に変換して、最終的に露光データがコラム９へ送
られる。
すなわち、上記実施例ではＣＰＵＩで計算した加速度を
許容加速度と比較して一定値以下になるように制限した
ので、ショットずれを抑制することができ、一定の露光
精度を確保することができ、不留りが向上する。
許容加速度と比較して一定値以下になるように制限した
ので、ショットずれを抑制することができ、一定の露光
精度を確保することができ、不留りが向上する。
本発明によれば、ショア）ずれを抑制し、一定の露光１
ｉ度を確保することができ、不留りを向上させることが
できるという効果がある。
ｉ度を確保することができ、不留りを向上させることが
できるという効果がある。
第１図は本発明に係る一実施例の構成を示す装置概略図
、 第２図は一実施例の構成を示すフローチャート、第３図
は一実施例のＣＰＵの制御内容を示すフローチャート、 第４図は一実施例のパターンの状態を説明する図である
。 １・・・・・・ＣＰＵ。 ２・・・・・・バッツァメモリ、 ３・・・・・・シーケンスコントローラ、４・・・・・
・パターンジェネレータ、５・・・・・・ステージ制御
部、 ６・・・・・・ステージ、 ７・・・・・・ＤＡコンバータ、 ８・・・・・・アンプ、 ９・・・・・・コラム、 １０・・・・・・パターンデータ。
、 第２図は一実施例の構成を示すフローチャート、第３図
は一実施例のＣＰＵの制御内容を示すフローチャート、 第４図は一実施例のパターンの状態を説明する図である
。 １・・・・・・ＣＰＵ。 ２・・・・・・バッツァメモリ、 ３・・・・・・シーケンスコントローラ、４・・・・・
・パターンジェネレータ、５・・・・・・ステージ制御
部、 ６・・・・・・ステージ、 ７・・・・・・ＤＡコンバータ、 ８・・・・・・アンプ、 ９・・・・・・コラム、 １０・・・・・・パターンデータ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 パターン密度の異なる領域に応じてステージ移動速度
を変化させて露光をするステージ連続移動型の電子ビー
ム露光装置において、 パターン密度の異なる領域を遂行するに適切なステージ
移動速度を決定し、該ステージ移動速度から加速度を計
算し、該加速度を許容加速度と比較して一定値以下にな
るように制限したことを特徴とする電子ビーム露光装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63068763A JP2559454B2 (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 電子ビーム露光装置及び露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63068763A JP2559454B2 (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 電子ビーム露光装置及び露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01241122A true JPH01241122A (ja) | 1989-09-26 |
| JP2559454B2 JP2559454B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=13383102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63068763A Expired - Fee Related JP2559454B2 (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 電子ビーム露光装置及び露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2559454B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5821550A (en) * | 1996-03-29 | 1998-10-13 | Advantest Corporation | Electron beam exposure system |
| JP2008124477A (ja) * | 2007-11-15 | 2008-05-29 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光方法及びその露光装置 |
-
1988
- 1988-03-23 JP JP63068763A patent/JP2559454B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5821550A (en) * | 1996-03-29 | 1998-10-13 | Advantest Corporation | Electron beam exposure system |
| DE19709761C2 (de) * | 1996-03-29 | 2002-11-21 | Advantest Corp | Elektronenstrahl-Belichtungssystem |
| JP2008124477A (ja) * | 2007-11-15 | 2008-05-29 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光方法及びその露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2559454B2 (ja) | 1996-12-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |