JPH01199435A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPH01199435A
JPH01199435A JP21393087A JP21393087A JPH01199435A JP H01199435 A JPH01199435 A JP H01199435A JP 21393087 A JP21393087 A JP 21393087A JP 21393087 A JP21393087 A JP 21393087A JP H01199435 A JPH01199435 A JP H01199435A
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JP
Japan
Prior art keywords
substrate
caf2
film
manufacturing
semiconductor device
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Application number
JP21393087A
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English (en)
Inventor
Juri Kato
樹理 加藤
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造方法に関する。特に高速Ｌ
ＳＩの基板または層間絶縁膜、ゲート膜の作成において
有効である。
〔発明の概要〕
本発明は、半導体基板またはガラス、石英基板上には、
ＣａＦ＊　、ＳｒＦ＊　、またはＢ　ａ　Ｆ　＊、ある
いはそれらの混合物のゾル溶液を塗布後、溶媒を、揮発
させることにより該Ｃａ　Ｆ　＊　、Ｓ　ｒ　Ｆ３、ま
たはＢａＦ＊ＷＸを該基板上に成長させることを特徴と
する半導体ＨＦａの製造方法である。
〔従来の技術〕
従来、Ｃａ　Ｆ　＊　、Ｓ　ｒ　Ｆ　＊　、またはＢａ
Ｆ＊の薄膜を半４体基板に蓄積する時、ＭＩ３Ｅまたは
クラスターイオンビーム法により行なわれていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、ｒａＭ積スビスピードり、処理能力（ス
ループット）不足でかつＨＳＩＥが高価であるという欠
点を持っていた。本発明はかかる従来の欠点を補い、安
価でかつ高い処理能力で、良質なＣａＦｍ　、ＳｒＦ＊
　、またはＢ　ａ　Ｆ　＊膜を基板上に形成する半導体
装置の製造方法を与えることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明では［１溶媒中にＣａ　Ｆ　＊　、Ｓ　ｒ　Ｆ　
ｔ、Ｉ３　ａＦ＊あるいはその混合物を溶解したゾル溶
液を、直接シリコンや５ｉｎｓの基板に塗布することに
より、ｔｉｃａＦｔ　％　ＳｒＦ＊　、ＢａＦ＊　ｆＫ
を形成するため、装置はスピンナーだけで良＜非常に安
価で、かつ、高い処理能力を持つ。
〔実施例〕
以下実施例を用いて説明する。
ｔｎ１図〜第４図は、本発明による単結晶シリコン基板
上への単結晶ＣａＦｚ　５ｒＦｚ　ＢａＦ、Ｈの成長の
製造工程断面図である。第１図では単結晶シリコン基板
１をスピンナーで回転しながらノズル３を通してＣａＦ
ｍのゾル溶液２を塗布している。次に第２図においては
焼成法により溶媒が揮発し、該基板１には多結晶Ｃａ　
Ｆ　；　Ｂ　４が形成される。第３図においては、レー
ザーまたはハロゲン等のランプ５を左から右にスキャン
することにより該ランプ下のＣａ　Ｆ　＊領域６及び該
基板表面を溶融、液成長によりＣａＦｍを単結晶化フし
ている。第４図は単結晶シリコン基板上に単結晶Ｃａ　
Ｆ　＊　７が形成された断面図を示す。ＣａＦ、とＳｊ
とは格子定数がほとんど等しいため良質な単結晶Ｃａ　
Ｆ　＊膜７が形成される。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明の半導体装置の製造方法によ
れば、安価な装置でかつ高いスループットで、良質なＣ
ａＦｍ　、ＳｒＦ＊またはＩＳ　ａ　Ｆ　ｍ膜を半ＪΩ
体またはガラス基板上に形成することが可能になる。も
ちろんＬＳＩのゲート膜、層間絶縁膜の形成も可能であ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図〜第４図は本発明の実施例によるＣａＦ、　ｌｉ
ｔ結品痕のシリコン基板への成長方法の製造工程断面図
。 １・・・シリコン基板 ２・・・Ｃａ　Ｆ　＊のゾル溶液 ３・・・ノズル ４・・・Ｃａ　Ｆ　＊多結晶膜 ５・・・ランプ ６　・・・　；夜　体　ＣａＦｍ ７・・・単結晶Ｃａ　Ｆ　＊ 以　　上 出［１人　　セイコーエブソ／株式会社ｖ　１１］ 箪　３１ｉ ’ｄ　４い

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）単結晶シリコン基板上またはＳｉＯ＿２からなる
    基板上には、ＣａＦ＿２、ＳｒＦ＿２、またはＢａＦ＿
    ２のゾル溶液を塗布後、溶媒を揮発させ熱処理すること
    により該ＣａＦ＿２、ＳｒＦ＿２、またはＢａＦ＿２膜
    を該基板上に成長させることを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
  2. （２）溶媒がアルコールからなることを特徴とする特許
    請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。
  3. （３）ゾル溶液の塗布をスピンナーを用いて行なうこと
    を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の
    製造方法。
  4. （４）溶媒を揮発させた後、該ＣａＦ＿２、ＳｒＦ＿２
    、またはＢａＦ＿２膜と、下地の該単結晶シリコン基板
    表面またはＳｉＯ＿２基板表面とを、エレクトロンビー
    ム、イオンビーム、ランプ、グラファイトヒータを用い
    て溶融、冷却することにより単結晶化することを特徴と
    する特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法
    。
  5. （５）ゾル溶液にはシリコン酸素系骨格をもつ高分子を
    も溶解させたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
    載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011241818A (ja) * 2010-04-19 2011-12-01 Nippon Soken Inc 内燃機関用燃料噴射弁

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2011241818A (ja) * 2010-04-19 2011-12-01 Nippon Soken Inc 内燃機関用燃料噴射弁

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