JPH01200233A - 光スイッチ - Google Patents
光スイッチInfo
- Publication number
- JPH01200233A JPH01200233A JP2286088A JP2286088A JPH01200233A JP H01200233 A JPH01200233 A JP H01200233A JP 2286088 A JP2286088 A JP 2286088A JP 2286088 A JP2286088 A JP 2286088A JP H01200233 A JPH01200233 A JP H01200233A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- layer
- optical
- type
- optical switch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
光通信システム或いは光情報処理システムなどに用いて
好適な方向性結合型光スィッチに関し、集積性が良好で
あると共に複数の出力ポートからそれぞれ確実且つ容易
に光信号を取り出すことができるようにすることを目的
とし、 半導体基板に形成された溝に依って方向が定められる第
一の導波路と、該第一の導波路上方に光結合可能な範囲
に積層され且つ表面側に在って該第一の導波路と斜めに
交わって延在するよう形成されたメサ部分に依って方向
が定められる第二の導波路とを備えてなるよう構成する
。
好適な方向性結合型光スィッチに関し、集積性が良好で
あると共に複数の出力ポートからそれぞれ確実且つ容易
に光信号を取り出すことができるようにすることを目的
とし、 半導体基板に形成された溝に依って方向が定められる第
一の導波路と、該第一の導波路上方に光結合可能な範囲
に積層され且つ表面側に在って該第一の導波路と斜めに
交わって延在するよう形成されたメサ部分に依って方向
が定められる第二の導波路とを備えてなるよう構成する
。
本発明は、光通信システム或いは光情報処理システムな
どに用いて好適な方向性結合型光スィッチに関する。
どに用いて好適な方向性結合型光スィッチに関する。
一般に、光通信システム或いは光情報処理システムなど
の高性能化の為には、光信号を電気信号に置換すること
なく、時間的及び空間的に処理できるようにしなければ
ならない。
の高性能化の為には、光信号を電気信号に置換すること
なく、時間的及び空間的に処理できるようにしなければ
ならない。
これには、当然のことながら、光スィッチが必要となり
、現在、Ｌ ｉ Ｎ ｂ Ｏ３材料や半導体材料を主体
に研究・開発が進められている。
、現在、Ｌ ｉ Ｎ ｂ Ｏ３材料や半導体材料を主体
に研究・開発が進められている。
第３図は方向性結合型光スィッチと呼ばれている従来例
の要部切断斜面図を表している。
の要部切断斜面図を表している。
図に於いて、２１はｎ＋型１ｎＰ基板、２１Ａ並びに２
１Ｂは基板２１に形成された溝、２２はｎ−型！ ｎ
Ｑ ａ Ａ、 ３ ｐ層、２３はｎ−型１ｎＰ層、２４
はｐ＋型１ｎＰ層、２５Ａ並びに２５Ｂは相互に独立し
たｎ側電極、２６はｎ側電極、ＰＩＮは人力ボート、Ｐ
ｏｕｔ＋並びにＰ。ｏ７□は出力ポートをそれぞれ示し
ている。
１Ｂは基板２１に形成された溝、２２はｎ−型！ ｎ
Ｑ ａ Ａ、 ３ ｐ層、２３はｎ−型１ｎＰ層、２４
はｐ＋型１ｎＰ層、２５Ａ並びに２５Ｂは相互に独立し
たｎ側電極、２６はｎ側電極、ＰＩＮは人力ボート、Ｐ
ｏｕｔ＋並びにＰ。ｏ７□は出力ポートをそれぞれ示し
ている。
この光スィッチでは、入カポ−）Ｐｕｓから入力された
光信号は、Ｐ側電極２５Ａ並びに２５Ｂに印加する電圧
の如何で導波路の屈折率を実効的に変化させ、出力ポー
トＰ。ＵＴ＋或いはＰ。ＵＴ□の何れかにスイッチング
して光信号を出力することが可能である。
光信号は、Ｐ側電極２５Ａ並びに２５Ｂに印加する電圧
の如何で導波路の屈折率を実効的に変化させ、出力ポー
トＰ。ＵＴ＋或いはＰ。ＵＴ□の何れかにスイッチング
して光信号を出力することが可能である。
第３図について説明した従来の光スィッチに於いては、
二つの導波路の結合力が、それ等の間隔に依存し、狭く
なるほど強くなる。
二つの導波路の結合力が、それ等の間隔に依存し、狭く
なるほど強くなる。
然しなから、第３図に見られる構成では二つの導波路を
充分に接近させることが困難であり、結合力が弱い為、
二つの導波路間で光を充分に結合させるには、それら導
波路を長くすることが必要になるが、これでは、集積性
が低下し、光集積回路（ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ
ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ：０ＥＩ
Ｃ）を構成するには不都合である。
充分に接近させることが困難であり、結合力が弱い為、
二つの導波路間で光を充分に結合させるには、それら導
波路を長くすることが必要になるが、これでは、集積性
が低下し、光集積回路（ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ
ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ：０ＥＩ
Ｃ）を構成するには不都合である。
このような問題を解消する為、二つの導波路を水平方向
に並設するのに代えて、垂直方向に並設、即ち、二つの
導波路を近接して積層することが試みられている。
に並設するのに代えて、垂直方向に並設、即ち、二つの
導波路を近接して積層することが試みられている。
然しなから、そのようにしたのでは、二つの出力ポート
にそれぞれ光ファイバなどを結合して光信号を確実に取
り出すことが困難である旨の問題がある。
にそれぞれ光ファイバなどを結合して光信号を確実に取
り出すことが困難である旨の問題がある。
本発明は、集積性が良好であると共に複数の出力ポート
からそれぞれ確実且つ容易に光信号を取り出すことがで
きる光スィッチを提供しようとする。
からそれぞれ確実且つ容易に光信号を取り出すことがで
きる光スィッチを提供しようとする。
本発明の光スィッチでは、半導体基板（例えばｎ型１ｎ
Ｐ基板ｌ）に形成された溝（例えば溝ＩＡ）に依って方
向が定められる第一の導波路（例えば第一の導波路ＷＧ
Ｉ）と、該第一の導波路上方に光結合可能な範囲に積層
され且つ表面側に在って該第一の導波路と斜めに交わっ
て延在するよう形成されたメサ部分に依って方向が定め
られる第二の導波路（第二の導波路ＷＧ２）とを備えて
なるよう構成する。
Ｐ基板ｌ）に形成された溝（例えば溝ＩＡ）に依って方
向が定められる第一の導波路（例えば第一の導波路ＷＧ
Ｉ）と、該第一の導波路上方に光結合可能な範囲に積層
され且つ表面側に在って該第一の導波路と斜めに交わっ
て延在するよう形成されたメサ部分に依って方向が定め
られる第二の導波路（第二の導波路ＷＧ２）とを備えて
なるよう構成する。
前記手段を採ることに依り、第一の導波路と第二の導波
路とは、光結合が効率良く行われ且つ短くて済む形式で
あるとされている縦方向に並設された構成を採りながら
、その出力ポートは横方向に離隔されているので、そこ
に光ファイバを結合するなどして光信号を確実に分離し
て取り出すことが容易である。
路とは、光結合が効率良く行われ且つ短くて済む形式で
あるとされている縦方向に並設された構成を採りながら
、その出力ポートは横方向に離隔されているので、そこ
に光ファイバを結合するなどして光信号を確実に分離し
て取り出すことが容易である。
第１図は本発明一実施例を説明する為の要部平面図を表
し、第３図に於いて用いた記号と同記号は同部分を示す
か或いは同じ意味を持つものとする。
し、第３図に於いて用いた記号と同記号は同部分を示す
か或いは同じ意味を持つものとする。
図に於いて、ＷＦはウェハ、ＷＧＩは第一の導波路、Ｗ
Ｏ２は第二の導波路、ＥＬは電極、ＰＩＮＩ及びｐ＋Ｎ
ｚは入力ボート、１１は導波路ＷＧＩ及びＷＯ２が交差
している実効的な長さ、１２は出力ポート中心間の長さ
、θは導波路ＷＧＩ及びＷＯ２の交差角度をそれぞれ示
している。
Ｏ２は第二の導波路、ＥＬは電極、ＰＩＮＩ及びｐ＋Ｎ
ｚは入力ボート、１１は導波路ＷＧＩ及びＷＯ２が交差
している実効的な長さ、１２は出力ポート中心間の長さ
、θは導波路ＷＧＩ及びＷＯ２の交差角度をそれぞれ示
している。
本実施例に於いて、
１１：約４００ｃμｍ〕
Ｉ！、：２０（μｍ〕
θ；１．４゜
としである。尚、１１は導波路ＷＧＩ及びＷＯ２を積層
して形成した際の光の結合長と同程度にするものである
。
して形成した際の光の結合長と同程度にするものである
。
さて、ここで、入カポ−１−Ｐ、□から例えば波長１．
５５ （μｍ〕の光信号を人力すると、導波路ＷＧＩを
伝播する光信号は交差部分で導波路ＷＧ２に結合されて
伝播し、出力ポートＰ。ｕＴ□から送出される。
５５ （μｍ〕の光信号を人力すると、導波路ＷＧＩを
伝播する光信号は交差部分で導波路ＷＧ２に結合されて
伝播し、出力ポートＰ。ｕＴ□から送出される。
また、前記の諸条件に加えて、電極ＥＬに負電圧を印加
した場合、ｐｎ接合からの空乏層が拡がることで屈折率
が変化するから、導波路ＷＧ２に結合した光は、再度、
導波路ＷＧＩに結合し、出カポートＰ。ｕｙ＋から送出
される。
した場合、ｐｎ接合からの空乏層が拡がることで屈折率
が変化するから、導波路ＷＧ２に結合した光は、再度、
導波路ＷＧＩに結合し、出カポートＰ。ｕｙ＋から送出
される。
本実施例に於いては、前記したように、出力ボートＰ。
ＬＩＴＩ及びＰ。Ｕア２間の距離が２０〔μｍ〕も在る
ので、光ファイバを接続するにしても、充分な余裕があ
り、光信号を分離して取り出すことは極めて容易である
。尚、導波路ＷＧＩとＷＯ２とは、垂直方向に近接して
積層されている為、光の結合は短い距離で充分に行われ
る。
ので、光ファイバを接続するにしても、充分な余裕があ
り、光信号を分離して取り出すことは極めて容易である
。尚、導波路ＷＧＩとＷＯ２とは、垂直方向に近接して
積層されている為、光の結合は短い距離で充分に行われ
る。
第２図は第１図に見られる実施例を線Ａ−Ａに沿って切
断した要部切断側面図を表している。
断した要部切断側面図を表している。
図に於いて、■はｎ型１ｎＰ基板、ＩＡは第二の導波路
を形成する為の溝、２はｌ ｎＧａＡｓ Ｐ層、３はＩ
ｎ Ｑ ａ Ａ Ｓ Ｐ層、４はＩｎＰ層、５はＩ
ｎＧａＡｓＰ層、６はｎ型ＩｎＰ層、７はｐ型ＩｎＰ層
、８はｐ型１ｎＧａＡｓＰ層、９はｐ側電極、１０はｎ
側電極、Ｗｌは溝ＩＡの幅、Ｗ２はメサ部分の幅をそれ
ぞれ示している。
を形成する為の溝、２はｌ ｎＧａＡｓ Ｐ層、３はＩ
ｎ Ｑ ａ Ａ Ｓ Ｐ層、４はＩｎＰ層、５はＩ
ｎＧａＡｓＰ層、６はｎ型ＩｎＰ層、７はｐ型ＩｎＰ層
、８はｐ型１ｎＧａＡｓＰ層、９はｐ側電極、１０はｎ
側電極、Ｗｌは溝ＩＡの幅、Ｗ２はメサ部分の幅をそれ
ぞれ示している。
前記各部分に関する主要データを例示すると次の通りで
ある。
ある。
（１）基板１について
面指数：（１００）
不純物濃度： ２ Ｘ １０Ｉ８［ｃｍ−”）＋２）ｌ
／ｉｌＡについて 幅Ｗ１：５（μｍ〕 深さ：０．３Ｃμｍ〕 方向：＜Ｑｌｌ＞ （３） Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ層２について組
成（波長換算）：１．１５ Ｃμｍ〕厚さ：０．ＩＣμ
ｍ〕 ノン・ドープ 不純物濃度： ２ Ｘ １０” （ｃｍ−ｆｆ）ｆ４）
Ｔ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ層３について組成（波
長換算）：１．３Ｃμｍ〕 厚さ：０．５Ｃμｍ〕 ノン・ドープ 不純物濃度： ２ Ｘ １０１６ （ｃｍ−’）（５１
ＩｎＰ層４について 厚さ：０．６Ｃμｍ〕 ノン・ドープ 不純物濃度：２×ｌ０１６〔Ｃｆｆｌ−３〕（６）Ｉ
ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ Ｎ ５について組成（波長換
算）：１．３Ｃμｍ〕 厚さ：０．５（μｍ） ノン・ドープ 不純物濃度： ２ Ｘ １０” （ｃｍ−’）（６）ｎ
型１ｎＰ層６について 厚さ：１ 〔μｍ〕 不純物濃度： ５ Ｘ Ｉ Ｑ１０（ｃｍ−’）（７）
ｐ型ＩｎＰ層７について 厚さ：０．５Ｃμｍ〕 不純物濃度： Ｉ Ｘ １０” （ａｍ−”）（８）
ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層８について組成（波長換算）：１
．３Ｃμｍ〕 厚さ：０．４Ｃμｍ〕 不純物濃度：ｌＸ１０菫９（Ｃｍ −’ ）（９）ｐ側
電極９について 材料： Ｔ ｉ Ｐ を 厚さ：０．１Ｃμｍ〕 ００）ｎ側電極１０について 材料：ＡｕＳｎ 厚さ：０．１ 〔μｍ〕 ０υ メサ部分について 幅Ｗ２：５（μｍ〕 高さ：１．４Ｃμｍ）（除ｎ側電極９）第１図及び第２
図に見られる光スィッチを製造するのは筒車である。
／ｉｌＡについて 幅Ｗ１：５（μｍ〕 深さ：０．３Ｃμｍ〕 方向：＜Ｑｌｌ＞ （３） Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ層２について組
成（波長換算）：１．１５ Ｃμｍ〕厚さ：０．ＩＣμ
ｍ〕 ノン・ドープ 不純物濃度： ２ Ｘ １０” （ｃｍ−ｆｆ）ｆ４）
Ｔ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ層３について組成（波
長換算）：１．３Ｃμｍ〕 厚さ：０．５Ｃμｍ〕 ノン・ドープ 不純物濃度： ２ Ｘ １０１６ （ｃｍ−’）（５１
ＩｎＰ層４について 厚さ：０．６Ｃμｍ〕 ノン・ドープ 不純物濃度：２×ｌ０１６〔Ｃｆｆｌ−３〕（６）Ｉ
ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ Ｎ ５について組成（波長換
算）：１．３Ｃμｍ〕 厚さ：０．５（μｍ） ノン・ドープ 不純物濃度： ２ Ｘ １０” （ｃｍ−’）（６）ｎ
型１ｎＰ層６について 厚さ：１ 〔μｍ〕 不純物濃度： ５ Ｘ Ｉ Ｑ１０（ｃｍ−’）（７）
ｐ型ＩｎＰ層７について 厚さ：０．５Ｃμｍ〕 不純物濃度： Ｉ Ｘ １０” （ａｍ−”）（８）
ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層８について組成（波長換算）：１
．３Ｃμｍ〕 厚さ：０．４Ｃμｍ〕 不純物濃度：ｌＸ１０菫９（Ｃｍ −’ ）（９）ｐ側
電極９について 材料： Ｔ ｉ Ｐ を 厚さ：０．１Ｃμｍ〕 ００）ｎ側電極１０について 材料：ＡｕＳｎ 厚さ：０．１ 〔μｍ〕 ０υ メサ部分について 幅Ｗ２：５（μｍ〕 高さ：１．４Ｃμｍ）（除ｎ側電極９）第１図及び第２
図に見られる光スィッチを製造するのは筒車である。
即ち、通常のフォト・リソグラフィ技術を適用すること
に依って、基板１に溝ＩＡを形成し、次いで、液相エピ
タキシャル成長（ｌｉｑｕｉｄｐｈａｓｅ ｅｐｉｔ
ａｘｙ：ＬＰＥ）法を通用することに依って、ＩｎＧａ
ＡｓＰｎＧａＡｓＰ層ｎＧａＡｓＰ層８を連続的に成長
させ、次いで、化学気相成長（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖ
ａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法及びフォト
・リソグラフィ技術を適用することに依って、溝ＩＡに
対し、交差角度θ＝１．４°であって、幅が５Ｃμｍ〕
である二酸化シリコン（ＳｉＯｚ）からなるマスク膜を
形成し、次いで、化学的エツチング法を適用することに
依り、表面からｎ型Ｉｎ２層６に達するエツチングを行
い、段差が１．４〔μｍ〕であるメサを形成し、次いで
、前記マスク膜を除去してから、導波路ＷＧＩと交差す
る導波路ＷＧ２の表面に電極９を、また、基板ｌの裏面
に電極１０をそれぞれ形成して完成させる。
に依って、基板１に溝ＩＡを形成し、次いで、液相エピ
タキシャル成長（ｌｉｑｕｉｄｐｈａｓｅ ｅｐｉｔ
ａｘｙ：ＬＰＥ）法を通用することに依って、ＩｎＧａ
ＡｓＰｎＧａＡｓＰ層ｎＧａＡｓＰ層８を連続的に成長
させ、次いで、化学気相成長（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖ
ａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法及びフォト
・リソグラフィ技術を適用することに依って、溝ＩＡに
対し、交差角度θ＝１．４°であって、幅が５Ｃμｍ〕
である二酸化シリコン（ＳｉＯｚ）からなるマスク膜を
形成し、次いで、化学的エツチング法を適用することに
依り、表面からｎ型Ｉｎ２層６に達するエツチングを行
い、段差が１．４〔μｍ〕であるメサを形成し、次いで
、前記マスク膜を除去してから、導波路ＷＧＩと交差す
る導波路ＷＧ２の表面に電極９を、また、基板ｌの裏面
に電極１０をそれぞれ形成して完成させる。
本発明に依る光スィッチに於いては、第一の導波路及び
その上方に積層された第二の導波路は、光結合を行うの
に必要な交差部分を維持して斜めに交わっている。
その上方に積層された第二の導波路は、光結合を行うの
に必要な交差部分を維持して斜めに交わっている。
前記構成を採ることに依り、第一の導波路と第二の導波
路とは、光結合が効率良（行われ且つ短くて済む形式で
あるとされている縦方向に並設された構成を採りながら
、その出力ポートは横方向に離隔されているので、そこ
に光ファイバを結合するなどして光信号を確実に分離し
て取り出すことが容易である。
路とは、光結合が効率良（行われ且つ短くて済む形式で
あるとされている縦方向に並設された構成を採りながら
、その出力ポートは横方向に離隔されているので、そこ
に光ファイバを結合するなどして光信号を確実に分離し
て取り出すことが容易である。
第１図は本発明一実施例を説明する為の要部平面図、第
２図は第１図に於ける線Ａ−Ａに沿う要部切断側面図、
第３図は従来例を説明する為の要部切断斜面図をそれぞ
れ表している。 図に於いて、ＷＦはウェハ、ＷＧＩは第一の導波路、Ｗ
Ｏ２は第二の導波路、ＥＬは電極、ＰＩＮ＋及びＰＩＮ
□は入力ボート、ｐｏｕｔ＋並びにＰ。ＵＴ□は出力ポ
ート、ｘ、は導波路ＷＧｌ及びＷＯ２が交差している実
効的な長さ、１２は出力ボート中心間の長さ、θは導波
路ＷＧＩ及びＷＯ２の交差角度、■はｎ型１ｎＰ基板、
ＩＡは第二の導波路を形成する為の溝、２はＩｎＧａＡ
ｓＰＮ、３はＩｎＧａＡｓＰ層、４はＩｎＰ層、５はＩ
ｎＧａＡｓＰ層、６はｎ型１ｎＰ層、７はｐ型１ｎＰ層
、８はｐ型Ｉｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ Ｎ％ ９はｐ側
電極、１０はｎ側電極、Ｗｌは溝ＩＡの幅、Ｗ２はメサ
部分の幅をそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 一 実施例を説明する為の要部平面図 第１図 第２図
２図は第１図に於ける線Ａ−Ａに沿う要部切断側面図、
第３図は従来例を説明する為の要部切断斜面図をそれぞ
れ表している。 図に於いて、ＷＦはウェハ、ＷＧＩは第一の導波路、Ｗ
Ｏ２は第二の導波路、ＥＬは電極、ＰＩＮ＋及びＰＩＮ
□は入力ボート、ｐｏｕｔ＋並びにＰ。ＵＴ□は出力ポ
ート、ｘ、は導波路ＷＧｌ及びＷＯ２が交差している実
効的な長さ、１２は出力ボート中心間の長さ、θは導波
路ＷＧＩ及びＷＯ２の交差角度、■はｎ型１ｎＰ基板、
ＩＡは第二の導波路を形成する為の溝、２はＩｎＧａＡ
ｓＰＮ、３はＩｎＧａＡｓＰ層、４はＩｎＰ層、５はＩ
ｎＧａＡｓＰ層、６はｎ型１ｎＰ層、７はｐ型１ｎＰ層
、８はｐ型Ｉｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ Ｎ％ ９はｐ側
電極、１０はｎ側電極、Ｗｌは溝ＩＡの幅、Ｗ２はメサ
部分の幅をそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 一 実施例を説明する為の要部平面図 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板に形成された溝に依って方向が定められる
第一の導波路と、 該第一の導波路上方に光結合可能な範囲に積層され且つ
表面側に在って該第一の導波路と斜めに交わって延在す
るよう形成されたメサ部分に依って方向が定められる第
二の導波路と を備えてなることを特徴とする光スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2286088A JPH01200233A (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | 光スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2286088A JPH01200233A (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | 光スイッチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01200233A true JPH01200233A (ja) | 1989-08-11 |
Family
ID=12094469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2286088A Pending JPH01200233A (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | 光スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01200233A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5065207A (en) * | 1990-05-28 | 1991-11-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelectronic circuit with diodes and waveguides |
| DE19849862C1 (de) * | 1998-10-29 | 2000-04-06 | Alcatel Sa | Thermooptischer Schalter |
-
1988
- 1988-02-04 JP JP2286088A patent/JPH01200233A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5065207A (en) * | 1990-05-28 | 1991-11-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelectronic circuit with diodes and waveguides |
| DE19849862C1 (de) * | 1998-10-29 | 2000-04-06 | Alcatel Sa | Thermooptischer Schalter |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9280004B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor modulator and semiconductor modulator | |
| US6924918B2 (en) | Optical modulator and method of manufacturing the same | |
| JPH08248248A (ja) | 特に半導体素子に組み込むのに適したセグメント形光ウェーブガイド | |
| EP4443221A1 (en) | Integration of advanced photonic materials in silicon photonic platform | |
| US4706103A (en) | Bipolar electrode scheme for electro-optic semiconductor waveguide devices | |
| JP7666626B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US12541052B2 (en) | Semiconductor optical integrated element | |
| JPH01200233A (ja) | 光スイッチ | |
| US7295366B2 (en) | Optical integrated device and optical module | |
| JPH03228032A (ja) | 光方向性結合器 | |
| KR20010024163A (ko) | 밀착 만곡형 디지탈 광학 스위치 | |
| CN114035348A (zh) | 微环调制器 | |
| JP2001305498A (ja) | 半導体光変調器 | |
| US12271068B2 (en) | Heterogeneous integration and electro-optic modulation of III-nitride photonics on a silicon photonic platform | |
| JP2003043430A (ja) | 光送信装置およびその製造方法 | |
| JP2025036957A (ja) | 半導体光素子、および半導体光素子の製造方法 | |
| JP2662059B2 (ja) | 光電スイッチ素子を有する集積半導体装置 | |
| AU611612B2 (en) | Optical switching element between two optical guides and optical switching matrix constituted by these switching elements | |
| JPH02246268A (ja) | 受光装置 | |
| US20260086416A1 (en) | Optical modulator | |
| US12436440B2 (en) | Phase shift keying modulator | |
| US20250138347A1 (en) | Semiconductor optical integrated device | |
| JP4283079B2 (ja) | 半導体光電子導波路 | |
| JPH0719001B2 (ja) | 半導体光スイツチ | |
| JP2692557B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 |