JPH02246268A - 受光装置 - Google Patents
受光装置Info
- Publication number
- JPH02246268A JPH02246268A JP1067871A JP6787189A JPH02246268A JP H02246268 A JPH02246268 A JP H02246268A JP 1067871 A JP1067871 A JP 1067871A JP 6787189 A JP6787189 A JP 6787189A JP H02246268 A JPH02246268 A JP H02246268A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- optical waveguide
- pin photodiode
- inp
- layers
- Prior art date
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
受光装置、特に光導波路とＰＩＮフォトダイオードが一
体的に形成された受光装置に関し、光導波路層からＰＩ
Ｎフォトダイオードに入射する光の強度を均一化した受
光装置を提供することを目的とし、 光を導く光導波路と、前記光導波路上に形成されたＮ層
と、前記Ｎ層上に形成された１層と、前記１層上に形成
されたＰ層とを有するＰＩＮフォトダイオードとを備え
、前記Ｎ層の厚さが、前記光導波路における光の進行方
向に沿って徐々に薄くなるように形成するように構成す
る。
体的に形成された受光装置に関し、光導波路層からＰＩ
Ｎフォトダイオードに入射する光の強度を均一化した受
光装置を提供することを目的とし、 光を導く光導波路と、前記光導波路上に形成されたＮ層
と、前記Ｎ層上に形成された１層と、前記１層上に形成
されたＰ層とを有するＰＩＮフォトダイオードとを備え
、前記Ｎ層の厚さが、前記光導波路における光の進行方
向に沿って徐々に薄くなるように形成するように構成す
る。
［産業上の利用分野］
本発明は受光装置、特に光導波路とＰＩＮフォトダイオ
ードが一体的に形成された受光装置に関する。
ードが一体的に形成された受光装置に関する。
光通信システムは高速で大容量通信が可能なことから徐
々に実用化段階に入っている。現在の光通信システムで
は光の強弱を情報として伝送する方式が採用されている
が、次世代の光通信方式として、光の周波数、位相、振
幅などに情報をのせて伝送するコヒーレント光伝送方式
が注目されている。
々に実用化段階に入っている。現在の光通信システムで
は光の強弱を情報として伝送する方式が採用されている
が、次世代の光通信方式として、光の周波数、位相、振
幅などに情報をのせて伝送するコヒーレント光伝送方式
が注目されている。
［従来の技術］
コヒーレント光伝送方式における受光装置では、位相変
調された光信号とレファランス用の光信号との間でビー
トを形成して検波が行われる。このため、受光装置とし
て、変調光信号とレファランス光信号とを結合させる機
能が必要となる。従来は、この光結合部と受光部とを独
立に形成していでの雑音の発生や信号の減衰が大きくな
るという問題があった。
調された光信号とレファランス用の光信号との間でビー
トを形成して検波が行われる。このため、受光装置とし
て、変調光信号とレファランス光信号とを結合させる機
能が必要となる。従来は、この光結合部と受光部とを独
立に形成していでの雑音の発生や信号の減衰が大きくな
るという問題があった。
このため光結合部と受光部とを一体化してＯＢＩ Ｃ（
Ｏｐｔｏ−Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｉｎｔｅａｒａｔｅ
ｄ Ｃ１ｒｃｕｉｔ）化する方向で検討されている。光
結合部と受光部とを一体化するために必要な条件として
、■量子効率が高いこと、■高速動作すること、■ＰＩ
Ｎフォトダイオード内で発生する電流を大きくして低雑
音化を図ること、がある、■の条件からＰＩＮフォトダ
イオードに入射する光信号のパワーをできるだけ大きく
する必要があり、■の条件からＰＩＮフォトダイオード
を小形化して容量を小さくする必要があり、■の条件か
ら光導波路とＰＩＮフォトダイオードの結合性を高める
必要がある。
Ｏｐｔｏ−Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｉｎｔｅａｒａｔｅ
ｄ Ｃ１ｒｃｕｉｔ）化する方向で検討されている。光
結合部と受光部とを一体化するために必要な条件として
、■量子効率が高いこと、■高速動作すること、■ＰＩ
Ｎフォトダイオード内で発生する電流を大きくして低雑
音化を図ること、がある、■の条件からＰＩＮフォトダ
イオードに入射する光信号のパワーをできるだけ大きく
する必要があり、■の条件からＰＩＮフォトダイオード
を小形化して容量を小さくする必要があり、■の条件か
ら光導波路とＰＩＮフォトダイオードの結合性を高める
必要がある。
このような条件を考慮して第４図（ａ）に示すように光
導波路とＰＩＮフォトダイオードを一体的に形成した受
光装置が提案されている。
導波路とＰＩＮフォトダイオードを一体的に形成した受
光装置が提案されている。
高抵抗ＩｎＰ基板５０上にｎ−ＩｎＰのバッファ層５２
を介してｎ−ＩｎＧａＡｓＰの光導波路層５４が形成さ
れている。この光導波路層５４上に光進行方向に沿って
長く形成されたＰＩＮフォトダイオード５６が形成され
ている。すなわち、光導波路層５４上にｎ”ＩｎＰの８
層５７、ｎ−ＩｎＧａＡｓの１層５８、ｐ”ＩｎＰの２
層５９が順番に積層されている。ＰＩＮフォトダイオー
ド５６全体が小型で容量が小さいわりに、光導波路層５
４と８層５７との接触面積が大きく入射光量が大きくと
れるという利点がある。
を介してｎ−ＩｎＧａＡｓＰの光導波路層５４が形成さ
れている。この光導波路層５４上に光進行方向に沿って
長く形成されたＰＩＮフォトダイオード５６が形成され
ている。すなわち、光導波路層５４上にｎ”ＩｎＰの８
層５７、ｎ−ＩｎＧａＡｓの１層５８、ｐ”ＩｎＰの２
層５９が順番に積層されている。ＰＩＮフォトダイオー
ド５６全体が小型で容量が小さいわりに、光導波路層５
４と８層５７との接触面積が大きく入射光量が大きくと
れるという利点がある。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上述の提案された受光装置の場合、ＰＩ
Ｎフォトダイオードに入射する光強度が第４図（ｂ）に
示すように、光の進行方向に沿って徐々に低下するとい
う不均一性を呈するという問題があった。したがって、
第４図（ａ）に示すＰＩＮフォトダイオードの左側では
キャリアが多く発生し、右側では発生するキャリアが少
なくなる。
Ｎフォトダイオードに入射する光強度が第４図（ｂ）に
示すように、光の進行方向に沿って徐々に低下するとい
う不均一性を呈するという問題があった。したがって、
第４図（ａ）に示すＰＩＮフォトダイオードの左側では
キャリアが多く発生し、右側では発生するキャリアが少
なくなる。
光強度が強（ＰＩＮフォトダイオードで発生するキャリ
アが多くなりすぎると、そのキャリアによる空間電荷効
果により高速動作性が損なわれるため、入射可能な光強
度に限界がある。このためＰＩＮフォトダイオードに入
射する光強度が第４図（ｂ）に示すように不均一である
と、ＰＩＮフォトダイオードに入射し得る光強度が、そ
の左側の最も強い部分の限界値により制限される。した
がって、第４図（ｂ）に示す光強度の不均一性により、
ＰＩＮフォトダイオードに入射し得る光強度の限界が低
下するという問題があった。
アが多くなりすぎると、そのキャリアによる空間電荷効
果により高速動作性が損なわれるため、入射可能な光強
度に限界がある。このためＰＩＮフォトダイオードに入
射する光強度が第４図（ｂ）に示すように不均一である
と、ＰＩＮフォトダイオードに入射し得る光強度が、そ
の左側の最も強い部分の限界値により制限される。した
がって、第４図（ｂ）に示す光強度の不均一性により、
ＰＩＮフォトダイオードに入射し得る光強度の限界が低
下するという問題があった。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、先導波路
層からＰＩＮフォトダイオードに入射する光の強度を均
一化した受光装置を提供することを目的とする。
層からＰＩＮフォトダイオードに入射する光の強度を均
一化した受光装置を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記目的は、光を導く光導波路と１．前記光導波路上に
形成されたＮ層と、前記Ｎ層上に形成された１層と、前
記１層上に形成されたＰ層とを有するＰＩＮフォトダイ
オードとを備え、 前記Ｎ層の厚さが、前記光導波路に
おける光の進行方向に沿って徐々に薄くなるように形成
されていることを特徴とする受光装置によって達成され
る。
形成されたＮ層と、前記Ｎ層上に形成された１層と、前
記１層上に形成されたＰ層とを有するＰＩＮフォトダイ
オードとを備え、 前記Ｎ層の厚さが、前記光導波路に
おける光の進行方向に沿って徐々に薄くなるように形成
されていることを特徴とする受光装置によって達成され
る。
［作用］
本発明によれば、Ｎ層の厚さが、前記光導波路層の前記
一端から前記他端へ向かう方向に沿って徐々に薄くなる
ように形成したので、入射する光強度の不均一を補償し
て均一な光を入射することができる。
一端から前記他端へ向かう方向に沿って徐々に薄くなる
ように形成したので、入射する光強度の不均一を補償し
て均一な光を入射することができる。
［実施例］
本発明の一実施例による受光装置を第１図及び第２図を
用いて説明する。第１図は受光装置全体を示す斜視図、
第２図（ａ）は受光装置の主要部のＩＩａ −ＩＩａ線
断面図、同図（ｂ）はｍｂ−ｍｂ線断面図である。
用いて説明する。第１図は受光装置全体を示す斜視図、
第２図（ａ）は受光装置の主要部のＩＩａ −ＩＩａ線
断面図、同図（ｂ）はｍｂ−ｍｂ線断面図である。
第１図に示すように、高抵抗ＩｎＰ基板１０上には２本
の光導波路１２．１４が形成されている。
の光導波路１２．１４が形成されている。
これら光導波路１２．１４は光検波のための光結合部１
６を構成するように配置され、一方には変調光信号が入
射され、他方にはレフ１ランス光信号が入射される。光
導波路１２．１４の端部にはそれぞれＰＩＮフォトダイ
オード２０．３０が形成されている。
６を構成するように配置され、一方には変調光信号が入
射され、他方にはレフ１ランス光信号が入射される。光
導波路１２．１４の端部にはそれぞれＰＩＮフォトダイ
オード２０．３０が形成されている。
光導波路１２．１４は、ＩｎＰ基板１０上に形成された
ｎ−ＩｎＰのバッファ層１２ａ、１４ａと、バッファ層
１２ａ、１４ａ上に形成されたｎ−ＩｎＧａＡｓＰの光
導波路層１２ｂ、１４ｂにより構成されている。
ｎ−ＩｎＰのバッファ層１２ａ、１４ａと、バッファ層
１２ａ、１４ａ上に形成されたｎ−ＩｎＧａＡｓＰの光
導波路層１２ｂ、１４ｂにより構成されている。
ＰＩＮフォトダイオード２０．３０の詳細について第１
図及び第２図を参照して説明する。
図及び第２図を参照して説明する。
ＰＩＮフォトダイオード２０は、光導波路層１２ｂ上に
ｎ“Ｉ ｎＧａＡｓのエツチングストップ層１２ｃを介
して形成されている。エツチングストップ層１２ｃは製
造工程上の必要により挿入されたもので、その詳細につ
いては後述する。
ｎ“Ｉ ｎＧａＡｓのエツチングストップ層１２ｃを介
して形成されている。エツチングストップ層１２ｃは製
造工程上の必要により挿入されたもので、その詳細につ
いては後述する。
ｎ”ＩｎＧａＡｓ層１２ｃ上にｎ”ＩｎＰの８層２１が
形成されているが、本実施例の特徴は、この８層２１の
厚さが、先導波路層１２ｂの入射光の進行方向に沿って
徐々に薄くなっている点である。すなわち、従来の受光
装置が有していた光強度の不均一性を８層２１の厚さを
変えることにより補償している。
形成されているが、本実施例の特徴は、この８層２１の
厚さが、先導波路層１２ｂの入射光の進行方向に沿って
徐々に薄くなっている点である。すなわち、従来の受光
装置が有していた光強度の不均一性を８層２１の厚さを
変えることにより補償している。
８層２１の最も薄゛い部分の厚さを従来の８層の厚さに
相当するようにし、他の部分をそれより厚矩形製するこ
とが望ましい。
相当するようにし、他の部分をそれより厚矩形製するこ
とが望ましい。
８層２１上には、従来と同様に、ｎ″’ＩｎＧａＡｓの
１層２２及びｐ”ＩｎＰの２層２３が順に積層されてい
る。
１層２２及びｐ”ＩｎＰの２層２３が順に積層されてい
る。
２層２３上にはＡｕＺｎＡｕのＰ側電極２４が形成され
ている。ＩｎＰ基板１０上に伸びた８層２１上にＡｕＳ
ｎのＮ側型［！２５が形成されている。
ている。ＩｎＰ基板１０上に伸びた８層２１上にＡｕＳ
ｎのＮ側型［！２５が形成されている。
ＰＩＮフォトダイオード３０もＰＩＮフォトダイオード
２０と同様な構成をしており、ｎ“ＩｎＧａＡｓ層１４
ｃ上にｎ”ＩｎＰのＮ層３１、ｎＩｎＧａＡｓの１層３
２及びｐ”ＩｎＰの２層３３が順に積層され、２層３３
上にはＰ側電極３４、Ｉ−ｎＰ基板１０上に伸びた８層
３１上にＮ側電極３５が形成されている。
２０と同様な構成をしており、ｎ“ＩｎＧａＡｓ層１４
ｃ上にｎ”ＩｎＰのＮ層３１、ｎＩｎＧａＡｓの１層３
２及びｐ”ＩｎＰの２層３３が順に積層され、２層３３
上にはＰ側電極３４、Ｉ−ｎＰ基板１０上に伸びた８層
３１上にＮ側電極３５が形成されている。
なお、ＰＩＮフォトダイオード２０．３０が形成されて
いない光導波路１２．１４上はｎ−ＩｎＰの埋込みクラ
ッド層（図示せず）が形成されている。
いない光導波路１２．１４上はｎ−ＩｎＰの埋込みクラ
ッド層（図示せず）が形成されている。
光導波路１２．１４及びＰＩＮフォトダイオード２０．
３０全体はシリコン窒化膜の保護膜４０により覆われて
いる。
３０全体はシリコン窒化膜の保護膜４０により覆われて
いる。
このように本実施例によれば ＰＩＮフォトダイオード
の８層の厚さを変えることにより光強度が均一化された
ので、ＰＩＮフォトダイオードに入射し得る光強度の限
界を上昇させ、低雑音で高速動作させることが可能であ
る。
の８層の厚さを変えることにより光強度が均一化された
ので、ＰＩＮフォトダイオードに入射し得る光強度の限
界を上昇させ、低雑音で高速動作させることが可能であ
る。
次に、第３図を用いて受光装置の製造方法を説明する。
第３図（ａｌ）〜（ｇｌ）は第２図（ａ）のＩ［ａ−１
１ａ線断面図に相当し、第３図（ａ２） 〜（ｏ２）ｊ
、を第２図（ｂ）のｍｂ−ｎｂ線断面図の左半部に相当
している。
１ａ線断面図に相当し、第３図（ａ２） 〜（ｏ２）ｊ
、を第２図（ｂ）のｍｂ−ｎｂ線断面図の左半部に相当
している。
まず、高抵抗ＩｎＰ基板１０全面にｎ−ＩｎＰのバッフ
ァ層１２ａとｎ−Ｉ ｎ＊ Ｇａ＋−ｇ Ａａ。
ァ層１２ａとｎ−Ｉ ｎ＊ Ｇａ＋−ｇ Ａａ。
Ｐ、−２の光導波路層１２ｂと厚さ５０Ａのｎ” Ｉｎ
ＧｋＡｓのエツチングストップ層１２ｃをＭＯＣＶＤ法
により順次形成する（第３図（ａｌ）、 （ａ２））。
ＧｋＡｓのエツチングストップ層１２ｃをＭＯＣＶＤ法
により順次形成する（第３図（ａｌ）、 （ａ２））。
なお、Ｉｎの組成比ＸとＡｓの組成比ｙとの間には次式
のような関係がある。
のような関係がある。
ｙ＝０．４２／（０，１８＋０．０２ｘ）次に、バッフ
ァ層１２ａ、光導波路層１２ｂ、エツチングストップ層
１２ｃを第１図に示すような形状にエツチング整形して
、光導波路１２．を形成する（第３図（ｂｌ）、 （ｂ
２））、 。
ァ層１２ａ、光導波路層１２ｂ、エツチングストップ層
１２ｃを第１図に示すような形状にエツチング整形して
、光導波路１２．を形成する（第３図（ｂｌ）、 （ｂ
２））、 。
次に、厚さをコントロールしながら図示めテーパ形状仁
なるようにｎ”ＴｎＰの８層２１を全面に形成する（第
３図（ｃｌ）、（ｃ２））、 ｎ” Ｉ ｎＰは、Ｉｎ
１ｌ中にＰを過飽和させた溶液を用いて液相成長法によ
り形成される。したがって、ｎ”Ｉｎ゛Ｐ層の厚さのコ
ントロールは溶液に浸している時間、すなわち液相成長
させる時間をコントロールすることにより行う。
なるようにｎ”ＴｎＰの８層２１を全面に形成する（第
３図（ｃｌ）、（ｃ２））、 ｎ” Ｉ ｎＰは、Ｉｎ
１ｌ中にＰを過飽和させた溶液を用いて液相成長法によ
り形成される。したがって、ｎ”Ｉｎ゛Ｐ層の厚さのコ
ントロールは溶液に浸している時間、すなわち液相成長
させる時間をコントロールすることにより行う。
引き続いて、ｎ−ＩｎＧａＡｓの１層２２及びｐ“Ｉｎ
Ｐの２層２３を全面に形成する（第３図（ｃｌ）、 （
ｃ２））。
Ｐの２層２３を全面に形成する（第３図（ｃｌ）、 （
ｃ２））。
次に、ＰＩＮフォトダイオード２０の平面形状のレジス
ト層（図示せず）をマスクとして、ＨＣｌによりｐ”Ｉ
ｎＰの２層２３をエツチング除去する（第３図（ｄｌ）
、 （ｄ２））、エツチング液のＨＣｊはＩｎＰのみ選
択エツチングするため、ｎ−ＩｎＧａＡｓの１層２２で
エツチングがストップする。
ト層（図示せず）をマスクとして、ＨＣｌによりｐ”Ｉ
ｎＰの２層２３をエツチング除去する（第３図（ｄｌ）
、 （ｄ２））、エツチング液のＨＣｊはＩｎＰのみ選
択エツチングするため、ｎ−ＩｎＧａＡｓの１層２２で
エツチングがストップする。
次に、エツチング整形されたｐ”ＩｎＰの２層２３をマ
スクとして、ＨＦとＨＮ Ｏｓの混合エツチング液によ
りｎ−ＩｎＧａＡｓの１層２２をエツチング除去する（
第３図（ｅｌ）、 （ｅ２））、エツチング液のＨＦと
ＨＮ Ｏｓの混合液は、Ｉ ｎＧａＡｓのみ選択エツチ
ングするため、ｎ”ＩｎＰの８層２１でエツチングがス
トップする。
スクとして、ＨＦとＨＮ Ｏｓの混合エツチング液によ
りｎ−ＩｎＧａＡｓの１層２２をエツチング除去する（
第３図（ｅｌ）、 （ｅ２））、エツチング液のＨＦと
ＨＮ Ｏｓの混合液は、Ｉ ｎＧａＡｓのみ選択エツチ
ングするため、ｎ”ＩｎＰの８層２１でエツチングがス
トップする。
次に、Ｎ側電極２５形成予定領域まで覆うように形成さ
れたレジスト層（図示せず）をマスクとして、ＨＣｊエ
ツチング液によりｎ”ＩｎＰの８層２１をエツチング除
去する（第３図（ｆｌ）、 （ｆ２））。
れたレジスト層（図示せず）をマスクとして、ＨＣｊエ
ツチング液によりｎ”ＩｎＰの８層２１をエツチング除
去する（第３図（ｆｌ）、 （ｆ２））。
このとき、エツチングはｎ”ＩｎＰの８層２１下に形成
されたｎ” Ｉ ｎＧａＡｓのエツチングストップ層１
２ｃによりストップし、光導波路層１２ｂまで達しない
、すなわち、エツチングストップ層１２ｃは、ｎ”Ｉｎ
Ｐの８層２１のエツチング時に光導波路層１２ｂまでエ
ツチングされるの防止するためのものである。
されたｎ” Ｉ ｎＧａＡｓのエツチングストップ層１
２ｃによりストップし、光導波路層１２ｂまで達しない
、すなわち、エツチングストップ層１２ｃは、ｎ”Ｉｎ
Ｐの８層２１のエツチング時に光導波路層１２ｂまでエ
ツチングされるの防止するためのものである。
次に、ＰＩＮフォトダイオード２０領域以外のエツチン
グストップ層１２ｃを除去した後、ＰＩＮフォトダイオ
ード２０上のみにシリコン酸化膜（図示せず）を被せて
、ｎ−ＩｎＰの埋込みクラッド層４２を形成する０次に
、シリコン酸化膜を剥離してシリコン窒化膜の保護膜４
０を形成する。
グストップ層１２ｃを除去した後、ＰＩＮフォトダイオ
ード２０上のみにシリコン酸化膜（図示せず）を被せて
、ｎ−ＩｎＰの埋込みクラッド層４２を形成する０次に
、シリコン酸化膜を剥離してシリコン窒化膜の保護膜４
０を形成する。
続いて、８層２１のＩｎＰ基板１０に伸びた部分及び２
層２３上の保護膜４０にコンタクトホールを形成し、そ
れぞれＮ側電極２５及びＰ側電極２４を形成する（第３
図（Ｑｌ）、 （ｌＪ２））。
層２３上の保護膜４０にコンタクトホールを形成し、そ
れぞれＮ側電極２５及びＰ側電極２４を形成する（第３
図（Ｑｌ）、 （ｌＪ２））。
本発明は上記実施例に限らず種々の変形が可能である０
例えば、基板、光導波路、ＰＩＮフォトダイオードを構
成する材料について上記実施例のものに限定されるもの
ではない。
例えば、基板、光導波路、ＰＩＮフォトダイオードを構
成する材料について上記実施例のものに限定されるもの
ではない。
［発明の効果］
以上の通り、本発明によれば、ＰＩＮフォトダイオード
に入射する光強度が均一化されたので、入射し得る光強
度の限界を上昇させ、低雑音で高速動作が可能な受光装
置を実現することができる。
に入射する光強度が均一化されたので、入射し得る光強
度の限界を上昇させ、低雑音で高速動作が可能な受光装
置を実現することができる。
第１図は本発明の一実施例による受光装置の斜視図、
第２図は同受光装置の主要部の断面図、第３図は同受光
装置の製造方法の工程図、第４図は従来の受光装置の主
要部の断面図である。 図において、 １０・・・ＩｎＰ基板 １２．１４・・・光導波路 １２ａ、１４ａ・・・バッファ層（ｎ−ＩｎＰ）１２ｂ
、１４ｂ・・・光導波路層 （ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ） １２ｃ、１４ｃ・・・エツチングストップ層（ｎ” Ｉ
ｎＧａＡｓ） １６・・・光結合部 ２０．３０・・・ＰＩＮフォトダイオード２１．３１
・Ｎ層（ｎ”１ｎＰ） ２２．３２−Ｉ層（ｎ″″ＩｎＧａＡｓ）２３．３３
・Ｐ層（ｐ”ＩｎＰ） ２４．３４・・・ｐｍ電極 ２５．３５・・・Ｎ側電極 ４０・・・保護膜 ４２・・・埋込みクラッド層（ｎ−１ｎＰ）５０・・・
ＩｎＰ基板 ５２ ・・・バッファ層（ｎ−ＩｎＰ）５４ ・・・光
導波路層（ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ）５６・・・ＰＩＮフォ
トダイオード ５７ ・Ｎ層（ｎ”ＩｎＰ） ５８ ・Ｉ層（ｎ−ＩｎＧａＡｓ） ５９−Ｐ層（ｐ” ＩｎＰ）
装置の製造方法の工程図、第４図は従来の受光装置の主
要部の断面図である。 図において、 １０・・・ＩｎＰ基板 １２．１４・・・光導波路 １２ａ、１４ａ・・・バッファ層（ｎ−ＩｎＰ）１２ｂ
、１４ｂ・・・光導波路層 （ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ） １２ｃ、１４ｃ・・・エツチングストップ層（ｎ” Ｉ
ｎＧａＡｓ） １６・・・光結合部 ２０．３０・・・ＰＩＮフォトダイオード２１．３１
・Ｎ層（ｎ”１ｎＰ） ２２．３２−Ｉ層（ｎ″″ＩｎＧａＡｓ）２３．３３
・Ｐ層（ｐ”ＩｎＰ） ２４．３４・・・ｐｍ電極 ２５．３５・・・Ｎ側電極 ４０・・・保護膜 ４２・・・埋込みクラッド層（ｎ−１ｎＰ）５０・・・
ＩｎＰ基板 ５２ ・・・バッファ層（ｎ−ＩｎＰ）５４ ・・・光
導波路層（ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ）５６・・・ＰＩＮフォ
トダイオード ５７ ・Ｎ層（ｎ”ＩｎＰ） ５８ ・Ｉ層（ｎ−ＩｎＧａＡｓ） ５９−Ｐ層（ｐ” ＩｎＰ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 光を導く光導波路と、 前記光導波路上に形成されたＮ層と、前記Ｎ層上に形成
されたＩ層と、前記Ｉ層上に形成されたＰ層とを有する
ＰＩＮフォトダイオードとを備え、前記Ｎ層の厚さが、
前記光導波路における光の進行方向に沿って徐々に薄く
なるように形成されていることを特徴とする受光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1067871A JP2865699B2 (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 受光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1067871A JP2865699B2 (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 受光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02246268A true JPH02246268A (ja) | 1990-10-02 |
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-
1989
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