JPH01200546A - 電子ビーム装置 - Google Patents
電子ビーム装置Info
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- JPH01200546A JPH01200546A JP63025353A JP2535388A JPH01200546A JP H01200546 A JPH01200546 A JP H01200546A JP 63025353 A JP63025353 A JP 63025353A JP 2535388 A JP2535388 A JP 2535388A JP H01200546 A JPH01200546 A JP H01200546A
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- Japan
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- grid
- electron beam
- analysis
- sample
- electron
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置の各部の動作状態を外部から観察することが
できる電子ビーム装置に係り、平面グリッドを有するイ
ンレンズ分ｌＦｒ器の形式で、電圧測定誤差の二次電子
放出角に対する依存性を最小にすることができ、従って
電圧測定誤差を小さくすることができる電子ビーム装置
を提供することを目的とし、 電子ビームを試料の面に入射する対物レンズの内部にい
ずれも平面状のメツシュからなる二次電子引き出し用の
引出グリッドと、二次電子を減速してそのエネルギーを
分析する分析グリッドとを具えてなる電子ビーム装置に
おいて、前記引出グリッドと分析グリッドとの中間に、
引き出された二次電子流をコリメートする少なくとも１
枚のコリメートグリッドを設けて構成する。
できる電子ビーム装置に係り、平面グリッドを有するイ
ンレンズ分ｌＦｒ器の形式で、電圧測定誤差の二次電子
放出角に対する依存性を最小にすることができ、従って
電圧測定誤差を小さくすることができる電子ビーム装置
を提供することを目的とし、 電子ビームを試料の面に入射する対物レンズの内部にい
ずれも平面状のメツシュからなる二次電子引き出し用の
引出グリッドと、二次電子を減速してそのエネルギーを
分析する分析グリッドとを具えてなる電子ビーム装置に
おいて、前記引出グリッドと分析グリッドとの中間に、
引き出された二次電子流をコリメートする少なくとも１
枚のコリメートグリッドを設けて構成する。
本発明は半導体装置の各部の動作状態を外部から観察す
ることができる電子ビーム装置に係り、特に短ＷＤ （
ワーキングデイスタンス）を目的として、対物レンズ内
または対物レンズより電子ビーム源よりにエネルギー分
析器を設けたインレンズ分析器の改良に関するものであ
る。
ることができる電子ビーム装置に係り、特に短ＷＤ （
ワーキングデイスタンス）を目的として、対物レンズ内
または対物レンズより電子ビーム源よりにエネルギー分
析器を設けたインレンズ分析器の改良に関するものであ
る。
ＬＳＩ等の半導体装置においては、一般に入出力端子が
接続されている部分を除き、その内部における電子回路
の動作状態を外部から調べることは不可能である。
接続されている部分を除き、その内部における電子回路
の動作状態を外部から調べることは不可能である。
しかしながら半導体装置の動作を解析したりまたは障害
の調査を行う等の場合においては、内部回路の動作状態
を知る必要がある場合がある。この目的に対して、半導
体装置に電子ビームを照射したとき放出される二次電子
が照射箇所の電位に相当するエネルギー（速度）を有す
ることを利用して、走査型電子顕微鏡の電子ビーム鏡筒
と同様の機構によって半導体装置面の各部を走査し、発
生する二次電子のエネルギーを分析することによって、
その半導体装置における各部の電位分布を測定する電子
ビーム装置が開発されている。
の調査を行う等の場合においては、内部回路の動作状態
を知る必要がある場合がある。この目的に対して、半導
体装置に電子ビームを照射したとき放出される二次電子
が照射箇所の電位に相当するエネルギー（速度）を有す
ることを利用して、走査型電子顕微鏡の電子ビーム鏡筒
と同様の機構によって半導体装置面の各部を走査し、発
生する二次電子のエネルギーを分析することによって、
その半導体装置における各部の電位分布を測定する電子
ビーム装置が開発されている。
このような電子ビーム装置における二次電子のエネルギ
ー分析器は、一般に試料に近接して設けることが望まし
いが、この場合、電子ビーム鏡筒は高倍率化のため対物
レンズのＷＤを短くする必要があるので、エネルギー分
析器を対物レンズと試料の間に設けることはできず、そ
のためエネルギー分析器を対物レンズ内または対物レン
ズより上方（電子ビーム源寄り）に設けるインレンズ分
析器の形式がとられる。
ー分析器は、一般に試料に近接して設けることが望まし
いが、この場合、電子ビーム鏡筒は高倍率化のため対物
レンズのＷＤを短くする必要があるので、エネルギー分
析器を対物レンズと試料の間に設けることはできず、そ
のためエネルギー分析器を対物レンズ内または対物レン
ズより上方（電子ビーム源寄り）に設けるインレンズ分
析器の形式がとられる。
このような電子ビーム装置における二次電子のエネルギ
ーの分析は、二次電子の経路に二次電子を減速する電圧
を与えられた減速グリッドを設け、このグリッドを通過
する二次電子を検出することによって行われる。インレ
ンズ分析器の場合、エネルギー分析を行う減速（分析）
グリッドの形式として、半球状のグリッドを有するもの
と平面状めグリッドを有するものとがある。半球状のグ
リッドを有するものはエネルギー分析精度はよいが、レ
ンズ上方に大きなスペースを必要としそのため電子ビー
ム鏡筒の構成上の障害になるという問題を有している。
ーの分析は、二次電子の経路に二次電子を減速する電圧
を与えられた減速グリッドを設け、このグリッドを通過
する二次電子を検出することによって行われる。インレ
ンズ分析器の場合、エネルギー分析を行う減速（分析）
グリッドの形式として、半球状のグリッドを有するもの
と平面状めグリッドを有するものとがある。半球状のグ
リッドを有するものはエネルギー分析精度はよいが、レ
ンズ上方に大きなスペースを必要としそのため電子ビー
ム鏡筒の構成上の障害になるという問題を有している。
一方、平面状のグリッドを有するものはスペースをとら
ないが、二次電子が分析グリッドに斜めに入射するため
エネルギー分析精度が悪いという問題がある。
ないが、二次電子が分析グリッドに斜めに入射するため
エネルギー分析精度が悪いという問題がある。
そこでエネルギー分析を行う分析グリッドを平面状とし
た場合にも、電圧測定精度が良い電子ビーム装置が要望
される。
た場合にも、電圧測定精度が良い電子ビーム装置が要望
される。
従来、このタイプのエネルギー分析器としては、試料面
から二次電子を引き出すための引出グリッドと、エネル
ギー分析用の分析グリッドとの両方を平面状に構成した
ものが知られている。
から二次電子を引き出すための引出グリッドと、エネル
ギー分析用の分析グリッドとの両方を平面状に構成した
ものが知られている。
第５図は従来のエネルギー分析器の構成を示したもので
ある。同図において１は電子ビーム鏡筒め対物レンズを
示し、図示されない上方の電子ビーム源から射出されて
対物レンズ１で収束された電子ビーム２が、試料ＬＳＩ
３の面に照射されるように構成されている。対物レンズ
１の試料面に近い部分に、試料ＬＳＩから放出される二
次電子を加速して引き出すための、メツシュからなる引
出グリッド４が設けられている。引出グリッド４には適
当な正電位が与えられている。引き出された二次電子は
引出グリッド４の網目を通過して上方に向い、対物レン
ズ上部に設けられた同様にメツシュからなる分析（減速
）グリッド５に達し、分析グリッド５の減速電界以上の
エネルギーを有するものだけがこれを通り抜けて、二次
電子検出器６によって捕捉されて検出されるようになっ
ている。７はこの場合の二次電子軌道を示したものであ
る。
ある。同図において１は電子ビーム鏡筒め対物レンズを
示し、図示されない上方の電子ビーム源から射出されて
対物レンズ１で収束された電子ビーム２が、試料ＬＳＩ
３の面に照射されるように構成されている。対物レンズ
１の試料面に近い部分に、試料ＬＳＩから放出される二
次電子を加速して引き出すための、メツシュからなる引
出グリッド４が設けられている。引出グリッド４には適
当な正電位が与えられている。引き出された二次電子は
引出グリッド４の網目を通過して上方に向い、対物レン
ズ上部に設けられた同様にメツシュからなる分析（減速
）グリッド５に達し、分析グリッド５の減速電界以上の
エネルギーを有するものだけがこれを通り抜けて、二次
電子検出器６によって捕捉されて検出されるようになっ
ている。７はこの場合の二次電子軌道を示したものであ
る。
第５図に示されたエネルギー分析器は、引出グリッド４
および分析グリッド５として平面状のものを用いている
。二次電子軌道７は一般に第５図に示されるような形状
であって、分析グリッド５に対して斜めに入射するため
、試料ＬＳＩ３の面における局所的な電界分布の影響を
受けて、エネルギー測定に誤差を生じる。
および分析グリッド５として平面状のものを用いている
。二次電子軌道７は一般に第５図に示されるような形状
であって、分析グリッド５に対して斜めに入射するため
、試料ＬＳＩ３の面における局所的な電界分布の影響を
受けて、エネルギー測定に誤差を生じる。
第６図は二次電子軌道に対する局所電界の効果を説明す
るものであって、１０１．１０２はそれぞれＬＳＩの配
線を示し、その間隔は通常１μｍ程度である。いま配線
１０．の電位がＯ■であり、配線１０２の電位が＋５Ｖ
であったとし、配線１０ ｔから垂直上方に放出される
二次電子の軌道１） 、のＬＳ■法線に対する傾き（放
出角）をα１とすると、配線１０２から垂直上方に放出
される二次電子の軌道１）２は隣接配線電位の影響を受
けて曲げられ、放出角α２ （α１くα２）をもつよう
になり、これによってエネルギー検出誤差を生じる。
るものであって、１０１．１０２はそれぞれＬＳＩの配
線を示し、その間隔は通常１μｍ程度である。いま配線
１０．の電位がＯ■であり、配線１０２の電位が＋５Ｖ
であったとし、配線１０ ｔから垂直上方に放出される
二次電子の軌道１） 、のＬＳ■法線に対する傾き（放
出角）をα１とすると、配線１０２から垂直上方に放出
される二次電子の軌道１）２は隣接配線電位の影響を受
けて曲げられ、放出角α２ （α１くα２）をもつよう
になり、これによってエネルギー検出誤差を生じる。
第７図は従来のエネルギー分析器内における二次電子軌
道とエネルギー分析誤差とを説明するものである。
道とエネルギー分析誤差とを説明するものである。
第７図において（ａ）は対物レンズの磁界分布を示し、
試料面から電子ビーム源方向にとった距離Ｚ（１，）に
対する対物レンズ軸上の磁束密度ＢＺは図示のような形
になる。二次電子はこのようなレンズ磁界と、引出グリ
ッド、分析グリッドのそれぞれの電位に基づいて生じる
静電界の重畳された空間を走行することによって、（ｂ
）に示すような二次電子軌道を描く。（ｂ）は５ｅＶの
二次電子における軌道を例示し、α＝０°〜８０ ’の
場合について示されており、分析グリッドに対する入射
方向の法線との傾き角βはαのこの範囲において、１５
°程度である。
試料面から電子ビーム源方向にとった距離Ｚ（１，）に
対する対物レンズ軸上の磁束密度ＢＺは図示のような形
になる。二次電子はこのようなレンズ磁界と、引出グリ
ッド、分析グリッドのそれぞれの電位に基づいて生じる
静電界の重畳された空間を走行することによって、（ｂ
）に示すような二次電子軌道を描く。（ｂ）は５ｅＶの
二次電子における軌道を例示し、α＝０°〜８０ ’の
場合について示されており、分析グリッドに対する入射
方向の法線との傾き角βはαのこの範囲において、１５
°程度である。
第７図（ｂｌから明らかなように、二次電子が分析グリ
ッドに入射する際の傾き角βは試料面からの二次電子放
出角αによって変化し、従って分析グリッドに対する垂
直速度成分が変化する。そのため第６図に示された′よ
うに二次電子の放出角αがＬＳＩの構成によって変化す
ると、エネルギー分析結果に誤差を生じることになる。
ッドに入射する際の傾き角βは試料面からの二次電子放
出角αによって変化し、従って分析グリッドに対する垂
直速度成分が変化する。そのため第６図に示された′よ
うに二次電子の放出角αがＬＳＩの構成によって変化す
ると、エネルギー分析結果に誤差を生じることになる。
第７図において（Ｃ）はエネルギー分析特性の一例を示
したものであって、減速電圧ＶＲＴ（Ｖ）を変化させた
場合、理想的にはα＝０“ （軸上）で示きれる二次電
子信号出力が得られるのに対し、この分析器では放出角
αが大きくなるにつれて、分析特性に大きなずれを生じ
ることになる。この場合におけるＬＳＩ面の電圧測定誤
差は、ＩＣ）における誤差電圧δＶＲＴで示され、約３
■に達することが示されている。
したものであって、減速電圧ＶＲＴ（Ｖ）を変化させた
場合、理想的にはα＝０“ （軸上）で示きれる二次電
子信号出力が得られるのに対し、この分析器では放出角
αが大きくなるにつれて、分析特性に大きなずれを生じ
ることになる。この場合におけるＬＳＩ面の電圧測定誤
差は、ＩＣ）における誤差電圧δＶＲＴで示され、約３
■に達することが示されている。
本発明はこのような従来技術の問題点を解決しようとす
るものであって、平面グリッドを有するインレンズ分析
器の形式で、電圧測定誤差の二次電子放出角に対する依
存性を最小にすることができ、従って電圧測定誤差を小
さくすることができる電子ビーム装置を提供することを
目的としている。
るものであって、平面グリッドを有するインレンズ分析
器の形式で、電圧測定誤差の二次電子放出角に対する依
存性を最小にすることができ、従って電圧測定誤差を小
さくすることができる電子ビーム装置を提供することを
目的としている。
本発明は第１図にその実施例を示されるように、電子ビ
ーム２を試料３の面に入射する対物レンズ１の内部に引
出グリッド４と、分析グリッド５とを具えてなる電子ビ
ーム装置において、引出グリッド４と分析グリッド５と
の中間に少なくとも１枚のコリメートグリッド８を設け
て構成する。
ーム２を試料３の面に入射する対物レンズ１の内部に引
出グリッド４と、分析グリッド５とを具えてなる電子ビ
ーム装置において、引出グリッド４と分析グリッド５と
の中間に少なくとも１枚のコリメートグリッド８を設け
て構成する。
引出グリッド４は、平面状のメツシュからなり二次電子
引き出し作用を行うものである。
引き出し作用を行うものである。
分析グリッド５は、平面状のメツシュからなり引き出さ
れた二次電子を減速してそのエネルギーの分析を行うも
のである。
れた二次電子を減速してそのエネルギーの分析を行うも
のである。
コリメートグリッド８は、引き出された二次電子流をコ
リメート（平行化）する作用を行うものである。
リメート（平行化）する作用を行うものである。
電子ビーム源からの電子ビームを対物レンズを経て試料
であるＬＳＩの面に入射すると、ＬＳＩの面における各
種回路部分例えば配線等からは電子ビームの照射に応じ
て二次電子が放出されるが、この場合放出される二次電
子はその部位の電位に相当するエネルギー（速度）をも
っているので、この二次電子エネルギーを分析すること
によって被試験ＬＳＩの各部における電位分布を外部か
ら調べることができる。
であるＬＳＩの面に入射すると、ＬＳＩの面における各
種回路部分例えば配線等からは電子ビームの照射に応じ
て二次電子が放出されるが、この場合放出される二次電
子はその部位の電位に相当するエネルギー（速度）をも
っているので、この二次電子エネルギーを分析すること
によって被試験ＬＳＩの各部における電位分布を外部か
ら調べることができる。
この際対物レンズの内部に平面状の二次電子引出しグリ
ッドと分析グリッドとを設けるインレンズ分析器形式の
電子ビーム装置では、二次電子流が分析グリ゛ツドに斜
めに入射するため、二次電子放出部位の局所電界に基づ
く放出角αの影響を受けて分析グリッドに対する垂直速
度成分が変化してエネルギー分析誤差を住じる。
ッドと分析グリッドとを設けるインレンズ分析器形式の
電子ビーム装置では、二次電子流が分析グリ゛ツドに斜
めに入射するため、二次電子放出部位の局所電界に基づ
く放出角αの影響を受けて分析グリッドに対する垂直速
度成分が変化してエネルギー分析誤差を住じる。
そこで引出しグリッドと分析グリッドとの中間にコリメ
ートグリッドを設けて、二次電子流をコリメートするこ
とによって、放出角αの変化に拘わらず垂直速度成分が
一様化され、従ってエネルギー分析誤差を小さくするこ
とができるようになる。ノ この場合におけるコリメートグリッドの位置としては、
試料から対物レンズ側において対物レンズの磁束密度が
ピーク値の５０％に減少する点と引出グリッドとの間に
設けることが、エネルギー分析誤差を小さくする上で特
に好適である。
ートグリッドを設けて、二次電子流をコリメートするこ
とによって、放出角αの変化に拘わらず垂直速度成分が
一様化され、従ってエネルギー分析誤差を小さくするこ
とができるようになる。ノ この場合におけるコリメートグリッドの位置としては、
試料から対物レンズ側において対物レンズの磁束密度が
ピーク値の５０％に減少する点と引出グリッドとの間に
設けることが、エネルギー分析誤差を小さくする上で特
に好適である。
第１図は本発明の一実施例を示したものであって、第５
図におけると同じ部分を同じ番号で示し、８はコリメー
トグリッドである。
図におけると同じ部分を同じ番号で示し、８はコリメー
トグリッドである。
第１図の実施例においては、引出グリッド４と分析（減
速）グリッド５との間にコリメートグリッド８が設けら
れている。コリメートグリッド８は、これに適当な正電
位を与えることによって二次電子軌道７をコリメート（
平行化）し、二次電子の分析グリッド５に対する前述の
傾き角βを０に近付けて、二次電子放出角αの影響を小
さくする作用を行う。
速）グリッド５との間にコリメートグリッド８が設けら
れている。コリメートグリッド８は、これに適当な正電
位を与えることによって二次電子軌道７をコリメート（
平行化）し、二次電子の分析グリッド５に対する前述の
傾き角βを０に近付けて、二次電子放出角αの影響を小
さくする作用を行う。
第２図は第１図に示された実施例における二次電子軌道
とエネルギー分析誤差とを説明するものである。
とエネルギー分析誤差とを説明するものである。
第２図において（ａｌは対物レンズの磁界分布を示し、
試料面から電子ビーム源方向にとった距離Ｚ（ｎ）に対
する対物レンズ軸上の磁束密度ＢＺの分布は第７図の場
合と同じ形になる。同図においてＺＥは引出グリッドの
位置、ｚＣはコリメートグリッドの位置を示している。
試料面から電子ビーム源方向にとった距離Ｚ（ｎ）に対
する対物レンズ軸上の磁束密度ＢＺの分布は第７図の場
合と同じ形になる。同図においてＺＥは引出グリッドの
位置、ｚＣはコリメートグリッドの位置を示している。
二次電子はこのよづなレンズ磁界と、引出グリッド４．
コリメートグリフ１８２分析グリッド５のそれぞれの電
位に基づいて生じる静電界の重畳された空間を走行する
ことによって、（ｂ）に示すような二次電子軌道を描く
。山）は５ｅＶの二次電子における軌道を例示している
。
コリメートグリフ１８２分析グリッド５のそれぞれの電
位に基づいて生じる静電界の重畳された空間を走行する
ことによって、（ｂ）に示すような二次電子軌道を描く
。山）は５ｅＶの二次電子における軌道を例示している
。
第２図山）に示すように、コリメートグリッド８によっ
て二次電子のエネルギー（速度）を制御することによっ
て、放出角α＝０°〜８０ ”の二次電子の軌道がコリ
メートされ、分析グリッド５の位置においてほぼ傾き角
β＝０°となって、分析グリッド５に垂直に入射される
。従って二次電子の分析グリッド５に対するエネルギー
（速度）が−様になり、電圧測定誤差が減少する。
て二次電子のエネルギー（速度）を制御することによっ
て、放出角α＝０°〜８０ ”の二次電子の軌道がコリ
メートされ、分析グリッド５の位置においてほぼ傾き角
β＝０°となって、分析グリッド５に垂直に入射される
。従って二次電子の分析グリッド５に対するエネルギー
（速度）が−様になり、電圧測定誤差が減少する。
第２図において（Ｃ）はエネルギー分析特性の一例を示
したものであって、ＬＳＩ面における電圧測定誤差電圧
δＶ ＲＴ＝ ０．５ Ｖであり、第７図に示された従
来技術の場合と比較して、約１／６に減少する。
したものであって、ＬＳＩ面における電圧測定誤差電圧
δＶ ＲＴ＝ ０．５ Ｖであり、第７図に示された従
来技術の場合と比較して、約１／６に減少する。
この場合、コリメートグリッド８に印加する電圧（コリ
メート電圧）Ｖｃには、誤差電圧δＶＲＴが最小となる
最適値が存在する。第３図は最適コリメート電圧の一例
を示したものであって、試料面とコリメートグリッドと
の距％Ｉｉｔ Ｚ ＋ ＝ ＩＱｗｍＯ場合、最適コリ
メート電圧はほぼ１５０■であり、このとき電圧測定誤
差電圧の最小値δＶ ＲＴｍｉｎ ＃ ０゜５■が得ら
れることが示されている。
メート電圧）Ｖｃには、誤差電圧δＶＲＴが最小となる
最適値が存在する。第３図は最適コリメート電圧の一例
を示したものであって、試料面とコリメートグリッドと
の距％Ｉｉｔ Ｚ ＋ ＝ ＩＱｗｍＯ場合、最適コリ
メート電圧はほぼ１５０■であり、このとき電圧測定誤
差電圧の最小値δＶ ＲＴｍｉｎ ＃ ０゜５■が得ら
れることが示されている。
第４図はコリメートグリッド位置と電圧測定誤差電圧最
小値δＶ ＲＴＩＩＩｉｎ （太線）との関係を示し
たものであって、一般にコリメートグリッド位置が引出
グリッドに接近するほど、誤差電圧最小値δＶ ＲＴｍ
ｉｎは減少する。しかしながら試料面から電子ビーム源
方向において磁束密度ＢＺ（細線）がピーク値の１／２
に減少する点Ｚｏと、引出グリッド（ＺＥ）との間にお
いてはその変化は小さく、この範囲内にコリメートグリ
ッドを配置することによって、はぼ同じように電圧測定
誤差を小さく抑えることができる。
小値δＶ ＲＴＩＩＩｉｎ （太線）との関係を示し
たものであって、一般にコリメートグリッド位置が引出
グリッドに接近するほど、誤差電圧最小値δＶ ＲＴｍ
ｉｎは減少する。しかしながら試料面から電子ビーム源
方向において磁束密度ＢＺ（細線）がピーク値の１／２
に減少する点Ｚｏと、引出グリッド（ＺＥ）との間にお
いてはその変化は小さく、この範囲内にコリメートグリ
ッドを配置することによって、はぼ同じように電圧測定
誤差を小さく抑えることができる。
以上説明したように本発明によれば、平面からなる引出
グリッドと分析グリッドとを具えたエネルギー分析用電
子ビーム装置において、両グリッドの中間にコリメート
グリッドを配置して適当な電圧を印加することによって
、試料面から放出される二次電子のエネルギー分析を行
う際における、試料面からの二次電子放出角に対する依
存性を小さ（することができ、従って試料面における電
圧測定精度を向上することができる。
グリッドと分析グリッドとを具えたエネルギー分析用電
子ビーム装置において、両グリッドの中間にコリメート
グリッドを配置して適当な電圧を印加することによって
、試料面から放出される二次電子のエネルギー分析を行
う際における、試料面からの二次電子放出角に対する依
存性を小さ（することができ、従って試料面における電
圧測定精度を向上することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す図、
第２図は第１図に示された実施例における二次電子軌道
とエネルギー分析誤差とを説明する図、第３図は最適コ
リメート電圧の一例を示す図、第４図はコリメートグリ
ッド位置と、電圧測定誤差電圧最小値δＶ ＲＴｍｉｎ
との関係を示す図、第５図は従来のエネルギー分析器の
構成を示す図、 第６図は二次電子軌道に対する局所電界の効果を説明す
る図、 第７図は従来のエネルギー分析器内における二次電子軌
道とエネルギー分析誤差とを説明する図である。 １−・対物レンズ ２−電子ビーム ３・・・試料ＬＳＩ ４−引出グリッド ５−分析（減速）グリッド ６−二次電子検出器 ７・・−二次電子軌道 ８−コリメートグリッド
とエネルギー分析誤差とを説明する図、第３図は最適コ
リメート電圧の一例を示す図、第４図はコリメートグリ
ッド位置と、電圧測定誤差電圧最小値δＶ ＲＴｍｉｎ
との関係を示す図、第５図は従来のエネルギー分析器の
構成を示す図、 第６図は二次電子軌道に対する局所電界の効果を説明す
る図、 第７図は従来のエネルギー分析器内における二次電子軌
道とエネルギー分析誤差とを説明する図である。 １−・対物レンズ ２−電子ビーム ３・・・試料ＬＳＩ ４−引出グリッド ５−分析（減速）グリッド ６−二次電子検出器 ７・・−二次電子軌道 ８−コリメートグリッド
Claims (2)
- （１）電子ビーム（２）を試料（３）の面に入射する対
物レンズ（１）の内部にいずれも平面状のメッシュから
なる二次電子引き出し用の引出グリッド（４）と、二次
電子を減速してそのエネルギーを分析する分析グリッド
（５）とを具えてなる電子ビーム装置において、前記引
出グリッド（４）と分析グリッド（５）との中間に、引
き出された二次電子流をコリメートする少なくとも１枚
のコリメートグリッド（８）を設けたことを特徴とする
電子ビーム装置。 - （２）前記コリメートグリッド（８）が、試料（３）か
ら対物レンズ（１）側において該対物レンズ（１）の磁
束密度がピーク値の５０％に減少する点と引出グリッド
（４）との間に設けられたことを特徴とする請求項第１
項記載の電子ビーム装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63025353A JP2622575B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 電子ビーム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63025353A JP2622575B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 電子ビーム装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01200546A true JPH01200546A (ja) | 1989-08-11 |
| JP2622575B2 JP2622575B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=12163493
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5517028A (en) * | 1993-12-07 | 1996-05-14 | Fujitsu Limited | Electron beam apparatus for measuring a voltage of a sample |
Families Citing this family (1)
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-
1988
- 1988-02-05 JP JP63025353A patent/JP2622575B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2622575B2 (ja) | 1997-06-18 |
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