JPH01200593A - エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法 - Google Patents
エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH01200593A JPH01200593A JP63023887A JP2388788A JPH01200593A JP H01200593 A JPH01200593 A JP H01200593A JP 63023887 A JP63023887 A JP 63023887A JP 2388788 A JP2388788 A JP 2388788A JP H01200593 A JPH01200593 A JP H01200593A
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- JP
- Japan
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- ferroelectric
- layer
- insulation layer
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- electrode
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- Pending
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、低電圧て駆動することかできるエレクトロル
ミネセンス表示素子の製造方法の改良に関し、特にその
強誘電体絶縁層の形成方法の改良に関するものである。
ミネセンス表示素子の製造方法の改良に関し、特にその
強誘電体絶縁層の形成方法の改良に関するものである。
（従来技術）
エレクトロルミネセンス表示素子は、一般に絶縁基板と
この絶縁基板の上に取付けられた表示素子本体とから成
っており１表示素子本体は絶縁基板の上に順次設けられ
た第１の電極と強誘電体絶縁層と発光層と第２の電極と
を含んでいる。従来技術では、絶縁基板としてアルミナ
等のセラミック材料が用いられ１強誘電体絶縁層は、セ
ラミック絶縁基板及び第１の電極と共に焼成されたチタ
ン酸バリウムまたはチタン酸鉛から成っており、この強
誘電体絶縁層は。
この絶縁基板の上に取付けられた表示素子本体とから成
っており１表示素子本体は絶縁基板の上に順次設けられ
た第１の電極と強誘電体絶縁層と発光層と第２の電極と
を含んでいる。従来技術では、絶縁基板としてアルミナ
等のセラミック材料が用いられ１強誘電体絶縁層は、セ
ラミック絶縁基板及び第１の電極と共に焼成されたチタ
ン酸バリウムまたはチタン酸鉛から成っており、この強
誘電体絶縁層は。
発光層中に電流が注入するのを制限する働きを有する。
発光層は、ＺｎＳ等のＩＩ−ＶＩ材料中に発光センタと
してＭｎ、Ｔｂ等の遷移金属または稀土類元素を０．１
〜５重量％混入して形成されている。
してＭｎ、Ｔｂ等の遷移金属または稀土類元素を０．１
〜５重量％混入して形成されている。
（発明が解決しようとする課題）
この表示素子において発光層に上下の電極を介してＩ
Ｍ Ｖ ／ ｃ ｍ程度の高電界を印加すると、発光セ
ンタ特有の発光色で発光する。この構造の表示素子は強
誘電体絶縁層の焼ｒ＃、後の比誘電率が１００００以上
となり、ＩＫｈｚパルス駆動で発光しきい値が６０Ｖで
最高輝度が１０００ ｃ ｄ ／ ｍ ２以上となる。
Ｍ Ｖ ／ ｃ ｍ程度の高電界を印加すると、発光セ
ンタ特有の発光色で発光する。この構造の表示素子は強
誘電体絶縁層の焼ｒ＃、後の比誘電率が１００００以上
となり、ＩＫｈｚパルス駆動で発光しきい値が６０Ｖで
最高輝度が１０００ ｃ ｄ ／ ｍ ２以上となる。
しかし９強誘電体を焼成した後得られた結晶粒径はｌ終
ｍ以上であって発光層の膜厚以上の表面変動があるので
この絶縁層の上に良好な結晶性の薄膜を得ることかでき
ない。従って９発光層内で発光輝度の大きなばらつきか
生じ１発光しきい値電圧をすぎても輝度の立ち上がりが
急峻ではなくなり。
ｍ以上であって発光層の膜厚以上の表面変動があるので
この絶縁層の上に良好な結晶性の薄膜を得ることかでき
ない。従って９発光層内で発光輝度の大きなばらつきか
生じ１発光しきい値電圧をすぎても輝度の立ち上がりが
急峻ではなくなり。
また強誘電体の結晶粒界から発光に寄与しない移動電荷
があるので効率が低い欠点があった。
があるので効率が低い欠点があった。
本発明の目的は、絶縁層である強誘電体の結晶性及び表
面平滑性を改善して高い効率を有し安定した発光特性を
有するエレクトロルミネセンス表示素子を製造する方法
を提供することにある。
面平滑性を改善して高い効率を有し安定した発光特性を
有するエレクトロルミネセンス表示素子を製造する方法
を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明に係る方法によって製造されるエレクトロルミネ
センス表示素子は、ガラス基板とこのガラス基板の上に
取付けられた表示素子本体とから成り、この表示素子本
体はガラス基板の上に順次設けられた第１の電極と強誘
電体絶縁層と発光層と第２の電極とを含んでおり９本発
明の製造方法によれば１強誘電体絶縁層はガラス基板上
の第１の電極の上に未焼成の強誘電体粉末材料を溶剤に
溶かして塗布した後ガラス基板と第１の電極とを通して
レーザビームを照射して焼成して形成することを特徴と
している。
センス表示素子は、ガラス基板とこのガラス基板の上に
取付けられた表示素子本体とから成り、この表示素子本
体はガラス基板の上に順次設けられた第１の電極と強誘
電体絶縁層と発光層と第２の電極とを含んでおり９本発
明の製造方法によれば１強誘電体絶縁層はガラス基板上
の第１の電極の上に未焼成の強誘電体粉末材料を溶剤に
溶かして塗布した後ガラス基板と第１の電極とを通して
レーザビームを照射して焼成して形成することを特徴と
している。
（作用）
強誘電体絶縁層をこのように未焼成粉末材料に直接レー
ザビームを照射して形成すると９強誘電体絶縁層は薄く
且つ比誘電率が大きくなるのて従来に比べて発光しきい
値電圧が２０Ｖ低くなり、また粒界からの漏れ電流が少
なくなるために従来に比べて効率が５〜６倍向上する。
ザビームを照射して形成すると９強誘電体絶縁層は薄く
且つ比誘電率が大きくなるのて従来に比べて発光しきい
値電圧が２０Ｖ低くなり、また粒界からの漏れ電流が少
なくなるために従来に比べて効率が５〜６倍向上する。
（実施例）
本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明すると、第
１図は本発明の方法によって製造されるエレクトロルミ
ネセンス表示素子１０を示し、このエレクトロルミネセ
ンス表示素子ｌＯは、ガラス基板１２と、このガラス基
板１２の上に取付けられた表示素子本体１４とから成っ
ている。表示素子本体１４はガラス基板１２の上に順次
設けられたＩ Ｔｏ、 Ｚ’ｎＯ： Ａ １等から成る
透明の第１の電極１６と、後にのべる方法によって形成
される強誘電体絶縁層１８と。
１図は本発明の方法によって製造されるエレクトロルミ
ネセンス表示素子１０を示し、このエレクトロルミネセ
ンス表示素子ｌＯは、ガラス基板１２と、このガラス基
板１２の上に取付けられた表示素子本体１４とから成っ
ている。表示素子本体１４はガラス基板１２の上に順次
設けられたＩ Ｔｏ、 Ｚ’ｎＯ： Ａ １等から成る
透明の第１の電極１６と、後にのべる方法によって形成
される強誘電体絶縁層１８と。
硫化亜鉛（ＺｎＳ）、ＭＥ化カルシウム（ＣａＳ）の如
きＩＩ−Ｖｌ化合物中に発光センタとして遷移金属また
は稀土類元素を０．１〜５重量％含む材料から成る発光
層２０と、ＩＴＯ，Ｚｎｏ：Ａｌの如き透明導電性材料
から成る第２の電極２２とを含んでいる。図示の実施例
では、強誘電体絶縁層１８と発光層２０との間に強誘電
体絶縁層１８．例えばＰ ｄ Ｔ ｉ Ｏｙ中のＰｄま
たはＴｉが発光層２０に拡散して輝度が低下するのを防
止するためにＳｉＯ，、Ｔａ２０５の如き介在層２４が
設けられている。
きＩＩ−Ｖｌ化合物中に発光センタとして遷移金属また
は稀土類元素を０．１〜５重量％含む材料から成る発光
層２０と、ＩＴＯ，Ｚｎｏ：Ａｌの如き透明導電性材料
から成る第２の電極２２とを含んでいる。図示の実施例
では、強誘電体絶縁層１８と発光層２０との間に強誘電
体絶縁層１８．例えばＰ ｄ Ｔ ｉ Ｏｙ中のＰｄま
たはＴｉが発光層２０に拡散して輝度が低下するのを防
止するためにＳｉＯ，、Ｔａ２０５の如き介在層２４が
設けられている。
強誘電体絶縁層１８は、第２図に示すように、ガラス基
板１２上の第１の電極１６の上にＰｄＴｉｏｚ（チタン
酸鉛）の如き未焼成の微細な強誘電体粉末材料をエタノ
ールの如き溶剤に溶かして分散させて１０〜２０ｐｍの
厚みに塗布し、溶剤を１００℃〜１５０°Ｃの温度で乾
燥した後ガラス基板１２と第１の電極１６とを通してキ
セノン、ＹＡＧレーザ等の紫外線レーザビーム２６を８
０Ｊ／ｃｍ”以上のパワーてＰｄ Ｔ ｉ Ｏｚに照射
し焼成して形成する。尚、介在層２４はＳ ｉ０２ 、
Ｔａ２０５またはその混合物をスパッタリング法、ＥＢ
Ｊ着法によって成膜して形成し９発光層２０はＺｎ：Ｓ
Ｍｎ（１重量％）をＥＢ蒸着法、ＭＯ−ＣＶＤ法、スパ
ッタリング法等によって５０００Ａ程度の厚みに成膜し
て形成する。
板１２上の第１の電極１６の上にＰｄＴｉｏｚ（チタン
酸鉛）の如き未焼成の微細な強誘電体粉末材料をエタノ
ールの如き溶剤に溶かして分散させて１０〜２０ｐｍの
厚みに塗布し、溶剤を１００℃〜１５０°Ｃの温度で乾
燥した後ガラス基板１２と第１の電極１６とを通してキ
セノン、ＹＡＧレーザ等の紫外線レーザビーム２６を８
０Ｊ／ｃｍ”以上のパワーてＰｄ Ｔ ｉ Ｏｚに照射
し焼成して形成する。尚、介在層２４はＳ ｉ０２ 、
Ｔａ２０５またはその混合物をスパッタリング法、ＥＢ
Ｊ着法によって成膜して形成し９発光層２０はＺｎ：Ｓ
Ｍｎ（１重量％）をＥＢ蒸着法、ＭＯ−ＣＶＤ法、スパ
ッタリング法等によって５０００Ａ程度の厚みに成膜し
て形成する。
強誘電体絶縁層１８をこのように未焼成粉末材料に直接
レーザビームを照射して形成すると、強誘電体絶縁Ｐ１
８は５〜１５ＪＬｍと薄く形成することができ、またそ
の比誘電率は８０００以上に大きく、且つ絶縁層１８は
柱状結晶構造となって表面が充分に平滑となる。従って
。
レーザビームを照射して形成すると、強誘電体絶縁Ｐ１
８は５〜１５ＪＬｍと薄く形成することができ、またそ
の比誘電率は８０００以上に大きく、且つ絶縁層１８は
柱状結晶構造となって表面が充分に平滑となる。従って
。
従来に比べて発光しきい値電圧が２０Ｖ低くなり、また
粒界からの漏れ電流が少なくなるために従来に比べて効
率が５〜６倍向上する。尚。
粒界からの漏れ電流が少なくなるために従来に比べて効
率が５〜６倍向上する。尚。
上記実施例では９強誘電体絶縁層１８の材料としてＰｄ
Ｔｉ０．か用いられたが、これ以外にＳ ｒ Ｔ ａ
Ｏ３（タンタル酸ストロンチウム）を用いることができ
、いずれの場合も鉄、マンガン等の不純物を含んでいて
もよい。また、レザビームは紫外線の外に赤外線を用い
てもよく。
Ｔｉ０．か用いられたが、これ以外にＳ ｒ Ｔ ａ
Ｏ３（タンタル酸ストロンチウム）を用いることができ
、いずれの場合も鉄、マンガン等の不純物を含んでいて
もよい。また、レザビームは紫外線の外に赤外線を用い
てもよく。
この場合には電極であるＩＴＯが黒化し抵抗率が変化し
て好ましい。
て好ましい。
（発明の効果）
本発明によれば、上記のように２強誘電体絶縁層は薄く
大きな比誘電率で形成することができる上に表面が平滑
となるのでこの絶縁層の上に設けられた発光層の結晶性
が向上し、従って発光特性が向上し、また電界が効率的
に印加されるのて発光効率を向上することができる実益
がある。
大きな比誘電率で形成することができる上に表面が平滑
となるのでこの絶縁層の上に設けられた発光層の結晶性
が向上し、従って発光特性が向上し、また電界が効率的
に印加されるのて発光効率を向上することができる実益
がある。
第１図は本発明の方法によって製造されるエレクトロル
ミネセンス表示素子の断面図、第２図は本発明の要部の
拡大断面図である。
ミネセンス表示素子の断面図、第２図は本発明の要部の
拡大断面図である。
１０−−−ｍ−エレクトロルミネセンス表示素子、１２
−−−−−ガラス基板、１４−−一−−表示素子本体、
１６．２２−−−−一第１及び第２の電極、１８−−−
−一強誘電体絶縁層、２６−−−−−レーザビーム。
−−−−−ガラス基板、１４−−一−−表示素子本体、
１６．２２−−−−一第１及び第２の電極、１８−−−
−一強誘電体絶縁層、２６−−−−−レーザビーム。
Claims (1)
- ガラス基板と前記ガラス基板の上に取付けられた表示
素子本体とから成り，前記表示素子本体は前記ガラス基
板の上に順次設けられた第１の電極と強誘電体絶縁層と
発光層と第２の電極とを含むエレクトロルミネセンス表
示素子の製造方法において，前記強誘電体絶縁層は前記
ガラス基板上の第１の電極の上に未焼成の強誘電体粉末
材料を溶剤に溶かして塗布した後前記ガラス基板と第１
の電極とを通してレーザビームを照射して焼成して形成
することを特徴とするエレクトロルミネセンス表示素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63023887A JPH01200593A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63023887A JPH01200593A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01200593A true JPH01200593A (ja) | 1989-08-11 |
Family
ID=12122960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63023887A Pending JPH01200593A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01200593A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4128267A1 (de) * | 1990-09-01 | 1992-03-05 | Fuji Electric Co Ltd | Elektrolumineszenz- (el) - anzeigetafel und verfahren zu deren herstellung |
| WO1998054094A1 (en) * | 1997-05-26 | 1998-12-03 | Kri International, Inc. | PROCESS FOR PREPARING In2O3-SnO2 PRECURSOR SOL AND PROCESS FOR PREPARING THIN FILM OF In2O3-SnO¿2? |
| GB2347145A (en) * | 1999-02-25 | 2000-08-30 | Agency Ind Science Techn | Method for producing a metal oxide and forming a minute pattern thereof |
-
1988
- 1988-02-05 JP JP63023887A patent/JPH01200593A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4128267A1 (de) * | 1990-09-01 | 1992-03-05 | Fuji Electric Co Ltd | Elektrolumineszenz- (el) - anzeigetafel und verfahren zu deren herstellung |
| WO1998054094A1 (en) * | 1997-05-26 | 1998-12-03 | Kri International, Inc. | PROCESS FOR PREPARING In2O3-SnO2 PRECURSOR SOL AND PROCESS FOR PREPARING THIN FILM OF In2O3-SnO¿2? |
| US6235260B1 (en) | 1997-05-26 | 2001-05-22 | Kri International, Inc. | Method for producing In2O3—SnO2 precursor sol |
| GB2347145A (en) * | 1999-02-25 | 2000-08-30 | Agency Ind Science Techn | Method for producing a metal oxide and forming a minute pattern thereof |
| GB2347145B (en) * | 1999-02-25 | 2001-05-02 | Agency Ind Science Techn | Method for producing a metal oxide and method for forming a minute pattern |
| US6576302B1 (en) | 1999-02-25 | 2003-06-10 | Agency Of Industrial Science And Technology | Method for producing a metal oxide and method for forming a minute pattern |
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