JPS6244986A - 薄膜el素子の製造方法 - Google Patents

薄膜el素子の製造方法

Info

Publication number
JPS6244986A
JPS6244986A JP60184744A JP18474485A JPS6244986A JP S6244986 A JPS6244986 A JP S6244986A JP 60184744 A JP60184744 A JP 60184744A JP 18474485 A JP18474485 A JP 18474485A JP S6244986 A JPS6244986 A JP S6244986A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
film
thin
light emitting
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60184744A
Other languages
English (en)
Inventor
布村 惠史
和明 内海
彰 有泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Nippon Soda Co Ltd
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Soda Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Soda Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP60184744A priority Critical patent/JPS6244986A/ja
Publication of JPS6244986A publication Critical patent/JPS6244986A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は発光表示装置や面光源として利用される交流駆
動型の薄膜EL素子に係り、特に新規な絶縁体層薄膜を
採用した低電圧駆動、且つ高信頼な薄膜EL素子の製造
方法に関するものである。
(従来技術) 第2図に代表的な交流駆動の薄膜EL素子の断面構造を
示す(ニス・アイ・ディ・74・ダイジェスト・オブ・
テクニカル・ペーパー184頁、(STD 74 di
gest oftechnical papers))
。図において前記薄膜EL素子は透明ガラス基板21上
にITO膜やネサ膜からなる透明電極22、薄膜第一絶
縁体層23、ZnS:MnやZnS:TbF3薄膜等の
発光層24、更にその上に薄膜第二絶縁体層25、Al
薄膜等の背面電極26からなる多層薄膜構造を有してい
る。この素子の両電極間に交流電圧を印加することによ
り発光が得られる。この発光は2MV/cm程度の高電
場により伝導帯に上げられ、且つ高速に加速された発光
層内の電子がMn等の発光中心を衝突励起することによ
り生ずるものである。発光色は発光中心の励起状態と基
底状態のエネルギー準位差で決定される、例えばMnで
は黄橙色でありTbでは緑色の発光が得られる。
また、第2図中の絶縁体層は直流的に発光層に過大な電
流が流れ素子が破壊することを防ぐと共に、分極による
電場が外部駆動の交流電場に重畳される効果により発光
効率の向上、電圧輝度特性の非線型性の増大等の発行特
性の改善をももたらしており、この絶縁体層の採用によ
り、薄膜EL素子が始めて実用的なものとなった。絶縁
体層としては従来からY2O5,Al2O3,5iaN
4.Ta205.Sm20a、TiO2゜BaTi0a
、5rTiOa、PbTi0a等の薄膜が真空蒸着やス
パッタ法により形成され使用されている。
(発明が解決しようとする問題点) 交流駆動型の薄膜EL素子にとって絶縁体層は非常に重
要である。EL素子の動作特性上は絶縁体層はコンデン
サーとして等価回路的に理解される。
即ち、両電極間に印加された外部電圧は絶縁体層と発光
層の各容量に反比例して各々の層に分割印加される。従
って絶縁体層の容量が小さい素子構成の場合は外部電圧
が有効に発光層に印加されないために非常に高い外部電
圧が必要となる。また、交流的に発光層内を流れ発光に
寄与する電流は絶縁体層の容量に比例するために、絶縁
体層の容量が小さい場合は高輝度発光を得ることができ
ない。従って絶縁体層の容量を大きくすることはEL素
子の低電圧駆動化、高輝度化にとって重要である。絶縁
体層の大容量化の実現のために通常使用されテイルY2
o3.Al2O3,Si3N4等を極メチ薄イ膜厚とす
る方策はEL素子の絶縁破壊が著しく発生するために不
適当であり、誘電率の高い材料で絶縁体層を構成するこ
とが好ましい。例えばスパッタ法により形成された約2
00の比誘電率を有するP))Tioa薄膜を絶縁体層
として採用することにより低電圧駆動EL素子が実現さ
れることが報告されている(アイ・イー・イー・イー件
うンザクションズ・オン・エレクトロン・デバイスズ、
(IEEE Tran、s、 ElectronDev
ices ED−28,p69g (1981)))、
(特開昭56−45595)。しかし、EL素子用とし
て誘電率の高いPbTi0a薄をスパッタ法により形成
するためには前記の文献で報告されているようにスパッ
タ成膜に伴なう組成ずれがあり再現性にとぼしくまた、
高誘電率の結晶相を得るためには600°C程度の非常
に高い基板温度が要求される。表示パネルとして必要な
大面積基板への成膜にとっては」二連した問題は非常に
厳しいものであり、十分な生産性を実現することは困難
である。更に、PbTi0aのスパッタ成膜により基板
ガラスの腐食やITO透明電極の黒化等の問題があり薄
膜EL素子の絶縁体層として採用しにくいものであった
また、高誘電率であるために比較的厚い薄膜のPbTi
0a薄を採用したとしてもスパッタ等の成膜法で作成し
た膜ではピンホール等の微小な欠陥を皆無にすることは
困難であり、この欠陥部を核として通電による素子破壊
が生じやすい傾向があった。従ってPbTi0a等を代
表とする高誘電率の薄膜を絶縁体層として採用すること
はEL素子特性上魅力のあるものであるが、工業的に採
用することは困難であった。
本発明は上述したような種々の問題を解決した高誘電率
薄膜を絶縁体層とした薄膜EL素子を実現し、低電圧駆
動、高輝度発光で且つ低コストで信頼性の高いEL表示
装置の製造方法を提供することを目的としている。
(問題を解決するための手段) 本発明の薄膜EL素子の製造方法は少なくとも一方が透
光性を有している2枚の電極間にZnS:Mn薄膜等の
発光層と該発光層の片側あるいは両側に薄膜の絶縁体層
とが形成されてなる薄膜EL素子の製造方法において、
少なくとも一方の前記絶縁体層を形成するため少なくと
もTiを含む有機金属が溶媒中に溶解されてなる前駆体
溶液を塗布し、加熱焼成してTiを含む酸化物を形成す
る処理を複数回繰り返す工程を含むことを特徴とする薄
膜EL素子の製造方法。
(作用) 本発明のEL素子の絶縁体層を形成するための前駆体溶
液は高誘電率であるTiを含む酸化物、例えばTiO2
,PbTi0a、BaTiO3,5rTiOaやこれら
の固溶体及びPZT、PLZT等を加熱焼成により形成
するものであり、p−ジケトン類を溶媒として、その中
にチタンアルコキシド類等の有機チタン化合物、あるい
はこれらの化合物とり、ジケトン類に可溶なPb、Ba
、Sr。
Zr等の化合物やTiとPb、Ba、Sr、Zr等を含
む有機金属化合物を生成する酸化物に換算して5〜20
重量%程度含有するものである。この前駆体溶液をIT
O膜等の下部電極が形成されてなるガラス等の基板に浸
漬法やスピンコード法、ローラーコー[1、スフレ−法
等で薄く塗布した後、450°C〜700°C加熱焼成
することによりTiを含む酸化物薄膜を得るものである
。この処理を少なくとも2回以」二繰り返し所定の膜厚
を得るものである。この後、通常の薄膜EL素子を作成
する方法と同様の工程で発光層等を形成し、本発明の薄
膜EL素子を得るものである。
絶縁体層成膜に前駆体溶液塗布による有機金属の熱分解
法を採用することにより、高誘電率を実現するために必
要な化学量論比や組成比の調整がスパッタ等の成膜法に
比較して容易に行なうことができ、数10から3膜0程
度の比誘電率を有する薄膜を得ることができる。この方
法で作成した膜はピンホール等の欠陥も非常に少なく、
加えて塗布、焼成を繰り返すことにより一回の工程で微
小な欠陥が発生したとしても、これを補修しあうために
実用上問題となるピンホール等の欠陥を皆無にすること
ができる。また、基板ガラス表面の傷や砂目、あるいは
ITO膜に発生している多数のピンホール等の欠陥、更
にITO電極のエツチング段差等の凹凸部の影響による
素子破壊が従来の薄膜EL素子では生じやすい傾向にあ
った。
第一絶縁体層を形成するための前駆体溶液は基板の傷や
ピンホール等の穴や段差部により厚く付着するために凹
凸が補修されなだらかな表面を形成する効果があること
もEL素子の絶縁破壊を防止することに有効である。
以上のように本発明の製造方法により欠陥のない、高誘
電率の絶縁体層が比較的低コスト大面積に成膜されるた
めに低電圧駆動で高輝度、高信頼の優れた薄膜EL素子
を実現できる。
(実施例) 第1図に実施例で作成した薄膜EL素子の断面を示し、
以下に工程を説明する。コーニング7059ガラス基板
11上にITOを約0.2ミクロン成膜し透明電極12
を形成した。テトラブトキシチタン:Ti(OC4H9
)4と酢酸鉛:Pb(CH3COO)2とをTi/Pb
比が1になるように秤量しバラキシレン中において13
0〜140°Cに加熱し反応させ粉末状の反応生成物:
Pb−Ti02(OC4Hc+)2を得た。これをアセ
チルアセトンに溶解しPbTi0a換算濃度1換算量%
のPbTi0a形成前駆体溶液を調整した。この溶液を
ローラーコーターにより前記基板に塗布した。ついで5
50°Cに保持されたトンネル炉により加熱焼成した。
550°C加熱温度の保持時間は約30分間である。こ
の塗布焼成工程を5回繰り返して厚さ0.6ミクロンの
PbTiO3膜13を得た。この膜の1誘電率は約20
0であり薄膜としては大きな誘電率が実現されていた。
次にMnを1モル%含んだZnS:Mn薄膜14を真空
蒸着法ににより0.3ミクロンの厚さに成膜した。その
後、Ta205と5i02粉末を混合焼結させたターゲ
ットをもちいてスパッタ法により第二絶縁体層15とし
てTa−8i−0膜を0.2ミクロン厚さに成膜した。
最後に蒸着によりAIの上部電極16を形成して本実施
例のEL素子を得た。
この素子に500Hzの交流パルスを印加して発光特性
を調査した。発光開始電圧は60Vであり、90V印加
で700cd/m2の輝度が得られた。また、第二絶縁
体層を形成しない片線縁型の素子とした場合は発光効率
、長期使用による輝度低下において若干劣ったが発光開
始電圧を45V程度に下げることができた。
なお、本実施例では発光層成膜に先立って形成される第
一絶縁体層に有機金属熱分解によるTiを含む酸化物薄
膜を採用した。該薄膜を第二絶縁体層として発光層成膜
後に形成しても良いが、この場合は前駆体溶液の加熱焼
成時に発光層との反応があるためか、発光輝度の低下が
あった。この問題は前駆体溶液の原料や加熱工程等の検
討で改善されると期待されるが、現時点では発光層成膜
前に形成される絶縁体層としてのみ採用する方が好まし
かった。
また、有機金属溶液によりPbTi0a膜を形成した場
合について述べたが有機金属原料の選定によりTiO2
,5rTiOa、BaTiO2,PZT、PLZT等や
これらの複合体膜を成膜することが可能であり、本実施
例と同様の効果が得られる。
(発明の効果) 本発明により駆動電圧の低い薄膜EL素子が実現される
。また、本発明により得られる素子は絶縁破壊が生じに
くく信頼性も良好であった。溶液塗布による製造方法は
大面積基板での成膜にも適しており、通常のスパッタ法
の方法に比較してコスト的なメリットも大きく、本発明
は工業的価値の大なるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による実施例を説明するための薄膜EL
素子の断面構造である。第2図は従来の薄膜EL素子の
断面構造である。 11.21・・・ガラス基板、  12.22・・・透
明電極、13・・・有機金属熱分解PbTi0a膜、2
3・・・第一絶縁体層、   14.24・・・発光層
、15.25・・・第二絶縁体層、 16.26・・・
背面電極第1図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  少なくとも一方が透光性を有している2枚の電極間に
    ZnS:Mn薄膜等の発光層と該発光層の片側あるいは
    両側に薄膜の絶縁体層とが形成されてなる薄膜EL素子
    の製造方法において、少なくとも一方の前記絶縁体層を
    形成するため少なくともTiを含む有機金属が溶媒中に
    溶解されてなる前駆体溶液を塗布し、加熱焼成してTi
    を含む酸化物を形成する処理を複数回繰り返す工程を含
    むことを特徴とする薄膜EL素子の製造方法。
JP60184744A 1985-08-21 1985-08-21 薄膜el素子の製造方法 Pending JPS6244986A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60184744A JPS6244986A (ja) 1985-08-21 1985-08-21 薄膜el素子の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60184744A JPS6244986A (ja) 1985-08-21 1985-08-21 薄膜el素子の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6244986A true JPS6244986A (ja) 1987-02-26

Family

ID=16158584

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60184744A Pending JPS6244986A (ja) 1985-08-21 1985-08-21 薄膜el素子の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6244986A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63226895A (ja) * 1987-03-17 1988-09-21 アルプス電気株式会社 エレクトロルミネツセント素子の製造方法
JP2002158094A (ja) * 2000-11-17 2002-05-31 Tdk Corp 薄膜el素子及びその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63226895A (ja) * 1987-03-17 1988-09-21 アルプス電気株式会社 エレクトロルミネツセント素子の製造方法
JP2002158094A (ja) * 2000-11-17 2002-05-31 Tdk Corp 薄膜el素子及びその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2770299B2 (ja) 薄膜el素子及びその製造方法、並びにそのために使用するスパッタ用ターゲット
US20080315762A1 (en) Laminated thick film dielectric structure for thick film dielectric electroluminescent displays
CN100484354C (zh) 用于厚膜电致发光显示器的插入层
JPS60182692A (ja) 薄膜el素子とその製造方法
CN100456903C (zh) 电致发光功能膜和电致发光元件
JPS6244989A (ja) 薄膜el素子
JPH0744072B2 (ja) El素子とその製造方法
JPS6244986A (ja) 薄膜el素子の製造方法
JPH07272853A (ja) 多層電界発光素子の製造方法
JP3895141B2 (ja) 薄膜el素子及びその製造方法
JPH08162273A (ja) 薄膜el素子
JPS6244988A (ja) 薄膜el素子
JPS6359519B2 (ja)
JPH01241793A (ja) 薄膜el素子
JPH01200593A (ja) エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法
JPS6147096A (ja) 薄膜el素子の製造方法
JPH0824071B2 (ja) 薄膜エレクトロルミネセンス素子
JPS63232296A (ja) 薄膜エレクトロルミネセンス素子
JPH09260060A (ja) エレクトロルミネッセンス素子及びその製造法
JPS60257098A (ja) 薄膜エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法
JP2003249374A (ja) 薄膜el素子
JPS6366895A (ja) 薄膜el素子のエ−ジング方法
JPH01146290A (ja) 薄膜el素子
JPS62108496A (ja) 薄膜el素子
JPS6196696A (ja) 薄膜el素子の製造方法