JPH01200659A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造技術、特に、樹脂封止形パ
ッケージを備えている半導体装置における耐湿性向上技
術に関し、例えば、表面実装形樹脂封止パッケージを（
ｌＩＩｉえているパイ・ポーラ形半導体集積回路装置の
製造に利用して有効なものに関する。

〔従来の技術〕

従来、樹脂封止形パッケージを備えている半導体装置は
多湿な環境で使用されると、故障が多く発生し、また、
その寿命も短いという欠点があった。そして、その故障
の殆どは、樹脂封止形パッケージ内のペレットに水分が
付着することにより、ペレット表面の電極およびこの電
極に接続するアルミニュウム配線部が腐食されて断線が
生じる結果起きるということが判明した。

そこで、このような故障の発生原因になる湿気の侵入を
防止する樹脂封止形パッケージを備えている半導体装置
として、特公昭５５−４１０２２号公報に記載されてい
るように、支持基板上に固定される半導体ペレットと、
この半導体ペレットのまわりを無端状で取り囲むように
前記支持基板表面に設けられた複数の突状または凹溝と
、前記半導体ペレットを被覆する樹脂とを備えている半
導体装置、がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、このような半導体装置においては、支持基板の
表面に突状または凹溝が半導体ペレットを取り囲むよう
に配されて複数条形成されているに過ぎないため、−表
面実装型プラスチック・パッケージを備えている半導体
装置等のように、支持基板としてリードフレームが使用
されている半導体装置においては、リード群からの湿気
の侵入を防止する効果が不充分になり耐湿性が低下する
という問題点があることが、本発明者によって明らかに
された。

本発明の目的は、リードフレームを用いて製造される半
導体装置であって、樹脂封止型パッケージを備えている
半導体装置における耐湿性低下の発生を防止することが
できる半導体装置の製造技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔課題を解決するための手段］ 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである。

すなわち、半導体ペレットと、半導体ペレットがボンデ
ィングされているタブと、タブの周囲に配設されている
複数本のリードと、半導体ペレットの電極および各リー
ドに両端部をボンディングされて橋絡されているワイヤ
と、半導体ペレ７）、タブ、リードの一部、およびワイ
ヤを樹脂封止するパッケージとを備えている半導体装置
において、前記リード群に凸部および凹部を前記パッケ
ージ内に配してそれぞれ形成したものである。

〔作用〕

前記した手段によれば、リード群に凸部および凹部が前
記パッケージ内に配されてそれぞれ形成されているため
、樹脂封止形パッケージとリードとの境界に沿って侵入
する水分が半導体ペレットに至るまでの距離は飛躍的に
増加することになるばかりでなく、凹部の深さが相対的
に増加されることにより、凹部に溜められる水分量が飛
躍的に多くなるため、水分が半導体ペレットに達する事
態は確実に防止されることになる。

また、リード群に形成された凸部および凹部がパッケー
ジの樹脂と強固に形状結合することにより、パッケージ
との接着境界面間に剥がれが発生する現象が防止される
ため、水分が樹脂封止形パッケージとリードとの境界に
沿って侵入する現象自体も防止されることになる。した
がって、この剥離発生防止効果と、前記水分の侵入進行
防止効果との相乗効果により、半導体装置としての耐湿
性が大幅に向上されることになる。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例である樹脂封止形ＭＳＰ・Ｉ
Ｃを示す一部切断正面図、第２図〜第１６図は本発明の
一実施例であるそのＭＳＰ・ＩＣの製造方法を示す各説
明図である。

本実施例において、本発明にかかる半導体装置は、高密
度実装を実現するための半導体集積回路装置（以下、Ｉ
Ｃという。）である樹脂封止形ミニ・スクエア・パッケ
ージを備えているｌＣ（以下、ＭＳＰ−ＩＣ，または、
単に、ＩＣということがある。）として構成されている
。ごの樹脂封止形ＭＳＰ・ＩＣはシリコン半導体ペレッ
ト（以下、ペレットという、）１２と、ペレットがボン
ディングされているタブ８と、ペレットをタブにボンデ
ィングさせているボンディングＪＷＩＩと、タブ８の周
囲に配設されている複数本のり一部９と、ペレット１２
の各電極および各リード９にその両端部をそれぞれボン
ディングされて橋絡されているワイヤ１３と、これらを
樹脂封止するパッケージ１４とを備えており、前記リー
ド９のそれぞれには凸部１０ａおよび凹部１０ｂが前記
パッケージ１４内において、内外方向で交互になるよう
に配されて一体的に形成されている。そして、このＭＳ
Ｐ−ＩＣは次のような製造方法により製造されている。

以下、本発明の一実施例であるこの樹脂封止形ＭＳＰ・
ＩＣの製造方法を説明する。この説明により、前記ＭＳ
Ｐ−ＩＣについての構成の詳細が明らかにされる。

本実施例において、樹脂封止形ＭＳＰ−ＩＣの製造方法
には、第２図に示されている多連リードフレーム１が使
用されている。この多連リードフレーム１は燐青銅や無
酸素銅等のような銅系（銅またはその合金）材料からな
る薄板を用いて、打ち抜きプレス加工またはエツチング
加工等のような適当な手段により一体成形されており、
この多連リードフレームｌの表面にはめっき処理が施さ
れていない。この多連リードフレームｌには複数の単位
リードフレーム２が横方向に１列に並設されている。

単位り゛−ドフレーム２は位置決め孔３ａが開設されて
いる外枠３を一対備えており、両外枠３は所定の間隔で
平行になるように配されて一連にそれぞれ延設されてい
る。隣り合う単位リードフレーム２．２間には一対のセ
クション枠４が両外枠３．３間に互いに平行に配されて
一体的に架設されており、これら外枠、セクション枠に
より形成される略正方形の枠体内に単位リードフレーム
２が構成されている。

各単位リードフレーム２において、外枠３およびセクシ
ョンパー４の接続部にはダム吊り部材５が略直角方向に
それぞれ配されて一体的に突設されており、ダム吊り部
材５には４本のダム部材６が略正方形の枠形状になるよ
うに配されて、一体的に吊持されている。セクション枠
４側の各ダム部材６にはタブ吊りリード７が両端に配さ
れて、略４５度方向に一体的に突設されており、各タブ
吊りリード７の先端には略正方形の平板形状に形成され
たタブ８が、ダム部材６群の枠形状と略同心的に配され
て一体的に吊持されている。ダム部材６には複数本のリ
ード９が長手方向に等間隔に配されて、互いに平行で、
ダム部材６と直交するように一体的に突設されており、
各リード９のタブ側端部は先端をタブ８に近接してこれ
を取り囲むように配されることにより、インナ部９ａを
それぞれ構成している。他方、各リード９の反タブ側延
長部分は、その先端が外枠３およびセクション枠４から
離間して切り離され、アウタ部９ｂをそれぞれ構成して
いる。そして、ダム部材６における隣り合うリード９．
９間の部分は後述するパッケージ成形時にレジンの流れ
をせき止めるダム６ａを実質的に構成している。

本実施例において、リード９の表面および裏面には複数
条の凸部１０ａおよび凹部１０ｂがダム部材６近傍の内
寄り位置において、内外方向で交互に隣合うように配さ
れてそれぞれ一体的に形成されており、タブ吊りリード
７（以下、単にリードというとき、タブ吊りリードも含
むものとする。

）群にも複数条の凸部１．０　ａおよび凹部１０ｂが同
様に配されてそれぞれ一体的に形成されている。

これら凸部１０ａおよび凹部１０ｂは多連リードフレー
ム１の製作工程において、圧印加工（ＣＯｉｎｉｎｇ）
を施されることにより、一体的に成形されている。

すなわち、第３図に示されているように、圧印加工装置
１５の上型１６および下型１７における合わせ面比は圧
印模様部１８ａおよび１８ｂが、凸部１０ａおよび凹部
ｔｏｂに対応するように配されて形成されている。そし
て、上型１６および下型１７が型締めされると、各リー
ドの一部が圧縮されるため、各リードに圧印模様部１８
ａおよび１８ｂが圧印加工により凸部１０ａおよび凹部
１０ｂとして写し出されることになる。このとき、リー
ドにおいて凸部１０ａと凹部１０ｂとが隣合わせに配設
されていると、圧印加工作用における圧印模様部１８ａ
と１８ｂとの間の肉の移行がスムーズに行われるため、
歪み応力は最小限度に抑えられることになる。

これら凸部１０ａおよび凹部ｌＯｂは各リードにおいて
全周囲にわたるようにリング形状に形成することが望ま
しいが、リードの厚さはきわめて薄いことにより、リー
ドの幅方向の両側面において水分が沿って侵入すること
になるパッケージとの境界の面積はきわめて狭いため、
リードの幅方向の両側面における凸部および凹部は省略
してもよい。リードの幅方向の両側面における凸部およ
び凹部の形成を省略した場合には、リードに対する凸部
および凹部の成形作業は、多連リードフレームが打抜き
プレス成形される以前の素材において圧印加工すること
により実施してもよく、この場合には、生産性の低下を
最小限度に抑制することができる。

ちなみに、リードの厚さが薄いため、リードの表面およ
び裏面に凸部および凹部が横断するように配されて全幅
にわたって形成されると、リードの長手方向断面形状が
蛇行形状になり、その結果、リードの幅方向の両側面に
おける水分の侵入経路は長（なる。

また、リードの幅方向両側面への凸部および凹部の成形
方法としては、多連リードフレームについての打抜きプ
レス成形によりリード群が形成された段階で、リードの
それぞれについてすえ込み加工（ｕｐｓｅｔｔｉｎｇ）
を実施する方法が考えられる。すなわち、第４図に示さ
れているように、圧印加工装置１５Ａの上型１６Ａおよ
び下型１７Ａにおける合わせ面に圧印模様部１８ａおよ
び１８ｂ、さらに、側面模様部１９ａおよび１９ｂを、
凸部１０ａおよび凹部１０ｂに対応するように配して形
成しておき、上型１６Ａおよび下型１７Ａを型締めする
ことにより、リード９に圧印模様部１８ａ、１８ｂ、１
９ａおよび１９ｂを凸部１０ａおよび凹部１０ｂとして
写し出させることができる。

前記構成にかかる多連リードフレームには各単位リード
フレーム２毎にペレット・ボンディング作業、続いて、
ワイヤ・ボンディング作業が実施される。このボンディ
ング作業は多連リードフレームが横方向にピンチ送りさ
れることにより、各単位リードフレーム２毎に順次実施
される。

このボンディング作業により、第５図および第６図に示
されているように、前工程においてバイポーラ形の集積
回路を作り込まれた半導体集積回路素子としてのペレッ
ト１２が、各単位リードフレーム２におけるタブ８上の
略中央部に配されて、１艮（Ａｇ）ペースト等のような
適当なボンディング材料を用いて、適当なペレットボン
ディング装置により形成されるボンディング層１１を介
して固着される。

そして、タブ８に固定的に搭載されたペレット１２の電
極バッド１２ａと、各単位リードフレーム２におけるリ
ード９のインナ部９ａとの間には後記する銅系材料から
なるワイヤ１３が、第７図〜第９図に示されているよう
なワイヤボンディング装置が使用されることにより、そ
の両端部をそれぞれボンディングされて橋絡される。こ
れにより、ペレット１２に作り込まれている集積回路は
、電極バッド１２ａ、ワイヤ１３、リード９のインナ部
９ａおよびアウタ部９ｂを介して電気的に外部に引き出
されることになる。

ここで、ワイヤボンディング作業について説明する。

第７図に示されているワイヤボンディング装置２０はペ
レット１２の電極バッド１２ａと、各単位リードフレー
ム２の各リード９との間に銅ワイヤ１３をそれぞれ橋絡
させることにより、ペレノ）１２と各リードとを電気的
に接続するように構成されている。このワイヤボンディ
ング装置２０はフィーダ２１を備えており、フィーダ２
１は多連リードフレーム１を長手方向について摺動自在
に保持して、単位リードフレ・−ム２のピッチをもって
歩進送りし得るように構成されている。フィーダ２１に
はヒートブロック２２が単位リードフレーム２毎に加熱
し得るように設備されており、ヒートブロック２２は多
連リードフレームｌにおけるリード群に形成されてその
裏面から突出している凸部１０ａに干渉することがない
ように構成されている。

フィーダ２１におけるボンディングステージの外部には
ＸＹ子テーブル３がＸＹ力方向移動し得るように設備さ
れており、ＸＹ子テーブル３上にはボンディングヘッド
２４が搭載されている。ボンディングヘッド２４にはボ
ンディングアーム２５が基端を回転自在に軸支され゛ζ
支持されており、このア−１，２５はその先端に固設さ
れたキャピラリー２６を上下動させるように、カム機構
（図示せず）により駆動されるように構成されている。

また、ボンディングアーム２４にはボンディングアーム
２５を通じてキャピラリー２６を超音波振動させる超音
波発振装置（図示せず）が設備されている。

ボンディングアーム２５の上側には一対のクランパアー
ム２７．２８が電磁プランジャ機構等のような適当な手
段（図示せず）により作動されるように設ＯＩＮされて
おり、両アーム２７．２８の各先端はキャピラリー２６
の真上位置に配されてクランパ２９を構成している。ク
ランパ２９にはリール、（図示せず）から繰り出される
銅ワイヤ素材（後記する。）がガイド３０を介して挿通
されており、銅ワイヤ素材はさらにキャピラリー２６に
挿通されている。

キャピラリー２６の近傍には放電電極３１が独立して設
備されており、この放電電極３１はその上端部が回転自
在に軸支されることにより、その先端部がキャピラリー
２６の下方位置、すなわち、洞ワイヤ素材の先端の真下
位置と、キャピラリー２６の側方位置（退避位置）との
間を移動されるように構成されている。また、この電極
３１と前記クランパ２９との間には電源回路３２が接続
されており、電極３１と銅ワイヤ素材の間で放電アーク
を生成させるようになっている。

このワイヤボンディング装置２０は第８図に示されてい
るように、銅ワイヤ素材の先端で生成されるボールの周
囲にガスを供給することにより、ガス雰囲気を形成する
ためのチューブ３３を備えており、このガス供給手段と
してのチューブ３３は放電電極３１にチューブ開口部を
キャピラリー２６の下方位置に向けて取り付けられてい
る。チューブ３３には還元作用のあるガス３５、例えば
、窒素ガスと水素ガスとの混合ガス等を供給するための
ガス供給源３４が接続されており、チューブ３３の内部
にはガス加熱手段としてのヒータ３６が絶縁テープを挟
設されて挿入されている。このヒータ３６はガス供給＃
３４から供給されたガス３５をチューブ３３とヒータ３
６との隙間を通過する際に加熱することにより、所定の
温度に制御し得るように構成されている。

一方、フィーダ２１の底部には、多連リードフレームの
酸化を防止するための還元性ガス（以下、リードフレー
ム酸化防止用ガスという、）４０を供給する手段として
の還元性ガス供給装置４１が設備されており、この供給
装置４１は吹出口４２を備えている。吹出口４２は多連
リードフレーム１の周囲にリードフレーム酸化防止用ガ
ス４０を緩やかに吹き出し得るように、フィーダ２１の
上面に複数個開設されており、この吹出口４２群にはガ
ス供給路４３が接続されている。ガス供給路４３はガス
供給ユニット４４に接続されており、ガス供給ユニット
４４は還元性ガス、例えば、窒素および水素から成る混
合ガスを、予め設定された流量をもって供給し得るよう
に構成されている。

そして、フィーダ２１上にはカバー４５がフィーダ２１
を送られる多連リードフレーム１を略全体にわたって被
覆するように設備されており、このカバー４５は多連リ
ードフレーム１の周囲に供給された酸化防止用ガス４０
を多連リードフレーム１の周囲に可及的に停滞させるよ
うになっている。カバー４５には窓孔４６がキャピラリ
ー２６の真下におけるボンディングステージとなる位置
に配されて、ワイヤボンディングを実施し得る大きさの
略正方形形状に開設されている。この窓孔４６には略正
方形枠形状に形成されたリードフレーム押さえ具４７が
昇降自在に嵌合されており、この押さえ具４７はカム機
構等のような適当な駆動装置（図示せず）によりフィー
ダ２１の間欠送り作動に連携して上下動するように構成
されている。すなわち、この押さえ具４７はワイヤボン
ディングが実施される時に単位リードフレーム２を上か
ら押さえることにより、リードフレームの遊動を防止す
るように構成されている。

次に、前記構成にかかるワイヤボンディング装置による
ワイヤボンディング方法を説明する。

ここで、本実施例にお、いては、ペレットの電極バンド
とリードとを電気的に接続する銅ワイヤを構成するため
の素材として、銅の純度（９９，９９９％以上）が高い
銅ワイヤ素材３８が使用される。銅ワイヤ素材３８は断
面略真円形の細線形状に引き抜き成形され、その太さは
キャピラリー２６の挿通孔２６ａの内径よりも若干細め
で、橋絡された後の銅ワイヤＩ３におけるループの剛性
、および電気抵抗が充分に確保される値に設定されてい
る。この銅ワイヤ素材３８は第７図に示されているよう
に、ガイド３０およびクランパ２９を介してキャピラリ
ー２６の挿通孔２６ａに予め挿通される。

ペレット１２がボンディングされている単位リードフレ
ーム２がフィーダ２１におけるボンディングステージに
ピッチ送りされて間欠停止されると、窓孔４６内におい
てリードフレーム押さえ具４７が下降されることにより
、単位リードフレーム２が押さえ具４７により押さえつ
けられる。続いて、ＸＹ子テーブル３が適宜移動される
。

一方、キャピラリー２６においては、放電電極３１が銅
ワイヤ素材３８の下端に接近されるとともに、電源回路
３２が閉じられることにより、銅ワイヤ素材３８の先端
にボール３９が熔融形成される。このとき、チューブ３
３から還元性ガス３５が供給され、銅ワイヤ素材３８と
電極３１との間が還元性ガス雰囲気に保持される。この
還元性ガス３５はチューブ３３の内部の途中に介設され
ているヒータ３６により所定温度になるように加熱制御
されるため、ガス雰囲気は所定の温度範囲内になり、銅
ワイヤ素材３Ｂの先端に形成されるボール３９の温度の
急激な低下が防止される。その結果、還元性ガス３５が
溶融したボール３９に吹き付けられても、ボール３９の
硬度が高くなることはない。

続いて、キャピラリー２６がボンディングアーム２５を
介してボンディングヘッド２４により下降され、銅ワイ
ヤ素材３８の先端部に形成されたボール３９が、ペレッ
ト１２における複数個の電極パッド１２ａのうち、最初
にボンディングする電極パッド（以下、特記しない限り
、単に、パッドという。）に押着される。このとき、キ
ャピラリー２６に超音波振動が付勢されるとともに、ペ
レット１２がヒートブロック２２によって加熱されてい
るため、ボール３９はペレット１２のパッド１２ａ上に
超音波熱圧着される。そして、ボール３９はガス雰囲気
を所定の温度範囲に保たれることにより、硬くなること
を抑制されているため、良好なボンダビリティ−をもっ
てボンディングされることになる。

ところで、銅ワイヤ素材が使用されている場合、銅は酸
化され易く、かつ比較的硬いため、第１ボンデイングに
おけるボンダビリティ−が低下する。

すなわち、溶融中に銅ワイヤ素材の表面に酸化膜が形成
されると、溶融が不均一になり、ボールの形状が不適正
になる。また、ボールの表面に酸化ｎりが形成されると
、電極パッドとの金属結合性が低下する。そこで、ボー
ル生成時に還元性ガスを供給することにより、ボールの
酸化を防止することが考えられる。

ところが、ポール生成時に還元性ガスが吹き付けられる
と、ボールが急冷却されて硬くなる。そして、ボールが
硬いと、熱圧着時における形状が悪（なるばかりでなく
、接着性が低下するという問題点があることが、本発明
者によって明らかにされた。

しかし、本実施例においては、ポール生成時にガス雰囲
気が所定温度範囲になるように加熱制御された還元性ガ
ス３５がボール３９の周囲に供給されるため、銅ワイヤ
素材３８が使用される場合であっても、良好なボンダビ
リティ−が実現される。

すなわち、銅ワイヤ素材３８のボール３９は還元性ガス
３５の雰囲気中で生成されるため、溶融中、その銅表面
に酸化膜が形成されることはない。

その結果、銅ワイヤ素材３８の先端は内部および表面全
体が溶融されるため、均一な表面張力が発生して真球度
の高いボール３９が形成されることになる。

また、還元性ガスだけであると、？８ＫＡｔされたボー
ル３９が雰囲気によって急冷却されて硬くなる傾向を示
すが、還元性ガス雰囲気は、ガス供給源３４から供給さ
れるガスをヒータ３６で加熱制御されることによって所
定温度範囲内に維持されているため、ボール３９は還元
性ガス３５によって加熱されて適度な硬度を維持するこ
とになる。このとき、還元性ガスは高温であると、還元
作用が高められるため、前記酸化膜形成防止効果は一層
高められることになる。

このようにして、ボール３９は酸化膜を形成されずに真
球度が高く、かつ、適度な硬度を維持しているため、銅
ワイヤ素材３８であっても良好なボンダビリティ−をも
ってペレット２のパッド上にボンディングされることに
なる。

第１ボンディング部が形成された後、キャピラリー２６
がｘＹテーブル２３およびボンディングヘッド２４によ
り、後述するような軌道をもって３次元的に相対移動さ
れ、複数本のリード９のうち、最初に第２ボンデイング
すべきリード（以下、特記しない限り、単にリードとす
る。）の先端部に銅ワイヤ素材３８の中間部が挿着され
る。このとき、キャピラリー２６に超音波振動が付勢さ
れるとともに、リードがヒートブロック２２により加熱
されているため、銅ワイヤ素材３８の挿着部はリード上
に超音波熱圧着され、もって、第２ボンディング部が形
成される。

そして、前記第１および第２ボンディング作業中、フィ
ーダ２１の上面に開設された吹出口４２からリードフレ
ーム酸化防止用還元性ガス４０が常時吹き出されている
ため、多連リードフレームｌは還元性ガス雰囲気内に浸
漬されている。このとき、還元性ガス雰囲気はフィーダ
２１上に敷設されたカバー４５によって被覆されている
ため、この還元性ガス４０は多連リードフレーム１およ
びペレット１２を効果的に包囲することになる。

したがって、リードフレーム等の酸化は確実に防止され
ている。

ところで、多連リードフレーム１として銅系のリードフ
レームが使用されている場合、銅は酸化され易く、酸化
膜がボンディング面に厚く形成されるため、第２ボンデ
イングにおけるボンダビリティ−が低下する。すなわち
、酸化膜が形成されると、ワイヤとの金属結合性が低下
するため、ボンダビリティ−が低下する。

しかし、本実施例においいては、フィーダ２１上がカバ
ー４５により被覆されているとともに、そのカバー内に
供給された還元性ガス雰囲気により、多連リードフレー
ム１が包囲されているため、酸化され易い銅系リードフ
レームが使用されていても、その表面に酸化膜が形成さ
れることはなく、その結果、銅ワイヤ素材３８は良好な
ボンダビリティ−をもってリード９上にボンディングさ
れることになる。

ここで、多連リードフレームエは銅系材料を用いて製作
されているため、銅ワイヤ素材３８との接合性がきわめ
て良好である。

第２ボンディング部が形成されると、クランパ２９によ
り銅ワイヤ素材３８が把持され、クランパ２９がキャピ
ラリー２６と共に第２ボンディング部から相対的に離反
移動される。この離反移動により、銅ワイヤ素材３８は
第２ボンディング部から引き千切られる。これにより、
ペレット１２の電極パッドとリードとの間には銅ワイヤ
１３が橋絡されることになる。

その後、第２ボンディング作業を終えた銅ワイヤ素材３
８に対するクランパ２９の把持が解除されるとともに、
キャピラリー２６が若干上昇されることにより、銅ワイ
ヤ素材３８の先端部がボール３９の成形に必要な長さだ
け相対的に突き出される（所謂、テール出し動作である
。）。

以降、前記作動が繰り返し実施されることにより、残り
の電極パッドと各リードとの間に銅ワイヤ１３が順次橋
絡されて行く。

その後、一つの単位リードフレーム２についてのワイヤ
ボンディング作業が終了すると、押さえ具４７が上昇さ
れ、次の単位リードフレーム２がボンディングステージ
の所へ位置するように多連リードフレームｌが１ピンチ
送られる。以後、各単位リードフレーム２について前記
ワイヤボンディング作業が順次実施されて行く。

ところで、本実施例においては、ボンディング工具とし
て、指向性のないキャピラリー２６が使用されているた
め、各銅ワイヤ１３の架橋方向が交差する場合であって
も、リードフレームとポンディングアームとを相対的に
回動させずに済む。

したがって、ワイヤポンディング装置の構造を前車化さ
せることができる。

このようにしてペレットおよびワイヤ・ポンディングさ
れた多連リードフレームには、各単位リードフレーム毎
に樹脂封止するパッケージ群が、第１Ｏ図に示されてい
るようなトランスファ成形装置を使用されて単位リード
フレーム群について同時成形される。

第１０図に示されているトランスファ成形装置５０はシ
リンダ装置等（図示せず）によって互いに型締めされる
一対の上型５１と下型５２とを備えており、上型５１と
下型５２との合わせ面には上型キャビティー凹部５３ａ
と下型キャビティー凹部５３ｂとが互いに協働してキャ
ビティー５３を形成するようにそれぞれ複数組没設され
ている。

上型５１の合わせ面にはポット５４が開設されており、
ボット５４にはシリンダ装置（図示せず）により進退さ
れるプランジャ５５が成形材料としての樹脂（以下、レ
ジンという。）を送給し得るように挿入されている。下
型５２の合わせ面にはカル５６がポット５４との対向位
置に配されて没設されているとともに、複数条のランナ
５７がボンド５４にそれぞれ接続するように放射状に配
されて没設されている。各ランナ５７の他端部は下側キ
ャビティー凹部５３ｂにそれぞれ接続されており、その
接続部にはゲート５８がレジンをキャビティー５３内に
注入し得るように形成されている。また、下型５２の合
わせ面には逃げ凹所５９がリードフレームの厚みを逃げ
得るように、多連リードフレームｌの外形よりも若干大
きめの長方形で、その厚さと略等しい寸法の一定深さに
没設されている。

前記構成にかかる多連リードフレームｌを用いて樹脂封
止形パッケージをトランスファ成形する場合、上型５１
および下型５２における各キャビティー５３は各単位リ
ードフレーム２における一対のダム６ａ、６ａ間の空間
にそれぞれ対応される。したがって、リード群における
ダムの内寄りに配設された凸部１０ａおよび凹部１０ｂ
はキャビティー５３内に収容されることになる。

トランスファ成形時において、前記構成にかかる多連リ
ードフレーム１は下型５２に没設されている逃げ凹所５
９内に、各単位リードフレーム２におけるペレット１２
が各キャビティー５３内にそれぞれ収容されるように配
されてセットされる。

続いて、上型５１と下型５２とが型締めされ、ボット５
４からプランジャ５５によりレジン６０がランナ５７お
よびゲート５８を通じて各キャビティー５３に送給され
て圧入される。

注入後、レジンが熱硬化されて樹脂封止形パンケージ１
４が成形されると、上型５１および下型５２は型開きさ
れるとともに、エジェクタ・ビン（図示せず）によりパ
ッケージ１４群が離型される。このようにして、第１１
図に示されているように、パッケージ１４群を成形され
た多連リードフレーム１はトランスファ成形装置５０か
ら脱装される。

そして、このように樹脂成形されたパンケージ１４の内
部には、タブ８、ペレッ１−１２、リード９のインナ部
９ａおよびワイヤ１３と共に、リード９および７群にダ
ム部材６の内寄りに配されて形成された凸部１０ａおよ
び凹部１０ｂも樹脂封止されることになる。また、後述
するように、めっきレスの銅系リードフレームはパッケ
ージのレジンに対してきわめて良好な接着性を示すため
、各リード９のインナ部９ａはパンケージ１４ときわめ
て効果的に一体化される。

第１２図に示されているように、はんだめっき処理装置
６１ははんだめっき液６２を貯留するためのはんだ槽６
３と、めっき電源６４とを備えており、被めっき物とし
ての多連リードフレーム１はめっき液６２中に浸漬され
た状態で、電ｔＡ６４によりめっき液６２との間に通電
されることにより、金属露出面全体にわたって電解めっ
き被膜６５を形成される。このとき、各栄位リードフレ
ーム２におけるリード９のアウタ部９ｂは端末において
開放しているため、めっき被膜６５が先端面にも完全に
被着されることになる。

めっき被ｎりを被着された多連リードフレーム１は、第
１３図に示されているようにリード切断成形工程におい
て各単位リードフレーム毎に順次、第１４図に示されて
いるリード切断装置により、外枠３およびダム６ａを切
り落された後、第１５図に示されているリード成形装置
により、リード９のアウタ部９ｂを下向きに屈曲成形さ
れる。

この工程で使用されるリード切断成形装置７０は第１３
図に示されているようにフィーダ７１を備えており、フ
ィーダ７１は間欠送り装置（図示せず）により、被処理
物としての多連リードフレームｌを単位リードフレーム
２に対応するピッチをもって一方向に歩進送りするよう
に構成されている。フィーダ７１の一端部（以下、前端
部とする。）にはローダ７２が設備されており、ローダ
７２はランク等に収容された多連リードフレームｌをフ
ィーダ７１上に１枚宛払い出すように構成されている。

フィーダ７１の中間部にはリード切断装置７３が設備さ
れており、この装置は第１４図に示されているように構
成されている。フィーダ７１におけるリード切断装置７
３の片膝には、第１５図に示されているように構成され
ているリード成形装置７４がリード切断装置７３と並ぶ
ように配されて設Ｏｊηされており、両装置７３と７４
との間にはハンドラ７５が、リード切断装置７３におい
て多連リードフレーム１の外枠から切り離された中間製
品としてのＭＳＰ−１ｃ部７７を保持してリード成形装
置７４に移載し得るように設備されている。フィーダ７
１の後端部にはアンローダ７６が設備されており、この
アンローダ７６はリード切断装置７３においてＭＳＰ−
ＩＣＣ部子７切り抜かれた多連リードフレーム１の残渣
部品としての外枠部７日をフィーダ７Ｉから順次下して
排出するように構成されている。

第１４図に示されているリード切断装置７３は下側取付
板８０および下側取付板９０を備えており、上側取付板
８０はシリンダ装置（図示せず）によって上下動される
ことにより、機台上に固設されている下側取付板９０に
対して接近、離反するように構成されている。両取付仮
８０および９０にはホルダ８１および９１がそれぞれ固
定的に取り付けられており、両ホルダ８１および９１に
は上側押さえ型８２および下側押さえ型９２（以下、上
型８２および下型９２ということがある。

）が互いに心合わせされてそれぞれ保持されている。上
型８２および下型９２は互いにもなか合わせになる略チ
ャンネル型鋼形状にそれぞれ形成されており、上型８２
と下型９２とは左右の押さえ部８３と９３とによってリ
ード９の根元部を上下から押さえるように構成されてい
る。また、上型８２は後記する外枠押さえと同様に、ガ
イド８８およびスプリング８９により独立懸架されるよ
うに構成されている。

７上側ホルダ８１には略くし歯形状（図示せず）に形成
されたバンチ８４が一対、上型８２の左右両脇において
リード９群のピッチに対応するように配されて、垂直下
向きに固設されており、バンチ８４には剪断刃８６がく
し歯におけるエツジに配されて、後記する剪断ダイと協
働して外枠３およびダム６ａを切り落とすように構成さ
れている。

上側ホルダ８１には外枠押さえ８７がガイド８８に摺動
自在に嵌合されて上下動自在に支持されており、外枠押
さえ８７はスプリング８９により常時下方に付勢された
状態で独立懸架されるように構成されている。このスプ
リング８９により、外枠押さえ８７はリードフレームの
外枠３を後記する剪断グイ上面との間で挟圧して押さえ
るようになっている。

他方、下型９２には一対の剪断グイ９６が押さえ部９３
の左右両脇に配されて、リード形状の下面に沿う形状に
形成されており、剪断ダイ９６は前記バンチ８４の剪断
刃８６と協働して外枠３およびダム６ａを切り落とすよ
うに形成されている。

第１５図に示されているリード成形装置７４は下側取付
板１００および下側取付板１１０を備えており、下側取
付板１００はシリンダ装置（図示せずンによって上下動
されることにより、機台上に固設されている下側取付板
１１０に対して接近、離反するように構成されている。

両取付板１００および１１０にはホルダ１０１および１
１１がそれぞれ固定的に取り付けられており、両ホルダ
１０１および１１１には上側押さえ型１０２および下側
押さえ型１１２（以下、上型１０２および下型１１２と
いうことがある。）が互いに心合わせされてそれぞれ保
持されている。上型１０２および下型１１２は互いにも
なか合わせになる略チャンネル型鋼形状にそれぞれ形成
されており、上型１０２と下型１１２とは左右の押さえ
部１０３と１１３とによってリード９の根元部を上下か
ら押さえるように構成されている。また、上型１０２は
ガイド１０８およびスプリング１０９により独立懸架さ
れるように構成されている。

上側ホルダ１０１には成形ロール１０４が一対、上型１
０２の左右両脇において水平に配されて、回転自在に軸
架されており、このロール１０４は後記する成形ダイと
協働してリード９を略垂直下向きに屈曲成形し得るよう
に構成されている。

他方、下型１１２には一対の成形ダイ１１４が押さえ部
１１３の左右両脇に配されて、成形後におけるリードア
ウタ部９ｂの下面に沿う形状に形成されている。

次に作用を説明する。

前述したように、はんだめっき処理された多連リードフ
レームは複数枚宛、ラック等に収容されてリード切断成
形装置７０のローダ７２に供給される。ローダ７２に送
給された多連リードフレーム１はローダ７２によりラン
ク等から１枚宛、フィーダ７１上に順次払い出されて行
く。フィーダ７Ｉに払い出された多連リードフレームｌ
はフィーダ７１により単位リードフレーム２．２間の間
隔をもって１ピッチ宛歩進送りされる。

そして、フィーダ７１上を歩進送りされる多連リードフ
レームｌは単位リードフレーム２をリード切断装置７３
に順次供給されて行く。

ここで、リード切断装置についての作用を説明する。

第１４図に示されているように、多連リードフレームｌ
についての歩進送りにより下型９２に単位リードフレー
ム２が凹部にパッケージ１４を落とじ込むようにしてセ
ットされる。これにより、リード９の根本部が下型９２
の押さえ部９３に当接する。

次ぎに、シリンダ装置により上側取付板８０が下降され
、上型８２および外枠押さえ８７が下型９２にスプリン
グ８９の付勢力により合わせられる。これにより、上型
８２の押さえ部８３と下型９２の押さえ部９３との間で
リード９の根本部が挟圧されて固定される。また、外枠
押さえ８７と剪断ダイ９６上面との間で外枠３が挟圧さ
れて固定される。

その後、上側取付板８０がさらに下降されて行くと、バ
ンチ８４が下降されて行く。このとき、上型８２および
外枠押さえ８７はスプリング８９が圧縮変形されるため
、下型９２および剪断ダイ９６に押圧される。バンチ８
４の下降に伴って、バンチ８４の剪断刃８６と剪断ダイ
９６との協働による剪断により外枠３およびダム６ａが
リード９群から切り落とされる。

バンチ８４が所定のストロークを終了すると、バンチ８
４は上側取付板８０により上昇され、元の待機状態まで
戻される。

リード切断装置７３において、切断が終了し、上側取付
板８０が上昇すると、多連リードフレーム１の外枠３か
ら切り離された中間製品であるＭＳＰ・ＩＣ部７７は、
下型９２上からリード成形装置７４における下型１１２
上へハンドラ７５により移載される。

ＭＳＰ−ＩＣ部８０がリード成形装置７４に移載される
と、フィーダ７１により多連リードフレームｌが単位リ
ードフレーム２の１ピッチ分だけ歩進送りされ、次段の
単位リードフレーム２について前記した切断作業が実施
される。以降、各単位リードフレーム２について切断作
業が繰り返されて行く。

そして、全ての単位リードフレーム２についての切断作
業が終了した多連リードフレーム１の残渣としての外枠
部７８は、アンローダ７６においてフィーダ７１上から
下ろされ所定の場合に回収される。

一方、リード成形装置７４に供給されたＭＳＰ・ＩＣＣ
部子７この装置によりリード成形作業を実施される。

ここで、リード成形装置７４についての作用を説明する
。

第１５図に示されているように、下型１１２にＭＳＰ−
ｒｃ部７７が凹部にパッケージ１４を落とし込むように
してセットされる。これにより、リード９の根本部が下
型１１２の押さえ部１１３に当Ｉ妾する。

次ぎに、シリンダ装置により上側取付板１００が下降さ
れ、上型１０２が下型１１２にスプリング１０９の付勢
力により合わせられる。これにより、上型１０２の押さ
え部１０３と下型１１２の押さえ部１１３との間で被屈
曲部としてのり一部６の根本部が挟圧されて固定される
。

その後、上側取付板１００がさらに下降されて行くと、
成形ロール１０４が下降されて行く、このきき、上型１
０２はスプリング１０９が圧縮変形されるため、下型７
２に押圧される。

さらに、成形ロール１０４が成形ダイ１１４に対して下
降されると、リード９はロール１０４の下降に伴って成
形ダイ１１４に押しつけられることにより、この成形ダ
イ１１４に倣うように屈曲されて所望の形状に成形され
る。

成形ロール１０４が所定のストロークを終了すると、成
形ロール１０４は上昇され、元の待機状態まで戻される
。その後、成形済のＩｃは下型ｌ１２から取り外され、
次工程に送給されて行く。

以上のようにして製造された樹脂封止形ＭＳＰ・ｌＣｌ
２Ｏは第１７図および第１８図に示されているようにプ
リント配線基板に実装される。

第１７図および第１８図において、プリント配線基板１
２１にはランド１２２が複数個、実装対象物となる樹脂
封止形ＭＳＰ−１ｃ１２０における各リード９に対応す
るように配されて、はんだ材料を用いて略長方形の薄板
形状に形成されており、このランド１２２群にこのＩＣ
１２０のリード９群がそれぞれ整合されて当接されてい
るとともに、各リード９とランド１２２とがリフローは
んだ処理により形成されたはんだ盛り層１２３によって
電気的かつ機械的に接続さ″れている。

そして、各リード９がランド１２２にリフローはんだ処
理される際、リード９の下端部にめっき被膜６５が完全
な状態で被着されているため、リード９ははんだ盛り層
１２３によって確実に接続されることになる。したがっ
て、この樹脂封止形ＭＳＰ−ＩＣ１２０についてのはん
だ付は作業の自動化を促進させることができる。

ところで、前記構成にかかるＭＳＰ−ＩＣは出荷前に環
境試験検査を実施される。環境試験検査としては、バー
ンイン試験、高温高温バイアス試験、プレッシャクッ力
試験、および温度サイクル・熱衝撃試験等が実施される
。特に、高温高温バイアス試験、およびプレッシャフッ
カ試験は耐湿性（アルミニューム配線の腐食）を検査す
るため、温度、湿度、バイアスが加速されて実行される
。

また、前述したように、ＭＳＰ・ＩＣがプリント配線基
板等に実装される際、はんだデイツプやりフローはんだ
処理によっても、高温高温状況が現出されることがある
。

このような環境試験または実装時に高温高温状況が樹脂
封止形パンケージを備えたＩＣに加えられた場合、パン
ケージとリード群との境界から水分が侵入し、その水分
によりワイヤおよびペレットの電極が腐食される。

しかし、本実施例においては、パッケージ１４内におい
てリード９およびタブ吊りリード７にそれぞれ形成され
ている凸部１０ａおよび凹部１０ｂにより水分がパッケ
ージとリードとの境界に沿ってワイヤ１３およびペレッ
ト１２まで達する現象は防止されるため、水分によりワ
イヤおよびペレットの電極が腐食する事態は防止される
。

すなわち、リードの途中に凸部１０ａおよび凹部１０ｂ
が形成されていると、パッケージ１４の外部からワイヤ
およびペレットに至るまでの水分の侵入経路（所謂、リ
ークパス）が長くなる。特に、凸部１０ａと凹部１０ｂ
とが交互に隣合わせに配されているため、そのリークパ
スは相乗的に長くされる。したがって、高温高湿の状況
において、パッケージ１４の外部からパッケージとり−
ドとの境界に沿って侵入した水分は、ワイヤおよびペレ
ットに達するのを防止されることになる。

また、このような環境試験または実装時に熱ストレスが
樹脂封止パッケージを備えたＩＣに加えられた場合、パ
ッケージとリードフレームとの熱膨張係数差によりパン
ケージとり一層９および７との境界面に剥がれが発生し
、耐湿性が低下するという問題点があることが、本発明
者によって明らかにされた。

しかし、本実施例においては、リード９および７の途中
に凸部１０ａおよび凹部１０ｂが形成されることにより
、リード９および７とパッケージ１４とが強固に形状結
合介在されているため、リードとパッケージ１４との境
界面間に剥がれが発生することはなく、したがって、当
１亥！１１がれに伴う耐湿性の低下は未然に回避される
ことになる。

そして、この剥がれ防止効果と前記侵入経路長化効果と
の相乗効果により、耐湿性の低下は一層顕著に防止され
ることになる。

ところで、リードフレームに銅系材料が使用される場合
、銅系リードフレームの表面に酸化防止、並びにボンダ
ビリティ−を高めるため恨めつき処理が施されることが
ある。

ところが、恨めつき被膜が被着された銅系り−ドフレー
ムが使用されているＩＣにおいては、前述したような熱
ストレスが加えられた場合、パッケージとリードフレー
ムとの熱膨張係数差によりパッケージとリードとの境界
面に剥がれが発生し、耐湿性が低下するという問題点が
あることが、本発明者によって明らかにされた。これは
次のような理由によると考えられる。銀めっき被膜は微
粒子の集合から形成されているため、この微粒子とパッ
ケージのレジンとの間で熱ストレスの作用により相対的
な移動が発生し易くなり、この移動し易さにより、リー
ドとパッケージとの境界面において剥がれが発生する。

しかし、本実施例においては、多連リードフレーム１と
して銅系リードフレームが使用されているが、その表面
にめっき処理が施されていないため、前述したような熱
ストレスが加わった場合でも、各リード９のインナ部９
ａと六ツケージ１４との境界面間に剥がれが発生しない
ことが実験により確認された。

これは次のような理由によると考えられる。すなわち、
めっきレスのリードフレームにおいては、リードフレー
ムの材料表面自体とパンケージのレジン自体とが直接的
に結合するため、熱ストレスが作用した場合でも、両者
の境界面である結合箇所では相対的な移動が発生しにく
くなり、リードフレーム内部およびパンケージ内部でそ
れぞれ発生する歪により熱ストレスが吸収されてしまう
ためである。このとき、リードの途中に介設された凸部
および凹部はこの熱ストレス吸収作用を一層高めること
になる。

前記実施例によれば次の効果が得られる。

（１）　　リードに凸部および凹部を樹脂封止形パンケ
ージの内部に配して形成することにより、パッケージの
外部からワイヤおよびペレットに至るまでの水分の侵入
経路を長くさせることができるため、樹脂封止形パッケ
ージをＯＩえた半導体装置の耐湿性を高めることができ
る。

（２）リードに凸部および凹部を樹脂封止形パッケージ
の内部に配して形成することにより、リードとパッケー
ジとを形状結合させるとともに、リードフレームとパッ
ケージとの熱膨張係数差による変位を凸部および凹部の
変形により吸収することができるため、リードとパッケ
ージとの間の剥がれを防止することができ、その剥がれ
による耐湿性低下を未然に防止することができる。

（３）　　リードフレームとしてめっきレスの銅系リー
ドフレームを使用することにより、各リードとパッケー
ジとの境界面における剥がれの発生を防止することがで
きるため、その剥がれによる耐湿性の低下を防止するこ
とができる。

（４）銅系リードフレームおよび銅系ボンディングワイ
ヤを使用することにより、ワイヤとリードとの接続部で
ある第２ボンディング部についての接合強度やボンダビ
リティ−を高めることができ、製品の品質および信頼性
を高めることができるとともに、コストを低減させるこ
とができる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

例えば、凸部および凹部をリードに形成する手段として
は、プレス加工法を使用するに限らず、リードフレーム
がエツチング加工によって成形される場合等においては
、エツチング加工法を使用してもよく、要は、凸部およ
び凹部がリードの途中に形成されればよい。

トランスファ成形装置、はんだめっき処理装置およびリ
ード切断成形装置の具体的構成は前記実施例の構成を使
用するに限られない。

また、リードにはんだ被膜を被着させる処理は、リード
切断成形処理後、はんだデイツプ処理により実施される
ようにしてもよい。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である樹脂封止形ＭＳＰ・
［Ｃに適用した場合について説明したが、それに限定さ
れるものではなく、樹脂封止形パッケージ内にリード群
を備えているＩＣ等のような半導体装置全般に適用する
ことができる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。

リードに凸部および凹部を樹脂封止形パッケージの内部
に配して形成することにより、パッケージの外部からワ
イヤおよびペレットに至るまでの水分の侵入経路を長く
させることができるため、樹脂封止形パッケージを備え
た半導体装置の耐湿性を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である樹脂封止形ＭＳＰ−Ｉ
Ｃを示す一部切断正面図、 第２図は本発明の一実施例であるＭＳＰ−ＩＣの製造方
法に使用される多連リードフレームを示す一部省略平面
図、 第３図は凸部および凹部の成形工程を示す拡大部分縦断
面図、 第４図はその変形例を示す拡大部分斜視図、第５図はペ
レットおよびワイヤボンディング後のタブ付近を示す一
部省略拡大部分平面図、第６図は第５図のＶｌ−Ｖｌ線
に沿う正面断面図、第７図はワイヤボンディング工程を
示す一部切断正面図、 第８図はその放電電極付近を示す一部切断拡大部分正面
図、 第９図はそのフィーダ上部を示す拡大部分正面断面図、 第１０図は樹脂封止形パッケージの成形工程を示す縦断
面図、 第１１図は樹脂封止形パッケージ成形後の多連リードフ
レームを示す一部省略平面図、第１２図ははんだめっき
工程を示す一部省略正面断面図、 第１３図はリード切断成形装置を示す一部省略概略平面
図、 第１４図はそのリード切断装置を示す縦断面図、第１５
図はそのリード成形装置を示す縦断面図、第１６図はそ
のリード成形後の要部を示す拡大部分斜視図、 第１７図はこの半導体装置の製造方法で得られた樹脂封
止形ＤＩＰ−１ｃの実装状態を示す一部省略一部切断斜
視図、 第１８図はその一部省略拡大縦断面図である。 ■・・・多連リードフレーム、２・・・単位リードフレ
ーム、３・・・外枠、４・・・セクソヨン枠、５・・・
ダム吊り部材、６・・・ダム部材、６ａ・・・ダム、７
・・・タブ吊りリード、８・・・タブ、９・・・リード
、９ａ・・・インナ部、９ｂ・・・アウタ部、ｌＯａ・
・・凸部、１０ｂ・・・凹部、１１・・・ボンディング
層、１２・・・ペレット、１３・・・ワイヤ、１４・・
・樹脂封止形パンケージ、１５．１５Ａ・・・圧印加工
装置、１６．１６Ａ・・・上型、１７．１７　Ａ−・・
下型、１８ａ、１８　ｂ　・・・圧印模様部、２０・・
・ワイヤボンディング装置、２１・・・フィーダ、２２
・・・ヒートフロック、２３・・・ＸＹ子テーブル２４
・・・ボンディングヘッド、２５・・・ボンディングア
−ム、２６・・・キャピラリー（ボンディングツール）
、２７．２８・・・クランパアーム、２９・・・クラン
パ、３０・・・ガイド、３１・・・放電電極、３２・・
・電源回路、３３・・・チューブ（ガス供給手段）、３
４・・・ガス供給源、３５・・・還元性ガス、３６・・
・ヒータ（加熱手段）、３８・・・銅ワイヤ素材、３９
・・・ボール、４０・・・リードフレーム酸化防止用還
元性ガス、４１・・・還元性ガス供給装置、４２・・・
吹出口、４３・・・供給路、４４・・・ガス供給ユニッ
ト、４５・・・カバー、４６・・・窓孔、４７・・・リ
ードフレーム押さえ具、５０・・・トランスファ成形装
置、５１・・・上型、５２・・・下型、５３・・・キャ
ビティー、５４・・・ポット、５５・・・プランジャ、
５６・・・カル、５７・・・ランナ、５８・・・ゲート
、５９・・・リードフレーム逃げ凹所、６０・・・樹脂
（レジン、成形材料）、６１・・・はんだめっき処理装
置、６２・・・めっき液、６３・・・はんだ槽、６４・
・・めっき電源、７０・・・リード切断成形装置、７１
・・・フィーダ、７２・・・ローダ、７３・・・リード
切断装置、７４・・・リード成形装置、７５・・・ハン
ドラ、７６・・・アンローダ、７７・・・ＭＳＰ・ＩＣ
部（中間製品）、７８・・・外枠部（残渣部）、８０．
９０．１００．１１０・・・取付板、８１，９１，１０
１．１１１・・・ホルダ、８２．９２．１０２．１１２
・・・押さえ型、８３．９３．１０３．１１３・・・押
さえ部、８４．１０４・・・成形ロール、１０５・・・
弯曲形状部、８６・・・剪断刃、８７・・・外枠押さえ
、８日、１０８・・・ガイド、８９．１０９・・・スプ
リング、１１４・・・成形グイ、９６・・・剪断グイ、
１２０・・・樹脂封止形ＭＳＰ・ＩＣ（半導体装置）、
１２１・・・プリント配線基板、１２２・・・ランド、
１２３・・・はんだ盛り層。 代理人　弁理士　　梶　　原　　辰　　也第５図 第６図 第９図 第１０図 第１２図 り 第１３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体ペレットと、半導体ペレットがボンディング
   されているタブと、タブの周囲に配設されている複数本
   のリードと、半導体ペレットの電極および各リードに両
   端部をボンディングされて橋絡されているワイヤと、半
   導体ペレット、タブ、リードの一部、およびワイヤを樹
   脂封止するパッケージとを備えている半導体装置であっ
   て、前記リード群に凸部および凹部が前記パッケージ内
   に配されてそれぞれ形成されていることを特徴とする半
   導体装置。 ２、前記凸部および凹部が、リードフレームの製作工程
   において圧印加工により形成されることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ３、前記凸部および凹部が、隣り合わせに交互に配設さ
   れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   半導体装置。