JPH01201058A - Ｙ―Ｂａ―Ｃｕ―Ｏ系酸化物光伝導性物質及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は酸化物超伝導体の超伝導性を示す組成範囲外の
組成で、これにつながる組成のものの光学的性質、特に
高速パルス光伝導の実験を行い常識的に予期し難い超伝
導性と深く関係した光伝導現象を呈する物質を発見した
もので、その製造法において、組成比ｘ、ｙを（たとえ
ばｙ＝３でＸ＝０→２と）制御するか、Ｘとｙを一定（
例えばｘ＝２．ｙ＝３）として急冷するか徐冷するかで
Ｚを制御することにより、ｘ＝Ｏに近いか、急冷された
ものは光伝導性をもった半導体、ｘ＝２に近いか、徐冷
されたものは光伝導性をもった超伝導体となるもので、
産業上の利用分野としては超伝導オプトエレクトロニク
スへの応用が期待し得られるものである。

（従来の技術） 従来の超伝導体で直接光伝導性を有する物質の発表は皆
無である。

これまでの超伝導材料は主として金属やそれらの合金を
用いてきた。また最近の酸化物高温超伝導体（例えばＹ
−Ｂａ−Ｃｕ−０系酸化物超伝導体）でもその臨界温度
を上げる目的で多量の添加元素（Ｂａ　、　　Ｓｒ　）
などが用いられている。従って、それらの可視域近傍で
の光学的性質の測定は、これらの金属的性質を反映して
主として光反射又は散乱の実験に限られて来た。

（発明が解決しようとする課Ｂ） このことが示すように超伝導体には光は反射するだけで
入り込まず、したがって超伝導と光物性は国内外の学会
や国際会議でも反射や散乱をのぞいて殆んど無縁の分野
と考えられて来ている。

しかしながら、超伝導性と光伝導性との両方の性質をも
った？Ｉ質が製造できると、たとえば超伝導フォトトラ
ンジスタなどの機器や、また現在追求されているジョセ
フソン素子を基礎にした“超伝導コンピユーラダ゛とオ
プトエレクトロニクスで提案されている“光コンピュー
タ゛の特性を併せもつような装置、すなわち“°超伝導
光コンピュータ゛、さらには゛超伝導光ファイバー゛°
等の作製が可能となる。

（課題を解決するための手段） 本発明の目的とする所は、超伝導性と光伝導性との双方
を、超伝導性が発現される臨界温度以下で得られる超伝
導性光伝導物質を提供するにある。

本発明は一般式で Ｙ３−、−Ｂａ、−Ｃｕｙ−０゜ ここでｘ＝０〜２，ｙ＝３〜６．Ｚ＝６〜１２（但しｘ
＝２．ｙ＝３でかつ、ｚ　＝６．７５〜６．９７の場合
を除く）の組成より成り、絶対温度９５に以下で超伝導
性を有し、絶対温度９５に以下で４２０〜６４０　ｎｍ
の光波長域で光伝導性をもった物質である超伝導性光伝
導性物質である。

本発明の他の目的とする所は、 一般式 ％式％ 場合を除く）の組成の出発物質をその固相反応を生する
温度６５０〜１０５０℃に１〜１０時間加熱し、徐冷し
、加圧整形し、さらに５７０〜１０５０℃にて２次焼結
し、２０００℃〜９００°（／ｓｅｅの冷却速度で急冷
するか、１５０〜２００″Ｃ／Ｈの冷却速度で徐冷し、
超伝導性と光伝導性とをもった物質を得る超伝導性光伝
導物質の製造法を提供するにある。

本発明の物質を一般式に示す組成で限定した理由は、こ
の組成範囲のものを固相反応の生する温度約６５０〜１
０５０’Ｃの間に１〜１０時間加熱し、徐冷し、加圧整
形し、さらに５７０〜１０５０℃にて２次焼結し、２０
００〜９００°（／ｓｅｃで超急冷するか、１５０〜２
００″Ｃ／Ｈで徐冷すると、超伝導性と光伝導性をもっ
た物質が得られるからであり、この一般式に対応する（
ｘ、ｙ、ｚ）の数値の組成でｘ−０又は零に近づくにつ
れて、絶縁性となり半導体的性質を示し、かつ特定波長
の光に対し光伝導性を示すに対し、Ｘ＝Ｏよりｘ＝２に
近づくにつれて、超伝導性に変化してゆくが、光伝導性
をも保有していることを知見した。但しｘ＝２．ｙ＝３
でＺ−６，７５〜６．９７の場合は超伝導性のみを示し
、光伝導性は失われるので、この範囲を本発明の組成範
囲より除外したものである。本発明で得られた物質のう
ち絶縁性を示す物質の一例をあげるとｘ−０、ｙ＝３．
ｚ＝７．５〜１２であり、超伝導性を示す物質はたとえ
ばｘ＝２．ｙ＝３．ｚ＝６．５〜６．９７であり、実施
例で示すとおり、絶縁性物質の領域でも超伝導性を潜在
させるかの如き温度依存性と励起光波長依存性をもつ光
伝導性を示すことを系統的に明らかにして本発明が完成
されるものである。

従来知られているＹ３　　Ｃｕｂ　　ｏ、　　（但し、
Ｚ＝６〜１２）及びＹ３−Ｘ　Ｂａ−Ｃｕ３　　ｏ、の
ような酸化物系化合物の大部分は基底状態（ｇｒｏｕｎ
ｄｓ　ｔａ　ｔｅ）即ち低温で特に光を照射しない暗い
場所では半導体である。したがって適当な大きさの運動
量とそれに応じた適量のエネルギーを、これらの物質の
基底状態に与えることにより、素励起をつくり出すこと
ができる。通常超伝導体に対しては、エネルギーギャッ
プを超えた素励起はＢＣ３理論における超伝導の基底状
態を破壊する。しかしながら、絶縁性半導体では熱的に
非平衡状態においてもバイポーラロン及び励起子のよう
に絶縁性半導体の上述の基底状態に素励起のコヒーレン
ト状態をつくり出せる可能性がある。高臨界温度（Ｔｃ
　）の超伝導体の研究と並行しているが、その研究の傾
向とは異なり、新しい観点から、つまり素励起概念の見
地より基礎物理及び応用物理の分野でむしろ完全な超伝
導体とはならない組成のもので、超伝導体と近い組成で
超伝導性と光伝導性とを有する物質を知見し、本発明が
完成されるものである。

（実施例） このような物質の一例をあげると、Ｙ３−、−Ｂａｘ−
Ｃｕｙ−０，であり、このフェイスダイアダラムの全容
を解明すべく、本研究を行った。ここで、本発明者は上
記の物質の超伝導相のみらなす、半導体相又は絶縁性相
についても解明すべく研究を行った。

Ｙ−Ｃｕ−０系及びＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の多数の試料
をＹ２Ｏ３，ＢａＣＯ３及びＣｕＯの粉末より従来既知
の方法すなわち６５０〜１０５０℃での固相反応で一次
焼成を行い、さらにその生成物を用いて加圧整形後、５
７０〜１０５０℃で２次焼結を行い、５００〜６００℃
で焼鈍し、徐冷する方法で製造した。

出発物質の組成については詳細に検討し、単純な超伝導
物質としての領域と接するものの、むしろそれらを外し
た領域で一応制御できるものとなった。さらに加えて冷
却方法の緩象、に注意して２を制御した。

このようにして得られたものが試料番号Ｓ２２゜Ｓ２１
．　　Ｓ２０などの試料である。

なおＹ、−Ｃｕ３−０−、ｓの試料は＃Ｓ６１はその組
成で、１次焼成（１０００〜１０５０°ｃｘ２Ｈ）徐冷
し、加圧整形し、２次焼成（１０００〜１０５０″ＣＸ
２Ｈ）冷却し、焼鈍（６００°ｃｘ２Ｈ）を徐冷で作製
した。

ｘ、ｙ及び２の値の成る部分の範囲内ではＹ３−Ｃｕ３
　ｏ、、Ｙｚ　　Ｃｕｂ　　Ｏ−及びＹ３−Ｘ　　Ｂａ
）（−Ｃｕｙ−０，の試料は多くの（ｘ、ｙ、ｚ）の領
域で高絶縁性となるか、又は低温で少くとも半導体とな
るので、通常の抵抗測定技術では幾度か厳しい困難に遭
遇した。特に、非オーミツク接触の電源及び空間電荷の
蓄積及び高インピーダンス材料における低キャリヤー密
度による低い信号／雑音比と組合さった場合は厳しい問
題となった。

本実験においては、抵抗測定と伝導性測定とのために２
種類の技術を採用した。先ず最初に３２２番の絶縁性試
料（ρ〉１０８Ω・ｃｍ）のため、ブロッキング電極を
配した速いパルス技術を採用した〔第１図（Ａ）を参照
〕。試料を３ｎｓのパルス幅をもつ色素レーザー光で１
３Ｈｚの繰返し率及び１０ｍ５の間隔のＥ笑５ｋＶ／ｃ
ｍまでのパルス電場に同期させて励起し〔第１図（ｂ）
参照〕、光応答の大きさを測定することにより上述の困
難を克服できた。第２に、３２０番及び３２１番の如き
、３００にで適度の伝導性（ρ≦１０−２〜１０−１Ω
・ｃｍ）をもつ試料に対しては、光は用いず、通常の４
端子法を採用して抵抗測定を行った。

試料Ｓ２０はＹｚＯ３０，４０ｇ　、　ＢａＣＯ３１，
４０ｇ　１ＣｕＯＯ，８５ｇを混合し、焼成したもの、
また試料３６１はＹ２Ｏ２２，２５ｇ、　ＣｕＯ１，５
９１ｇを混合し、Ｙ３Ｃｕ、Ｏ，となるよう焼成したも
のである。

試料３２１はＹ２Ｏ２０，４０ｇ、ＢａＣＯ５０，３５
ｇ。

Ｃｕ００．４２５ｇを混合し、Ｙ−Ｂａ１Ｃｕ３０．の
式となるように焼成した。試料Ｓ２２はＹ２Ｏ３０，７
２ｇ、　ＣｕＯ１，００ｇを７昆合し、Ｙ３Ｃｕ６０．
となるよう焼成した。Ｚは酸素の量を示し、焼成方法に
よりＺが変化し、これに伴い得られた製品が異なる。

静的帯磁率又は磁化の大きさ自体は９Ｃ，Ｈｚで動作す
るマイクロ波５ＱＵＩＤ法〔第２図（Ａ）。

（ｂ）参照〕を使用してＨ：＝ｉ５０００ｅまでの弱い
磁場で測定した。このシステムは通常Ｑパターンにロッ
クされたモードで作動させた〔第２図（Ｃ）参照〕。こ
のシステムのハンド幅はＤＣから２００ＫＨｚまでの拡
がりをもち、捩じり率は約１０’φ。／ｓｅｃに設定し
た。

スペクトル応答はレーザーよりの入射パワー及び焦電気
検出器のスペクトル感度に対する適当な標準化操作を基
準として、分解能Ａλ＃１ｎｍの色素レーザーよりの波
長λを選択することにより研究した。光励起により試料
が加熱する可能性は小さく、無視し得る程度であると認
められた。光励起によるキャリヤーの密度は１０６〜１
０８／ｃｏｄ”の桁である。全ての光信号は通常ボンフ
カ−積分器を使用して同期モードで検波した。

（試験結果） 試料３２０（ｘ＝２）を除く、Ｙ　３−　ｘ　　Ｂ　ａ
　Ｘ　　Ｃｕ　３−〇□の全てと、Ｙ３　　ｃｕｂ　　
０２　　（試料５２０）とにおいで、上述のトランジェ
ントパルス技術を使用して光転導度を示す明瞭な信号が
認められた。

第１に、光転導度Ｑ（λ、Ｔ、Ｅ、Ｈ）のＥの依存性は
７７にでＥ’、５ｋＶ／ｃｍまで殆んど直線的であるこ
とが発見された。Ｑ（λ、　Ｔ、　　Ｅ、　Ｈ）におけ
る横方向及び縦方向の磁気抵抗の有意な大きさは７７に
でＨ′、１５ｋＯｅまで認められなかった。

第３図は（ａ）Ｙ３Ｃｕｂ　　Ｏｘ　　（但しｚ　＃Ｉ
０．５）（試料５２２）、（ｂ）Ｙｚ　　Ｃｕｓ　　Ｏ
−（但しｚｗ７．５）（試料５６１）、（Ｃ）ＹＺ−Ｂ
ａｌ−Ｃｕ３−Ｏｆ　　（但しｚ境６．６）（試料５２
１）の波長λ’ｒ４６０〜６４０ｎｍの範囲のパルス励
起光応答、Ｑ（λ、Ｔ）の代表的スペクトルを示す。

第２にＹ３　　Ｃｕｂ　　Ｏ−（但しｚ　Ｌｕ０．５）
　　（試料５２２）及びＹ３−　Ｃｕ３−ｏ、　（但し
ｚＬニア、５）（試料５６１）の磁化の大きさＭ　（Ｔ
、Ｈ）は、少くとも４．２にでは明らかに常磁性で正符
号であることが確認された（第４図参照）。最も顕著な
特色としては、Ｙ、　Ｂａ−Ｃｕｔ　　Ｏ−（試料５２
０）とりわけＹＺ　　Ｂａｔ　　　Ｃｕ３　０２　　（
ｚ、６．６　）（試料５２１）の磁化の大きさＭ（Ｔ、
Ｈ）が、超伝導状態に特有な反磁性を明確に示している
ことが認められた。なお試料Ｓ２１の磁化の大きさは試
料Ｓ２０の磁化の大きさの約１／３０である。

第３に、充電流応答Ｑ（λ、Ｔ）の波長領域λ−５００
〜５７０　ｎｍでの温度依存性を第５図（ａ）。

（ｂ）に各々例示したように、絶縁性である試料Ｓ２２
と超伝導性を顕在化させている試料Ｓ２１についてしら
べた。驚くべきことには、試料Ｓ２２では暗抵抗ρが余
りに大きく、第５図（ｃ）には試料３２１Ｌか示し得な
いような暗抵抗ρ（Ｔ）の途方もなく大きな落差にもか
かわず、それらの充電流応答Ｑ（λ、Ｔ）の特色の間に
は顕著な類似性が存在する。温度を下げて行くと明確に
認められるのは、１００に近傍で“光伝導性゛が出現し
始め、絶対温度７０〜８０にで極大値になった後やや平
坦な部分が絶対温度約１０Ｋまでつづき、それ以下では
絶縁性の試料Ｓ２２でも超伝導性の試料Ｓ２１でも充電
流応答Ｑ（λ、Ｔ）は急速に減少する。

なお最後に超伝導性の試料Ｙｚ　　Ｂａ、ＣＬ１３−〇
□　（試料５２１）とＹｌ　Ｂａｇ　　Ｃｕ１−０２　
（試料５２０）の暗抵抗ρ（Ｔ）を第５図（ｃ）に温度
の関数として示した。ここですぐ気がつくことは、これ
らの２つの試料はともに臨界温度Ｔｃ　”：５０〜９０
に以下で超伝導性を示すことである。ただし試料３２０
に対しては充電流応答Ｑ（λ、Ｔ）は観測されていない
。

しかし、これらの実験事実を簡単に解釈することは容易
ではない。３００にでＹ３　　Ｃｕ６０□の試料Ｓ２２
は既に絶縁体であり、Ｙｚ　−Ｂａ、　−ＣＬ１３−０
２の試料Ｓ２１は半導体である。試料Ｓ２１では、ブロ
ッキング電極を配して観測された光伝導性は第５図（ｂ
）に示されたように超伝導性と両立しうるちのである。

これは磁化の大きさの値からも判るように恐らくは試料
Ｓ２１内の絶縁体的な部分によるものであろう。しかし
ながら驚嘆すべきことには、第５図（ａ）に示した絶縁
体試料Ｓ２２においてすら実際に背後に存在しているの
ではないかと考えられる超伝導性と潜在的に深く関連し
ているかもしれない光伝導現象が存在することである。

（実験の考察） 一般に広く認めらでいる所であるが、試料Ｓ２１のよう
なＹ、Ｘ−Ｂａ、−Ｃｕ、、−０，の試料は普通の濃い
緑色をしている。試料Ｓ２２のようなＹ、−Ｃｕｈ−０
□試料は青緑色に見える。第３図（ａ）〜（Ｃ）の光転
導度のスペクトル応答Ｑ（λ、Ｔ）が強力に示唆してい
る事は、少くともＹ３−Ｃｕｂ−０２の試料で、そして
さらに可能性があるのはＹｚ−−ＢａＸ　Ｃｕ３　０−
においてもかりに原子層の段階ではないまでも、なんら
かの意味でＣｕｚＯ頬似の状態の領域がどこかに存在す
るということである。Ｑ（λ、Ｔ）の応答信号が明確に
観測される以上、誰しも絶縁性のＹ−Ｃｕ−０系やＹ−
Ｂａ−Ｃｕ−０系の試料の内部でも、伝導電子か、正孔
かのいづれかが、場合によっては両方が運動可能な状況
になったと考えざるを得ない。〔デンヴアー効果での光
信号の符号は光励起キャリヤーとしては正孔がより大き
な寄与をしていることを示している。〕 ＣｕｚＯの光吸収と光伝導現象は励起子理論によって徹
底的に解明されている。我々が認めることが出来るのは
Ｙ：１−Ｃｕ、−０，とＹ３−Ｘ　　Ｂａ＋ｃ　　Ｃｕ
５−０２で両方のＱ（λ）のスペクトルにＣｕｚＯと類
似の２．３の微細構造が存在することである。

それゆえＹ−Ｃｕ−０系とＹ−Ｂａ−ＣｕＯ系のどこか
に無視し得ない比率でのＣｕ、Ｏｉ似の相が存在すると
仮定するのは理にかなっている。そこでは仮りに若干の
結晶構造の相異があるにしても、とに角、光励起された
伝導電子や正孔が確実に運動しうる状態にある。これは
、酸素欠陥の度合いＺや、特に最近主張されているそれ
らの秩序状態によるものと考えると、いかにも高い確率
で起っていそなう状況である。ｘｐｓ　（Ｘ線光電子分
光法）、ＥＸＡＦＳ　（ＥｘｔｅｎｄｅｄＸ−ｒａｙ　
　Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ　　ＦｉｎｅＳｔｒｕｃｔ−ｕ
ｒｅｓ）、ＸＡＮＥＳ（Ｘ−ｒａｙ　　Ａｂｓｏｒｐｔ
ｉｏｎ　　ＮｅａｒＥｄｇｅ　　５ｔｒｕｃｔｕｒｅｓ
）の実験結果は、２価のＣｕ”　イオン、３価のＣｕ”
イオンの他に、１価のＣｕ’“の存在を暗々裡に示した
。エネルギー帯構造に関する計算結果と状態密度（Ｄｅ
ｎｓｉｔｙｏｆ　５ｔａｔｅｓ）の評価も同じ様な傾向
を示している。

標準的なタイプのＣｕｚＯ結晶での伝導電子や、正孔は
ポーラロン形成に際してはＬＯオフノンとはむしろ弱い
結合定数αζｏ、１４〜０．１８（それでも普通の■・
Ｖ族生導体に比べるとむしろ大きい）をもっていると報
告されているので結果としては“大きなポーラロン゛を
つくり出すことになる。

実際、伝導電子や正孔によるサイクロトン共鳴が１．２
〜２０にで観測されている。しかしながら、−方ではこ
こでのＣｕｚＯ類似の部分ではＹ３−Ｃｕ。

−０□系、Ｙ　：ｌ−Ｘ　　Ｂ　ａ　ｘ　　Ｃｕ　３−
０２系の試料が大きな静誘電率をもつ強誘電性物質の系
列に属するうえ、酸素欠陥の秩序状態などのために強め
られたもっと大きな有効誘電率にと結合定数αをもつと
考えられる。本来ミューラーがベトノルッと一緒に研究
を開始した際には、酸化物が強い電子−フォノン相互作
用をもち、ヤーンテラー効果によって起こる結晶格子の
歪みによってポーラロン形成を起し易い有力な候補にり
そうであったからである。ポーラロンでの動的効果は、
仮にそれがＬＯ−フォノンと結合した“大きなポーラロ
ン°゛であろうとヤーンテラー効果による“小さなポー
ラロン゛°であろうと、成るいは又それらの両方にもと
づく中間的なものであろうと、とにかくそれらは゛′電
子部分の分極によるポーラロン“と同様に本質的なもの
であるにちがいない。それらのフォノン部分によるもの
と電子部分によるポーラロンは恐らくは素励起としては
コヒーレントに混成された状態で形成されているもので
あると思われる。

それゆえ、ポーラロンが大きかろうが小さがろうがこれ
らのポーラロン、励起子の集合がここでの超伝導現象に
潜在的な役割をしていることを我々が想像することは充
分理にかなったものと考えられる。これらの結び合った
ポーラロンと励起子の集合とは、多分バイポーラロン、
ポーラロン励起子及びあるいは励起子ポーラロンの集合
でいづれも動的な電子フォノン相互作用と電子量相互作
用の効果によるものであろう。これらのポーラロンと励
起子は酸素の２２と銅の３ｄの混成した価電子状態から
、後に（３ｄ）９で表わせる正孔１つを残して銅の４８
の伝導帯に（４ｓ）’　の伝導電子をＬＯフォノン相互
作用を伴って光学的遷移でつくり出されたものである。

ポーラロンはここでの光学的遷移によっても、特にＹ−
Ｃｕ−０系ではＹをＢａ　Ｔ：置換することによってっ
（り出すことができる。第５図（ａ）に示されているよ
うにＹ−Ｃｕ−０系での充電流応答Ｑ（λ、Ｔ）はＹ−
Ｂａ−Ｃｕ−０系での超伝導性の出現を反映している。

同様な現象はＬａ−Ｃｕ−０系でも観測されている。そ
れゆえ、ここでのこれら素励起の研究は超伝導基底状態
の性質を示している。我々の知識の及ぶ限りではこれは
高臨界温度超伝導性と完全反磁性におけるポーラロンと
励起子による機構の最初の明確な実験的証拠である。

（発明の効果） 以上の結果、我々は次のように結論することができる。

４．２〜１００　Ｋの温度領域で、伝導度測定には直流
四端子法と繰返しパルス光伝導測定法を適用し、静帯磁
率の測定にはマイクロ波５ＱＵＩＤを用いることで始め
て超伝導性と光伝導性を刻明にしらべた結果、これまで
予想すら出来なかった意味深長な一致、すなわち、超伝
導性、完全反磁性と光伝導性との相関がある超伝導性光
伝導物質は少くともＹｓ−ＢａＸ　Ｃｕ３　　ｏ、系（
χ＝０〜２．ｙ＝３〜６．ｚ＝６〜１２）（但し超伝導
性部分ｘ＝２．ｙ＝３．ｚ＝６．７５〜６．９７をのぞ
く）であることを発見し、その製造法を発明した。なお
この発明は我々が提案した“′高温超伝導“°に対して
の“ポーラロンと励起子による動的機構゛という理論的
考察と並行して展開されたもので、これらの新素材物質
は光で直接超伝導性を制御する′°超伝導オプトエレク
トロニクス゛という新しい最先端科学技術分野をひらく
ものである。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）はブロンキング電極を配したくり返しパル
ス光伝導測定法の原理的回路配置図、第１図（Ｂ）は測
定の時系列波形図、 第２図（Ａ）及び（Ｂ）、（Ｃ）は静帯磁率測定用マイ
クロ波５ＱＵＩＤによる測定装置主要部を示す図面、及
び測定系のブロック図、フィードバック系のブロック図
、 第３図は超伝導性光伝導物質Ｙ　３−　Ｘ　　Ｂ　ａ　
ｘ　　Ｃｕ　ｙ−Ｏ，（ａ）ｘ＝ｏ、）’＝６．ｚ輪１
０．５、（ｂ）ｘ＝Ｑ、ｙ＝３．ｚ挟７．５、（ｃ）ｘ
＝１．ｙ＝３　、　　ｚ　Ｌ＝、６．６の光伝導応答Ｑ
（λ、Ｔ）の波長依存性を示す特性図、 第４図はＹ、、−Ｂａ、−Ｃｕ、−０，の各試料の磁化
の大きさでマイクロ波５ＱｔＪＩＤの信号検出コイルに
誘起された信号の波形図、 第５図は超伝導性光伝導物質Ｙ３−Ｘ　−Ｂａｘ　−Ｃ
ｕｙ−〇□の光伝導応答Ｑ（λ、Ｔ）の温度依存性（ａ
）ｘ＝０．ｙ＝３．ｚ＃７．５、（ｂ）ｘ＝１゜ｙ＝３
．ｚ’＝６．６、（ｃ）ｘ＝１．ｙ＝３．ｚ″。 ６．６とｘ　＝　２　、　　ｙ　＝　３　、　　ｚ　”
＝６．９の暗抵抗の温度依存性ρ（Ｔ）を示す特性図で
ある。 特許出願人　　東　京　大　学　長 Ｚ＝ｆＯ，５Ｚ＝’１５

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. １．一般式Ｙ＿２＿−＿ｘ−Ｂａ＿ｘ−Ｃｕ＿ｙ−Ｏ＿
   ｚここでｘ＝０〜２，ｙ＝３〜６，ｚ＝６〜１２（但し
   ｘ＝２，Ｙ＝３でかつｚ＝６．７５〜６．９７の場合を
   除く）の組成より成り、絶対温度９５Ｋ以下で超伝導性
   を潜在的にまたは現実に有し、かつ、それと並行して９
   ５Ｋ以下の温度で４２０〜６４０ｎｍの励起光波長域で
   光伝導性をもった物質であることを特徴とする超伝導性
   光伝導物質。
2. ２．一般式でＹ＿３＿−＿ｘ−Ｂａ＿ｘ−Ｃｕ＿ｙ−Ｏ
   ＿ｚここでｘ＝０〜２，ｙ＝３〜６，ｚ＝６〜１２（但
   しｘ＝２，Ｙ＝３でかつｚ＝６．７５〜６．９７の場合
   を除く）の組成の出発物質をその固相反応の生する温度
   ６５０〜１０５０℃に１〜１０時間加熱し、徐冷し、加
   圧整形し、さらに５７０〜１０５０℃にて２次焼結し、
   ２０００℃〜９００℃／ｓｅｃの冷却速度で超急冷する
   か、１５０〜２００℃／Ｈの冷却速度で徐冷し、超伝導
   性と光伝導性とをもった物質を得ることを特徴とする超
   伝導性光伝導物質の製造法。