JPH01201123A - 殺菌線放射照度測定方法および装置 - Google Patents

殺菌線放射照度測定方法および装置

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JPH01201123A
JPH01201123A JP63026104A JP2610488A JPH01201123A JP H01201123 A JPH01201123 A JP H01201123A JP 63026104 A JP63026104 A JP 63026104A JP 2610488 A JP2610488 A JP 2610488A JP H01201123 A JPH01201123 A JP H01201123A
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irradiance
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radiation
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Kazuaki Okubo
和明 大久保
Yoshihiro Ono
義弘 大野
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/429Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to measurement of ultraviolet light

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Apparatus For Disinfection Or Sterilisation (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 水銀ランプから得られる波長253.7nmの水銀輝線
は、従来から殺菌放射源として広く利用されている。ま
た、近年この放射は、その有機科学分解効果を利用した
半導体洗浄や印刷の分野における高速乾燥など、幅広く
利用されるようになり、それぞれの用途に応じた放射源
の開発がさかんにおこなわれるようになった。このため
、この波長253.7nmの水銀輝線の放射量を精度良
く測定する技術が要求されている。本発明は、この波長
253.7nmの水銀輝線の放射量を精度良く測定する
殺菌線放射照度測定方法および装置に関するものである
従来の技術 波長253.7nm放射の絶対量に関しては、国家標準
がないため、これまでこの種の測定には、熱形検出器(
主にサーモパイル)とフィルタを組み合わせた方法によ
る測定が行なわれている。(中周はか: 「253.7
nm放射照度(殺菌放射照度)値付け、照明学会誌 7
l−10(昭和62年)646)発明が解決しようとす
る課題 熱形検出器は、応答度が低く、周囲の擾乱による出力変
動が大きいため測定精度が低い。また、放OO射の絶対
量の値付けは、基本的には国際温度目盛にもとすく黒体
放射を一次標準とし、それから二次標準として全放射j
74度標準電球や高度標準電球に値を移し、その二次標
準を使って熱形検出器(主にサーモパイル)とフィルタ
を組み合わせた方法tこよる測定で、波長253.7n
m故射の絶対量を測定する。したがって、−次標準から
の値のトレースによる測定誤差の蓄積を考えると、実用
的な絶対測定の方法としては問題がある。
課題を解決するための手段 上記の課題を解決するために、応答1度が高く、安定で
大出力直線性に優れたシリコンフォトダイオードを、自
己校正法により波長253.7nmの絶対応答度の値付
けをおこない、これと精密アパーチャとを組み合わせた
受光器により、水銀輝線光源とti長253.7nmに
のみ透過帯域を持つ帯域フィルタとを組み合わせた25
3.7nm故射源から、ある距離dにおける絶対放射I
Kt度を逆校正し、その逆校正した放射照度の値から、
殺菌線放射照度計の目盛を校正する方法である。
作用 上記の方法によって、応答度が高く、安定で大出力直線
性に優れたシリコンフォトダイオードを自己校正法によ
り、波長253.7nmの絶対応答度の値付けをおこな
なうことにより、安定性、再現性を維持することが難し
い電球などの放射源を標準として使用することもなく、
また、標準からの値のトレースによる測定誤差の蓄積も
小さいため、放射照度の絶対値の精度が十分高いものが
得られる。また、熱形検出器に比べ応答度が高く安定で
大出力直線性に優れたシリコンフォトダイオードを、殺
菌線放射照度計として構成するため、実用りきわめて安
定な殺菌線の放射照度の測定が可能となる。
実施例 本発明の一実施例を図面を使って説明する。pn接合シ
リコンフォトダイオードには、量子効率を低下させる要
因とし5102とSi表面との境界面、n領域における
再結合、およびn領域における再結合の各損失が主に考
えられ、各、全子効0’lE0、Ea、E、は1になら
ない。これらの量子効率を測定することによりシリコン
フォトダイオードの絶対応答度を自己校正することがで
きる。
(Eaは1に非常に近く、適切な測定方法がないのでこ
こでは考えない、)ある波長λにおけるシリコンフォト
ダイオードの内部量子効率E(λ)は次のように表せる
E(λ)=E0(λ)E、(λ) /(1−[1−E o(λ)1[1−E、(λ)])あ
る波長人における放射に対する絶対応答度R(λ)は、 R(λ)=[l−ρ(λ)コE(λ)λ/KK =e/
h−c−1.23985[um−W/ A ]ρ(λ)
:Si表面の波長λに対する反射率そこで、波長632
.8nmのHe−Neレーザーを使用して、ρ(λ)S
i表面の鏡面反射成分を測定して求め、Eo(λ)は水
電極法により求め、E、(λ)は逆バイアス法により求
める。
次に、シリコンフォトダイオードの相対分光応答度を波
長632.8nmと253.7nmとで測定する。この
とき分光応答度標準は、応答度が波長依存性のない熱形
検出器を使用する。上記の測定により波長253、7n
mにおけるシリコンフォトダイオードの絶対応答度が得
られる。
第1図に、波長253.7nmの単一輝線放射源の逆校
正の光学系を示す。図において殺菌灯1と波長253.
7nm付近にのみ透過帯をもつ第1の干渉フィルタ2と
組み合わせて、波長253.7nmの単一輝線放射源を
つくり、自己校正法により絶対応答度を求めたシリコン
フォトダイオード3と、面積のわかっている精密アパー
チャ4により、前記単一n線放射源から距離dの点にお
ける放射照度を値づけする。
第2図に、殺菌線(波長253.7nmの単一輝U)放
射照度計の構造を示す0図において波長253.7nm
付近にのみ透過帯をもつ第2の干渉フィルタ5を、前記
精密アパーチャ4と前記シリコンフォトダイオード3と
の間に挿入したものである。この殺菌線放射照度計を、
前記単一輝線放射源から距離dの点において値づけられ
だ放射照度をつかつ0て絶対応答度(AW−’m”)を
値づけする。
これによって、殺菌線放射照度の精度の高い測定が可能
となる。
発明の効果 以上述べてきたように、本発明によって、応答度が高く
、安定で入出力直線性に優れたシリコンフォトダイオー
ドを 自己校正法により、波入253.7nmの絶対応
答度の値付けをおこななうことにより、安定性、再現性
を維持することが難しい電球などの放射源を標準として
使用することもなく、また、標準からの値のトレースに
よる測定誤差の蓄積も小さいため、放射照度の絶対値の
精度が十分高いものが得られる。また、熱形検出器に比
べ応答度が高く安定で入出力直線性に優れたシリコンフ
ォトダイオードを、殺菌線放射照度計として構成するた
め、実用上きわめて安定な殺菌線の放射照度の測定が可
能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の殺菌線放射照度測定方法説明のだめの
光学系を示す図、第2図は本発明の一実施例における殺
菌線放射照度測定装置の断側面図である。 110.殺菌灯、200.第1の干渉フィルタ、300
.シリコンフォトダイオード、400.精密アパーチャ
511.第2の干渉フィルタ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)自己校正法により、波長253.7nmの絶対応
    答度の値付けをおこなったシリコンフォトダイオードと
    精密アパーチャとを組み合わせた受光器により、水銀輝
    線光源と波長253.7nm付近にのみ透過帯域を持つ
    帯域フィルタとを組み合わせた253.7nm放射源か
    ら、ある距離dにおける絶対放射照度を逆校正し、その
    逆校正した放射照度の値から、殺菌線放射照度計の指示
    目盛を校正する殺菌線放射照度測定方法。
  2. (2)特許請求の範囲第1項記載の方法により絶対放射
    照度に対する指示目盛を校正したシリコンフォトダイオ
    ードと、波長253.7nmにのみ透過帯域を持つ帯域
    フィルタと、精密アパーチャとを組み合わせた殺菌線放
    射照度測定装置。
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