JPH01201973A - 磁束量子論理素子および非同期カウンタ - Google Patents
磁束量子論理素子および非同期カウンタInfo
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- JPH01201973A JPH01201973A JP63025791A JP2579188A JPH01201973A JP H01201973 A JPH01201973 A JP H01201973A JP 63025791 A JP63025791 A JP 63025791A JP 2579188 A JP2579188 A JP 2579188A JP H01201973 A JPH01201973 A JP H01201973A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ジョセフソン線路中の磁束量子(ジョセフソ
ンホルテソクスと呼ばれる)の伝搬を他の磁束量子によ
り制御する磁束量子論理素子に関し、例えば高速論理回
路やメモリ等に利用される磁束量子論理素子に関するも
のである。
ンホルテソクスと呼ばれる)の伝搬を他の磁束量子によ
り制御する磁束量子論理素子に関し、例えば高速論理回
路やメモリ等に利用される磁束量子論理素子に関するも
のである。
〔従来の技術〕
従来、超伝導体でTフリップフロップを構成するには、
第11図に示すように、磁気結合型ジョセフソン接合4
つを用いて構成されるTDフリ。
第11図に示すように、磁気結合型ジョセフソン接合4
つを用いて構成されるTDフリ。
プフロソプ(特願昭57−174926号参照)A1の
次段にコンブリメンタル出ツノを出ず回路A2を接続し
、さらにQ信号の出力される端子1゛3を端子T2に接
続したような構成とする必要があり、たいへん複雑な回
路構成を必要とし、その複雑な回路構成ゆえマージンが
狭く高速動作も実現できない状態にあった。なお第11
図において、Ti、T4は端子である。
次段にコンブリメンタル出ツノを出ず回路A2を接続し
、さらにQ信号の出力される端子1゛3を端子T2に接
続したような構成とする必要があり、たいへん複雑な回
路構成を必要とし、その複雑な回路構成ゆえマージンが
狭く高速動作も実現できない状態にあった。なお第11
図において、Ti、T4は端子である。
従って、発明が解決しようとする課題は、従来技術に比
較してより簡単な回路構成でフリップフロップを構成す
ることである。これは、高速動作を実現するごとにもつ
なかろ。
較してより簡単な回路構成でフリップフロップを構成す
ることである。これは、高速動作を実現するごとにもつ
なかろ。
このような課題を解決するために本発明は、超伏ノ、1
体からなる上部電極および下部電極の間に1〜ン不ルハ
1ノアか挟まれたジョセフソン接合で1方向のみに長い
構造をなし、一方の端を入力端とし他方の端を出力端と
ずろ第1〜第3のジョセフソン線路を備え、第1のジョ
セフソン線路の出力端と第2のンヨセフソン線路の入力
端との間および第1のジョセフソン線路の出力端と第3
のジョセフソン線路の入力端との間を上部電極および下
部電極ともにそれぞれ抵抗体で接続するか、あるいは上
部電極同士および下部電極同士の一方を抵抗体で接続し
他力を超伝導体で接続し、第2のジョセフソン線路の入
力端と第3のジョセフソン線路の入力端との間を上部電
極同士および下部電極同士ともにそれぞれ超伝導体で接
続し、第2のジョセフソン線路と第3のジョセフソン線
路と超伝導体とで構成される超伝導ループに磁束量子が
保持できるようにしたものである。
体からなる上部電極および下部電極の間に1〜ン不ルハ
1ノアか挟まれたジョセフソン接合で1方向のみに長い
構造をなし、一方の端を入力端とし他方の端を出力端と
ずろ第1〜第3のジョセフソン線路を備え、第1のジョ
セフソン線路の出力端と第2のンヨセフソン線路の入力
端との間および第1のジョセフソン線路の出力端と第3
のジョセフソン線路の入力端との間を上部電極および下
部電極ともにそれぞれ抵抗体で接続するか、あるいは上
部電極同士および下部電極同士の一方を抵抗体で接続し
他力を超伝導体で接続し、第2のジョセフソン線路の入
力端と第3のジョセフソン線路の入力端との間を上部電
極同士および下部電極同士ともにそれぞれ超伝導体で接
続し、第2のジョセフソン線路と第3のジョセフソン線
路と超伝導体とで構成される超伝導ループに磁束量子が
保持できるようにしたものである。
本発明による磁束量子論理素子は、ジョセフソン線路中
を伝搬する磁束量子は一旦波形が崩れても伝搬中に自己
整形するという特徴を有しているため、多段接続して機
能回路を実現する際にも次段入力は常に一定に保たれ、
多段接続することによるマージンの低下を防止すること
ができる。
を伝搬する磁束量子は一旦波形が崩れても伝搬中に自己
整形するという特徴を有しているため、多段接続して機
能回路を実現する際にも次段入力は常に一定に保たれ、
多段接続することによるマージンの低下を防止すること
ができる。
以下、本発明の実施例を17面を用いて説明する。
本発明の実施例は、少なくとも第1から第3までのジョ
セフソン線路を用いて構成されている。まず、ここでは
、超伝導体からムる上部電極および下部′電極の間にト
ンネルバリアが挟まれた積層構造を基体として構成され
、このような積層構造が磁束量子の伝搬方向にジョセフ
ソン侵入距離λJの5倍程度以上の長さに構成されてい
る分布定数型線路を用いて説明する。
セフソン線路を用いて構成されている。まず、ここでは
、超伝導体からムる上部電極および下部′電極の間にト
ンネルバリアが挟まれた積層構造を基体として構成され
、このような積層構造が磁束量子の伝搬方向にジョセフ
ソン侵入距離λJの5倍程度以上の長さに構成されてい
る分布定数型線路を用いて説明する。
第1図に第1の実施例の説明図を示す。図中、1は第1
のジョセフソン線路、2は第2のジョセフソン線路、3
は第3のジョセフソン線路、4は抵抗体、5はインダク
タンス、6は超伝導体、7はトンネルバリア、T1は入
力端、T2.T3は出力端である。第1のジョセフソン
線路1の出力端と第2のジョセフソン線路2の入力端お
よび第1のジョセフソン線路1の出力端と第3のジョセ
フソン線路3の入力端との間は、それぞれ独立に抵抗体
4により接続されている。また、第2のジョセフソン線
路2の入力端と第3のジョセフソン線路3の入力端との
間はインダクタンス5で接続されているので、第2のジ
ョセフソン線路2の接合−インタフタンス5−第3のジ
ョセフソン線路3の接合−グランドプレーンの経路から
なる超伝導ループが形成されている。ここで、この超伝
導ループの大きさLI積(L:超伝導ループを構成する
インダクタンスの値、■=超伝導ループ中に含まれるジ
ョセフソン接合の臨界電流値)が第2図の斜線の部分S
aの条件を満たすように設定する。領域Saの条件にお
いては、ジョセフソン線路2に侵入した磁束量子が超伝
導ループ中に停止保持される。領域sbにおいては磁束
量子は停止しない。
のジョセフソン線路、2は第2のジョセフソン線路、3
は第3のジョセフソン線路、4は抵抗体、5はインダク
タンス、6は超伝導体、7はトンネルバリア、T1は入
力端、T2.T3は出力端である。第1のジョセフソン
線路1の出力端と第2のジョセフソン線路2の入力端お
よび第1のジョセフソン線路1の出力端と第3のジョセ
フソン線路3の入力端との間は、それぞれ独立に抵抗体
4により接続されている。また、第2のジョセフソン線
路2の入力端と第3のジョセフソン線路3の入力端との
間はインダクタンス5で接続されているので、第2のジ
ョセフソン線路2の接合−インタフタンス5−第3のジ
ョセフソン線路3の接合−グランドプレーンの経路から
なる超伝導ループが形成されている。ここで、この超伝
導ループの大きさLI積(L:超伝導ループを構成する
インダクタンスの値、■=超伝導ループ中に含まれるジ
ョセフソン接合の臨界電流値)が第2図の斜線の部分S
aの条件を満たすように設定する。領域Saの条件にお
いては、ジョセフソン線路2に侵入した磁束量子が超伝
導ループ中に停止保持される。領域sbにおいては磁束
量子は停止しない。
上記構造において、第2のジョセフソン線路2の入力端
にのみ補助バイアス電流1を供給し、第1のンヨセフソ
ン線路1中を伝搬してきた磁束量子は第2のジョセフソ
ン線路2には抵抗体4を通って伝搬するが、第3のジョ
セフソン線路3には伝搬しないように設定する。
にのみ補助バイアス電流1を供給し、第1のンヨセフソ
ン線路1中を伝搬してきた磁束量子は第2のジョセフソ
ン線路2には抵抗体4を通って伝搬するが、第3のジョ
セフソン線路3には伝搬しないように設定する。
この状態において、第1のジョセフソン線路1から磁束
量子を伝搬さゼると、磁束量子は第2のジョセフソン線
路2に侵入し、磁束量子の一方の端が第2のジョセフソ
ン線路2の出力端T 2に伝搬すると共に他方の端は第
2のジョセフソン線路2と第3のジョセフソン線路3の
間に構成された超伝導ループ中に保持される。この時、
超伝導ループ中には磁束量子に伴う周回電流か第2のジ
ョセフソン線路2の入力端では下部電極から上部電極の
方向に、第3のジョセフソン線路3の入力端では一ヒ部
電極から下部電極の方向に流れる。このため、第2のジ
ョセフソン線路2の入力端においては補助バイアス電流
1と磁束量子に伴う周回電流とがキャンセルしあい、第
3のジョセフソン線路3の入力端においては補助バイア
ス電流1が供給されたのと同じ効果となる。この状態で
次の磁束量子を第1のジョセフソン線路1から伝搬させ
ると、磁束量子はジョセフソン線路3に侵入し、ジョセ
フソン線路3の出力Oi#iに伝搬すると共に、超伝導
ループ中で保持されていた磁束量子との間で対消滅が起
こり、初期状態へ戻る。
量子を伝搬さゼると、磁束量子は第2のジョセフソン線
路2に侵入し、磁束量子の一方の端が第2のジョセフソ
ン線路2の出力端T 2に伝搬すると共に他方の端は第
2のジョセフソン線路2と第3のジョセフソン線路3の
間に構成された超伝導ループ中に保持される。この時、
超伝導ループ中には磁束量子に伴う周回電流か第2のジ
ョセフソン線路2の入力端では下部電極から上部電極の
方向に、第3のジョセフソン線路3の入力端では一ヒ部
電極から下部電極の方向に流れる。このため、第2のジ
ョセフソン線路2の入力端においては補助バイアス電流
1と磁束量子に伴う周回電流とがキャンセルしあい、第
3のジョセフソン線路3の入力端においては補助バイア
ス電流1が供給されたのと同じ効果となる。この状態で
次の磁束量子を第1のジョセフソン線路1から伝搬させ
ると、磁束量子はジョセフソン線路3に侵入し、ジョセ
フソン線路3の出力Oi#iに伝搬すると共に、超伝導
ループ中で保持されていた磁束量子との間で対消滅が起
こり、初期状態へ戻る。
したがって、第1のジョセフソン線路1から伝搬した磁
束量子は第2のジョセフソン線路2の出力端T2と第3
のジョセフソン線路3の出力端T3とに交互に伝搬する
ことになり、Tフリップフロップか実現できる。
束量子は第2のジョセフソン線路2の出力端T2と第3
のジョセフソン線路3の出力端T3とに交互に伝搬する
ことになり、Tフリップフロップか実現できる。
本構造における一ヒ述の分周期動作を確認するため回路
解析プロクラムを用いてシミュレーションを行なった。
解析プロクラムを用いてシミュレーションを行なった。
第3ばに、第1の線路1と第2の線路2および第3の線
路3とを接続する抵抗体4の値Rcpおよび第2の線路
2と第3の線路3とを接続し磁束量子停止部を構成する
インダクタンスの(直しCPをパラメータとして、動作
マージンを調べた結果を示す。○は分周期動作力蝙育認
される動作領域S1を示し、・は線路2と線路3の両方
の線路に伝搬してしまう動作領域S2、△は線路2と線
路3のどちらの線路にも伝搬しない動作領域S3、×ば
磁束量子停止部に磁束量子が保持されていても線路3に
磁束量子が伝搬しない動作領域S4を示す。この結果か
ら、接続抵抗RCPに関しては±30%、接続インダク
タンスし。、に関しても±30%程度の動作マージンが
あることがわかる。
路3とを接続する抵抗体4の値Rcpおよび第2の線路
2と第3の線路3とを接続し磁束量子停止部を構成する
インダクタンスの(直しCPをパラメータとして、動作
マージンを調べた結果を示す。○は分周期動作力蝙育認
される動作領域S1を示し、・は線路2と線路3の両方
の線路に伝搬してしまう動作領域S2、△は線路2と線
路3のどちらの線路にも伝搬しない動作領域S3、×ば
磁束量子停止部に磁束量子が保持されていても線路3に
磁束量子が伝搬しない動作領域S4を示す。この結果か
ら、接続抵抗RCPに関しては±30%、接続インダク
タンスし。、に関しても±30%程度の動作マージンが
あることがわかる。
なお、第3図においては、線路のバイアス条件IB/
I J−0,4、補助バイアス電流1++’−0,45
mAである。
I J−0,4、補助バイアス電流1++’−0,45
mAである。
以上の実施例におけるジョセフソン線路には、上述の分
布定数型ジョセフソン線路と同様に集中定数型ジョセフ
ソン線路も適用することができる。
布定数型ジョセフソン線路と同様に集中定数型ジョセフ
ソン線路も適用することができる。
ここで、集中定数型ジョセフソン線路とは、分布定数型
ジョセフソン線路と同様の積層構造を第1の積層構造と
したとき、この第1の積層構造部の他に、超伝導体から
なる上部電極および下部電極の間にI−ン不ル′1E流
が流れ得ないような膜厚の絶縁層が挟まれた第2の積層
構造部を有している。
ジョセフソン線路と同様の積層構造を第1の積層構造と
したとき、この第1の積層構造部の他に、超伝導体から
なる上部電極および下部電極の間にI−ン不ル′1E流
が流れ得ないような膜厚の絶縁層が挟まれた第2の積層
構造部を有している。
そして、このような第1の積層構造部および第2の積層
構造部が交互に連結され、第1の積層構造部の長さをジ
ョセフソン侵入距離λ」よりも小さく形成したものであ
る。
構造部が交互に連結され、第1の積層構造部の長さをジ
ョセフソン侵入距離λ」よりも小さく形成したものであ
る。
第4図は本発明の第2の実施例を示す説明図であり、第
1図と比較して、抵抗体4aが付加されており、この抵
抗体4aによりジョセフソン線路lとジョセフソン線路
2およびジョセフソン線路1とジョセフソン線路3か下
部電極同士で接続されている。この実施例も、第1の実
施例と同様の動作を行なう。
1図と比較して、抵抗体4aが付加されており、この抵
抗体4aによりジョセフソン線路lとジョセフソン線路
2およびジョセフソン線路1とジョセフソン線路3か下
部電極同士で接続されている。この実施例も、第1の実
施例と同様の動作を行なう。
第5図は本発明の第3の実施例を示す説明図であり、第
1図と比較して、インダクタンス4bが付加されており
、このインダクタンス4bによりジョセフソン線路1と
ジョセフソン線路2およびジョセフソン線路1とジョセ
フソン線路3が下部電極同士で接続されている。この実
施例も、第1の実施例と同様の動作を行なう。なお、第
3の実施例においては、上部電極同士を抵抗体4で接続
し、下部電極同士をインダクタンス4bで接続している
が、逆に、下部電極同士を抵抗体4で接続し、上部電極
同士をインダクタンス4bで接続しても同様の動作を行
なうものである。
1図と比較して、インダクタンス4bが付加されており
、このインダクタンス4bによりジョセフソン線路1と
ジョセフソン線路2およびジョセフソン線路1とジョセ
フソン線路3が下部電極同士で接続されている。この実
施例も、第1の実施例と同様の動作を行なう。なお、第
3の実施例においては、上部電極同士を抵抗体4で接続
し、下部電極同士をインダクタンス4bで接続している
が、逆に、下部電極同士を抵抗体4で接続し、上部電極
同士をインダクタンス4bで接続しても同様の動作を行
なうものである。
第6図は本発明の第4の実施例を示す説明図であり、第
1図と比較して、ジョセフソン線路が4個のジョセフソ
ン接合1a〜1d、2a〜2d。
1図と比較して、ジョセフソン線路が4個のジョセフソ
ン接合1a〜1d、2a〜2d。
3a〜3dから構成されている点か異なる。各ジョセフ
ソン接合はインタフタンス8により」一部電極同士およ
び下部電極同士を接続されている。この実施例も、第1
の実施例と同様の動作を行なう。
ソン接合はインタフタンス8により」一部電極同士およ
び下部電極同士を接続されている。この実施例も、第1
の実施例と同様の動作を行なう。
第7図(a)、 tb+に本発明の第5の実施例を示す
。
。
第7図(a)において、11は第1のジョセフソン線路
、12は第2のジョセフソン線路、13は第3のジョセ
フソン線路、14は第4のジョセフソン線路、15は抵
抗体、16はインタフタンス、T11、T13は入力端
、T12.’r14は出力端である。第1のジョセフソ
ン線路11の出力端と第2のジョセフソン線路12の入
力端および第3のジョセフソン線路13の出力端と第4
のジョセフソン線路14の入力※:1.;とはそれぞれ
独立に抵抗体15て接続されている。また、第2のジョ
セフソン線路12の入力公11と第4のジョセフソン線
路14の入力端とはインタフタンス16で接続されてい
るので、第2のジョセフソン線路12の接合−インダク
タンス16−第4のジョセフソン線路14の接合−ブラ
ントプレーンの経路からなる超伝導ループ(磁束量子停
止部)が形成され、磁束母子を保持てきるようになって
いる。
、12は第2のジョセフソン線路、13は第3のジョセ
フソン線路、14は第4のジョセフソン線路、15は抵
抗体、16はインタフタンス、T11、T13は入力端
、T12.’r14は出力端である。第1のジョセフソ
ン線路11の出力端と第2のジョセフソン線路12の入
力端および第3のジョセフソン線路13の出力端と第4
のジョセフソン線路14の入力※:1.;とはそれぞれ
独立に抵抗体15て接続されている。また、第2のジョ
セフソン線路12の入力公11と第4のジョセフソン線
路14の入力端とはインタフタンス16で接続されてい
るので、第2のジョセフソン線路12の接合−インダク
タンス16−第4のジョセフソン線路14の接合−ブラ
ントプレーンの経路からなる超伝導ループ(磁束量子停
止部)が形成され、磁束母子を保持てきるようになって
いる。
第5の実施例の構造では、磁束量子停止部は3つの状態
を取り得る。17は磁束量子が保持されていない状態、
18は停止磁束量子に伴う周回電流が線路12の上部電
極から線路13の上部電極へ流れるように磁束量子が保
持されている状態、19は周回電流が線路13の上部電
極から線路12の上部電極へ流れるように磁束量子が保
持されている状態であり、その状態変化は第7図(b)
に示すようになる。図中、(端子Tllへの入力、端子
]゛13への入力)は変化を起こさせる入力、[端子ゴ
12の出力、端子1゛14の出力]はその時の出力を示
す。
を取り得る。17は磁束量子が保持されていない状態、
18は停止磁束量子に伴う周回電流が線路12の上部電
極から線路13の上部電極へ流れるように磁束量子が保
持されている状態、19は周回電流が線路13の上部電
極から線路12の上部電極へ流れるように磁束量子が保
持されている状態であり、その状態変化は第7図(b)
に示すようになる。図中、(端子Tllへの入力、端子
]゛13への入力)は変化を起こさせる入力、[端子ゴ
12の出力、端子1゛14の出力]はその時の出力を示
す。
第6の実施例を第8図を用いて説明する。第6図におい
て、21は第1のジョセフソン線路、22は第2のジョ
セフソン線路、23は第3のジョセフソン線路、24は
抵抗体、25はジョセフソン接合直列接続体を構成する
ジョセフソン接合、T21は入力端、T22およびT2
3は出力端である。第6の実施例は、第1の実施例の磁
束量子論理素子において線路2の入力端の上部電極と線
路3の入力端の上部電極とを超伝導体(インダクタンス
)で接続することによりインダクタンスループを構成す
る代わりに、直列にジョセフソン接合25を複数個接続
し、接合の持つカイナテノクインダクタンスによりイン
ダクタンスループを構成したものである。
て、21は第1のジョセフソン線路、22は第2のジョ
セフソン線路、23は第3のジョセフソン線路、24は
抵抗体、25はジョセフソン接合直列接続体を構成する
ジョセフソン接合、T21は入力端、T22およびT2
3は出力端である。第6の実施例は、第1の実施例の磁
束量子論理素子において線路2の入力端の上部電極と線
路3の入力端の上部電極とを超伝導体(インダクタンス
)で接続することによりインダクタンスループを構成す
る代わりに、直列にジョセフソン接合25を複数個接続
し、接合の持つカイナテノクインダクタンスによりイン
ダクタンスループを構成したものである。
第7の実施例を第9図を用いて説明する。第9図におい
て、31は第1のジョセフソン線路、32は第2のジョ
セフソン線路、33は第3のジョセフソン線路、34は
抵抗体、35はジョセフソン接合直列接続体を構成する
ジョセフソン接合、Llはリセット入力信号aの信号線
、36は磁気結合している部分、T21は入力端、T2
2およびT23は出力端である。第7の実施例は、第6
の実施例の磁束量子論理素子において線路22と線路2
3とを接続するジョセフソン接合の1つに信号線L1を
磁気的に結合させたものである。この信号線L1に入力
を加えることによりインダクタンスループ(磁束量子停
止部)中のジョセフソン接合を電圧転移させ、インダク
タンスループ中に保持されていた磁束量子を放出させる
ことができる。つまり、信号線L1は磁束量子停止部を
リセフトする働きを持つ。
て、31は第1のジョセフソン線路、32は第2のジョ
セフソン線路、33は第3のジョセフソン線路、34は
抵抗体、35はジョセフソン接合直列接続体を構成する
ジョセフソン接合、Llはリセット入力信号aの信号線
、36は磁気結合している部分、T21は入力端、T2
2およびT23は出力端である。第7の実施例は、第6
の実施例の磁束量子論理素子において線路22と線路2
3とを接続するジョセフソン接合の1つに信号線L1を
磁気的に結合させたものである。この信号線L1に入力
を加えることによりインダクタンスループ(磁束量子停
止部)中のジョセフソン接合を電圧転移させ、インダク
タンスループ中に保持されていた磁束量子を放出させる
ことができる。つまり、信号線L1は磁束量子停止部を
リセフトする働きを持つ。
第8の実施例を第10図を用いて説明する。第10図に
おいて、M1〜Mnは第1の実施例の磁束量子論理素子
である。このように、第8の実施例は、第1の実施例の
磁束量子論理素子をn個用い、1番目のβ磁束量子論理
素子の2個の出力端のいずれかと1 + 1番目の磁束
量子論理素子の入力端とを接続するという形態でn段接
続したものである。この実施例の構造においては、n段
目の出力端′I゛0には磁束量子論理素子M1の入力端
TIに入る信号の1/2’の信号が取り出される非同(
す1カウンタが実現される。
おいて、M1〜Mnは第1の実施例の磁束量子論理素子
である。このように、第8の実施例は、第1の実施例の
磁束量子論理素子をn個用い、1番目のβ磁束量子論理
素子の2個の出力端のいずれかと1 + 1番目の磁束
量子論理素子の入力端とを接続するという形態でn段接
続したものである。この実施例の構造においては、n段
目の出力端′I゛0には磁束量子論理素子M1の入力端
TIに入る信号の1/2’の信号が取り出される非同(
す1カウンタが実現される。
以上説明したように本発明による磁束量子論理素子およ
び非同期カウンタは、ジョセフソン線路の抵抗結合分岐
の分岐部にインダクタンスループを形成できるようにし
たことにより、極めて簡単な構造でフリップフロップお
よび非同期カウンタを形成することかでき、かつ磁束量
子特有の自己整形作用を利用することにより、多段接続
によるマージンの低下を防止できるという大きな利点が
ある。
び非同期カウンタは、ジョセフソン線路の抵抗結合分岐
の分岐部にインダクタンスループを形成できるようにし
たことにより、極めて簡単な構造でフリップフロップお
よび非同期カウンタを形成することかでき、かつ磁束量
子特有の自己整形作用を利用することにより、多段接続
によるマージンの低下を防止できるという大きな利点が
ある。
第1図は本発明の第1の実施例を説明するための説明図
、第2図はインダクタンスループ部におけるLl積と磁
束量子の挙Z)Jとの関係を示した説明図、第3図は第
1の実施例の動作モートを説明する説明図、第4図〜第
10図は第2〜第8の実施例を説明するための説明図、
第11図は従来の磁束量子論理素子を説明するための回
路図である。 1・第1のジョセフソン線路、2・・・第2のジョセフ
ソン線路、3・・第3のジョセフソン線路、4・・・抵
抗体、5・・インダクタンス、6・・・超伝導体、7・
・・トンネルバリア、T1・・・入力端、T2.T3・
・・出力端。
、第2図はインダクタンスループ部におけるLl積と磁
束量子の挙Z)Jとの関係を示した説明図、第3図は第
1の実施例の動作モートを説明する説明図、第4図〜第
10図は第2〜第8の実施例を説明するための説明図、
第11図は従来の磁束量子論理素子を説明するための回
路図である。 1・第1のジョセフソン線路、2・・・第2のジョセフ
ソン線路、3・・第3のジョセフソン線路、4・・・抵
抗体、5・・インダクタンス、6・・・超伝導体、7・
・・トンネルバリア、T1・・・入力端、T2.T3・
・・出力端。
Claims (5)
- (1)超伝導体からなる上部電極および下部電極の間に
トンネルバリアが挟まれたジョセフソン接合て1方向の
みに長い構造をなし、一方の端を入力端とし他方の端を
出力端とする第1〜第3のジョセフソン線路を備え、第
1のジョセフソン線路の出力端と第2のジョセフソン線
路の入力端との間および第1のジョセフソン線路の出力
端と第3のジョセフソン線路の入力端との間を上部電極
および下部電極ともにそれぞれ抵抗体で接続するか、あ
るいは上部電極同士および下部電極同士の一方を抵抗体
で接続し他方を超伝導体で接続し、第2のジョセフソン
線路の入力端と第3のジョセフソン線路の入力端との間
を上部電極同士および下部電極同士ともにそれぞれ超伝
導体で接続し、第2のジョセフソン線路と第3のジョセ
フソン線路と超伝導体とで構成される超伝導ループに磁
束量子が保持できるようにしたことを特徴とする磁束量
子論理素子。 - (2)請求項1記載の磁束量子素子において、超伝導体
からなる上部電極および下部電極の間にトンネルバリア
が挟まれたジョセフソン接合で1方向のみに長い構造を
なし、一方の端を入力端とし他方の端を出力端とするジ
ョセフソン線路に代えて、超伝導体からなる上部電極お
よび下部電極の間にトンネルバリアが挾まれたジョセフ
ソン接合の複数個をインダクタンスによる上部電極同士
の接続および下部電極同士の接続により1方向のみに接
続し、一方の端を入力端とし他方の端を出力端とするジ
ョセフソン線路を備えたことを特徴とする磁束量子論理
素子。 - (3)請求項1記載の磁束量子素子において、第2のジ
ョセフソン線路の入力端と第3のジョセフソン線路の入
力端とを上部電極同士超伝導体で接続する代わりに、複
数のジョセフソン接合を直列に接続したジョセフソン接
合直列接続体により前記両入力端を接続することを特徴
とする磁束量子論理素子。 - (4)ジョセフソン接合直列接続体の複数のジョセフソ
ン接合の少なくとも1つの接合に信号線を磁気的に結合
させたことを特徴とする請求項1記載の磁束量子論理素
子。 - (5)請求項1記載の磁束量子論理素子をN個用い、成
る段の磁束量子論理素子の第1または第2の出力端と次
段の磁束量子論理素子の入力端とを接続することにより
N段接続したことを特徴とする非同期カウンタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63025791A JPH01201973A (ja) | 1988-02-08 | 1988-02-08 | 磁束量子論理素子および非同期カウンタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63025791A JPH01201973A (ja) | 1988-02-08 | 1988-02-08 | 磁束量子論理素子および非同期カウンタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01201973A true JPH01201973A (ja) | 1989-08-14 |
Family
ID=12175657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63025791A Pending JPH01201973A (ja) | 1988-02-08 | 1988-02-08 | 磁束量子論理素子および非同期カウンタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01201973A (ja) |
-
1988
- 1988-02-08 JP JP63025791A patent/JPH01201973A/ja active Pending
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