JPH01202880A - ダブルヘテロウェハ及びダブルヘテロ接合型半導体レーザ装置 - Google Patents
ダブルヘテロウェハ及びダブルヘテロ接合型半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH01202880A JPH01202880A JP2648388A JP2648388A JPH01202880A JP H01202880 A JPH01202880 A JP H01202880A JP 2648388 A JP2648388 A JP 2648388A JP 2648388 A JP2648388 A JP 2648388A JP H01202880 A JPH01202880 A JP H01202880A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は、Ｉｎ （ＧａＡＪ）Ｐｌ−ｙ
１−ｘ ｘ ｙ 混晶をクラッド層として用いるダブルへテロ接合型半導
体レーザ装置に関する。
１−ｘ ｘ ｙ 混晶をクラッド層として用いるダブルへテロ接合型半導
体レーザ装置に関する。
（従来の技術）
Ｉｎ （ＧａＡＩｌ ）Ｐ混晶は、１−ｙ
ｌ−Ｘ ｘ ｙ ■−ｖ族化合物半導体の中で最も直接遷移バンドキャッ
プが大きいことから、短波長の発光素子用材料として注
目されている。最近ＭＯＣＶＤ法（有機金属熱分解気相
成長法）による可視半導体レーザが報告されている。
ｌ−Ｘ ｘ ｙ ■−ｖ族化合物半導体の中で最も直接遷移バンドキャッ
プが大きいことから、短波長の発光素子用材料として注
目されている。最近ＭＯＣＶＤ法（有機金属熱分解気相
成長法）による可視半導体レーザが報告されている。
一例として第４図に示すような内部狭容型レーザがある
。図中、（１０）はｎ−ＧａＡｓ基板、 （１１）はｎ
−Ｉｎ （Ｇａ ＡＪ！ ） Ｐクラ
０．５ ０．５ ０．．５． ０．５ツドＷ（Ｓ
ｔドープ： ５ Ｘ １０１７ａｍ−ｊ、１．０μｍ）
。
。図中、（１０）はｎ−ＧａＡｓ基板、 （１１）はｎ
−Ｉｎ （Ｇａ ＡＪ！ ） Ｐクラ
０．５ ０．５ ０．．５． ０．５ツドＷ（Ｓ
ｔドープ： ５ Ｘ １０１７ａｍ−ｊ、１．０μｍ）
。
（１２）はＩｎ Ｇａ Ｐ活硅層（７：／Ｆ−
０，５０，５ プ、 ０．１ μｍ） 、 （１３）はＰ−１ｎ
（Ｇ ａ ｏ 、 ５Ｏ０５ ＡＪ！ ） Ｐクラッド１ｉ（Ｚｎドープ：５
０．５ ０．５ ｘ １０ ｃＩｌｌ、 １．０ μｍ） 、 （
１４）はＰ−Ｉｎ、５０ａ Ｐキ＋ｙプ層（Ｚｎド
ープニア×１０１７０．５ ｃｍ−３，０，０５ａ ｍ） 、 （１５）はｎ−Ｇａ
Ａｓ電流狭用度（Ｓｔドープ： ２ Ｘ １ Ｇ １８
ｃｍ−３，１，０μｍ） 。
０，５０，５ プ、 ０．１ μｍ） 、 （１３）はＰ−１ｎ
（Ｇ ａ ｏ 、 ５Ｏ０５ ＡＪ！ ） Ｐクラッド１ｉ（Ｚｎドープ：５
０．５ ０．５ ｘ １０ ｃＩｌｌ、 １．０ μｍ） 、 （
１４）はＰ−Ｉｎ、５０ａ Ｐキ＋ｙプ層（Ｚｎド
ープニア×１０１７０．５ ｃｍ−３，０，０５ａ ｍ） 、 （１５）はｎ−Ｇａ
Ａｓ電流狭用度（Ｓｔドープ： ２ Ｘ １ Ｇ １８
ｃｍ−３，１，０μｍ） 。
（１６）はＰ−ＧａＡｓコンタクト層（Ｚｎドープ：３
Ｘ １ Ｇ ”ａｎ−３，３，０ｕ ｍ） 、 （
１７＞（１ｇ）はオーミック電極である。
Ｘ １ Ｇ ”ａｎ−３，３，０ｕ ｍ） 、 （
１７＞（１ｇ）はオーミック電極である。
このような多元混晶にょるヘテロ構造の作製に際しては
、基板結晶とエピタキシャル層との格子整合が重要であ
る。この場合ＧａＡｓと１ ｎＧａＰ、ＩｎＧａＡＪＰ
との格子整合が必要となる。
、基板結晶とエピタキシャル層との格子整合が重要であ
る。この場合ＧａＡｓと１ ｎＧａＰ、ＩｎＧａＡＪＰ
との格子整合が必要となる。
ＧａＡｓ基板の格子定数：ａｏとＧａＡｓ基板にエピタ
キシャル成長して、歪んだ１ ｎ ｌ−。
キシャル成長して、歪んだ１ ｎ ｌ−。
（Ｇａ１−ｘ Ａｉｘ）ｙ Ｐの基板と垂直方向の格子
定数：ａとのずれを格子不整合率：Δａ ／ ａ Ｏと
して、Δａ／ａｏ ＝ ［（ａ−ａｏ ） ／ａｏ ］
Ｘ１００（％）と定義すると、一般に良好な可視半導
体レーザを作製するためにはΔａ／ａｇ −±０．１％
以内に制御することが必要である。
定数：ａとのずれを格子不整合率：Δａ ／ ａ Ｏと
して、Δａ／ａｏ ＝ ［（ａ−ａｏ ） ／ａｏ ］
Ｘ１００（％）と定義すると、一般に良好な可視半導
体レーザを作製するためにはΔａ／ａｇ −±０．１％
以内に制御することが必要である。
上記の構造をＭＯＣＶＤ法を用いて形成する場合、Ｉｎ
ＧａＸＰ層の成長については、Ｇａ−ｘ Ａｓと格子整合する組成（Ｘ４０．５）となるような気
相組成に流量制御した原料ガスを供給することによって
格子整合性の良好なヘテロ成長が可能である。このとき
のガス流量条件は例えば次のようにして決めることがで
きる。Ｐ（リン）及びｆｎ（インジウム）の供給量を一
定としてＧａ（ガリウム）の供給量を変化させたとき、
Ｇａの供給量、即ち気相組成Ｘｇと格子不整合率Δａ／
ａＱの関係は第５図のようになる。この図がらΔａ ／
ａ Ｏが０％となる気相組成ＸｇＯを得ることができ
る。Ｉｎ （Ｇａ Ａｌ）ｙＰの１−２
１−ｘ ｘ 場合も同様にして格子整合する流量条件が求められる。
ＧａＸＰ層の成長については、Ｇａ−ｘ Ａｓと格子整合する組成（Ｘ４０．５）となるような気
相組成に流量制御した原料ガスを供給することによって
格子整合性の良好なヘテロ成長が可能である。このとき
のガス流量条件は例えば次のようにして決めることがで
きる。Ｐ（リン）及びｆｎ（インジウム）の供給量を一
定としてＧａ（ガリウム）の供給量を変化させたとき、
Ｇａの供給量、即ち気相組成Ｘｇと格子不整合率Δａ／
ａＱの関係は第５図のようになる。この図がらΔａ ／
ａ Ｏが０％となる気相組成ＸｇＯを得ることができ
る。Ｉｎ （Ｇａ Ａｌ）ｙＰの１−２
１−ｘ ｘ 場合も同様にして格子整合する流量条件が求められる。
しかしこのようにして作製したダブルへテロウェハのＸ
線ロッキングカーブを調べてみると？ｉ６図のような形
状を示した、最も強度の強いＧａＡｓ基板のピークと、
この右裾部分にほぼ重なってｎクラッド層のピークがあ
り、Ｐクラッド層のピークは小角度側に離れている。こ
の結果から各クラッド層の格子不整合率Δａ ／ ａ
ｏを、求めるとｎクラッドが＋０．０１％、ｐクラッド
が−０，１１％であった。このようなダブルへテロ構造
のｐ型。
線ロッキングカーブを調べてみると？ｉ６図のような形
状を示した、最も強度の強いＧａＡｓ基板のピークと、
この右裾部分にほぼ重なってｎクラッド層のピークがあ
り、Ｐクラッド層のピークは小角度側に離れている。こ
の結果から各クラッド層の格子不整合率Δａ ／ ａ
ｏを、求めるとｎクラッドが＋０．０１％、ｐクラッド
が−０，１１％であった。このようなダブルへテロ構造
のｐ型。
ｎ型クラッド層で格子不整合率が異なる現象にっいてさ
らに検討したところ、不純物のドーピン（Ｇ ａ ｌっ
／ｌｘ’Ｉ ｙＰの格子不整合率がマイナス側にずれる
、即ちｐ−Ｉｎ （Ｇａ１−ｙ 、 １−
ｘ ＡＩ２ｘ）ｙＰの格子定数がアンドープあるいはｎドー
プのそれより小さくなる傾向が−あることがわかった。
らに検討したところ、不純物のドーピン（Ｇ ａ ｌっ
／ｌｘ’Ｉ ｙＰの格子不整合率がマイナス側にずれる
、即ちｐ−Ｉｎ （Ｇａ１−ｙ 、 １−
ｘ ＡＩ２ｘ）ｙＰの格子定数がアンドープあるいはｎドー
プのそれより小さくなる傾向が−あることがわかった。
Ｚｎドーピングによる格子不整合のずれは、１ｘ１０１
８程度のドーピングでマイナス側へ約０．１〜０．１５
％であった。
８程度のドーピングでマイナス側へ約０．１〜０．１５
％であった。
以上のようにＩｎ （Ｇａ Ａ、ｇ ）
Ｐｌ−ｙ ｌ−ｘ ダブルへテロ接合型レーザでは、不純物のドーピングに
よって、格子定数が変わり、ｐｕｎクラッドの一方で格
子不整合率が０％で整合しても他方はずれてしまう。結
晶成長及びウェハ市内でのバラツキを考慮すると最大０
．２％以上ずれる可能性がある。格子不整合率は、ミス
フィツト転位等結晶欠陥発生の原因となる。又、ＧａＡ
ｓ基板と格子整合した活性層を挟んで片側に大きい格子
不整合が有ることで活性層に応力が加わり特性の劣化を
引き起こすことが考えられる。
Ｐｌ−ｙ ｌ−ｘ ダブルへテロ接合型レーザでは、不純物のドーピングに
よって、格子定数が変わり、ｐｕｎクラッドの一方で格
子不整合率が０％で整合しても他方はずれてしまう。結
晶成長及びウェハ市内でのバラツキを考慮すると最大０
．２％以上ずれる可能性がある。格子不整合率は、ミス
フィツト転位等結晶欠陥発生の原因となる。又、ＧａＡ
ｓ基板と格子整合した活性層を挟んで片側に大きい格子
不整合が有ることで活性層に応力が加わり特性の劣化を
引き起こすことが考えられる。
（発明が解決しようとする課題）
以上述べたようにＩｎ （Ｑａ
ｔ−２１−ｘ
Ａｌり、Ｐをクラッド層とするダブルへテロ接合型レー
ザでは不純物のドーピング、特にＺｎのドーピングによ
ってｐクラッド層の格子定数が変わり、一方のクラッド
層で格子整合がとれた場合でも他方はずれてしまうとい
う問題があった。
ザでは不純物のドーピング、特にＺｎのドーピングによ
ってｐクラッド層の格子定数が変わり、一方のクラッド
層で格子整合がとれた場合でも他方はずれてしまうとい
う問題があった。
この発明は上記不純物ドーピングによる格子不整合を改
善したダブルへテロ接合型レーザを提供するものである
。・ ［発明の構成］ （課題を解決するための手段） この発明の骨子は、’ Ｚ ｎをドーピングしたｐ−Ｉ
ｎ （Ｇａ １−２ １−ｘ ”、ｘ ）Ｖ Ｐクラッド層の格
子定数がｎドープあるいはアンドープのＩｎ
（Ｇａ ｔ−ｙ １−３１ ＡＪｘ） 、 Ｐに対して小
さくなることに注目し、ｎクラッド層の格子不整合率を
予めプラス側にずらして形成するという簡便な方法によ
ってｐクラッド層の格子不整合を低減するものである。
善したダブルへテロ接合型レーザを提供するものである
。・ ［発明の構成］ （課題を解決するための手段） この発明の骨子は、’ Ｚ ｎをドーピングしたｐ−Ｉ
ｎ （Ｇａ １−２ １−ｘ ”、ｘ ）Ｖ Ｐクラッド層の格
子定数がｎドープあるいはアンドープのＩｎ
（Ｇａ ｔ−ｙ １−３１ ＡＪｘ） 、 Ｐに対して小
さくなることに注目し、ｎクラッド層の格子不整合率を
予めプラス側にずらして形成するという簡便な方法によ
ってｐクラッド層の格子不整合を低減するものである。
（作 用）
ＭＯＣＶＤ法によってダブルへテロ構造を形成する際、
ｎ型Ｉｎ （Ｇａ ＡＪ ） ＰＬ−ｙ
１−ｘ ｘ ｘ クラッド層の格子不整合率を＋０．０５％以上にずらし
て形成することにより、ｐ−クラッド層成長時にＺｎド
ーピングによって生じる格子不整合率の０．１〜０．１
５％程度のマイナス側へのずれを補償する。これにより
、一方のクラッド層が格子整合した場合でも他方は０．
１％程度、結晶成長のばらつき等によっては０．２％以
上の格子不整合になっていたものがｐ、ｎ全クラッド層
共に＋０．１５以内に制御することが可能となる。
ｎ型Ｉｎ （Ｇａ ＡＪ ） ＰＬ−ｙ
１−ｘ ｘ ｘ クラッド層の格子不整合率を＋０．０５％以上にずらし
て形成することにより、ｐ−クラッド層成長時にＺｎド
ーピングによって生じる格子不整合率の０．１〜０．１
５％程度のマイナス側へのずれを補償する。これにより
、一方のクラッド層が格子整合した場合でも他方は０．
１％程度、結晶成長のばらつき等によっては０．２％以
上の格子不整合になっていたものがｐ、ｎ全クラッド層
共に＋０．１５以内に制御することが可能となる。
（実施例）
以下にこの発明の実施例について図面を参照して説明す
る。第１図はこの発明の一実施例に係わる半導体レーザ
を作製する行程断面図である。
る。第１図はこの発明の一実施例に係わる半導体レーザ
を作製する行程断面図である。
このレーザは以下のようにして作製される。
先ず、ｎ−ＧａＡｓ基板１０（Ｓｉドープ：２×１０′
１８ｃＩＩ＋″″３）の上にＭ ＯＣＶ Ｄ法によりｎ
−Ｉｎ （Ｇａ Ａ４ ） Ｐクラ
ッド層０．５ ０．３ ０．７ ０．５１１（Ｓ
ｔ ドープ： ５ Ｘ １０ ’ｃｍ−３） １．０
μｍ。
１８ｃＩＩ＋″″３）の上にＭ ＯＣＶ Ｄ法によりｎ
−Ｉｎ （Ｇａ Ａ４ ） Ｐクラ
ッド層０．５ ０．３ ０．７ ０．５１１（Ｓ
ｔ ドープ： ５ Ｘ １０ ’ｃｍ−３） １．０
μｍ。
アンドープＩｎ Ｇａ Ｐ活性層１２ （０，
１０，５０，５ μｍ ） 、 ｐ ＋ Ｉ ｎ Ｏ＋５
０．３ Ａ Ｉ Ｄ、？ ） ｏ、５（Ｇａ Ｐクラッド層１３（Ｚｎドープ： ５ Ｘ １０ ’ｃ
ｍ−３）Ｇａ Ｐキャップ層 １．０μｍ１ｐ−”０．５ ０．５１４（Ｚｎドー
プニア Ｘ １０ ’ｃｍ−３） ０．０５μｍ、 。
１０，５０，５ μｍ ） 、 ｐ ＋ Ｉ ｎ Ｏ＋５
０．３ Ａ Ｉ Ｄ、？ ） ｏ、５（Ｇａ Ｐクラッド層１３（Ｚｎドープ： ５ Ｘ １０ ’ｃ
ｍ−３）Ｇａ Ｐキャップ層 １．０μｍ１ｐ−”０．５ ０．５１４（Ｚｎドー
プニア Ｘ １０ ’ｃｍ−３） ０．０５μｍ、 。
ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層１５（Ｓｉドープ：２ Ｘ １
０１８ｃｍ−”） ＬＯｕ ｍを連続的ニ形成する（
第１図（ａ） ） 、このときＩ ｎ ｏ、ｓ （Ｇ
ａ ｔ、ａＡＪ！ ） Ｐは第２図に示す気
相組成Ｘｇと０．７ ０．５ 格子不整合率ΔＢ ／ ａ Ｏとの関係から、Ｉｎｏ、
５（Ｑａ、３Ａｘ ） Ｐの格子不整合率Δａ
Ｏ，７０，５ ／ａＯが＋０．０５から＋０．１％の範囲となるような
気相組成ＸｇｌからＸｇ２の間の条件で行う。
０１８ｃｍ−”） ＬＯｕ ｍを連続的ニ形成する（
第１図（ａ） ） 、このときＩ ｎ ｏ、ｓ （Ｇ
ａ ｔ、ａＡＪ！ ） Ｐは第２図に示す気
相組成Ｘｇと０．７ ０．５ 格子不整合率ΔＢ ／ ａ Ｏとの関係から、Ｉｎｏ、
５（Ｑａ、３Ａｘ ） Ｐの格子不整合率Δａ
Ｏ，７０，５ ／ａＯが＋０．０５から＋０．１％の範囲となるような
気相組成ＸｇｌからＸｇ２の間の条件で行う。
次に一般的なフォトリソグラフィー行程でｎ−ＧａＡｓ
電流狭窄Ｊｉｆｆｌ１５を幅７μｍのストライプ状に除
去する（第１図（ｂ））。そして再度ＭＯＣＶＤ法によ
りｐ−ＱａＡｓコンタクト層を成長する。電流狭窄層形
成までの第一の結晶成長条件は、サセプタ温度Ｔｇ−８
００℃、成長圧力Ｐｇ−２５７ｏｒｒ＋総流量Ｆ＝１０
４／ｍ１ｎ、Ｖ／ Ｉ［Ｉ−５００＋ ｐ−Ｇ ａ
Ａ ８ ：ｌンタクトを成長する第二の結晶成長条件は
、Ｔｇ−７００℃。
電流狭窄Ｊｉｆｆｌ１５を幅７μｍのストライプ状に除
去する（第１図（ｂ））。そして再度ＭＯＣＶＤ法によ
りｐ−ＱａＡｓコンタクト層を成長する。電流狭窄層形
成までの第一の結晶成長条件は、サセプタ温度Ｔｇ−８
００℃、成長圧力Ｐｇ−２５７ｏｒｒ＋総流量Ｆ＝１０
４／ｍ１ｎ、Ｖ／ Ｉ［Ｉ−５００＋ ｐ−Ｇ ａ
Ａ ８ ：ｌンタクトを成長する第二の結晶成長条件は
、Ｔｇ−７００℃。
Ｐｇ−５０Ｔｏｒｒ、Ｆ−１０４！／ｗｉｎ、 Ｖ／Ｉ
ＩＩ −３００である。
ＩＩ −３００である。
作製したダブルへテロウェハのＸ線回折スペクトルを調
べたところ第３図のようなプロファイルが得られた、格
子不整合率はｎクラッド層が＋ ０．０５５％、ｐクラ
ッド層が−０，０６％であった。
べたところ第３図のようなプロファイルが得られた、格
子不整合率はｎクラッド層が＋ ０．０５５％、ｐクラ
ッド層が−０，０６％であった。
このウェハから試作したレーザ素子はウェハの周辺部に
至るまで良好な特性を示し、スクリーニング試験でも目
立りた劣化は見られなかった。又聞−の条件で成長した
数回の成長でも両クラッド共に＋０．１５以内の格子不
整合率に制御されていた。
至るまで良好な特性を示し、スクリーニング試験でも目
立りた劣化は見られなかった。又聞−の条件で成長した
数回の成長でも両クラッド共に＋０．１５以内の格子不
整合率に制御されていた。
［発明の効果］
この発明により、ダブルへテロ構造を形成する際ｎクラ
ッド層の格子不整合率をプラス側にずらしておくことに
よって、ｐクラッド層の格子不整合を低減することがで
き、ｐ、ｎ’両クラッド層共に＋０ 、１９６以内の格
子不整合率に制御されたダブルヘテロ接合レーザを得る
ことが可能となり、高信頓の短波長レーザを歩留りよく
作製できる。
ッド層の格子不整合率をプラス側にずらしておくことに
よって、ｐクラッド層の格子不整合を低減することがで
き、ｐ、ｎ’両クラッド層共に＋０ 、１９６以内の格
子不整合率に制御されたダブルヘテロ接合レーザを得る
ことが可能となり、高信頓の短波長レーザを歩留りよく
作製できる。
第１図は、本発明の詳細な説明するための半導体レーザ
の作製行程断面図、第２図はＩｎｏ、５（Ｇａ Ａ
Ｊ！ ） Ｐに於ける気相組成と０．３ ０
．７ ０．５ 格子不整合率の関係を示す図、第３図は本発明の実施例
で作製したダブルへテロウニ／％のＸ線ロッキングカー
ブを示す図、第４図は従来技術による半導体レーザの断
面図、第５図はＩｎｏ４Ｇａ Ｐに於ける気相組成
と格子不整合率との０．５ 関係を示す図、第６図は従来技術によるダブルへテロ接
合レーザのＸ線ロッキングカーブを示す図である。 １０ ”・ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板（Ｓｉドープ：２
ｘ１０１８ｃｍ−３）、 （Ｇａ ＡＪ ） １１°”” ’ ｎＯ，５０，３０，７０，５Ｐク
ラッド層（ｓｔドープ： ５ Ｘ １０１７ｃｍ−３）
、Ｇａ Ｐ活性層、 １２ ・・・アンドープＩｎＯ，５０，５（Ｇａ
ＡＪ２ ） １３°”ｐ−”０．５ ０．３ ０．７
０．５Ｐクラッド層（Ｚｎドープ： ５ Ｘ １０ ’
ａｎ−３）、１ ４ ・・・ｐ −１ｎ Ｇ ａ
ｏ、５ ０．５Ｐキャップ層 （Ｚｎドープ： ７ Ｘ １０１７ｃｍ−３）、１５
・・ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ電流狭窄層（Ｓｉドープ：２
Ｘ １０ ”ａｍ−３）、 １６・・・ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 １７．１８・・・オーミック電極。
の作製行程断面図、第２図はＩｎｏ、５（Ｇａ Ａ
Ｊ！ ） Ｐに於ける気相組成と０．３ ０
．７ ０．５ 格子不整合率の関係を示す図、第３図は本発明の実施例
で作製したダブルへテロウニ／％のＸ線ロッキングカー
ブを示す図、第４図は従来技術による半導体レーザの断
面図、第５図はＩｎｏ４Ｇａ Ｐに於ける気相組成
と格子不整合率との０．５ 関係を示す図、第６図は従来技術によるダブルへテロ接
合レーザのＸ線ロッキングカーブを示す図である。 １０ ”・ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板（Ｓｉドープ：２
ｘ１０１８ｃｍ−３）、 （Ｇａ ＡＪ ） １１°”” ’ ｎＯ，５０，３０，７０，５Ｐク
ラッド層（ｓｔドープ： ５ Ｘ １０１７ｃｍ−３）
、Ｇａ Ｐ活性層、 １２ ・・・アンドープＩｎＯ，５０，５（Ｇａ
ＡＪ２ ） １３°”ｐ−”０．５ ０．３ ０．７
０．５Ｐクラッド層（Ｚｎドープ： ５ Ｘ １０ ’
ａｎ−３）、１ ４ ・・・ｐ −１ｎ Ｇ ａ
ｏ、５ ０．５Ｐキャップ層 （Ｚｎドープ： ７ Ｘ １０１７ｃｍ−３）、１５
・・ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ電流狭窄層（Ｓｉドープ：２
Ｘ １０ ”ａｍ−３）、 １６・・・ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 １７．１８・・・オーミック電極。
Claims (2)
- （１）活性層をｎ型及びｐ型Ｉｎ＿１＿−＿ｙ（Ｇａ＿
１＿−＿ｘＡｌ＿ｘ）＿ｙＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１
）クラッド層で挟んでなる、ＧａＡｓ基板上に形成され
たダブルヘテロ接合型半導体レーザ装置に置いて、前記
基板と垂直方向におけるｎ型クラッド層の格子定数：ａ
とＧａＡｓ基板の格子定数：ａ＿０との比ａ／ａ＿０を
１．０００５≦ａ／ａ＿０≦１．００１とすることを特
徴とするダブルヘテロ接合型半導体レーザ装置。 - （２）前記ｐ型クラッド層のアクセプタ不純物をＺｎと
することを特徴とする請求項１記載のダブルヘテロ接合
型半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2648388A JP2645055B2 (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | ダブルヘテロウェハ及びダブルヘテロ接合型半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2648388A JP2645055B2 (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | ダブルヘテロウェハ及びダブルヘテロ接合型半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01202880A true JPH01202880A (ja) | 1989-08-15 |
| JP2645055B2 JP2645055B2 (ja) | 1997-08-25 |
Family
ID=12194743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2648388A Expired - Lifetime JP2645055B2 (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | ダブルヘテロウェハ及びダブルヘテロ接合型半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2645055B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5189680A (en) * | 1991-04-16 | 1993-02-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Visible light laser diode |
| JP2001308463A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-11-02 | Sony Corp | 化合物半導体装置およびその製造方法ならびに半導体発光装置およびその製造方法 |
| CN1322643C (zh) * | 2003-07-22 | 2007-06-20 | 夏普株式会社 | 半导体激光器及其生产方法 |
| JP2007258641A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-02-09 JP JP2648388A patent/JP2645055B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
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