JPH012037A - photosensitive composition - Google Patents

photosensitive composition

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JPH012037A
JPH012037A JP62-156652A JP15665287A JPH012037A JP H012037 A JPH012037 A JP H012037A JP 15665287 A JP15665287 A JP 15665287A JP H012037 A JPH012037 A JP H012037A
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polymer
solution
film
group
heat treatment
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JP62-156652A
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横田 完一
愛 英夫
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Asahi Kasei Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、新規な耐熱性感光性組成物(=関する。[Detailed description of the invention] [Industrial application field] The present invention relates to a novel heat-resistant photosensitive composition.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

近年、電子材料や光学材料用として耐熱性を持つ感光性
高分子材料の開発が盛んになってきた。
In recent years, development of heat-resistant photosensitive polymer materials for use in electronic and optical materials has become active.

例えば、ジャンクションコート膜、α線遮蔽膜などの表
面保護膜や、多層配線用の層間絶縁膜のような半導体素
子用絶縁膜、或いは多層プリント基板用絶縁膜、各種プ
リント基板用保護膜等の開発が活発に検討されている。
For example, development of surface protective films such as junction coat films and α-ray shielding films, insulating films for semiconductor elements such as interlayer insulating films for multilayer wiring, insulating films for multilayer printed circuit boards, and protective films for various printed circuit boards. is being actively considered.

これらに用いられる耐熱性感光性組成物としては、例え
ば、ポリイミド前駆体であるポリアミド酸と、感光性化
合物の混合物又はポリアミド酸エステルの側鎖に二重結
合等の活性官能基を導入したポリマー(感光性ポリイミ
ド前駆体)に、光重合開始剤や架橋性七ツマ−を加えた
、光照射により架橋構造が形成される組成物が知られて
いる。
Heat-resistant photosensitive compositions used in these applications include, for example, mixtures of polyamic acid, which is a polyimide precursor, and photosensitive compounds, or polymers in which active functional groups such as double bonds are introduced into the side chains of polyamic acid esters ( A composition is known in which a photopolymerization initiator and a crosslinkable hexamer are added to a photosensitive polyimide precursor (photosensitive polyimide precursor), and a crosslinked structure is formed by light irradiation.

(特開昭!クー/グ!7タタ号公報、特公昭!!−3θ
コθ2号公報、特公昭3.3−−’l/4t、22号公
報) 該組成物は、感光性ポリイミドに代表されるリソグラフ
ィー用耐熱性高分子材料の基本的な組成物であり、これ
らを用いて画像を形成するには、ポリマーと添加剤の溶
液をロールコート、スピンコード、カーテンコート等の
方法により画像形成すべき基体上へ塗布し乾燥を行いレ
ジスト塗膜を形成せしめた後に露光、現像して、パター
ンを形成し、さらに加熱処理して、イミド構造に変換す
るのが一般である。
(Special Publication Akira! Ku/Gu! 7 Tata Publication, Special Publication Akira!!-3θ
The composition is a basic composition of heat-resistant polymer materials for lithography, typified by photosensitive polyimide, and To form an image using , a solution of polymer and additives is applied onto the substrate to be imaged by roll coating, spin cord, curtain coating, etc., dried to form a resist coating, and then exposed to light. , it is generally developed to form a pattern, and then heat-treated to convert it into an imide structure.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

この感光性ポリイミドは、溶液フェスとする場合、単離
されたポリマー粉末と、その他の添加剤を、溶媒に溶解
して用いることが多い。しかしこのポリマーの合成反応
液からの単離精製には、多くの工程を必要とするという
問題点がある。又、ポリアミド酸と、活性官能基を有す
るアミン化合物との混合物から成る組成物は、ポリマー
溶液に添加剤を加えること(二より、そのままフェスと
して使用できる、(特開昭jター76θ〕4tO号公報
、特開昭j♂−/41334t1号公報)反面、粘度が
高く、固型分濃度が上げられないため、厚膜の形成には
適さないという問題もある。加えて、こ九らの感光性ポ
リイミドは、一般にイミド化のための熱処理の際に、ダ
θθ℃程度の高温を必要とするので、用途によっては基
材又は保護すべき素子が十分な耐熱性を持たない場合が
有り、例えば300℃以下の低温でイミド構造に変換で
きることが好ましい。
When this photosensitive polyimide is used as a solution film, isolated polymer powder and other additives are often dissolved in a solvent. However, there is a problem in that isolation and purification of this polymer from the synthesis reaction solution requires many steps. In addition, a composition consisting of a mixture of a polyamic acid and an amine compound having an active functional group can be prepared by adding an additive to a polymer solution (2). On the other hand, it has a high viscosity and cannot increase the solid content concentration, so it is not suitable for forming thick films.In addition, these photosensitive methods Polyimides generally require high temperatures of about θθ℃ during heat treatment for imidization, so depending on the application, the base material or the element to be protected may not have sufficient heat resistance. It is preferable that the structure can be converted into an imide structure at a low temperature of 300° C. or lower.

又、感光性ポリアミドフエスには、一般に高沸点の溶媒
が用いられるため、厚膜形成時に乾燥時間が長くなると
いう問題が有り、ドライフィルム化が検討されている。
In addition, since a high boiling point solvent is generally used for photosensitive polyamide foam, there is a problem that drying time becomes long when forming a thick film, and therefore dry film formation is being considered.

(特開昭j/−/7073/号)さらに、耐熱性フ4オ
ドレジストフィルムとしては、ソルダーレジストフィル
ムが知られているが、(特開昭!ター20104t4を
号参照)これらは、一般に、アクリレート系重合体及び
単量体等からなる組成物であり、光硬化後のフィルムが
脆く、フレキンプルプリント基板等の可とう性の有る基
材上では使用できないという問題点を有している。
(Japanese Patent Application Laid-open No. 20104-7073/) Furthermore, solder resist films are known as heat-resistant film resist films, but (see JP-A No. 20104T4), these are generally It is a composition consisting of an acrylate polymer, a monomer, etc., and has the problem that the film after photocuring is brittle and cannot be used on flexible substrates such as flexible printed circuit boards.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

以上の状況に鑑み、本発明者らは、3oθ℃以下という
比較的低温で、幅広い膜厚範囲のポリイミドパターンに
変換でき、フェス又はドライフィルムの形態で容易に製
造しうる感光性ポリイミド前駆体組成物について検討し
たところ、以下の組成物が適することを見い出し、本発
明に到達した。
In view of the above circumstances, the present inventors developed a photosensitive polyimide precursor composition that can be converted into a polyimide pattern with a wide range of film thickness at a relatively low temperature of 3oθ°C or lower and that can be easily produced in the form of a film or dry film. Upon investigation, the following composition was found to be suitable, leading to the present invention.

すなわち本発明は、イ)−数式(1)で示される繰り返
し単位を有し、熱処理に際し、熱重量減少開始温度が、
30θ℃以上の重合体に変換しうる重合体及び、口)光
重合開始剤を必須成分とする組成物を提供するものであ
る。
That is, the present invention has a repeating unit represented by formula (1), and upon heat treatment, the thermogravimetric decrease starting temperature is
The present invention provides a composition containing as essential components a polymer that can be converted into a polymer having a temperature of 30θ°C or higher and (1) a photopolymerization initiator.

#X午ZfY±Z:      11)〔但し、式中X
は、ダ価の炭素環式基又は複素環式基、Yはコ価の炭素
環式基又は複素環式基、ZはXY間の結合を示し、Zの
うちりθ〜/ Q mol俤はZlであり、その他の2
のうち90〜/、t Q mot俤がZ、であり、10
〜t o mot%がZ3である。又、C) Rは反応性炭素炭素2重結合を有する基を示す。〕ここ
で、Xとしては炭素数6〜.20の芳香族炭化水素基又
は下記のXaで示される基を用いることができる。
#X\ZfY±Z: 11) [However, in the formula,
is a divalent carbocyclic group or a heterocyclic group, Y is a covalent carbocyclic group or a heterocyclic group, Z is a bond between XY, and the ratio of Z is θ~/Q mol Zl and other 2
Of these, 90~/, t Q mot 俤 is Z, and 10
~to mot% is Z3. Further, C) R represents a group having a reactive carbon-carbon double bond. ]Here, X has 6 to 6 carbon atoms. 20 aromatic hydrocarbon groups or a group represented by Xa below can be used.

ca=o、/: X、 = −CH,−1−c−1−白
一、ウ 一〇−1−〇−〕 CF。
ca=o, /: X, = -CH, -1-c-1-white, u10-1-0-] CF.

Xの具体例としては、 等が挙げられる。Yとしては、炭素数6〜λθの芳香族
炭化水素基及び、Ya、Yb、Ycで示される基を用い
ることができる。
Specific examples of X include the following. As Y, an aromatic hydrocarbon group having 6 to λθ carbon atoms and a group represented by Ya, Yb, or Yc can be used.

一〇−1−8−:R,,R4は、それぞれ水素原子又は
炭素数7〜乙のアルキル基を示す。〕Yの具体例として
は、 等が挙げられ、生成する重合体の溶解性の点で、式Yd
で示される基が好ましい。
10-1-8-: R, , R4 each represents a hydrogen atom or an alkyl group having 7 to 7 carbon atoms. ] Specific examples of Y include the following, and in terms of solubility of the resulting polymer, the formula
Groups represented by are preferred.

(Yz =  CH,−5−0−:R,、R,は、炭素
数/〜乙のアルキル基を示す。〕 kC6+(J  U +2r−c = Ckit   
  (Ha )(a=θ、/SR,=H又はCH3: 
R6は、酸素原子及び窒素原子を含んでもよいアルキル
基又は芳香族基を示す。〕 Raの具体例としては、 −O−CH,−CH−CH2−CH= CH。
(Yz = CH, -5-0-: R, , R, represents an alkyl group with carbon number/~B.] kC6+ (J U +2r-c = Ckit
(Ha) (a=θ, /SR,=H or CH3:
R6 represents an alkyl group or an aromatic group which may contain an oxygen atom and a nitrogen atom. ] Specific examples of Ra include -O-CH, -CH-CH2-CH=CH.

晶 等が挙げられる。Akira etc.

X及びY間の結合Zのうち、90〜/ Omol %、
好ましくは≦θ〜コθmoz %はZIであり、その他
のZのうち9θ〜4tOmot46、好ましくは♂0〜
s o mot%はZ、であり、lθ〜6θmoz%、
好まし°くはコQ−jQ rnot%がZ、である。
Of the bond Z between X and Y, 90 ~ / Omol %,
Preferably ≦θ~koθmoz % is ZI, and among the other Z, 9θ~4tOmot46, preferably ♂0~
s o mot% is Z, lθ~6θmoz%,
Preferably, Q−jQ rnot % is Z.

又、(イ)成分の重合体は、熱処理に際し熱重量減少開
始温度が30θ℃以上好ましくは3jO℃以上の重合体
に変換しうる重合体である。ここで、熱処理はモノマー
や開始剤等を揮散させ、実賀的に重合体を耐熱構造に変
換しうる温度に於いて行なうものであり、熱重量減少開
始温度は、示差熱天秤により求めた。
The polymer of component (a) is a polymer that can be converted into a polymer having a thermal weight loss initiation temperature of 30θ°C or higher, preferably 3jO°C or higher during heat treatment. Here, the heat treatment is carried out at a temperature at which monomers, initiators, etc. can be volatilized and the polymer can be converted into a heat-resistant structure according to a practical method, and the temperature at which thermal weight loss starts is determined by a differential thermometer.

(イ)成分の重合体の好ましい具体例としては、例えば
、構造式P−/、P−2で示される繰り返し単位を有す
るポリマーが挙げれる。
Preferred specific examples of the polymer of component (a) include, for example, polymers having repeating units represented by structural formulas P-/ and P-2.

(P−/) (P−、り 本発明に用いる光重合開始剤は、周知のものであり、例
えば、ベンゾフェノン、0−ベンゾイル安息香酸メチル
、g、4t’−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン
、4t、4t’−ビス(シエtルアミノ)ベンゾフェノ
ン、り、タージクロロベンゾフェノン、グ、−ベンゾイ
ルーy′−メチルジフェニルケトン、シヘンシルケトン
、フルオレノン等ペンツフェノン誘導体;コ、2′−ジ
ェトキシアセトフェノン、コーヒドaキV−2−メチル
プロピオフェノン、p−1−ブチルジクロロアセトフェ
ノン等アセトフェノン誘導体ニア−ヒドロキシンクロへ
キシルフェニルケトン:チオキサントン、λ−メチルチ
オキサントン、2−クロロチオキサントン、コーイソプ
ロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン等ヂオ
キサントン誘導体;ベンジル、ベンジルジメチルケター
ル、ベンジル−β−メトキシエチルアセタール等ベンジ
ル誘導体;ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベ
ンゾインイソブチルエーテル等ベンゾイン誘導体:アン
トラキノン、2−t−ブチルアントラキノン、コーアミ
ルアントラキノン、β−クロルアントラキノン、等アン
トラキノン誘導体:アントロン、ベンズアンスロン、ジ
ベンゾスベロン、メチレンアントロン等アントロン誘導
体、ナフタレンスルホニルクロライド、キノリンスルホ
ニルクロライド、N−フェニルチオアクリドン、り、タ
ーアゾビスイソブチロニトリル、ジフェニルジスルフィ
ド、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニルホス
フィン、カンファーキノン、四臭化炭素、トリブロモフ
ェニルスルホン、過酸化ベンゾイル及びエオシン、メチ
レンブルー等光還元性色素とアスコルビン酸、トリエタ
ノールアミン等の還元剤の組み合わせ2.6−ジ(Z′
−ジアジドベンザル)−グーメチルシクロヘキナノン、
λ、乙−ジ(q′−ジアジドベンザル)シクロヘキサノ
ン等アジド類、/−フェニル−/、2−ブタンジオン−
2−(o−メトキシカルボニル)オキシム、/−フェニ
ル−プロパンジオン−2−(o−エトキンカルボニル)
オキシム、/−フェニル−プロパンジオン−,2−(0
−ヘyゾイル)オキシム、/、、2−ジフェニル−エタ
ンジオン−/−(O−ベンゾイル)オキシム、/、3−
9フェニル−プロパントリオン−2−(o−エトキシカ
ルボニル)オキシム、/−フェニル−3−エトキシ−プ
ロパントリオン−,2−(o−ベンゾイル)オキシム等
オキシム類、及び、ミヒラーズケトン、嶋り′−ビスー
(ジエチルアミノ)−ベンゾフェノン等のビスアルキル
アミノベンゾフェノン類が挙げられ、光感度の点で、オ
キシム類と、ビスアルキルアミノベンゾフェノン類との
組み合わせが好ましい。
(P-/) (P-, R) The photopolymerization initiators used in the present invention are well-known ones, such as benzophenone, methyl 0-benzoylbenzoate, g,4t'-bis(dimethylamino)benzophenone, 4t , 4t'-bis(cyamino)benzophenone, terdichlorobenzophenone, g, -benzoyl-y'-methyldiphenylketone, cyhensylketone, fluorenone, and other pentuphenone derivatives; Acetophenone derivatives such as 2-methylpropiophenone and p-1-butyldichloroacetophenone Near-hydroxychlorohexyl phenyl ketone: Dioxanthone derivatives such as thioxanthone, λ-methylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, co-isopropylthioxanthone, diethylthioxanthone; benzyl, Benzyl derivatives such as benzyl dimethyl ketal, benzyl-β-methoxyethyl acetal; Benzoin derivatives such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin isobutyl ether; Anthraquinone derivatives such as anthraquinone, 2-t-butylanthraquinone, co-amylanthraquinone, β-chloroanthraquinone, etc. Anthrone, benzanthrone, dibenzosuberone, methylene anthrone and other anthrone derivatives, naphthalenesulfonyl chloride, quinolinesulfonyl chloride, N-phenylthioacridone, terazobisisobutyronitrile, diphenyl disulfide, benzthiazole disulfide, triphenylphosphine 2,6-di(Z'
-Diazidobenzal)-gumethylcyclohequinanone,
λ, azides such as di(q'-diazidobenzal)cyclohexanone, /-phenyl-/, 2-butanedione-
2-(o-methoxycarbonyl)oxime, /-phenyl-propanedione-2-(o-ethquincarbonyl)
Oxime, /-phenyl-propanedione-,2-(0
-Hyzoyl)oxime, /, 2-diphenyl-ethanedione-/-(O-benzoyl)oxime, /, 3-
9 Oximes such as phenyl-propanetrione-2-(o-ethoxycarbonyl)oxime, /-phenyl-3-ethoxy-propanetrione-,2-(o-benzoyl)oxime, and Michler's ketone, Shimari'-bis( Examples include bisalkylaminobenzophenones such as (diethylamino)-benzophenone, and from the viewpoint of photosensitivity, a combination of oximes and bisalkylaminobenzophenones is preferred.

又、本発明組成物には、反応性炭素−炭素二重結合を有
する化合物を用いることもできる。これらの化合物の例
としては例えば、−一エチル〜キシルアクリレート、コ
ーヒドロキシエチルアクリレート、N−ビニル−一−ピ
ロリドン、カルピトールアクリレート、テトラヒドロフ
ルフリルアクリレート、イソボルニルアクリレート、/
、6−ヘキチンジオールジアクリレート、ネオペンチル
グリコールジアクリレート、エチレングリコールジアク
リレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ペ
ンタエリスリトールジアクリレート、トリメチロールプ
ロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリア
クリレート、ジペンタエリスリトールへキサアクリレー
ト、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、テト
ラエチレングリコールジアクリレート、ノナエチレング
リコールジアクリレート、メチレンビスアクリルアミド
、N−メチロールアクリルアミド及び、上記のアクリレ
ート又はアクリルアミドをメタクリレート又はメタクリ
ルアミドに変えたもの等が挙げられる。
Further, compounds having reactive carbon-carbon double bonds can also be used in the composition of the present invention. Examples of these compounds include -monoethyl-xyl acrylate, co-hydroxyethyl acrylate, N-vinyl-1-pyrrolidone, carpitol acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, isobornyl acrylate, /
, 6-hexine diol diacrylate, neopentyl glycol diacrylate, ethylene glycol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, pentaerythritol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, tetramethylol Examples include methane tetraacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, nonaethylene glycol diacrylate, methylene bisacrylamide, N-methylol acrylamide, and those obtained by changing the above acrylate or acrylamide to methacrylate or methacrylamide.

これらのうち、2以上のアクリレート基を有するポリア
クリレートが好ましく、光感度の点から、構造式Mで示
される化合物が特に好ましい。
Among these, polyacrylates having two or more acrylate groups are preferred, and from the viewpoint of photosensitivity, compounds represented by structural formula M are particularly preferred.

(p=/〜20) 又、本発明組成物には、増感剤を添加することもできる
。この増感剤は、該フィルムの感度を向上させ得るもの
であり、例えば、ミヒラーズケト7.4t、4t’−ビ
ス−(ジエチルアミノ)−ベンゾフェノン、2.5−ビ
ス−(4t’−ジエチルアミノベンザル)−シクロペン
タノン、コメ−ビスー(g’−ジエチルアミノベンザル
)−シクロヘキサノン、コ、乙−ビス−(4t’−ジメ
チルアミノベンザル)−グーメチル−シクロヘキサノン
、コ、6−ピスー(タージエチルアミノベンザル)−ク
ーメチル−シクロヘキサノン、g、4t’−ビス−(ジ
メチルアミノ)−カルコン、り、タービス−(ジエチル
アミノ)−カルコン、p−ジメチルアミノベンジリデン
インダノン、p−ジメチルアミノベンジリデンインダノ
ン、2−(p−ジメチルアミノフェニルビニレン)−ベ
ンゾチアゾール、 、2−(p−シ)fルアミノフェニ
ルビニレン)−イソナフトチアゾール、7.3−ビス−
(9′−ジメチルアミノベンザル)−アセトン、7.3
−ビス−(タージエチルアミノベンザル)−アセトン、
3.3’−カルポニルービス−(7−ジエチルアミノク
マリン)、N−フェニル−N’−エテルエタノールアミ
ン、N−フエニルジエタノールアミン、N−トリルジェ
タノールアミン、N−フェニルエタノールアミン、ジメ
チルアミノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミノ安息香
酸イソアミル等が挙げられるがこれらに限定されるもの
ではない。
(p=/~20) Moreover, a sensitizer can also be added to the composition of the present invention. This sensitizer can improve the sensitivity of the film, and includes, for example, Michler's Keto 7.4t, 4t'-bis-(diethylamino)-benzophenone, 2.5-bis-(4t'-diethylaminobenzal). -Cyclopentanone, rice-bis(g'-diethylaminobenzal)-cyclohexanone, co,o-bis-(4t'-dimethylaminobenzal)-gumethyl-cyclohexanone, co,6-pisu(terdiethylaminobenzal) -coumethyl-cyclohexanone, g,4t'-bis-(dimethylamino)-chalcone, terbis-(diethylamino)-chalcone, p-dimethylaminobenzylideneindanone, p-dimethylaminobenzylideneindanone, 2-(p- dimethylaminophenylvinylene)-benzothiazole, , 2-(p-di)f-ylaminophenylvinylene)-isonaphthothiazole, 7.3-bis-
(9'-dimethylaminobenzal)-acetone, 7.3
-bis-(terdiethylaminobenzal)-acetone,
3.3'-Carponylrubis-(7-diethylaminocoumarin), N-phenyl-N'-ethelethanolamine, N-phenyldiethanolamine, N-tolylgetanolamine, N-phenylethanolamine, isoamyl dimethylaminobenzoate, Examples include, but are not limited to, isoamyl diethylaminobenzoate.

又、さらに本発明組成物には、必要に応じてシランカッ
プリング剤を添加又は、基材にプレコートして用いるこ
とができる。このシランカップリング剤は、本発明組成
物の耐熱性高分子膜と基材であるSi及び無機絶縁膜等
との界面の接着性を向上するような化合物であって、こ
れらの例としては、例えば、r−アミノプロピルメチル
ジメトキシシラン、N−(β−アミノエテル)γ−アミ
ノプロピルメチルジメトキシシラン、r−グリシドキシ
プロビルメチルジメトキシシラン、r−メルカプトプロ
ピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロ
ピルジメトキシメチルシラン、3−メタクリロキシプロ
ピルトリメトキシシラン、ジメトキシメチル−3−ピペ
リジノプロピルシラン、ジェトキシ−3−グリシドキン
プロピルメチルシラン、N−(3−ジェトキシメチルシ
リルプロピル)スクシンイミド等が挙げられる。これら
ジアルコキンシラン化合物の使用方法及び効果について
は、例えば、特願昭6θ−3♂J4tj号に詳しく記載
されている。又、本発明組成物の溶液の保存安定性を向
上させるために、重合禁止剤を添加することもできる。
Furthermore, a silane coupling agent may be added to the composition of the present invention, or a silane coupling agent may be pre-coated on the base material. This silane coupling agent is a compound that improves the adhesion of the interface between the heat-resistant polymer film of the composition of the present invention and the base material Si, inorganic insulating film, etc. Examples of these include: For example, r-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-(β-aminoether)γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, r-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, r-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyldimethoxysilane Methylsilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, dimethoxymethyl-3-piperidinopropylsilane, jetoxy-3-glycidquinpropylmethylsilane, N-(3-jethoxymethylsilylpropyl)succinimide, and the like. The method of use and effects of these dialcoquine silane compounds are described in detail in, for example, Japanese Patent Application No. 6θ-3♂J4tj. Furthermore, a polymerization inhibitor may be added to improve the storage stability of the solution of the composition of the present invention.

この重合禁止剤としては、例えば、ハイドロキノン、N
−ニトロソジフェニルアミン、p −tert−ブチル
カテコール、フェノチアジン、N−フェニルナフチルア
ミン、エチレンジアミン四酢酸、/、コーシクロへキチ
ンジアミン四酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸
、2.6−シーtcrt−ブチル−p−メチルフェノー
ル等が挙げられる。
Examples of the polymerization inhibitor include hydroquinone, N
-Nitrosodiphenylamine, p-tert-butylcatechol, phenothiazine, N-phenylnaphthylamine, ethylenediaminetetraacetic acid, /, cocyclohequitinediaminetetraacetic acid, glycol etherdiaminetetraacetic acid, 2.6-sheet tcrt-butyl-p-methylphenol etc.

本発明組成物に於いて、光重合開始剤及び増感剤の含有
割合は、(イ)成分の重合体に対して、θ、/〜−〇重
量係が好ましく、!〜/j重aSがさらに好ましい。又
、反応性炭素−炭素二重結合を有する化合物の含有割合
は、(イ)成分の重合体に対し、20重量係以下が好ま
しい。官能性ジアルコキシシラン化合物を添加して用い
る場合、その含有割合は、(イ)成分の重合体に対して
0.Or −/θ重量%、好ましくはθ、/〜グ重量係
である。又、前記重合禁止剤の含有割合は、(イ)成分
の重合体に対して/重量係以下、好ましくはθ、7重量
重量上以下る。
In the composition of the present invention, the content ratio of the photopolymerization initiator and the sensitizer to the polymer of component (a) is preferably θ, / to −0 weight ratio. ~/j weight aS is more preferred. Further, the content ratio of the compound having a reactive carbon-carbon double bond is preferably 20% by weight or less with respect to the polymer of component (A). When a functional dialkoxysilane compound is added and used, its content ratio is 0.0% to the polymer of component (a). Or −/θ% by weight, preferably θ,/~g% by weight. Further, the content ratio of the polymerization inhibitor is less than or equal to the ratio by weight of the polymer of component (a), preferably less than or equal to θ,7% by weight.

本発明の(イ)成分の重合体は、次の方法によって合成
することができる。即ち、まず、−数式(V)で示され
る酸無水物と、−数式(Vllで示されるジアミンを反
応させて、ポリアミド酸とし、さらに、グリンジル基を
有する、式(R−A)で示される化合物を反応させてエ
ステル化する。
The polymer of component (a) of the present invention can be synthesized by the following method. That is, first, an acid anhydride represented by formula (V) and a diamine represented by formula (Vll) are reacted to form a polyamic acid, and further, a polyamic acid having a grindyl group, represented by formula (R-A) Compounds are reacted and esterified.

(x、yは前記と同じ意味を示す。) υ 〔d=0又は/;R3はH又はCH,: R′6は、エ
ーテル結合を含んでもよいアルキル基を示す。〕(R−
A)の具体例としては、グリシジルメタクリレート、グ
リシジルアクリレート等が挙げられる。
(x and y have the same meanings as above.) υ [d=0 or/; R3 is H or CH: R'6 represents an alkyl group that may contain an ether bond. ](R-
Specific examples of A) include glycidyl methacrylate, glycidyl acrylate, and the like.

、この合成法については、特開昭j 4−323.24
を号、特開昭j4−33/3/号に詳しく記載されてい
る。
, this synthesis method is described in JP-A-4-323.24.
It is described in detail in JP-A No. 4-33/3/1999.

父、(イ)成分の重合体は、前記のポリアミド酸と、イ
ソシアネート基を有する、式(R−B)で示される化合
物を反応させて得ることもできる。
The parent polymer, component (a), can also be obtained by reacting the above-mentioned polyamic acid with a compound having an isocyanate group and represented by the formula (R-B).

〔R7は、炭素数3ないし/2の脂肪族基又は、芳香族
基:R3は炭素数/ないし乙の脂肪族基:RoはH又は
CHlを示し、eは0又は/である。〕R−Hの具体例
としては、 OO 等が挙げられ、これらの化合物はそれぞれ対応するジイ
ソシアネート化合物と二重結合を有するアルコール化合
物とを反応させることにより得られる。
[R7 is an aliphatic group having 3 to 2 carbon atoms or an aromatic group; R3 is an aliphatic group having 1 to 2 carbon atoms; Ro represents H or CHl; and e is 0 or /. ] Specific examples of R-H include OO and the like, and these compounds can be obtained by reacting the corresponding diisocyanate compound with an alcohol compound having a double bond.

反応の溶媒としては、非プロトン性極性溶媒が好ましく
、例えば、r−ブチロラクトン、N−メチルピロリドン
、N−アセテルーコービロリドン、N、N−ジメチルホ
ルムアミド、 N、N−ジメチルアセトアミド、ジメチ
ルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド
、N−ベンジル−2−ピロリドン等が挙げられる。これ
らのうち、後工程のコーテイング性の点から、N−メチ
ルピロリドン、N、N 9メチルアセトアミドが好まし
い。又、反応の条件としては、まず、酸無水物を溶媒に
溶解し、かくはんしながら、ジアミン化合物の同溶媒の
溶液を加える。好ましい反応濃度は、30〜!0重量係
であり、発熱後に生じた粘稠な液体を室温下、3〜6時
間かくはんする。次に、前記のグリンジル化合物又は、
イソシアネート化合物を、滴下し、グ0〜90℃の温度
で、70〜30時間かくはんする。これらの化合物のポ
リアミド酸のカルボン酸基に対する当量及び、反応温度
、時間により、生成する重合体、XZYZ・・・におけ
る結合形式Zの比率(Z+ : Zt : ”、)をコ
ントロールすることができる。こうして得られた、重合
体溶液は、そのまま光重合開始剤等の添加剤を加えて溶
解し、感光性ポリイミド前駆体のフェノとして使用する
ことができる。又、従来の方法の如く、重合体を再沈殿
法等により単離精製し、再度添加剤とともに溶解して用
いることもできる。これらのフェノは、基材上に、スピ
ンコード、カーテンコート、ロールコート等の方法で塗
工し乾燥することにより塗膜として積層できる。乾燥温
度としては、410〜ノ4tθ℃、好ましくは、夕θ〜
10θ℃である。
The solvent for the reaction is preferably an aprotic polar solvent, such as r-butyrolactone, N-methylpyrrolidone, N-acetel-cobyrrolidone, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, Examples include hexamethylphosphoric triamide and N-benzyl-2-pyrrolidone. Among these, N-methylpyrrolidone and N,N9 methylacetamide are preferred from the viewpoint of coating properties in subsequent steps. Moreover, as conditions for the reaction, first, an acid anhydride is dissolved in a solvent, and a solution of a diamine compound in the same solvent is added while stirring. The preferred reaction concentration is 30~! The viscous liquid produced after heat generation is stirred at room temperature for 3 to 6 hours. Next, the aforementioned Grindyl compound or
The isocyanate compound is added dropwise and stirred at a temperature of 0-90°C for 70-30 hours. The ratio of the bond type Z (Z+:Zt:'') in the resulting polymer, XZYZ..., can be controlled by the equivalent weight of these compounds to the carboxylic acid group of the polyamic acid, and the reaction temperature and time. The polymer solution obtained in this way can be used as a phenol for a photosensitive polyimide precursor by adding additives such as a photopolymerization initiator and dissolving it as it is. It can also be used by isolating and purifying it by reprecipitation method etc. and redissolving it with additives.These phenos can be coated onto the base material by spin cord, curtain coating, roll coating, etc. and dried. The drying temperature is 410 to 4tθ°C, preferably evening θ to
It is 10θ°C.

又、これらのフェノに、前記溶媒と共沸して沸点を下げ
る比較的低沸点の溶媒を加えることにより、ドライフィ
ルムとしてコーティングすることができる。この低沸点
の溶媒としては、シクロペンタノン、シクロヘキサノン
、テトラヒドロフラン等が挙げられる。コーティングの
ための支持体としては、透明で十分な強度を持ち、使用
する溶剤に不溶のものが好ましく、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリプロピレン等のフィルムを用いることが
できる。カバーフィルムとしては、前記のフィルムの他
にポリエチレン等のフィルムも用いることができる。
Furthermore, by adding a relatively low boiling point solvent to these phenos that azeotropes with the solvent to lower the boiling point, it can be coated as a dry film. Examples of the low boiling point solvent include cyclopentanone, cyclohexanone, and tetrahydrofuran. The support for coating is preferably transparent, has sufficient strength, and is insoluble in the solvent used, and films such as polyethylene terephthalate and polypropylene can be used. As the cover film, in addition to the above-mentioned films, films such as polyethylene can also be used.

ドライフィルムのコーティング方法としては、バーコー
ド、ブレードコート、パイプドクターブレードコート等
の方法を用いることができる。
As a dry film coating method, methods such as barcode coating, blade coating, pipe doctor blade coating, etc. can be used.

塗工したフィルムの乾燥条件は、!θ〜/コθ℃の循環
オーブンで6θ〜!分である。形成しうるフィルムの膜
厚は、7〜700μm、好ましくは夕〜70μmである
What are the drying conditions for the coated film? 6θ~ in a circulation oven at θ~/koθ℃! It's a minute. The thickness of the film that can be formed is from 7 to 700 μm, preferably from 70 μm to 70 μm.

このようにして形成されたフィルムは、支持体フィルム
と共に、加熱及び加圧により基体上に積層される。好ま
しい積層の条件は、ホットロールラ、ミネーターを用い
て、ロール温度グ0〜/6θ℃及びロール圧力θ、j−
,!v−であり、特に好ましくは、70〜ノ4tθ℃及
び7〜3階個である。
The film thus formed is laminated together with a support film onto a substrate by heating and pressurizing. Preferable lamination conditions are as follows: using a hot roll laminator, a roll temperature of 0~/6θ°C, and a roll pressure of θ, j-
,! v-, particularly preferably 70 to 4tθ°C and 7 to 3 degrees.

これらの支持体フィルムは、露光前又は露光後で現像前
に剥離される。
These support films are peeled off before or after exposure and before development.

フェノ及び、ドライフィルムによりこうして得られた積
層体は、通常のフォトマスクを通して、露光される。
The thus obtained laminate with phenol and dry film is exposed through a conventional photomask.

この除用いる活性光線としては1例えば、紫外線、X線
、電子線などが挙げられ、これらの中で紫外線が好まし
く、その光源としては、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀
灯、超高圧水銀灯、ハロゲンランプ、殺菌灯などが挙げ
られる。これらの光源の中で超高圧水銀灯が好適である
。又、露光は窒素雰囲気下で行うことが好ましい。
Examples of the active light used for this removal include ultraviolet rays, X-rays, and electron beams. Among these, ultraviolet rays are preferred, and examples of the light sources include, for example, low-pressure mercury lamps, high-pressure mercury lamps, ultra-high-pressure mercury lamps, halogen lamps, Examples include germicidal lamps. Among these light sources, ultra-high pressure mercury lamps are preferred. Further, it is preferable that the exposure is performed under a nitrogen atmosphere.

又、現像方法としては、浸漬法やスプレー法を用いるこ
とができる。現像液としては、r−ブチロラクトン、N
−メチルピロリドン、N−アセテルー2−ピロリドン、
α−アセテルーrブチロラクトン、N、N−ジメチルア
セトアミド等の極性溶媒を単独で用いてもよいし、或い
はこれらに第2成分として、例えば、エタノール、イソ
プロパツールなどのアルコール、トルエン、キシレンな
どの芳香族炭化水素化合物、メチルエチルケトン、メチ
ルイソブチルケトンなどのケトン類、酢酸エチル、プロ
ピオン酸メチルなどのエステル類、テトラヒドロフラン
、ジオキサンのようなエーテル類などの溶媒を混合して
用いても良い。
Further, as a developing method, a dipping method or a spray method can be used. As a developer, r-butyrolactone, N
-Methylpyrrolidone, N-acetel-2-pyrrolidone,
Polar solvents such as α-acetyl-butyrolactone and N,N-dimethylacetamide may be used alone, or as a second component, aromatic solvents such as alcohols such as ethanol and isopropanol, toluene, and xylene may be used. A mixture of solvents such as group hydrocarbon compounds, ketones such as methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone, esters such as ethyl acetate and methyl propionate, and ethers such as tetrahydrofuran and dioxane may be used.

更に、現像直後に前記第コ成分として示したような溶液
でリンスすることが好ましい。
Further, immediately after development, it is preferable to rinse with a solution as shown as the above-mentioned component No. 1.

こうして得られたパターンは、//θ〜4tθθ℃、好
ましくは、コθO〜300℃の温度で、窒素中で、0.
5〜3時間、好ましくは7〜2時間加熱処理することに
より、ポリイミド構造に変換される。
The pattern thus obtained is heated in nitrogen at a temperature of //θ to 4tθθ°C, preferably θO to 300°C, in nitrogen.
It is converted into a polyimide structure by heat treatment for 5 to 3 hours, preferably 7 to 2 hours.

〔実施例〕〔Example〕

以下実施例、参考例をあげて本発明を具体的に説明する
The present invention will be specifically explained below with reference to Examples and Reference Examples.

参考例/ 3.3’、4t、4t’−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸2無水物(BTDA)96.7fを、N−メチルピ
ロリドン(NMP )/jOtdに溶解した。この溶液
をかくはんしなからグ、4t’−ジアミノ−3,3’、
3−.3’ −テトラエテルジフェニルメタン、4t3
./f及びグ。
Reference Example/3. 96.7f of 3', 4t, 4t'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride (BTDA) was dissolved in N-methylpyrrolidone (NMP)/jOtd. After stirring this solution, 4t'-diamino-3,3',
3-. 3'-tetraetherdiphenylmethane, 4t3
.. /f and g.

ダシアミノ−3,3′−ジメチル−3,!’−ジエチル
ジフェニルメタン39.t fのNMP232ml溶液
を加えた。この反応液を水浴で冷却しなからグ時間かく
はんした。生成したアミド酸溶液に’12.79のグリ
シジルメタクリレートを加え、7θ℃下で26時間かく
はんした。得られた溶液をポリマーA溶液とする。この
ポリマーの一部な再沈法により単離し酸価、IH−NM
Rスペクトル及び赤外吸収スペクトルにより構造解析し
た所、酸成分とジアミン成分との結合のうちλjmot
%がアミド酸エステル、4t7 mob係がアミド酸で
あり、2r mob係がイミド化していることがわかっ
た。又、このポリマー粉末を300℃で一時間熱処理し
た後、示差熱天秤により窒素気流中、10℃/分の昇温
速度で熱重量減少開始温度を測定した所3jO℃であっ
た。
Dacyamino-3,3'-dimethyl-3,! '-diethyldiphenylmethane39. A 232 ml solution of tf in NMP was added. The reaction solution was stirred for several hours while being cooled in a water bath. '12.79 glycidyl methacrylate was added to the resulting amic acid solution and stirred at 7θ°C for 26 hours. The obtained solution will be referred to as Polymer A solution. This polymer was isolated by a partial reprecipitation method and its acid value, IH-NM
Structural analysis using R spectrum and infrared absorption spectrum revealed that λjmot of the bond between the acid component and the diamine component.
% is amic acid ester, 4t7 mob is amic acid, and 2r mob is imidized. Further, after heat-treating this polymer powder at 300° C. for 1 hour, the thermogravimetric decrease starting temperature was measured at a temperature increase rate of 10° C./min in a nitrogen stream using a differential thermal balance and found to be 3jO° C.

参考例λ ピロメリト酸無水物tg t、4tfをジメチルアセト
アミド(DMAC)200−に溶解し、g、4t’ジア
ミノ−3,3−j、j′−テトラエテルジフェニルメタ
ンのDMAC5,2θ−溶液を加え、ダ時間かくはんし
た。次に、グリシジルメタクリレート/ 、t、3 f
のD M Ac♂0−溶液を加え、70℃下で74を時
間かくはんした。得られた溶液をポリマーB溶液とする
。前記と同様に構造解析したところ酸成分とジアミン成
分との結合のうち、4tJ mot tsがアミド酸エ
ステル、4to mob係がアミド酸であり、/ 7 
mot91pがイミド化していることがわかった。
Reference example λ Dissolve pyromellitic anhydride tg t, 4tf in dimethylacetamide (DMAC) 200-, add a DMAC 5,2θ-solution of g, 4t'diamino-3,3-j,j'-tetraethediphenylmethane, I stirred it for a while. Next, glycidyl methacrylate/ , t, 3 f
DM Ac♂0-solution was added thereto, and the mixture was stirred at 70° C. for 74 hours. The obtained solution will be referred to as Polymer B solution. Structural analysis in the same manner as above revealed that among the bonds between the acid component and the diamine component, 4tJ mot ts is an amic acid ester, 4to mob is an amic acid, and / 7
It was found that mot91p was imidized.

又、300℃で2時間熱処理後の熱重量減少開始温度は
34tθ℃であった。
Further, the temperature at which thermal weight loss started after heat treatment at 300°C for 2 hours was 34tθ°C.

参考例3 BTDA64t、4ttのD M Acコ00−溶液に
ジアミノメシテレンコ♂tのDMAC/θθ+nl溶液
を加え9時間かくはんした。次にグリシジルメタクリレ
ート522を加え、70℃下で71時間かくはんした。
Reference Example 3 A DMAC/θθ+nl solution of diaminomeshiterenko ♂t was added to a DMAC/θθ+nl solution of BTDA64t, 4tt and stirred for 9 hours. Next, glycidyl methacrylate 522 was added and stirred at 70°C for 71 hours.

この溶液なポリマーC溶液とする。This solution will be referred to as Polymer C solution.

前記と同様に構造解析したところ、酸成分とジアミン成
分との結合のうち3rmoz %がアミド酸エステル、
37 mob ’Aがアミド酸であり、J j mob
係がイミド化していることがわかった。又、300℃で
2時間熱処理後の熱重量減少開始温度は、340℃であ
った。
When the structure was analyzed in the same manner as above, 3rmoz% of the bond between the acid component and the diamine component was an amic acid ester,
37 mob 'A is an amic acid and J j mob
It turned out that the person in charge was imidized. Further, the thermogravimetric decrease starting temperature after heat treatment at 300°C for 2 hours was 340°C.

参考例ダ 3.3−q 、タービフェニルテトラカルボン酸2無水
物♂♂、3 fのDMAC,20θ−溶液に3.3′−
ジアミノーグ、ダージメチル−3,3;’−ジエチルジ
フェニルメタンのD M Ac 300 td溶液を加
え、グ時間かくはんした。次に!!、3fのグリシジル
メタクリレートを加え、70℃で/♂待時間くはんした
Reference Example 3.3-q, terbiphenyltetracarboxylic dianhydride ♂♂, 3f DMAC, 3.3'- in 20θ-solution
A DM Ac 300 td solution of diaminog, dimethyl-3,3;'-diethyldiphenylmethane was added and stirred for an hour. next! ! , 3f of glycidyl methacrylate was added, and the mixture was stirred at 70° C. for a waiting period of 30 minutes.

この反応液をオtのエタノール/水(,20:J’θ容
)にかくはんしながら滴下し、生成した沈殿物を分離し
、/lのテトラヒドロフランに溶解した。
This reaction solution was added dropwise to 1 liter of ethanol/water (20: J'θ volume) with stirring, and the resulting precipitate was separated and dissolved in 1/l of tetrahydrofuran.

この溶液を9tの水中にかくはんしながら滴下し得られ
たポリマー粉末をろ取した。これをポリマーDとする。
This solution was added dropwise to 9 tons of water while stirring, and the resulting polymer powder was collected by filtration. This will be referred to as Polymer D.

前記と同様に構造解析したところ、酸成分とジアミン成
分との結合のうち、2 j mot %がアミド酸エス
テル、9θmot%がアミド酸であり、3 夕mot%
がイミド化していることがわかった。又、300℃で2
時間熱処理後の熱重量減少開始温度は33−、jt℃で
あった。
When the structure was analyzed in the same manner as above, 2 j mot% of the bond between the acid component and the diamine component was an amic acid ester, 9θ mot% was an amic acid, and 3 j mot% was an amic acid ester.
was found to be imidized. Also, 2 at 300℃
The thermogravimetric decrease starting temperature after the time heat treatment was 33-, jt°C.

次に、本発明の実施例で用いた添加剤の名称及び略号を
表/に示す。
Next, the names and abbreviations of the additives used in the examples of the present invention are shown in Table/.

(以下余白) 表/ −(1)  開始剤 表/ −(21七ツマ− 表/ −(8)  増感剤 表/ −(41シランカップリング剤 実施例/ ポリマー溶液A  /36?に、開始剤I −/を2、
s f、■−夕をへ夕1、七ツマ−M−/をグi。
(Leaving space below) Table / - (1) Initiator table / - (21 seven squares) Table / - (8) Sensitizer table / - (41 Silane coupling agent examples / Polymer solution A /36?, start agent I −/2,
s f,■-Evening to evening 1, Nanatsuma-M-/Gi.

増感剤S−7をθ、752及び、シクロペンタノンを2
♂、り?加え、かくはん溶解した。この溶液を、ブレー
ドコーターを用いて、2♂μm厚のポリエチレンテレフ
タレート(PET)フィルム上にコーティングし、70
℃の循環オーブンを用いて90分間乾燥後、3♂μm厚
のドライフィルムを得た。このドライフィルムを、ホッ
トロールラミネーター(旭化成工業■製AL−70)を
用いて、ロール温度/ 10℃、ロール圧力、2 Ki
! 、送り速度0.7m7分の条件で、銅回路パターン
を形成したフレキシブルプリント基板(電解銅箔/♂μ
m/ポリイミドベースフィルム/2.!μm)上に、P
ETフィルムを上側にしてラミネートした。次(二PE
Tフィルム上から、フォトマスクを通して超高圧水銀灯
(露光強度♂mW/ad )を用いてグ分間露光した。
Sensitizer S-7 at θ, 752 and cyclopentanone at 2
♂, ri? The mixture was added and dissolved by stirring. This solution was coated onto a 2♂μm thick polyethylene terephthalate (PET) film using a blade coater.
After drying for 90 minutes using a circulating oven at .degree. C., a dry film with a thickness of 3 .mu.m was obtained. This dry film was heated using a hot roll laminator (AL-70 manufactured by Asahi Kasei Corporation) at a roll temperature of 10°C and a roll pressure of 2 Ki.
! , a flexible printed circuit board (electrolytic copper foil/♂μ
m/polyimide base film/2. ! μm), P
It was laminated with the ET film facing up. Next (2 PE
The T film was exposed for minutes through a photomask using an ultra-high pressure mercury lamp (exposure intensity ♂mW/ad).

次にPETフィルムを剥離し、70℃のオープンで7θ
分間、加熱処理した。次に、この基板を、NMP/キシ
レン/水(tO:4tO:3容)の現像液で現像し、イ
ソプロピルアルコールでリンスしたところ、ピン間3本
(スペース幅/4t0μm)のパターンがシャープな解
像度をもって形成された。この基板を、窒素気流中23
0℃で7時間熱処理して、29μm厚のポリイミドパタ
ーンに変換した。熱処理後のフィルムの誘電率(ε)は
、3.2であった。次にこのカバーレイヤーを形成した
基板上の銅配線端子をソルダリングすべく、基板を脱脂
、フラックス処理した後1.2gθ℃の半田浴に3θ秒
間浸漬したところ、露出した銅配線端子に半田付けでき
、カバーレイヤーの層間剥離やブリスターは見られなか
った。又、この基板を!−ので20回折り曲げたが、カ
バーレイヤーの破断やクラック等は発生しなかった。
Next, peel off the PET film and open the 7θ film at 70°C.
Heat treated for 1 minute. Next, this board was developed with a developer of NMP/xylene/water (tO: 4tO: 3 volumes) and rinsed with isopropyl alcohol, and the pattern of three pins (space width/4t0μm) had a sharp resolution. was formed with. This substrate was placed in a nitrogen stream for 23 minutes.
A heat treatment was performed at 0° C. for 7 hours to convert it into a 29 μm thick polyimide pattern. The dielectric constant (ε) of the film after heat treatment was 3.2. Next, in order to solder the copper wiring terminals on the board on which this cover layer was formed, after degreasing and fluxing the board, it was immersed in a solder bath of 1.2gθ℃ for 3θ seconds, and the exposed copper wiring terminals were soldered. No delamination or blistering of the cover layer was observed. Also, this board! Although the cover layer was bent 20 times, no breakage or cracks occurred in the cover layer.

実施例コ ポリマー溶液B  /791に、開始剤I−2を3.6
f、I−4を/、j f 、モノマーM−2を39゜増
感剤S−,2を、2f、シランカップリング剤C−/を
/、j f溶解した。この溶液を、ガラス基板(4fイ
ンチ角、/w厚)上にスピンコードして、70℃の循環
オープンで7時間乾燥して、20μm厚(二種層した。
Example copolymer solution B/791 with 3.6 initiator I-2
f, I-4/, j f, monomer M-2 at 39°, sensitizer S-, 2, 2f, silane coupling agent C-//, j f were dissolved. This solution was spin-coded onto a glass substrate (4 f inch square, /w thickness) and dried in a circulating open environment at 70° C. for 7 hours to form a 20 μm thick layer (two layers).

この基板をフォトマスクを通して超高圧水銀灯により3
分間露光した。次に7θ℃で7θ分間加熱処理した後、
r−ブチロラクトン(r−BL)/キシレン(/:/容
)現像液で現像し、キシレンでリンスした。得られたパ
ターンを、窒素気流中300℃で、7時間加熱処理して
、13μm厚のポリイミドのパターンに変換した。
This substrate was exposed through a photomask using an ultra-high pressure mercury lamp.
Exposure was made for a minute. Next, after heat treatment at 7θ℃ for 7θ minutes,
It was developed with r-butyrolactone (r-BL)/xylene (/:/vol) developer and rinsed with xylene. The resulting pattern was heat-treated at 300° C. for 7 hours in a nitrogen stream to convert it into a 13 μm thick polyimide pattern.

実施例3 ポリマー溶液CItxtに、開始剤I−3を3f%l−
sを/、2 f 、モノマーM−jをj2、増感剤S−
3を/f及び、シランカップリング剤C−,2を/、J
−f加えて溶解した。この溶液を、シリコンウェハー(
3インチ〆)上にスピンコードし!θ℃の循環オープン
で30分間乾燥して、16μm厚に積層した。次に、こ
のウェハーを、フォトマスクを通して超高圧水銀灯によ
り2分間露光した。次にNMP/イソプロピルアルコー
ル/キンレン/水(33:33:33:j容)の現像液
で現像し、イソプロピルアルコール/キシレン(/ニア
容)のリンス液で現像した。得られたパターンを、窒素
気流中で1.2!θ℃7時間加熱処理して72μm厚の
ポリイミドパターンに変換した。
Example 3 Initiator I-3 was added to polymer solution CItxt at 3f%l-
s /, 2 f , monomer M-j j2, sensitizer S-
3/f and silane coupling agent C-, 2/, J
-f was added and dissolved. Spread this solution onto a silicon wafer (
3 inches) Spin code on top! It was dried for 30 minutes in the open circulation at θ°C and laminated to a thickness of 16 μm. Next, this wafer was exposed to light for 2 minutes using an ultra-high pressure mercury lamp through a photomask. Next, it was developed with a developer of NMP/isopropyl alcohol/quinolene/water (33:33:33:j volume) and a rinsing solution of isopropyl alcohol/xylene (near volume). The obtained pattern was 1.2! It was heat-treated at θ° C. for 7 hours to convert it into a polyimide pattern with a thickness of 72 μm.

実施例ダ ポリマーDをrot、開始剤ニーダを4tf、 I−6
を/J f 、モノマーM−グを11.増感剤S−gを
/を及びシランカップリング剤C−3、λtを、NMP
、4t/r及びシクロペンタノン4t/2の混合溶媒に
溶解した。この溶液を、ブレードコーターを用いて、P
ETフィルム上にコーティングし、70℃で、30分間
乾燥して、30μm厚に積層した。このフィルム積層体
を銅配線パターンを形成したフレキシブルプリント基板
(圧延銅箔3jμm/ポリイミドベースフィルム2!μ
m)上にホットロー光ラミネーター(AL−70’)を
用いてラミネートした(ロール温度、720℃、ロール
圧力3(包、送り速度0.6m7分)。次にPETフィ
ルム上からフォトマスクを通して超高圧水銀灯により!
分間露光した。その後、P13Tフィルムを剥離し、9
0℃のオーブンで3分間加熱処理した。この基板をNM
P/キシレン/水(4tj:jjニア容)現像液で現像
したところ、720μm8のパイヤホールがシャープな
解像度をもって形成された。この基板を窒素気流中、2
00℃で一時間熱処理して3fμm厚のポリイミドパタ
ーンに変換した。熱処理後のフィルムの誘電率(ε)は
、3.4tであった。次に実施例/と同様に、ソルダリ
ングを行なったがカバーレイヤーの層間剥離やブリスタ
ーは見られなかった。又、この基板を10mBで20回
折り曲げたがカバーレイヤーの破断やクラック等は発生
しなかった。
Example dapolymer D rot, initiator kneader 4tf, I-6
/J f , monomer M-g 11. Sensitizer S-g/and silane coupling agent C-3, λt, NMP
, 4t/r and cyclopentanone 4t/2. This solution was coated with P using a blade coater.
It was coated onto an ET film, dried at 70° C. for 30 minutes, and laminated to a thickness of 30 μm. This film laminate is used as a flexible printed circuit board (rolled copper foil 3μm/polyimide base film 2μm) with a copper wiring pattern formed thereon.
m) was laminated using a hot-low optical laminator (AL-70') (roll temperature: 720°C, roll pressure: 3 (wrapping, feed speed: 0.6 m, 7 min). Next, ultra-high pressure was applied from above the PET film through a photomask. By mercury lamp!
Exposure was made for a minute. After that, peel off the P13T film and
Heat treatment was performed in an oven at 0°C for 3 minutes. This board is NM
When developed with a P/xylene/water (4tj:jj near volume) developer, a 720 μm8 diameter hole was formed with sharp resolution. This substrate was placed in a nitrogen stream for 2
A heat treatment was performed at 00° C. for 1 hour to convert it into a polyimide pattern with a thickness of 3 fμm. The dielectric constant (ε) of the film after heat treatment was 3.4t. Next, soldering was performed in the same manner as in Example, but no delamination or blistering of the cover layer was observed. Further, even though this substrate was bent 20 times at 10 mB, no breakage or cracking of the cover layer occurred.

特許出願人 旭化成工業株式会社 代理人弁理士 野  崎  釧  也Patent applicant: Asahi Kasei Industries, Ltd. Representative patent attorney Nozaki Kushiya

Claims (1)

【特許請求の範囲】 ィ)一般式(1)で示される繰り返し単位を有し、熱処
理に際し、熱重量減少開始温度が、300℃以上の重合
体に変換しうる重合体、及び ロ)光重合開始剤を必須成分とする組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼(1) 〔但し、式中Xは、4価の炭素環式基又は複素環式基、
Yは2価の炭素環式基又は複素環式基、ZはXY間の結
合を示し、Zのうち90〜10mol%はZ_1であり
、その他のZのうち90〜40mol%がZ_2であり
、10〜60mol%がZ_3である。又、▲数式、化
学式、表等があります▼ (Z_1) (Z_2) ▲数式、化学式、表等があります▼ (Z_3) Rは、反応性炭素炭素二重結合を有する基を示す。〕
[Scope of Claims] A) A polymer having a repeating unit represented by the general formula (1) and capable of being converted into a polymer having a thermal weight loss onset temperature of 300°C or higher upon heat treatment, and b) Photopolymerization. A composition containing an initiator as an essential component. ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼(1) [However, in the formula, X is a tetravalent carbocyclic group or a heterocyclic group,
Y is a divalent carbocyclic group or heterocyclic group, Z represents a bond between XY, 90 to 10 mol% of Z is Z_1, and 90 to 40 mol% of other Z is Z_2, 10 to 60 mol% is Z_3. Also, ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ (Z_1) (Z_2) ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ (Z_3) R represents a group having a reactive carbon-carbon double bond. ]
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