JPH012037A - 感光性組成物 - Google Patents
感光性組成物Info
- Publication number
- JPH012037A JPH012037A JP62-156652A JP15665287A JPH012037A JP H012037 A JPH012037 A JP H012037A JP 15665287 A JP15665287 A JP 15665287A JP H012037 A JPH012037 A JP H012037A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer
- solution
- film
- group
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、新規な耐熱性感光性組成物(=関する。
近年、電子材料や光学材料用として耐熱性を持つ感光性
高分子材料の開発が盛んになってきた。
高分子材料の開発が盛んになってきた。
例えば、ジャンクションコート膜、α線遮蔽膜などの表
面保護膜や、多層配線用の層間絶縁膜のような半導体素
子用絶縁膜、或いは多層プリント基板用絶縁膜、各種プ
リント基板用保護膜等の開発が活発に検討されている。
面保護膜や、多層配線用の層間絶縁膜のような半導体素
子用絶縁膜、或いは多層プリント基板用絶縁膜、各種プ
リント基板用保護膜等の開発が活発に検討されている。
これらに用いられる耐熱性感光性組成物としては、例え
ば、ポリイミド前駆体であるポリアミド酸と、感光性化
合物の混合物又はポリアミド酸エステルの側鎖に二重結
合等の活性官能基を導入したポリマー(感光性ポリイミ
ド前駆体)に、光重合開始剤や架橋性七ツマ−を加えた
、光照射により架橋構造が形成される組成物が知られて
いる。
ば、ポリイミド前駆体であるポリアミド酸と、感光性化
合物の混合物又はポリアミド酸エステルの側鎖に二重結
合等の活性官能基を導入したポリマー(感光性ポリイミ
ド前駆体)に、光重合開始剤や架橋性七ツマ−を加えた
、光照射により架橋構造が形成される組成物が知られて
いる。
(特開昭!クー/グ!7タタ号公報、特公昭!!−3θ
コθ2号公報、特公昭3.3−−’l/4t、22号公
報) 該組成物は、感光性ポリイミドに代表されるリソグラフ
ィー用耐熱性高分子材料の基本的な組成物であり、これ
らを用いて画像を形成するには、ポリマーと添加剤の溶
液をロールコート、スピンコード、カーテンコート等の
方法により画像形成すべき基体上へ塗布し乾燥を行いレ
ジスト塗膜を形成せしめた後に露光、現像して、パター
ンを形成し、さらに加熱処理して、イミド構造に変換す
るのが一般である。
コθ2号公報、特公昭3.3−−’l/4t、22号公
報) 該組成物は、感光性ポリイミドに代表されるリソグラフ
ィー用耐熱性高分子材料の基本的な組成物であり、これ
らを用いて画像を形成するには、ポリマーと添加剤の溶
液をロールコート、スピンコード、カーテンコート等の
方法により画像形成すべき基体上へ塗布し乾燥を行いレ
ジスト塗膜を形成せしめた後に露光、現像して、パター
ンを形成し、さらに加熱処理して、イミド構造に変換す
るのが一般である。
この感光性ポリイミドは、溶液フェスとする場合、単離
されたポリマー粉末と、その他の添加剤を、溶媒に溶解
して用いることが多い。しかしこのポリマーの合成反応
液からの単離精製には、多くの工程を必要とするという
問題点がある。又、ポリアミド酸と、活性官能基を有す
るアミン化合物との混合物から成る組成物は、ポリマー
溶液に添加剤を加えること(二より、そのままフェスと
して使用できる、(特開昭jター76θ〕4tO号公報
、特開昭j♂−/41334t1号公報)反面、粘度が
高く、固型分濃度が上げられないため、厚膜の形成には
適さないという問題もある。加えて、こ九らの感光性ポ
リイミドは、一般にイミド化のための熱処理の際に、ダ
θθ℃程度の高温を必要とするので、用途によっては基
材又は保護すべき素子が十分な耐熱性を持たない場合が
有り、例えば300℃以下の低温でイミド構造に変換で
きることが好ましい。
されたポリマー粉末と、その他の添加剤を、溶媒に溶解
して用いることが多い。しかしこのポリマーの合成反応
液からの単離精製には、多くの工程を必要とするという
問題点がある。又、ポリアミド酸と、活性官能基を有す
るアミン化合物との混合物から成る組成物は、ポリマー
溶液に添加剤を加えること(二より、そのままフェスと
して使用できる、(特開昭jター76θ〕4tO号公報
、特開昭j♂−/41334t1号公報)反面、粘度が
高く、固型分濃度が上げられないため、厚膜の形成には
適さないという問題もある。加えて、こ九らの感光性ポ
リイミドは、一般にイミド化のための熱処理の際に、ダ
θθ℃程度の高温を必要とするので、用途によっては基
材又は保護すべき素子が十分な耐熱性を持たない場合が
有り、例えば300℃以下の低温でイミド構造に変換で
きることが好ましい。
又、感光性ポリアミドフエスには、一般に高沸点の溶媒
が用いられるため、厚膜形成時に乾燥時間が長くなると
いう問題が有り、ドライフィルム化が検討されている。
が用いられるため、厚膜形成時に乾燥時間が長くなると
いう問題が有り、ドライフィルム化が検討されている。
(特開昭j/−/7073/号)さらに、耐熱性フ4オ
ドレジストフィルムとしては、ソルダーレジストフィル
ムが知られているが、(特開昭!ター20104t4を
号参照)これらは、一般に、アクリレート系重合体及び
単量体等からなる組成物であり、光硬化後のフィルムが
脆く、フレキンプルプリント基板等の可とう性の有る基
材上では使用できないという問題点を有している。
ドレジストフィルムとしては、ソルダーレジストフィル
ムが知られているが、(特開昭!ター20104t4を
号参照)これらは、一般に、アクリレート系重合体及び
単量体等からなる組成物であり、光硬化後のフィルムが
脆く、フレキンプルプリント基板等の可とう性の有る基
材上では使用できないという問題点を有している。
以上の状況に鑑み、本発明者らは、3oθ℃以下という
比較的低温で、幅広い膜厚範囲のポリイミドパターンに
変換でき、フェス又はドライフィルムの形態で容易に製
造しうる感光性ポリイミド前駆体組成物について検討し
たところ、以下の組成物が適することを見い出し、本発
明に到達した。
比較的低温で、幅広い膜厚範囲のポリイミドパターンに
変換でき、フェス又はドライフィルムの形態で容易に製
造しうる感光性ポリイミド前駆体組成物について検討し
たところ、以下の組成物が適することを見い出し、本発
明に到達した。
すなわち本発明は、イ)−数式(1)で示される繰り返
し単位を有し、熱処理に際し、熱重量減少開始温度が、
30θ℃以上の重合体に変換しうる重合体及び、口)光
重合開始剤を必須成分とする組成物を提供するものであ
る。
し単位を有し、熱処理に際し、熱重量減少開始温度が、
30θ℃以上の重合体に変換しうる重合体及び、口)光
重合開始剤を必須成分とする組成物を提供するものであ
る。
#X午ZfY±Z: 11)〔但し、式中X
は、ダ価の炭素環式基又は複素環式基、Yはコ価の炭素
環式基又は複素環式基、ZはXY間の結合を示し、Zの
うちりθ〜/ Q mol俤はZlであり、その他の2
のうち90〜/、t Q mot俤がZ、であり、10
〜t o mot%がZ3である。又、C) Rは反応性炭素炭素2重結合を有する基を示す。〕ここ
で、Xとしては炭素数6〜.20の芳香族炭化水素基又
は下記のXaで示される基を用いることができる。
は、ダ価の炭素環式基又は複素環式基、Yはコ価の炭素
環式基又は複素環式基、ZはXY間の結合を示し、Zの
うちりθ〜/ Q mol俤はZlであり、その他の2
のうち90〜/、t Q mot俤がZ、であり、10
〜t o mot%がZ3である。又、C) Rは反応性炭素炭素2重結合を有する基を示す。〕ここ
で、Xとしては炭素数6〜.20の芳香族炭化水素基又
は下記のXaで示される基を用いることができる。
ca=o、/: X、 = −CH,−1−c−1−白
一、ウ 一〇−1−〇−〕 CF。
一、ウ 一〇−1−〇−〕 CF。
Xの具体例としては、
等が挙げられる。Yとしては、炭素数6〜λθの芳香族
炭化水素基及び、Ya、Yb、Ycで示される基を用い
ることができる。
炭化水素基及び、Ya、Yb、Ycで示される基を用い
ることができる。
一〇−1−8−:R,,R4は、それぞれ水素原子又は
炭素数7〜乙のアルキル基を示す。〕Yの具体例として
は、 等が挙げられ、生成する重合体の溶解性の点で、式Yd
で示される基が好ましい。
炭素数7〜乙のアルキル基を示す。〕Yの具体例として
は、 等が挙げられ、生成する重合体の溶解性の点で、式Yd
で示される基が好ましい。
(Yz = CH,−5−0−:R,、R,は、炭素
数/〜乙のアルキル基を示す。〕 kC6+(J U +2r−c = Ckit
(Ha )(a=θ、/SR,=H又はCH3:
R6は、酸素原子及び窒素原子を含んでもよいアルキル
基又は芳香族基を示す。〕 Raの具体例としては、 −O−CH,−CH−CH2−CH= CH。
数/〜乙のアルキル基を示す。〕 kC6+(J U +2r−c = Ckit
(Ha )(a=θ、/SR,=H又はCH3:
R6は、酸素原子及び窒素原子を含んでもよいアルキル
基又は芳香族基を示す。〕 Raの具体例としては、 −O−CH,−CH−CH2−CH= CH。
晶
等が挙げられる。
X及びY間の結合Zのうち、90〜/ Omol %、
好ましくは≦θ〜コθmoz %はZIであり、その他
のZのうち9θ〜4tOmot46、好ましくは♂0〜
s o mot%はZ、であり、lθ〜6θmoz%、
好まし°くはコQ−jQ rnot%がZ、である。
好ましくは≦θ〜コθmoz %はZIであり、その他
のZのうち9θ〜4tOmot46、好ましくは♂0〜
s o mot%はZ、であり、lθ〜6θmoz%、
好まし°くはコQ−jQ rnot%がZ、である。
又、(イ)成分の重合体は、熱処理に際し熱重量減少開
始温度が30θ℃以上好ましくは3jO℃以上の重合体
に変換しうる重合体である。ここで、熱処理はモノマー
や開始剤等を揮散させ、実賀的に重合体を耐熱構造に変
換しうる温度に於いて行なうものであり、熱重量減少開
始温度は、示差熱天秤により求めた。
始温度が30θ℃以上好ましくは3jO℃以上の重合体
に変換しうる重合体である。ここで、熱処理はモノマー
や開始剤等を揮散させ、実賀的に重合体を耐熱構造に変
換しうる温度に於いて行なうものであり、熱重量減少開
始温度は、示差熱天秤により求めた。
(イ)成分の重合体の好ましい具体例としては、例えば
、構造式P−/、P−2で示される繰り返し単位を有す
るポリマーが挙げれる。
、構造式P−/、P−2で示される繰り返し単位を有す
るポリマーが挙げれる。
(P−/)
(P−、り
本発明に用いる光重合開始剤は、周知のものであり、例
えば、ベンゾフェノン、0−ベンゾイル安息香酸メチル
、g、4t’−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン
、4t、4t’−ビス(シエtルアミノ)ベンゾフェノ
ン、り、タージクロロベンゾフェノン、グ、−ベンゾイ
ルーy′−メチルジフェニルケトン、シヘンシルケトン
、フルオレノン等ペンツフェノン誘導体;コ、2′−ジ
ェトキシアセトフェノン、コーヒドaキV−2−メチル
プロピオフェノン、p−1−ブチルジクロロアセトフェ
ノン等アセトフェノン誘導体ニア−ヒドロキシンクロへ
キシルフェニルケトン:チオキサントン、λ−メチルチ
オキサントン、2−クロロチオキサントン、コーイソプ
ロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン等ヂオ
キサントン誘導体;ベンジル、ベンジルジメチルケター
ル、ベンジル−β−メトキシエチルアセタール等ベンジ
ル誘導体;ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベ
ンゾインイソブチルエーテル等ベンゾイン誘導体:アン
トラキノン、2−t−ブチルアントラキノン、コーアミ
ルアントラキノン、β−クロルアントラキノン、等アン
トラキノン誘導体:アントロン、ベンズアンスロン、ジ
ベンゾスベロン、メチレンアントロン等アントロン誘導
体、ナフタレンスルホニルクロライド、キノリンスルホ
ニルクロライド、N−フェニルチオアクリドン、り、タ
ーアゾビスイソブチロニトリル、ジフェニルジスルフィ
ド、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニルホス
フィン、カンファーキノン、四臭化炭素、トリブロモフ
ェニルスルホン、過酸化ベンゾイル及びエオシン、メチ
レンブルー等光還元性色素とアスコルビン酸、トリエタ
ノールアミン等の還元剤の組み合わせ2.6−ジ(Z′
−ジアジドベンザル)−グーメチルシクロヘキナノン、
λ、乙−ジ(q′−ジアジドベンザル)シクロヘキサノ
ン等アジド類、/−フェニル−/、2−ブタンジオン−
2−(o−メトキシカルボニル)オキシム、/−フェニ
ル−プロパンジオン−2−(o−エトキンカルボニル)
オキシム、/−フェニル−プロパンジオン−,2−(0
−ヘyゾイル)オキシム、/、、2−ジフェニル−エタ
ンジオン−/−(O−ベンゾイル)オキシム、/、3−
9フェニル−プロパントリオン−2−(o−エトキシカ
ルボニル)オキシム、/−フェニル−3−エトキシ−プ
ロパントリオン−,2−(o−ベンゾイル)オキシム等
オキシム類、及び、ミヒラーズケトン、嶋り′−ビスー
(ジエチルアミノ)−ベンゾフェノン等のビスアルキル
アミノベンゾフェノン類が挙げられ、光感度の点で、オ
キシム類と、ビスアルキルアミノベンゾフェノン類との
組み合わせが好ましい。
えば、ベンゾフェノン、0−ベンゾイル安息香酸メチル
、g、4t’−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン
、4t、4t’−ビス(シエtルアミノ)ベンゾフェノ
ン、り、タージクロロベンゾフェノン、グ、−ベンゾイ
ルーy′−メチルジフェニルケトン、シヘンシルケトン
、フルオレノン等ペンツフェノン誘導体;コ、2′−ジ
ェトキシアセトフェノン、コーヒドaキV−2−メチル
プロピオフェノン、p−1−ブチルジクロロアセトフェ
ノン等アセトフェノン誘導体ニア−ヒドロキシンクロへ
キシルフェニルケトン:チオキサントン、λ−メチルチ
オキサントン、2−クロロチオキサントン、コーイソプ
ロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン等ヂオ
キサントン誘導体;ベンジル、ベンジルジメチルケター
ル、ベンジル−β−メトキシエチルアセタール等ベンジ
ル誘導体;ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベ
ンゾインイソブチルエーテル等ベンゾイン誘導体:アン
トラキノン、2−t−ブチルアントラキノン、コーアミ
ルアントラキノン、β−クロルアントラキノン、等アン
トラキノン誘導体:アントロン、ベンズアンスロン、ジ
ベンゾスベロン、メチレンアントロン等アントロン誘導
体、ナフタレンスルホニルクロライド、キノリンスルホ
ニルクロライド、N−フェニルチオアクリドン、り、タ
ーアゾビスイソブチロニトリル、ジフェニルジスルフィ
ド、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニルホス
フィン、カンファーキノン、四臭化炭素、トリブロモフ
ェニルスルホン、過酸化ベンゾイル及びエオシン、メチ
レンブルー等光還元性色素とアスコルビン酸、トリエタ
ノールアミン等の還元剤の組み合わせ2.6−ジ(Z′
−ジアジドベンザル)−グーメチルシクロヘキナノン、
λ、乙−ジ(q′−ジアジドベンザル)シクロヘキサノ
ン等アジド類、/−フェニル−/、2−ブタンジオン−
2−(o−メトキシカルボニル)オキシム、/−フェニ
ル−プロパンジオン−2−(o−エトキンカルボニル)
オキシム、/−フェニル−プロパンジオン−,2−(0
−ヘyゾイル)オキシム、/、、2−ジフェニル−エタ
ンジオン−/−(O−ベンゾイル)オキシム、/、3−
9フェニル−プロパントリオン−2−(o−エトキシカ
ルボニル)オキシム、/−フェニル−3−エトキシ−プ
ロパントリオン−,2−(o−ベンゾイル)オキシム等
オキシム類、及び、ミヒラーズケトン、嶋り′−ビスー
(ジエチルアミノ)−ベンゾフェノン等のビスアルキル
アミノベンゾフェノン類が挙げられ、光感度の点で、オ
キシム類と、ビスアルキルアミノベンゾフェノン類との
組み合わせが好ましい。
又、本発明組成物には、反応性炭素−炭素二重結合を有
する化合物を用いることもできる。これらの化合物の例
としては例えば、−一エチル〜キシルアクリレート、コ
ーヒドロキシエチルアクリレート、N−ビニル−一−ピ
ロリドン、カルピトールアクリレート、テトラヒドロフ
ルフリルアクリレート、イソボルニルアクリレート、/
、6−ヘキチンジオールジアクリレート、ネオペンチル
グリコールジアクリレート、エチレングリコールジアク
リレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ペ
ンタエリスリトールジアクリレート、トリメチロールプ
ロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリア
クリレート、ジペンタエリスリトールへキサアクリレー
ト、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、テト
ラエチレングリコールジアクリレート、ノナエチレング
リコールジアクリレート、メチレンビスアクリルアミド
、N−メチロールアクリルアミド及び、上記のアクリレ
ート又はアクリルアミドをメタクリレート又はメタクリ
ルアミドに変えたもの等が挙げられる。
する化合物を用いることもできる。これらの化合物の例
としては例えば、−一エチル〜キシルアクリレート、コ
ーヒドロキシエチルアクリレート、N−ビニル−一−ピ
ロリドン、カルピトールアクリレート、テトラヒドロフ
ルフリルアクリレート、イソボルニルアクリレート、/
、6−ヘキチンジオールジアクリレート、ネオペンチル
グリコールジアクリレート、エチレングリコールジアク
リレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ペ
ンタエリスリトールジアクリレート、トリメチロールプ
ロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリア
クリレート、ジペンタエリスリトールへキサアクリレー
ト、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、テト
ラエチレングリコールジアクリレート、ノナエチレング
リコールジアクリレート、メチレンビスアクリルアミド
、N−メチロールアクリルアミド及び、上記のアクリレ
ート又はアクリルアミドをメタクリレート又はメタクリ
ルアミドに変えたもの等が挙げられる。
これらのうち、2以上のアクリレート基を有するポリア
クリレートが好ましく、光感度の点から、構造式Mで示
される化合物が特に好ましい。
クリレートが好ましく、光感度の点から、構造式Mで示
される化合物が特に好ましい。
(p=/〜20)
又、本発明組成物には、増感剤を添加することもできる
。この増感剤は、該フィルムの感度を向上させ得るもの
であり、例えば、ミヒラーズケト7.4t、4t’−ビ
ス−(ジエチルアミノ)−ベンゾフェノン、2.5−ビ
ス−(4t’−ジエチルアミノベンザル)−シクロペン
タノン、コメ−ビスー(g’−ジエチルアミノベンザル
)−シクロヘキサノン、コ、乙−ビス−(4t’−ジメ
チルアミノベンザル)−グーメチル−シクロヘキサノン
、コ、6−ピスー(タージエチルアミノベンザル)−ク
ーメチル−シクロヘキサノン、g、4t’−ビス−(ジ
メチルアミノ)−カルコン、り、タービス−(ジエチル
アミノ)−カルコン、p−ジメチルアミノベンジリデン
インダノン、p−ジメチルアミノベンジリデンインダノ
ン、2−(p−ジメチルアミノフェニルビニレン)−ベ
ンゾチアゾール、 、2−(p−シ)fルアミノフェニ
ルビニレン)−イソナフトチアゾール、7.3−ビス−
(9′−ジメチルアミノベンザル)−アセトン、7.3
−ビス−(タージエチルアミノベンザル)−アセトン、
3.3’−カルポニルービス−(7−ジエチルアミノク
マリン)、N−フェニル−N’−エテルエタノールアミ
ン、N−フエニルジエタノールアミン、N−トリルジェ
タノールアミン、N−フェニルエタノールアミン、ジメ
チルアミノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミノ安息香
酸イソアミル等が挙げられるがこれらに限定されるもの
ではない。
。この増感剤は、該フィルムの感度を向上させ得るもの
であり、例えば、ミヒラーズケト7.4t、4t’−ビ
ス−(ジエチルアミノ)−ベンゾフェノン、2.5−ビ
ス−(4t’−ジエチルアミノベンザル)−シクロペン
タノン、コメ−ビスー(g’−ジエチルアミノベンザル
)−シクロヘキサノン、コ、乙−ビス−(4t’−ジメ
チルアミノベンザル)−グーメチル−シクロヘキサノン
、コ、6−ピスー(タージエチルアミノベンザル)−ク
ーメチル−シクロヘキサノン、g、4t’−ビス−(ジ
メチルアミノ)−カルコン、り、タービス−(ジエチル
アミノ)−カルコン、p−ジメチルアミノベンジリデン
インダノン、p−ジメチルアミノベンジリデンインダノ
ン、2−(p−ジメチルアミノフェニルビニレン)−ベ
ンゾチアゾール、 、2−(p−シ)fルアミノフェニ
ルビニレン)−イソナフトチアゾール、7.3−ビス−
(9′−ジメチルアミノベンザル)−アセトン、7.3
−ビス−(タージエチルアミノベンザル)−アセトン、
3.3’−カルポニルービス−(7−ジエチルアミノク
マリン)、N−フェニル−N’−エテルエタノールアミ
ン、N−フエニルジエタノールアミン、N−トリルジェ
タノールアミン、N−フェニルエタノールアミン、ジメ
チルアミノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミノ安息香
酸イソアミル等が挙げられるがこれらに限定されるもの
ではない。
又、さらに本発明組成物には、必要に応じてシランカッ
プリング剤を添加又は、基材にプレコートして用いるこ
とができる。このシランカップリング剤は、本発明組成
物の耐熱性高分子膜と基材であるSi及び無機絶縁膜等
との界面の接着性を向上するような化合物であって、こ
れらの例としては、例えば、r−アミノプロピルメチル
ジメトキシシラン、N−(β−アミノエテル)γ−アミ
ノプロピルメチルジメトキシシラン、r−グリシドキシ
プロビルメチルジメトキシシラン、r−メルカプトプロ
ピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロ
ピルジメトキシメチルシラン、3−メタクリロキシプロ
ピルトリメトキシシラン、ジメトキシメチル−3−ピペ
リジノプロピルシラン、ジェトキシ−3−グリシドキン
プロピルメチルシラン、N−(3−ジェトキシメチルシ
リルプロピル)スクシンイミド等が挙げられる。これら
ジアルコキンシラン化合物の使用方法及び効果について
は、例えば、特願昭6θ−3♂J4tj号に詳しく記載
されている。又、本発明組成物の溶液の保存安定性を向
上させるために、重合禁止剤を添加することもできる。
プリング剤を添加又は、基材にプレコートして用いるこ
とができる。このシランカップリング剤は、本発明組成
物の耐熱性高分子膜と基材であるSi及び無機絶縁膜等
との界面の接着性を向上するような化合物であって、こ
れらの例としては、例えば、r−アミノプロピルメチル
ジメトキシシラン、N−(β−アミノエテル)γ−アミ
ノプロピルメチルジメトキシシラン、r−グリシドキシ
プロビルメチルジメトキシシラン、r−メルカプトプロ
ピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロ
ピルジメトキシメチルシラン、3−メタクリロキシプロ
ピルトリメトキシシラン、ジメトキシメチル−3−ピペ
リジノプロピルシラン、ジェトキシ−3−グリシドキン
プロピルメチルシラン、N−(3−ジェトキシメチルシ
リルプロピル)スクシンイミド等が挙げられる。これら
ジアルコキンシラン化合物の使用方法及び効果について
は、例えば、特願昭6θ−3♂J4tj号に詳しく記載
されている。又、本発明組成物の溶液の保存安定性を向
上させるために、重合禁止剤を添加することもできる。
この重合禁止剤としては、例えば、ハイドロキノン、N
−ニトロソジフェニルアミン、p −tert−ブチル
カテコール、フェノチアジン、N−フェニルナフチルア
ミン、エチレンジアミン四酢酸、/、コーシクロへキチ
ンジアミン四酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸
、2.6−シーtcrt−ブチル−p−メチルフェノー
ル等が挙げられる。
−ニトロソジフェニルアミン、p −tert−ブチル
カテコール、フェノチアジン、N−フェニルナフチルア
ミン、エチレンジアミン四酢酸、/、コーシクロへキチ
ンジアミン四酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸
、2.6−シーtcrt−ブチル−p−メチルフェノー
ル等が挙げられる。
本発明組成物に於いて、光重合開始剤及び増感剤の含有
割合は、(イ)成分の重合体に対して、θ、/〜−〇重
量係が好ましく、!〜/j重aSがさらに好ましい。又
、反応性炭素−炭素二重結合を有する化合物の含有割合
は、(イ)成分の重合体に対し、20重量係以下が好ま
しい。官能性ジアルコキシシラン化合物を添加して用い
る場合、その含有割合は、(イ)成分の重合体に対して
0.Or −/θ重量%、好ましくはθ、/〜グ重量係
である。又、前記重合禁止剤の含有割合は、(イ)成分
の重合体に対して/重量係以下、好ましくはθ、7重量
重量上以下る。
割合は、(イ)成分の重合体に対して、θ、/〜−〇重
量係が好ましく、!〜/j重aSがさらに好ましい。又
、反応性炭素−炭素二重結合を有する化合物の含有割合
は、(イ)成分の重合体に対し、20重量係以下が好ま
しい。官能性ジアルコキシシラン化合物を添加して用い
る場合、その含有割合は、(イ)成分の重合体に対して
0.Or −/θ重量%、好ましくはθ、/〜グ重量係
である。又、前記重合禁止剤の含有割合は、(イ)成分
の重合体に対して/重量係以下、好ましくはθ、7重量
重量上以下る。
本発明の(イ)成分の重合体は、次の方法によって合成
することができる。即ち、まず、−数式(V)で示され
る酸無水物と、−数式(Vllで示されるジアミンを反
応させて、ポリアミド酸とし、さらに、グリンジル基を
有する、式(R−A)で示される化合物を反応させてエ
ステル化する。
することができる。即ち、まず、−数式(V)で示され
る酸無水物と、−数式(Vllで示されるジアミンを反
応させて、ポリアミド酸とし、さらに、グリンジル基を
有する、式(R−A)で示される化合物を反応させてエ
ステル化する。
(x、yは前記と同じ意味を示す。)
υ
〔d=0又は/;R3はH又はCH,: R′6は、エ
ーテル結合を含んでもよいアルキル基を示す。〕(R−
A)の具体例としては、グリシジルメタクリレート、グ
リシジルアクリレート等が挙げられる。
ーテル結合を含んでもよいアルキル基を示す。〕(R−
A)の具体例としては、グリシジルメタクリレート、グ
リシジルアクリレート等が挙げられる。
、この合成法については、特開昭j 4−323.24
を号、特開昭j4−33/3/号に詳しく記載されてい
る。
を号、特開昭j4−33/3/号に詳しく記載されてい
る。
父、(イ)成分の重合体は、前記のポリアミド酸と、イ
ソシアネート基を有する、式(R−B)で示される化合
物を反応させて得ることもできる。
ソシアネート基を有する、式(R−B)で示される化合
物を反応させて得ることもできる。
〔R7は、炭素数3ないし/2の脂肪族基又は、芳香族
基:R3は炭素数/ないし乙の脂肪族基:RoはH又は
CHlを示し、eは0又は/である。〕R−Hの具体例
としては、 OO 等が挙げられ、これらの化合物はそれぞれ対応するジイ
ソシアネート化合物と二重結合を有するアルコール化合
物とを反応させることにより得られる。
基:R3は炭素数/ないし乙の脂肪族基:RoはH又は
CHlを示し、eは0又は/である。〕R−Hの具体例
としては、 OO 等が挙げられ、これらの化合物はそれぞれ対応するジイ
ソシアネート化合物と二重結合を有するアルコール化合
物とを反応させることにより得られる。
反応の溶媒としては、非プロトン性極性溶媒が好ましく
、例えば、r−ブチロラクトン、N−メチルピロリドン
、N−アセテルーコービロリドン、N、N−ジメチルホ
ルムアミド、 N、N−ジメチルアセトアミド、ジメチ
ルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド
、N−ベンジル−2−ピロリドン等が挙げられる。これ
らのうち、後工程のコーテイング性の点から、N−メチ
ルピロリドン、N、N 9メチルアセトアミドが好まし
い。又、反応の条件としては、まず、酸無水物を溶媒に
溶解し、かくはんしながら、ジアミン化合物の同溶媒の
溶液を加える。好ましい反応濃度は、30〜!0重量係
であり、発熱後に生じた粘稠な液体を室温下、3〜6時
間かくはんする。次に、前記のグリンジル化合物又は、
イソシアネート化合物を、滴下し、グ0〜90℃の温度
で、70〜30時間かくはんする。これらの化合物のポ
リアミド酸のカルボン酸基に対する当量及び、反応温度
、時間により、生成する重合体、XZYZ・・・におけ
る結合形式Zの比率(Z+ : Zt : ”、)をコ
ントロールすることができる。こうして得られた、重合
体溶液は、そのまま光重合開始剤等の添加剤を加えて溶
解し、感光性ポリイミド前駆体のフェノとして使用する
ことができる。又、従来の方法の如く、重合体を再沈殿
法等により単離精製し、再度添加剤とともに溶解して用
いることもできる。これらのフェノは、基材上に、スピ
ンコード、カーテンコート、ロールコート等の方法で塗
工し乾燥することにより塗膜として積層できる。乾燥温
度としては、410〜ノ4tθ℃、好ましくは、夕θ〜
10θ℃である。
、例えば、r−ブチロラクトン、N−メチルピロリドン
、N−アセテルーコービロリドン、N、N−ジメチルホ
ルムアミド、 N、N−ジメチルアセトアミド、ジメチ
ルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド
、N−ベンジル−2−ピロリドン等が挙げられる。これ
らのうち、後工程のコーテイング性の点から、N−メチ
ルピロリドン、N、N 9メチルアセトアミドが好まし
い。又、反応の条件としては、まず、酸無水物を溶媒に
溶解し、かくはんしながら、ジアミン化合物の同溶媒の
溶液を加える。好ましい反応濃度は、30〜!0重量係
であり、発熱後に生じた粘稠な液体を室温下、3〜6時
間かくはんする。次に、前記のグリンジル化合物又は、
イソシアネート化合物を、滴下し、グ0〜90℃の温度
で、70〜30時間かくはんする。これらの化合物のポ
リアミド酸のカルボン酸基に対する当量及び、反応温度
、時間により、生成する重合体、XZYZ・・・におけ
る結合形式Zの比率(Z+ : Zt : ”、)をコ
ントロールすることができる。こうして得られた、重合
体溶液は、そのまま光重合開始剤等の添加剤を加えて溶
解し、感光性ポリイミド前駆体のフェノとして使用する
ことができる。又、従来の方法の如く、重合体を再沈殿
法等により単離精製し、再度添加剤とともに溶解して用
いることもできる。これらのフェノは、基材上に、スピ
ンコード、カーテンコート、ロールコート等の方法で塗
工し乾燥することにより塗膜として積層できる。乾燥温
度としては、410〜ノ4tθ℃、好ましくは、夕θ〜
10θ℃である。
又、これらのフェノに、前記溶媒と共沸して沸点を下げ
る比較的低沸点の溶媒を加えることにより、ドライフィ
ルムとしてコーティングすることができる。この低沸点
の溶媒としては、シクロペンタノン、シクロヘキサノン
、テトラヒドロフラン等が挙げられる。コーティングの
ための支持体としては、透明で十分な強度を持ち、使用
する溶剤に不溶のものが好ましく、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリプロピレン等のフィルムを用いることが
できる。カバーフィルムとしては、前記のフィルムの他
にポリエチレン等のフィルムも用いることができる。
る比較的低沸点の溶媒を加えることにより、ドライフィ
ルムとしてコーティングすることができる。この低沸点
の溶媒としては、シクロペンタノン、シクロヘキサノン
、テトラヒドロフラン等が挙げられる。コーティングの
ための支持体としては、透明で十分な強度を持ち、使用
する溶剤に不溶のものが好ましく、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリプロピレン等のフィルムを用いることが
できる。カバーフィルムとしては、前記のフィルムの他
にポリエチレン等のフィルムも用いることができる。
ドライフィルムのコーティング方法としては、バーコー
ド、ブレードコート、パイプドクターブレードコート等
の方法を用いることができる。
ド、ブレードコート、パイプドクターブレードコート等
の方法を用いることができる。
塗工したフィルムの乾燥条件は、!θ〜/コθ℃の循環
オーブンで6θ〜!分である。形成しうるフィルムの膜
厚は、7〜700μm、好ましくは夕〜70μmである
。
オーブンで6θ〜!分である。形成しうるフィルムの膜
厚は、7〜700μm、好ましくは夕〜70μmである
。
このようにして形成されたフィルムは、支持体フィルム
と共に、加熱及び加圧により基体上に積層される。好ま
しい積層の条件は、ホットロールラ、ミネーターを用い
て、ロール温度グ0〜/6θ℃及びロール圧力θ、j−
,!v−であり、特に好ましくは、70〜ノ4tθ℃及
び7〜3階個である。
と共に、加熱及び加圧により基体上に積層される。好ま
しい積層の条件は、ホットロールラ、ミネーターを用い
て、ロール温度グ0〜/6θ℃及びロール圧力θ、j−
,!v−であり、特に好ましくは、70〜ノ4tθ℃及
び7〜3階個である。
これらの支持体フィルムは、露光前又は露光後で現像前
に剥離される。
に剥離される。
フェノ及び、ドライフィルムによりこうして得られた積
層体は、通常のフォトマスクを通して、露光される。
層体は、通常のフォトマスクを通して、露光される。
この除用いる活性光線としては1例えば、紫外線、X線
、電子線などが挙げられ、これらの中で紫外線が好まし
く、その光源としては、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀
灯、超高圧水銀灯、ハロゲンランプ、殺菌灯などが挙げ
られる。これらの光源の中で超高圧水銀灯が好適である
。又、露光は窒素雰囲気下で行うことが好ましい。
、電子線などが挙げられ、これらの中で紫外線が好まし
く、その光源としては、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀
灯、超高圧水銀灯、ハロゲンランプ、殺菌灯などが挙げ
られる。これらの光源の中で超高圧水銀灯が好適である
。又、露光は窒素雰囲気下で行うことが好ましい。
又、現像方法としては、浸漬法やスプレー法を用いるこ
とができる。現像液としては、r−ブチロラクトン、N
−メチルピロリドン、N−アセテルー2−ピロリドン、
α−アセテルーrブチロラクトン、N、N−ジメチルア
セトアミド等の極性溶媒を単独で用いてもよいし、或い
はこれらに第2成分として、例えば、エタノール、イソ
プロパツールなどのアルコール、トルエン、キシレンな
どの芳香族炭化水素化合物、メチルエチルケトン、メチ
ルイソブチルケトンなどのケトン類、酢酸エチル、プロ
ピオン酸メチルなどのエステル類、テトラヒドロフラン
、ジオキサンのようなエーテル類などの溶媒を混合して
用いても良い。
とができる。現像液としては、r−ブチロラクトン、N
−メチルピロリドン、N−アセテルー2−ピロリドン、
α−アセテルーrブチロラクトン、N、N−ジメチルア
セトアミド等の極性溶媒を単独で用いてもよいし、或い
はこれらに第2成分として、例えば、エタノール、イソ
プロパツールなどのアルコール、トルエン、キシレンな
どの芳香族炭化水素化合物、メチルエチルケトン、メチ
ルイソブチルケトンなどのケトン類、酢酸エチル、プロ
ピオン酸メチルなどのエステル類、テトラヒドロフラン
、ジオキサンのようなエーテル類などの溶媒を混合して
用いても良い。
更に、現像直後に前記第コ成分として示したような溶液
でリンスすることが好ましい。
でリンスすることが好ましい。
こうして得られたパターンは、//θ〜4tθθ℃、好
ましくは、コθO〜300℃の温度で、窒素中で、0.
5〜3時間、好ましくは7〜2時間加熱処理することに
より、ポリイミド構造に変換される。
ましくは、コθO〜300℃の温度で、窒素中で、0.
5〜3時間、好ましくは7〜2時間加熱処理することに
より、ポリイミド構造に変換される。
以下実施例、参考例をあげて本発明を具体的に説明する
。
。
参考例/
3.3’、4t、4t’−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸2無水物(BTDA)96.7fを、N−メチルピ
ロリドン(NMP )/jOtdに溶解した。この溶液
をかくはんしなからグ、4t’−ジアミノ−3,3’、
3−.3’ −テトラエテルジフェニルメタン、4t3
./f及びグ。
ン酸2無水物(BTDA)96.7fを、N−メチルピ
ロリドン(NMP )/jOtdに溶解した。この溶液
をかくはんしなからグ、4t’−ジアミノ−3,3’、
3−.3’ −テトラエテルジフェニルメタン、4t3
./f及びグ。
ダシアミノ−3,3′−ジメチル−3,!’−ジエチル
ジフェニルメタン39.t fのNMP232ml溶液
を加えた。この反応液を水浴で冷却しなからグ時間かく
はんした。生成したアミド酸溶液に’12.79のグリ
シジルメタクリレートを加え、7θ℃下で26時間かく
はんした。得られた溶液をポリマーA溶液とする。この
ポリマーの一部な再沈法により単離し酸価、IH−NM
Rスペクトル及び赤外吸収スペクトルにより構造解析し
た所、酸成分とジアミン成分との結合のうちλjmot
%がアミド酸エステル、4t7 mob係がアミド酸で
あり、2r mob係がイミド化していることがわかっ
た。又、このポリマー粉末を300℃で一時間熱処理し
た後、示差熱天秤により窒素気流中、10℃/分の昇温
速度で熱重量減少開始温度を測定した所3jO℃であっ
た。
ジフェニルメタン39.t fのNMP232ml溶液
を加えた。この反応液を水浴で冷却しなからグ時間かく
はんした。生成したアミド酸溶液に’12.79のグリ
シジルメタクリレートを加え、7θ℃下で26時間かく
はんした。得られた溶液をポリマーA溶液とする。この
ポリマーの一部な再沈法により単離し酸価、IH−NM
Rスペクトル及び赤外吸収スペクトルにより構造解析し
た所、酸成分とジアミン成分との結合のうちλjmot
%がアミド酸エステル、4t7 mob係がアミド酸で
あり、2r mob係がイミド化していることがわかっ
た。又、このポリマー粉末を300℃で一時間熱処理し
た後、示差熱天秤により窒素気流中、10℃/分の昇温
速度で熱重量減少開始温度を測定した所3jO℃であっ
た。
参考例λ
ピロメリト酸無水物tg t、4tfをジメチルアセト
アミド(DMAC)200−に溶解し、g、4t’ジア
ミノ−3,3−j、j′−テトラエテルジフェニルメタ
ンのDMAC5,2θ−溶液を加え、ダ時間かくはんし
た。次に、グリシジルメタクリレート/ 、t、3 f
のD M Ac♂0−溶液を加え、70℃下で74を時
間かくはんした。得られた溶液をポリマーB溶液とする
。前記と同様に構造解析したところ酸成分とジアミン成
分との結合のうち、4tJ mot tsがアミド酸エ
ステル、4to mob係がアミド酸であり、/ 7
mot91pがイミド化していることがわかった。
アミド(DMAC)200−に溶解し、g、4t’ジア
ミノ−3,3−j、j′−テトラエテルジフェニルメタ
ンのDMAC5,2θ−溶液を加え、ダ時間かくはんし
た。次に、グリシジルメタクリレート/ 、t、3 f
のD M Ac♂0−溶液を加え、70℃下で74を時
間かくはんした。得られた溶液をポリマーB溶液とする
。前記と同様に構造解析したところ酸成分とジアミン成
分との結合のうち、4tJ mot tsがアミド酸エ
ステル、4to mob係がアミド酸であり、/ 7
mot91pがイミド化していることがわかった。
又、300℃で2時間熱処理後の熱重量減少開始温度は
34tθ℃であった。
34tθ℃であった。
参考例3
BTDA64t、4ttのD M Acコ00−溶液に
ジアミノメシテレンコ♂tのDMAC/θθ+nl溶液
を加え9時間かくはんした。次にグリシジルメタクリレ
ート522を加え、70℃下で71時間かくはんした。
ジアミノメシテレンコ♂tのDMAC/θθ+nl溶液
を加え9時間かくはんした。次にグリシジルメタクリレ
ート522を加え、70℃下で71時間かくはんした。
この溶液なポリマーC溶液とする。
前記と同様に構造解析したところ、酸成分とジアミン成
分との結合のうち3rmoz %がアミド酸エステル、
37 mob ’Aがアミド酸であり、J j mob
係がイミド化していることがわかった。又、300℃で
2時間熱処理後の熱重量減少開始温度は、340℃であ
った。
分との結合のうち3rmoz %がアミド酸エステル、
37 mob ’Aがアミド酸であり、J j mob
係がイミド化していることがわかった。又、300℃で
2時間熱処理後の熱重量減少開始温度は、340℃であ
った。
参考例ダ
3.3−q 、タービフェニルテトラカルボン酸2無水
物♂♂、3 fのDMAC,20θ−溶液に3.3′−
ジアミノーグ、ダージメチル−3,3;’−ジエチルジ
フェニルメタンのD M Ac 300 td溶液を加
え、グ時間かくはんした。次に!!、3fのグリシジル
メタクリレートを加え、70℃で/♂待時間くはんした
。
物♂♂、3 fのDMAC,20θ−溶液に3.3′−
ジアミノーグ、ダージメチル−3,3;’−ジエチルジ
フェニルメタンのD M Ac 300 td溶液を加
え、グ時間かくはんした。次に!!、3fのグリシジル
メタクリレートを加え、70℃で/♂待時間くはんした
。
この反応液をオtのエタノール/水(,20:J’θ容
)にかくはんしながら滴下し、生成した沈殿物を分離し
、/lのテトラヒドロフランに溶解した。
)にかくはんしながら滴下し、生成した沈殿物を分離し
、/lのテトラヒドロフランに溶解した。
この溶液を9tの水中にかくはんしながら滴下し得られ
たポリマー粉末をろ取した。これをポリマーDとする。
たポリマー粉末をろ取した。これをポリマーDとする。
前記と同様に構造解析したところ、酸成分とジアミン成
分との結合のうち、2 j mot %がアミド酸エス
テル、9θmot%がアミド酸であり、3 夕mot%
がイミド化していることがわかった。又、300℃で2
時間熱処理後の熱重量減少開始温度は33−、jt℃で
あった。
分との結合のうち、2 j mot %がアミド酸エス
テル、9θmot%がアミド酸であり、3 夕mot%
がイミド化していることがわかった。又、300℃で2
時間熱処理後の熱重量減少開始温度は33−、jt℃で
あった。
次に、本発明の実施例で用いた添加剤の名称及び略号を
表/に示す。
表/に示す。
(以下余白)
表/ −(1) 開始剤
表/ −(21七ツマ−
表/ −(8) 増感剤
表/ −(41シランカップリング剤
実施例/
ポリマー溶液A /36?に、開始剤I −/を2、
s f、■−夕をへ夕1、七ツマ−M−/をグi。
s f、■−夕をへ夕1、七ツマ−M−/をグi。
増感剤S−7をθ、752及び、シクロペンタノンを2
♂、り?加え、かくはん溶解した。この溶液を、ブレー
ドコーターを用いて、2♂μm厚のポリエチレンテレフ
タレート(PET)フィルム上にコーティングし、70
℃の循環オーブンを用いて90分間乾燥後、3♂μm厚
のドライフィルムを得た。このドライフィルムを、ホッ
トロールラミネーター(旭化成工業■製AL−70)を
用いて、ロール温度/ 10℃、ロール圧力、2 Ki
! 、送り速度0.7m7分の条件で、銅回路パターン
を形成したフレキシブルプリント基板(電解銅箔/♂μ
m/ポリイミドベースフィルム/2.!μm)上に、P
ETフィルムを上側にしてラミネートした。次(二PE
Tフィルム上から、フォトマスクを通して超高圧水銀灯
(露光強度♂mW/ad )を用いてグ分間露光した。
♂、り?加え、かくはん溶解した。この溶液を、ブレー
ドコーターを用いて、2♂μm厚のポリエチレンテレフ
タレート(PET)フィルム上にコーティングし、70
℃の循環オーブンを用いて90分間乾燥後、3♂μm厚
のドライフィルムを得た。このドライフィルムを、ホッ
トロールラミネーター(旭化成工業■製AL−70)を
用いて、ロール温度/ 10℃、ロール圧力、2 Ki
! 、送り速度0.7m7分の条件で、銅回路パターン
を形成したフレキシブルプリント基板(電解銅箔/♂μ
m/ポリイミドベースフィルム/2.!μm)上に、P
ETフィルムを上側にしてラミネートした。次(二PE
Tフィルム上から、フォトマスクを通して超高圧水銀灯
(露光強度♂mW/ad )を用いてグ分間露光した。
次にPETフィルムを剥離し、70℃のオープンで7θ
分間、加熱処理した。次に、この基板を、NMP/キシ
レン/水(tO:4tO:3容)の現像液で現像し、イ
ソプロピルアルコールでリンスしたところ、ピン間3本
(スペース幅/4t0μm)のパターンがシャープな解
像度をもって形成された。この基板を、窒素気流中23
0℃で7時間熱処理して、29μm厚のポリイミドパタ
ーンに変換した。熱処理後のフィルムの誘電率(ε)は
、3.2であった。次にこのカバーレイヤーを形成した
基板上の銅配線端子をソルダリングすべく、基板を脱脂
、フラックス処理した後1.2gθ℃の半田浴に3θ秒
間浸漬したところ、露出した銅配線端子に半田付けでき
、カバーレイヤーの層間剥離やブリスターは見られなか
った。又、この基板を!−ので20回折り曲げたが、カ
バーレイヤーの破断やクラック等は発生しなかった。
分間、加熱処理した。次に、この基板を、NMP/キシ
レン/水(tO:4tO:3容)の現像液で現像し、イ
ソプロピルアルコールでリンスしたところ、ピン間3本
(スペース幅/4t0μm)のパターンがシャープな解
像度をもって形成された。この基板を、窒素気流中23
0℃で7時間熱処理して、29μm厚のポリイミドパタ
ーンに変換した。熱処理後のフィルムの誘電率(ε)は
、3.2であった。次にこのカバーレイヤーを形成した
基板上の銅配線端子をソルダリングすべく、基板を脱脂
、フラックス処理した後1.2gθ℃の半田浴に3θ秒
間浸漬したところ、露出した銅配線端子に半田付けでき
、カバーレイヤーの層間剥離やブリスターは見られなか
った。又、この基板を!−ので20回折り曲げたが、カ
バーレイヤーの破断やクラック等は発生しなかった。
実施例コ
ポリマー溶液B /791に、開始剤I−2を3.6
f、I−4を/、j f 、モノマーM−2を39゜増
感剤S−,2を、2f、シランカップリング剤C−/を
/、j f溶解した。この溶液を、ガラス基板(4fイ
ンチ角、/w厚)上にスピンコードして、70℃の循環
オープンで7時間乾燥して、20μm厚(二種層した。
f、I−4を/、j f 、モノマーM−2を39゜増
感剤S−,2を、2f、シランカップリング剤C−/を
/、j f溶解した。この溶液を、ガラス基板(4fイ
ンチ角、/w厚)上にスピンコードして、70℃の循環
オープンで7時間乾燥して、20μm厚(二種層した。
この基板をフォトマスクを通して超高圧水銀灯により3
分間露光した。次に7θ℃で7θ分間加熱処理した後、
r−ブチロラクトン(r−BL)/キシレン(/:/容
)現像液で現像し、キシレンでリンスした。得られたパ
ターンを、窒素気流中300℃で、7時間加熱処理して
、13μm厚のポリイミドのパターンに変換した。
分間露光した。次に7θ℃で7θ分間加熱処理した後、
r−ブチロラクトン(r−BL)/キシレン(/:/容
)現像液で現像し、キシレンでリンスした。得られたパ
ターンを、窒素気流中300℃で、7時間加熱処理して
、13μm厚のポリイミドのパターンに変換した。
実施例3
ポリマー溶液CItxtに、開始剤I−3を3f%l−
sを/、2 f 、モノマーM−jをj2、増感剤S−
3を/f及び、シランカップリング剤C−,2を/、J
−f加えて溶解した。この溶液を、シリコンウェハー(
3インチ〆)上にスピンコードし!θ℃の循環オープン
で30分間乾燥して、16μm厚に積層した。次に、こ
のウェハーを、フォトマスクを通して超高圧水銀灯によ
り2分間露光した。次にNMP/イソプロピルアルコー
ル/キンレン/水(33:33:33:j容)の現像液
で現像し、イソプロピルアルコール/キシレン(/ニア
容)のリンス液で現像した。得られたパターンを、窒素
気流中で1.2!θ℃7時間加熱処理して72μm厚の
ポリイミドパターンに変換した。
sを/、2 f 、モノマーM−jをj2、増感剤S−
3を/f及び、シランカップリング剤C−,2を/、J
−f加えて溶解した。この溶液を、シリコンウェハー(
3インチ〆)上にスピンコードし!θ℃の循環オープン
で30分間乾燥して、16μm厚に積層した。次に、こ
のウェハーを、フォトマスクを通して超高圧水銀灯によ
り2分間露光した。次にNMP/イソプロピルアルコー
ル/キンレン/水(33:33:33:j容)の現像液
で現像し、イソプロピルアルコール/キシレン(/ニア
容)のリンス液で現像した。得られたパターンを、窒素
気流中で1.2!θ℃7時間加熱処理して72μm厚の
ポリイミドパターンに変換した。
実施例ダ
ポリマーDをrot、開始剤ニーダを4tf、 I−6
を/J f 、モノマーM−グを11.増感剤S−gを
/を及びシランカップリング剤C−3、λtを、NMP
、4t/r及びシクロペンタノン4t/2の混合溶媒に
溶解した。この溶液を、ブレードコーターを用いて、P
ETフィルム上にコーティングし、70℃で、30分間
乾燥して、30μm厚に積層した。このフィルム積層体
を銅配線パターンを形成したフレキシブルプリント基板
(圧延銅箔3jμm/ポリイミドベースフィルム2!μ
m)上にホットロー光ラミネーター(AL−70’)を
用いてラミネートした(ロール温度、720℃、ロール
圧力3(包、送り速度0.6m7分)。次にPETフィ
ルム上からフォトマスクを通して超高圧水銀灯により!
分間露光した。その後、P13Tフィルムを剥離し、9
0℃のオーブンで3分間加熱処理した。この基板をNM
P/キシレン/水(4tj:jjニア容)現像液で現像
したところ、720μm8のパイヤホールがシャープな
解像度をもって形成された。この基板を窒素気流中、2
00℃で一時間熱処理して3fμm厚のポリイミドパタ
ーンに変換した。熱処理後のフィルムの誘電率(ε)は
、3.4tであった。次に実施例/と同様に、ソルダリ
ングを行なったがカバーレイヤーの層間剥離やブリスタ
ーは見られなかった。又、この基板を10mBで20回
折り曲げたがカバーレイヤーの破断やクラック等は発生
しなかった。
を/J f 、モノマーM−グを11.増感剤S−gを
/を及びシランカップリング剤C−3、λtを、NMP
、4t/r及びシクロペンタノン4t/2の混合溶媒に
溶解した。この溶液を、ブレードコーターを用いて、P
ETフィルム上にコーティングし、70℃で、30分間
乾燥して、30μm厚に積層した。このフィルム積層体
を銅配線パターンを形成したフレキシブルプリント基板
(圧延銅箔3jμm/ポリイミドベースフィルム2!μ
m)上にホットロー光ラミネーター(AL−70’)を
用いてラミネートした(ロール温度、720℃、ロール
圧力3(包、送り速度0.6m7分)。次にPETフィ
ルム上からフォトマスクを通して超高圧水銀灯により!
分間露光した。その後、P13Tフィルムを剥離し、9
0℃のオーブンで3分間加熱処理した。この基板をNM
P/キシレン/水(4tj:jjニア容)現像液で現像
したところ、720μm8のパイヤホールがシャープな
解像度をもって形成された。この基板を窒素気流中、2
00℃で一時間熱処理して3fμm厚のポリイミドパタ
ーンに変換した。熱処理後のフィルムの誘電率(ε)は
、3.4tであった。次に実施例/と同様に、ソルダリ
ングを行なったがカバーレイヤーの層間剥離やブリスタ
ーは見られなかった。又、この基板を10mBで20回
折り曲げたがカバーレイヤーの破断やクラック等は発生
しなかった。
特許出願人 旭化成工業株式会社
代理人弁理士 野 崎 釧 也
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ィ)一般式(1)で示される繰り返し単位を有し、熱処
理に際し、熱重量減少開始温度が、300℃以上の重合
体に変換しうる重合体、及び ロ)光重合開始剤を必須成分とする組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼(1) 〔但し、式中Xは、4価の炭素環式基又は複素環式基、
Yは2価の炭素環式基又は複素環式基、ZはXY間の結
合を示し、Zのうち90〜10mol%はZ_1であり
、その他のZのうち90〜40mol%がZ_2であり
、10〜60mol%がZ_3である。又、▲数式、化
学式、表等があります▼ (Z_1) (Z_2) ▲数式、化学式、表等があります▼ (Z_3) Rは、反応性炭素炭素二重結合を有する基を示す。〕
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15665287A JPS642037A (en) | 1987-06-25 | 1987-06-25 | Photosensitive composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15665287A JPS642037A (en) | 1987-06-25 | 1987-06-25 | Photosensitive composition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH012037A true JPH012037A (ja) | 1989-01-06 |
| JPS642037A JPS642037A (en) | 1989-01-06 |
Family
ID=15632336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15665287A Pending JPS642037A (en) | 1987-06-25 | 1987-06-25 | Photosensitive composition |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS642037A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100529577B1 (ko) | 2001-11-22 | 2005-11-17 | 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 | 감광성 수지조성물, 드라이필름 및 그것을 이용한 가공부품 |
| JP2008015060A (ja) * | 2006-07-04 | 2008-01-24 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 感光性ポリアミド酸エステル組成物 |
| JP7533102B2 (ja) * | 2020-10-09 | 2024-08-14 | artience株式会社 | 電子材料 |
-
1987
- 1987-06-25 JP JP15665287A patent/JPS642037A/ja active Pending
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