JPH01203956A - 発熱触媒反応によるガス検出用センサ装置 - Google Patents
発熱触媒反応によるガス検出用センサ装置Info
- Publication number
- JPH01203956A JPH01203956A JP31605188A JP31605188A JPH01203956A JP H01203956 A JPH01203956 A JP H01203956A JP 31605188 A JP31605188 A JP 31605188A JP 31605188 A JP31605188 A JP 31605188A JP H01203956 A JPH01203956 A JP H01203956A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- catalyst
- semiconductor device
- catalyst layer
- sensor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/14—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature
- G01N27/16—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature caused by burning or catalytic oxidation of surrounding material to be tested, e.g. of gas
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、触媒層を備え熱絶縁して基板に収められた
半導体デバイスを含み、発熱触媒反応によりガスを検出
するセンサ装置に関するものである。
半導体デバイスを含み、発熱触媒反応によりガスを検出
するセンサ装置に関するものである。
〔従来の技術］
触媒表面でガスと例えば周囲空気中の酸素との発熱触媒
反応により発生した熱を記録することによりガスを検出
することは公知であり、またこの種のガス検出法に使用
されるセンサもいくつか公知である（例えばドイツ連邦
共和国特許出願公開第３５１９３９７号公報、英国の会
社イングリッシュ・エレクトリック・パルプ・カンパニ
ー（Ｕｎｇｕｓｈ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｖａｌｖｅ Ｃ
ｏ、）のデーターシート、ジエントリー（Ｓ、 Ｊ、
Ｇｅｎｔｒｙ）およびジョーンズ（Ａ、 Ｊｏｎｅｓ）
著「ジャーナル・オプ・アプライド・ケミカル・バイオ
テクノロジー（Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｃｈｅｓ＋。
反応により発生した熱を記録することによりガスを検出
することは公知であり、またこの種のガス検出法に使用
されるセンサもいくつか公知である（例えばドイツ連邦
共和国特許出願公開第３５１９３９７号公報、英国の会
社イングリッシュ・エレクトリック・パルプ・カンパニ
ー（Ｕｎｇｕｓｈ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｖａｌｖｅ Ｃ
ｏ、）のデーターシート、ジエントリー（Ｓ、 Ｊ、
Ｇｅｎｔｒｙ）およびジョーンズ（Ａ、 Ｊｏｎｅｓ）
著「ジャーナル・オプ・アプライド・ケミカル・バイオ
テクノロジー（Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｃｈｅｓ＋。
Ｂｉｏｔｅｃｈｎｏｌ、）」１９７８．２８．７２７、
ジエントリー（Ｓ、 Ｊ、 Ｇｅｎｔｒｙ）およびジョ
ーンズ（Ｔ、 Ａ。
ジエントリー（Ｓ、 Ｊ、 Ｇｅｎｔｒｙ）およびジョ
ーンズ（Ｔ、 Ａ。
Ｊｏｎｅｓ）著［センサース・アンド・アクチュエータ
ース（Ｓｅｎｓｏｒｓ ａｎｄ Ａｃｔｕａｔｏｒｓ）
Ｊ ４ （１９８３）、５８１、ジエントリー（Ｓ、
Ｊ、Ｇｅｎｔｒｙ）およびワルシュ（Ｐ、 Ｔ、 Ｗ
ａｌｓｈ）著「センサース・アンド・アクチュエーター
ス（Ｓｅｎｓｏｒｓ ａｎｄ Ａｃｔｕａｔｏｒｓ）
Ｊ５ （１９８４）、２２９その他参照）、これらのセ
ンサは総て同じ原理に基づいて構成されたもので、温度
測定に適した素子を含む、この素子の表面には触媒層が
あり、被検出ガスがその表面で触媒的に燃焼又は反応す
る。その際発生する熱がセンサ素子を加熱し、その温度
変化が信号変化を引き起こす。
ース（Ｓｅｎｓｏｒｓ ａｎｄ Ａｃｔｕａｔｏｒｓ）
Ｊ ４ （１９８３）、５８１、ジエントリー（Ｓ、
Ｊ、Ｇｅｎｔｒｙ）およびワルシュ（Ｐ、 Ｔ、 Ｗ
ａｌｓｈ）著「センサース・アンド・アクチュエーター
ス（Ｓｅｎｓｏｒｓ ａｎｄ Ａｃｔｕａｔｏｒｓ）
Ｊ５ （１９８４）、２２９その他参照）、これらのセ
ンサは総て同じ原理に基づいて構成されたもので、温度
測定に適した素子を含む、この素子の表面には触媒層が
あり、被検出ガスがその表面で触媒的に燃焼又は反応す
る。その際発生する熱がセンサ素子を加熱し、その温度
変化が信号変化を引き起こす。
これに適した触媒も多数公知である（例えばドイツ連邦
共和国特許出願公開第３５１９３９７号公報参照）、白
金触媒は水素の燃焼に適し、白金又は白金・ロジウム触
媒は２００ないし２５０℃の温度で酸素供給のもとにＮ
Ｈ，からＮｏを作るのに適している。ＮＯは１００℃に
おいてＡＩ。
共和国特許出願公開第３５１９３９７号公報参照）、白
金触媒は水素の燃焼に適し、白金又は白金・ロジウム触
媒は２００ないし２５０℃の温度で酸素供給のもとにＮ
Ｈ，からＮｏを作るのに適している。ＮＯは１００℃に
おいてＡＩ。
０、−３ｉＯ□ −Ｇｅｌの触媒に接して燃焼しＮＯ□
になる。ＣＯは１５０℃以下の温度でパラジウム触媒に
接してＣ０８に酸化される。触媒反応過程は触媒の基本
温度と触媒の種類に関係するが、一般に触媒反応は一定
の最低温度から始まる。
になる。ＣＯは１５０℃以下の温度でパラジウム触媒に
接してＣ０８に酸化される。触媒反応過程は触媒の基本
温度と触媒の種類に関係するが、一般に触媒反応は一定
の最低温度から始まる。
半導体の強い温度依存性に基づき半導体をセンサとして
使用することが推賞される。触媒層を備えるダイオード
を二酸化シリコン又は窒化シリコンの薄い熱絶縁層を介
して基板に吊り下げ形にとりつけた構成はドイツ連邦共
和国特許出願公開第３５１９３９７号公報により公知で
ある。この触媒層はダイオードの区域を覆い絶縁層の上
に突き出している。触媒層は絶縁層に接触している部分
の外側で基板表面に接触する。ダイオードは周囲に対し
て充分に絶縁されて検出に必要な熱が周囲に放出されな
いようにしなければならないから、触媒層はできるだけ
薄くする必要がある。極めて薄い触媒層の場合その寿命
は半導体への拡散、境界層との合金化、触媒の僅かな消
耗又は表面酸化によって低下する。この構成の別の欠点
は、水素を含むガスを測定するとき半導体へのＨ°拡散
によりセンサ信号がネガティブの影響を受ける外に触媒
層が光過程処理の不可能な背面に置かれるためその構造
化が不可能であることである。
使用することが推賞される。触媒層を備えるダイオード
を二酸化シリコン又は窒化シリコンの薄い熱絶縁層を介
して基板に吊り下げ形にとりつけた構成はドイツ連邦共
和国特許出願公開第３５１９３９７号公報により公知で
ある。この触媒層はダイオードの区域を覆い絶縁層の上
に突き出している。触媒層は絶縁層に接触している部分
の外側で基板表面に接触する。ダイオードは周囲に対し
て充分に絶縁されて検出に必要な熱が周囲に放出されな
いようにしなければならないから、触媒層はできるだけ
薄くする必要がある。極めて薄い触媒層の場合その寿命
は半導体への拡散、境界層との合金化、触媒の僅かな消
耗又は表面酸化によって低下する。この構成の別の欠点
は、水素を含むガスを測定するとき半導体へのＨ°拡散
によりセンサ信号がネガティブの影響を受ける外に触媒
層が光過程処理の不可能な背面に置かれるためその構造
化が不可能であることである。
この発明の目的は、水素を含むガスの測定に際して半導
体へのＨ０拡散が避けられ、又触媒層の寿命が従来のセ
ンサよりも長くなるセンサ装置を提供することである。
体へのＨ０拡散が避けられ、又触媒層の寿命が従来のセ
ンサよりも長くなるセンサ装置を提供することである。
（課題を解決するたの手段）
この目的はこの発明により、触媒層を備え基板に熱絶縁
されて収められた半導体デバイスを含み発熱触媒反応に
よりガスを検出するセンサ装置に対して、半導体デバイ
スの表面に不活性化層を設け、この不活性化層の上に触
媒層を設けることによって達成される。
されて収められた半導体デバイスを含み発熱触媒反応に
よりガスを検出するセンサ装置に対して、半導体デバイ
スの表面に不活性化層を設け、この不活性化層の上に触
媒層を設けることによって達成される。
不活性化層は半導体へのＨｏの拡散を阻止する。
触媒層はセンサ構造の表面に設けられているから、例え
ば光過程によって構造化される。触媒層は例えばストラ
イプ形にして層厚を大きくしても断面積は大きくならな
いようにすることができる。
ば光過程によって構造化される。触媒層は例えばストラ
イプ形にして層厚を大きくしても断面積は大きくならな
いようにすることができる。
これによって触媒層をできるだけ薄くする必要は無くな
る。触媒層は所望の長寿命を通して機能を持続するよう
に厚くすることができる。
る。触媒層は所望の長寿命を通して機能を持続するよう
に厚くすることができる。
特許請求の範囲の請求項２によるセンサ装置はブレーナ
構成の総ての利点を保有する。特にゼオライト層を第２
の選択装置として触媒層の上に析出させることができる
。ゼオライト層はプレーナ構造の上だけに均等な厚さに
形成可能なものである。
構成の総ての利点を保有する。特にゼオライト層を第２
の選択装置として触媒層の上に析出させることができる
。ゼオライト層はプレーナ構造の上だけに均等な厚さに
形成可能なものである。
特許請求の範囲の請求項３によるセンサ装置は、金属層
が接触ならびに導体路として使用されることから触媒層
に対して非電動性材料も使用可能であるという利点を示
す。
が接触ならびに導体路として使用されることから触媒層
に対して非電動性材料も使用可能であるという利点を示
す。
図面に示した実施例についてこの発明を更に詳細に説明
する。
する。
第１図のプレーナ形センサ装置は温度に感応する半導体
デバイス１を含む、この半導体デバイスは例えばダイオ
ード、薄膜抵抗又はトランジスタである。半導体デバイ
ス１は不活性化層２により基板３の空洞３１内に吊り下
げられた形になっている。不活性化層２は例えばＳｉｎ
、又はｓｉ。
デバイス１を含む、この半導体デバイスは例えばダイオ
ード、薄膜抵抗又はトランジスタである。半導体デバイ
ス１は不活性化層２により基板３の空洞３１内に吊り下
げられた形になっている。不活性化層２は例えばＳｉｎ
、又はｓｉ。
Ｎ４から成り、熱ならびに電気絶縁性であり機械的に安
定である。不活性化層２は半導体デバイス１の基板３へ
のとりつけを確実にすると同時に基板から熱絶縁するも
のである。不活性化層２の厚さは約０．５μ鍋であって
基板３と半導体デバイスｌを覆っている。半導体デバイ
ス１の上では不活性化層２に孔７がある。不活性化層２
の上には触媒Ｔｒｉ４が続き、孔７内で半導体デバイス
ｌに接触する。触媒層４は例えばパラジウム又は白金で
あって厚さは約ｌＯＯないし１５０ｎｍである０層４の
触媒は導電性のものとする。これにより触媒層４は同時
に半導体デバイス１に対する接触ならびに導体路として
使用することができる。又触媒層４はセンサ構造の上面
に置かれるから光過程により任意の構造化が可能である
。従って触媒層４の厚さには何等の制限もない、触媒層
４は孔７の区域だけで半導体デバイス１、従って半導体
材料と接触するので触媒から半導体へのＨｏの拡散は実
質上不可能である。半導体デバイスｌの背面には接触層
５が設けられる。この接触層は半導体デバイスｌの背面
接触となる。接触層５は導電性であることが必要で例え
ばチタンが使用される。同時に半導体デバイス１と基板
３を結合するものであるから接触層５はできるだけ低い
熱伝導率を示さなければならない、チタンはこれらの条
件を良く満たしている。センサの動作中被検出ガスは矢
印８で示す方向で半導体デバイス１に作用する。
定である。不活性化層２は半導体デバイス１の基板３へ
のとりつけを確実にすると同時に基板から熱絶縁するも
のである。不活性化層２の厚さは約０．５μ鍋であって
基板３と半導体デバイスｌを覆っている。半導体デバイ
ス１の上では不活性化層２に孔７がある。不活性化層２
の上には触媒Ｔｒｉ４が続き、孔７内で半導体デバイス
ｌに接触する。触媒層４は例えばパラジウム又は白金で
あって厚さは約ｌＯＯないし１５０ｎｍである０層４の
触媒は導電性のものとする。これにより触媒層４は同時
に半導体デバイス１に対する接触ならびに導体路として
使用することができる。又触媒層４はセンサ構造の上面
に置かれるから光過程により任意の構造化が可能である
。従って触媒層４の厚さには何等の制限もない、触媒層
４は孔７の区域だけで半導体デバイス１、従って半導体
材料と接触するので触媒から半導体へのＨｏの拡散は実
質上不可能である。半導体デバイスｌの背面には接触層
５が設けられる。この接触層は半導体デバイスｌの背面
接触となる。接触層５は導電性であることが必要で例え
ばチタンが使用される。同時に半導体デバイス１と基板
３を結合するものであるから接触層５はできるだけ低い
熱伝導率を示さなければならない、チタンはこれらの条
件を良く満たしている。センサの動作中被検出ガスは矢
印８で示す方向で半導体デバイス１に作用する。
触媒層において被検出ガスは例えば周囲空気中の酸素と
触媒反応を起こし熱を放出する。この熱は半導体デバイ
ス１を加熱し、半導体デバイスの温度変化が記録される
。基板３に熱が流れ出して測定の精度が低下しないよう
にするため、半導体デバイス１は基板３からできるだけ
良好に熱絶縁する。
触媒反応を起こし熱を放出する。この熱は半導体デバイ
ス１を加熱し、半導体デバイスの温度変化が記録される
。基板３に熱が流れ出して測定の精度が低下しないよう
にするため、半導体デバイス１は基板３からできるだけ
良好に熱絶縁する。
第２図にこの発明の別の実施例を示す、このセンサ装置
は第１図のセンサ装置と同じ構成であって、不活性化層
２から基板３の空洞３１内に吊り下げられた形の半導体
デバイス１を含む、不活性化層２は半導体デバイスｌを
基板３がら熱絶縁する。半導体デバイス１と基板３の背
面には例えばチタンの接触層５が設けられる。不活性化
層２は孔７を残して基板３と半導体デバイスｌを覆う。
は第１図のセンサ装置と同じ構成であって、不活性化層
２から基板３の空洞３１内に吊り下げられた形の半導体
デバイス１を含む、不活性化層２は半導体デバイスｌを
基板３がら熱絶縁する。半導体デバイス１と基板３の背
面には例えばチタンの接触層５が設けられる。不活性化
層２は孔７を残して基板３と半導体デバイスｌを覆う。
不活性化層２の上には金属層６が続く、この金属層は例
えばアルミニウムである。孔７の区域では金属層６が直
接半導体デバイスｌに接している。
えばアルミニウムである。孔７の区域では金属層６が直
接半導体デバイスｌに接している。
金属層６の上には触媒層４が続く、この場合金属層６が
接触ならびに導体路として使用されるから触媒層４は被
導電性であってもよい、これによって触媒として使用さ
れる物質の種類が非導電性触媒の領域まで拡げられる。
接触ならびに導体路として使用されるから触媒層４は被
導電性であってもよい、これによって触媒として使用さ
れる物質の種類が非導電性触媒の領域まで拡げられる。
第２図のセンサ装置の作用は第１図のものと同様である
。
。
第１図と第２図はこの発明の互いに異なる実施例を示す
。 １・・・温度感応半導体デバイス ２・・・不活性化層 ３・・・基板 ３１・・・基板の空洞 ４・・・触媒層 ５・・・接触層 ６・・・金属層
。 １・・・温度感応半導体デバイス ２・・・不活性化層 ３・・・基板 ３１・・・基板の空洞 ４・・・触媒層 ５・・・接触層 ６・・・金属層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）触媒層を備え熱絶縁されて基板内に収められた半導
体デバイスを含み、発熱触媒反応によりガスを検出する
センサ装置において、半導体デバイス（１）の表面に不
活性化層（２）が設けられていること、不活性化層（２
）上に触媒層（４）が設けられていることを特徴とする
ガス検出用センサ装置。 ２）不活性化層（２）に孔（７）があり、半導体デバイ
ス（１）への接触がこの孔を通して行われること、半導
体デバイスの背面接触用として触媒層（４）に対して電
気絶縁された接触層（５）が設けられていることを特徴
とする請求項１記載のセンサ装置。 ３）プレーナ構成であることを特徴とする請求項１又は
２記載のセンサ装置。 ４）触媒層（４）が導電性の触媒であること、触媒層（
４）が半導体デバイス（１）に接触していること、触媒
層（４）が半導体デバイス（１）の接触用として設けら
れていることを特徴とする請求項１ないし３の１つに記
載のセンサ装置。 ５）触媒層（４）の下に金属層（６）が導体路として設
けられ、それにより触媒層（４）として非導電性の触媒
が使用可能であることを特徴とする請求項１ないし３の
１つに記載のセンサ装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19873743399 DE3743399A1 (de) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | Sensor zum nachweis von gasen durch exotherme katalytische reaktionen |
| DE3743399.7 | 1987-12-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01203956A true JPH01203956A (ja) | 1989-08-16 |
Family
ID=6343187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31605188A Pending JPH01203956A (ja) | 1987-12-21 | 1988-12-14 | 発熱触媒反応によるガス検出用センサ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01203956A (ja) |
| DE (1) | DE3743399A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104593643A (zh) * | 2015-01-28 | 2015-05-06 | 厦门鑫雄辉金属制品有限公司 | 一种可压铸铝合金材料配方及生产工艺 |
| JP2019128241A (ja) * | 2018-01-24 | 2019-08-01 | Tdk株式会社 | ガスセンサ素子 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3610363A1 (de) * | 1986-03-27 | 1987-10-01 | Kernforschungsz Karlsruhe | Verfahren zum kontinuierlichen ueberwachen von konzentrationen von gasfoermigen bestandteilen in gasgemischen, ausgenommen o(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts) |
| GB8806695D0 (en) * | 1988-03-21 | 1988-04-20 | Sieger Ltd | Catalytic gas detector |
| DE4007375C2 (de) * | 1989-04-18 | 1998-05-07 | Siemens Ag | Sensoranordnung mit einem Gassensor und einem Katalysator zum Nachweis von gasförmigen Verbindungen |
| DE3932880A1 (de) * | 1989-10-02 | 1991-04-11 | Fraunhofer Ges Forschung | Katalytischer gassensor und verfahren zum herstellen desselben |
| DE4001048A1 (de) * | 1990-01-16 | 1991-07-18 | Draegerwerk Ag | Sensor fuer die gasmessung mit einem katalysatorfuehlerelement |
| DE4008150A1 (de) * | 1990-03-14 | 1991-09-19 | Fraunhofer Ges Forschung | Katalytischer gassensor |
| DE4402117C2 (de) * | 1994-01-25 | 1995-11-23 | Siemens Matsushita Components | Hochtemperatur-Gassensor und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US6649823B2 (en) | 1999-05-04 | 2003-11-18 | Neokismet, L.L.C. | Gas specie electron-jump chemical energy converter |
| US6114620A (en) | 1999-05-04 | 2000-09-05 | Neokismet, L.L.C. | Pre-equilibrium chemical reaction energy converter |
| US7371962B2 (en) | 1999-05-04 | 2008-05-13 | Neokismet, Llc | Diode energy converter for chemical kinetic electron energy transfer |
| US7223914B2 (en) | 1999-05-04 | 2007-05-29 | Neokismet Llc | Pulsed electron jump generator |
| JP2003512153A (ja) * | 1999-10-20 | 2003-04-02 | ネオキスメット エルエルシー | 固体表面触媒反応装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3564474A (en) * | 1968-06-04 | 1971-02-16 | Nat Res Dev | Electrically heatable elements |
| GB1536305A (en) * | 1976-08-31 | 1978-12-20 | Rosemount Eng Co Ltd | Catalytic gas detector |
| JPS60253958A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-14 | Sharp Corp | センサ |
-
1987
- 1987-12-21 DE DE19873743399 patent/DE3743399A1/de not_active Withdrawn
-
1988
- 1988-12-14 JP JP31605188A patent/JPH01203956A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104593643A (zh) * | 2015-01-28 | 2015-05-06 | 厦门鑫雄辉金属制品有限公司 | 一种可压铸铝合金材料配方及生产工艺 |
| JP2019128241A (ja) * | 2018-01-24 | 2019-08-01 | Tdk株式会社 | ガスセンサ素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3743399A1 (de) | 1989-07-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6235243B1 (en) | Gas sensor array for detecting individual gas constituents in a gas mixture | |
| US4703555A (en) | Method of making a catalytic-burning sensor | |
| JPS6323500B2 (ja) | ||
| CN101504384A (zh) | 气体传感器芯片以及具有该芯片的气体传感器 | |
| KR101504951B1 (ko) | 가스 센서용 열절연 세라믹 기판 | |
| GB1396851A (en) | Oxygen sensor with protective shield | |
| JPH0843340A (ja) | 高感度シリコンに基づくマイクロカロリメータの及びその製造方法 | |
| JP2004530861A (ja) | 触媒センサ | |
| EP0859951A1 (en) | Selective gas sensor | |
| JPH07500916A (ja) | 選択的ガス検出装置 | |
| JP6243040B2 (ja) | 被酸化性ガスを検出するセンサ | |
| JPS58103654A (ja) | 多機能ガスセンサ | |
| JPH10502428A (ja) | 自動車の触媒性能モニタ・システム | |
| JPH01203957A (ja) | 温度感応性半導体デバイスを備えるセンサ装置に対する吊り構造 | |
| JP3553613B2 (ja) | ガスセンサのハイブリッド集積回路 | |
| WO1998015818A9 (fr) | Circuit integre hybride pour capteur de gaz | |
| KR102759174B1 (ko) | 가스 센서 | |
| JPH1151893A (ja) | 接触燃焼式ガスセンサ | |
| JPS63172948A (ja) | ガスセンサ | |
| JPS6137577B2 (ja) | ||
| US5955665A (en) | Process for monitoring the operativeness of a catalytic converter | |
| JPH01203955A (ja) | 発熱触媒反応によるガス検出用センサ装置 | |
| JP2006071362A (ja) | 可燃性ガスセンサ | |
| JP3809897B2 (ja) | 可燃性ガス濃度測定装置 | |
| JPH02190758A (ja) | 電気化学的素子 |