JPH01204347A - イオン化物質導入装置 - Google Patents
イオン化物質導入装置Info
- Publication number
- JPH01204347A JPH01204347A JP63029454A JP2945488A JPH01204347A JP H01204347 A JPH01204347 A JP H01204347A JP 63029454 A JP63029454 A JP 63029454A JP 2945488 A JP2945488 A JP 2945488A JP H01204347 A JPH01204347 A JP H01204347A
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- ionized
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- ion
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- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims description 13
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 37
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 39
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はイオン源、特にビームプラズマ型イオン源にイ
オン化させる物質(以下、イオン化物質という)を導入
するイオン化物質導入装置に関する。
オン化させる物質(以下、イオン化物質という)を導入
するイオン化物質導入装置に関する。
従来、気体をイオン化物質とするビームプラズマ型イオ
ン源は、電子ビームと前記気体との相互作用によりプラ
ズマを発生させイオンを生成するため、電子ビームが入
射するターゲットチェンバーをプラズマ生成室、すなわ
ちイオン生成室とし、イオン生成室内をプラズマで満た
すべくイオン化するための気体(以下イオン化気体とい
う)をイオン生成室内に一様に導入しており、導入方法
や導入機構について特別な考慮は払われていなかった。
ン源は、電子ビームと前記気体との相互作用によりプラ
ズマを発生させイオンを生成するため、電子ビームが入
射するターゲットチェンバーをプラズマ生成室、すなわ
ちイオン生成室とし、イオン生成室内をプラズマで満た
すべくイオン化するための気体(以下イオン化気体とい
う)をイオン生成室内に一様に導入しており、導入方法
や導入機構について特別な考慮は払われていなかった。
従来の装置は、第3図に示すように、電子銃室13に配
置されたカソード11より放出された電子ビーム5が、
引出型4r!9やアノード8により加速され、細管17
中において電磁レンズ14により収束作用を受け、絞ら
れたビームとしてオリフイス15aを通過し、イオン生
成室1内で発散しつつ一様に導入されたイオン化気体と
相互作用をしてプラズマを形成し、ターゲット4に照射
されていたく[公開特許公報(A)昭62−64034
」参照)。
置されたカソード11より放出された電子ビーム5が、
引出型4r!9やアノード8により加速され、細管17
中において電磁レンズ14により収束作用を受け、絞ら
れたビームとしてオリフイス15aを通過し、イオン生
成室1内で発散しつつ一様に導入されたイオン化気体と
相互作用をしてプラズマを形成し、ターゲット4に照射
されていたく[公開特許公報(A)昭62−64034
」参照)。
電子ビーム照射によるイオン化気体のイオン化効率を良
くする一つの手段として、イオン化気体と電子ビームの
相互作用を高めることが有効であるが、そのためにはイ
オン化気体の導入量を増さなければならない。従来の方
法では、イオン生成室内にイオン化気体を一様に導入し
ているので、比較的大きなイオンビーム電流を取り出す
には多量のイオン化気体を導入する必要、即ちイオン生
成室内圧力を低真空にする必要があった。一方、ビーム
プラズマ型イオン源においてカソードに直熱形フィラメ
ントを用いる場合のフィラメントの寿命や、ウェネルト
電極、引出し電極等の電子光学系の耐電圧を考慮すれば
電子銃近辺の真空度はよいことが望ましい。
くする一つの手段として、イオン化気体と電子ビームの
相互作用を高めることが有効であるが、そのためにはイ
オン化気体の導入量を増さなければならない。従来の方
法では、イオン生成室内にイオン化気体を一様に導入し
ているので、比較的大きなイオンビーム電流を取り出す
には多量のイオン化気体を導入する必要、即ちイオン生
成室内圧力を低真空にする必要があった。一方、ビーム
プラズマ型イオン源においてカソードに直熱形フィラメ
ントを用いる場合のフィラメントの寿命や、ウェネルト
電極、引出し電極等の電子光学系の耐電圧を考慮すれば
電子銃近辺の真空度はよいことが望ましい。
従って、イオン生成室には多量のイオン化気体を導入し
て低真空としながら、電子銃容器内を高真空に保つため
には、第3図に示すように、差動排気方式等を用いてイ
オンビーム装置の真空排気系を構成する必要がある。
て低真空としながら、電子銃容器内を高真空に保つため
には、第3図に示すように、差動排気方式等を用いてイ
オンビーム装置の真空排気系を構成する必要がある。
さらに、比較的大きなイオンビーム電流を得るためイオ
ン生成室内に多量のイオン化気体を導入するには、第4
図に示すように、さらに差動排気のためのオリフィス1
5b、排気口16cを含む排気装置、真空排気系の構成
要素を増やす必要があり、真空排気系の構成が大規模な
ものになるという欠点があった。
ン生成室内に多量のイオン化気体を導入するには、第4
図に示すように、さらに差動排気のためのオリフィス1
5b、排気口16cを含む排気装置、真空排気系の構成
要素を増やす必要があり、真空排気系の構成が大規模な
ものになるという欠点があった。
本発明の目的は、この様な問題を解決し、イオン生成室
に多量のイオン化気体を導入することなく夕景のイオン
化気体導入量で従来と同程度のイオンーム電流が得られ
、従って真空排気系の構成を簡素化したイオン化物質導
入装置を提供することにある。
に多量のイオン化気体を導入することなく夕景のイオン
化気体導入量で従来と同程度のイオンーム電流が得られ
、従って真空排気系の構成を簡素化したイオン化物質導
入装置を提供することにある。
本発明の構成は、原子または分子の気体を電子ビームに
より励起して一部弱電離気体を発生させイオンビームを
引き出すビームプラズマ型イオン源における前記気体を
イオン生成室に導入するイオン化物質導入装置において
、イオン化気体導入部から前記イオン生成室内に延長し
て配置され、前記電子ビーム軌道外周をこの電子ビーム
の広がり角に合わせて囲んで円錐状に巻かれた螺旋構造
て、前記電子ビーム軌道と交差する方向にイオン化気体
が噴出される複数のノズルが設けられたパイプを備えた
ことを特徴とする。
より励起して一部弱電離気体を発生させイオンビームを
引き出すビームプラズマ型イオン源における前記気体を
イオン生成室に導入するイオン化物質導入装置において
、イオン化気体導入部から前記イオン生成室内に延長し
て配置され、前記電子ビーム軌道外周をこの電子ビーム
の広がり角に合わせて囲んで円錐状に巻かれた螺旋構造
て、前記電子ビーム軌道と交差する方向にイオン化気体
が噴出される複数のノズルが設けられたパイプを備えた
ことを特徴とする。
本発明のイオン化物質導入装置の構成によれば、電子ビ
ーム軌道外周をこの電子ビームの広がり角に合わせて囲
み円錐状の螺旋構造をなしたパイプの孔またはノズルよ
り、イオン生成室内圧力よりも高い圧力のイオン化気体
を電子ビームの中心に向は噴出することにより、孔才た
はノズルの近傍、すなわち螺旋形パイプの螺旋円錐内を
局所的にイオン生成室内圧力よりも高い圧力にすること
ができる。従って、電子ビームの通過する螺旋円錐内の
み、イオン生成室内全体を低真空にした場合と同程度の
イオンビーム電流を得るために必要な真空圧力を達成す
ることができ、イオン生成室全体としては高真空に保つ
ことができ、真空排気系の構成を大型化することなくイ
オンビーム装置全体を高真空に保つことができる。
ーム軌道外周をこの電子ビームの広がり角に合わせて囲
み円錐状の螺旋構造をなしたパイプの孔またはノズルよ
り、イオン生成室内圧力よりも高い圧力のイオン化気体
を電子ビームの中心に向は噴出することにより、孔才た
はノズルの近傍、すなわち螺旋形パイプの螺旋円錐内を
局所的にイオン生成室内圧力よりも高い圧力にすること
ができる。従って、電子ビームの通過する螺旋円錐内の
み、イオン生成室内全体を低真空にした場合と同程度の
イオンビーム電流を得るために必要な真空圧力を達成す
ることができ、イオン生成室全体としては高真空に保つ
ことができ、真空排気系の構成を大型化することなくイ
オンビーム装置全体を高真空に保つことができる。
第1図は本発明の一実施例の主要な構成を示す断面図、
第2図は第1図の螺旋パイプ2部分を拡大した斜視図で
ある。
第2図は第1図の螺旋パイプ2部分を拡大した斜視図で
ある。
電子銃室13に配置されたカソード11より放出された
電子ビーム5は、引出型!9やアノード8により加速さ
れ、細管17中において電磁レンズ14により収束作用
を受け、絞られたビームとしてオリフィス15aを通過
し、イオン生成室内で発散しつつ螺旋円錐形パイプ2の
近傍を通過し、ターゲット4に照射される。イオン生成
室1内に導入されたイオン化気体6と電子ビーム5の相
互作用によい形成された正電荷のイオンビーム12は電
子ビーム5とは逆の電荷を持つために電=6− 子ビーム5の進路を遡り出射される。
電子ビーム5は、引出型!9やアノード8により加速さ
れ、細管17中において電磁レンズ14により収束作用
を受け、絞られたビームとしてオリフィス15aを通過
し、イオン生成室内で発散しつつ螺旋円錐形パイプ2の
近傍を通過し、ターゲット4に照射される。イオン生成
室1内に導入されたイオン化気体6と電子ビーム5の相
互作用によい形成された正電荷のイオンビーム12は電
子ビーム5とは逆の電荷を持つために電=6− 子ビーム5の進路を遡り出射される。
イオン化気体6は、第2図にように、イオン化気体導入
装置7から二重円錐形のパイプ2の孔3を通してイオン
生成室1内に噴出し、孔3がら互いの電子ビームに向は
噴出すると同時にイオン生成室1内で流れとともに膨張
しやがて−様な圧力になる。イオン化気体導入装置とし
ては、約50Torr〜10kg/cm2程度のレギュ
レータと流量調節弁とから構成されるから、lXl0−
4〜ITorr程度に保たれるイオン生成室内圧力と比
較してイオン化気体導入装置内は高い圧力に保たれてい
るため、孔3の近傍のみ局所的にイオン生成室内よりも
高い圧力になる。したがって、イオン化気体を電子ビー
ム中心に向は噴出させることにより電子ビームが通過す
るパイプ2の近傍のみ局所的に低真空に保つことができ
、さらにパイプ2の内径の寸法を電子ビームに近づけれ
ばその効果は高まる。
装置7から二重円錐形のパイプ2の孔3を通してイオン
生成室1内に噴出し、孔3がら互いの電子ビームに向は
噴出すると同時にイオン生成室1内で流れとともに膨張
しやがて−様な圧力になる。イオン化気体導入装置とし
ては、約50Torr〜10kg/cm2程度のレギュ
レータと流量調節弁とから構成されるから、lXl0−
4〜ITorr程度に保たれるイオン生成室内圧力と比
較してイオン化気体導入装置内は高い圧力に保たれてい
るため、孔3の近傍のみ局所的にイオン生成室内よりも
高い圧力になる。したがって、イオン化気体を電子ビー
ム中心に向は噴出させることにより電子ビームが通過す
るパイプ2の近傍のみ局所的に低真空に保つことができ
、さらにパイプ2の内径の寸法を電子ビームに近づけれ
ばその効果は高まる。
ところで、イオン生成室内圧力とイオンビーム電流のあ
いだには、イオン生成室内圧力が高くなるに従いイオン
電流は増大するという関係があることが知られている。
いだには、イオン生成室内圧力が高くなるに従いイオン
電流は増大するという関係があることが知られている。
イオンは電子ビームとイオン化気体との相互作用により
生成されるため、電子ビームの通過する領域のみ圧力を
高めれば、イオン生成室1内全体を低真空にした場合と
同様な効果を得ることができ、従って、このイオン化物
質導入装置を用いることにより、従来よりもイオン生成
室内圧力を低い圧力に保ったまま従来と同程度のイオン
ビーム電流を得ることが可能となる。
生成されるため、電子ビームの通過する領域のみ圧力を
高めれば、イオン生成室1内全体を低真空にした場合と
同様な効果を得ることができ、従って、このイオン化物
質導入装置を用いることにより、従来よりもイオン生成
室内圧力を低い圧力に保ったまま従来と同程度のイオン
ビーム電流を得ることが可能となる。
また、電子銃室13とイオン生成室1の差圧を保つため
設置されるオリフィス15aの開口寸法は排気装置の排
気容量とイオン化気体6の導入量により決定されるが、
本実施例のイオン化物質導入装置を用いることにより、
イオン生成室内圧力を従来よりも低く設定することがで
きるため、オリフィスの開口径を大きく、オリフィス長
さを短くすることができる。従って、イオン生成室1に
入射する電子ビーム電流を増大させることができ、電子
ビームとイオン化気体との相互作用が高められな結果、
イオンビーム電流を増大させることができる。
設置されるオリフィス15aの開口寸法は排気装置の排
気容量とイオン化気体6の導入量により決定されるが、
本実施例のイオン化物質導入装置を用いることにより、
イオン生成室内圧力を従来よりも低く設定することがで
きるため、オリフィスの開口径を大きく、オリフィス長
さを短くすることができる。従って、イオン生成室1に
入射する電子ビーム電流を増大させることができ、電子
ビームとイオン化気体との相互作用が高められな結果、
イオンビーム電流を増大させることができる。
以上述べたとおり本発明によれば、比較的簡単な機構で
、電子ビームとの相互作用によりイオン化されるイオン
化気体のイオン生成室への導入量を少なくすることがで
き、従来よりもイオン生成室内を高真空に保つことがで
きるため、イオンビーム装置の真空排気系を簡素化する
ことができる。また、差動排気のためのオリフェスの開
口径を大きく、オリフィス長さを短くすることができる
ため、電子ビーム電流を増大させることができ、従来と
比較すれば大容量のイオンビーム電流を得ることができ
る等、その実用的効果は大きい。
、電子ビームとの相互作用によりイオン化されるイオン
化気体のイオン生成室への導入量を少なくすることがで
き、従来よりもイオン生成室内を高真空に保つことがで
きるため、イオンビーム装置の真空排気系を簡素化する
ことができる。また、差動排気のためのオリフェスの開
口径を大きく、オリフィス長さを短くすることができる
ため、電子ビーム電流を増大させることができ、従来と
比較すれば大容量のイオンビーム電流を得ることができ
る等、その実用的効果は大きい。
第1図は本発明の一実施例の全体構成を示す断面図、第
2図は第1図のパイプ部分の部分断面斜視図、第3図、
第4図は従来装置の二つの例の全体構成を示す断面図で
ある。 1・・・イオン生成室、2・・・螺旋円錐形パイプ、3
・・・孔、4・・・ターゲット、5・・・電子ビーム、
6・・・イオン化気体、7・・・イオン化気体導入装置
、8・・アノード、9・・・引出電極、10・・・ウェ
ネルト電極、11・・・カソード、12・・・イオンビ
ーム、13・・・電子銃室、14・・・電磁レンズ、1
5a、15b・・・オリフィス、16a、16b、16
c・・・排気口、17・・・細管。
2図は第1図のパイプ部分の部分断面斜視図、第3図、
第4図は従来装置の二つの例の全体構成を示す断面図で
ある。 1・・・イオン生成室、2・・・螺旋円錐形パイプ、3
・・・孔、4・・・ターゲット、5・・・電子ビーム、
6・・・イオン化気体、7・・・イオン化気体導入装置
、8・・アノード、9・・・引出電極、10・・・ウェ
ネルト電極、11・・・カソード、12・・・イオンビ
ーム、13・・・電子銃室、14・・・電磁レンズ、1
5a、15b・・・オリフィス、16a、16b、16
c・・・排気口、17・・・細管。
Claims (1)
- 原子または分子の気体を電子ビームにより励起して一部
弱電離気体を発生させイオンビームを引き出すビームプ
ラズマ型イオン源における前記気体をイオン生成室に導
入するイオン化物質導入装置において、イオン化気体導
入部から前記イオン生成室内に延長して配置され、前記
電子ビーム軌道外周をこの電子ビームの広がり角に合わ
せて囲んで円錐状とに巻かれた螺旋構造で、前記電子ビ
ーム軌道と交差する方向にイオン化気体が噴出される複
数のノズルが設けられたパイプを備えたことを特徴とす
るイオン化物質導入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63029454A JPH01204347A (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | イオン化物質導入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63029454A JPH01204347A (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | イオン化物質導入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01204347A true JPH01204347A (ja) | 1989-08-16 |
Family
ID=12276555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63029454A Pending JPH01204347A (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | イオン化物質導入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01204347A (ja) |
-
1988
- 1988-02-09 JP JP63029454A patent/JPH01204347A/ja active Pending
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