JPH01204393A - 電界発光素子 - Google Patents
電界発光素子Info
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- JPH01204393A JPH01204393A JP63028046A JP2804688A JPH01204393A JP H01204393 A JPH01204393 A JP H01204393A JP 63028046 A JP63028046 A JP 63028046A JP 2804688 A JP2804688 A JP 2804688A JP H01204393 A JPH01204393 A JP H01204393A
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- electroluminescent
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- powder body
- cyanoalkyl
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces
- H05B33/20—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the material in which the electroluminescent material is embedded
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
- H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
- H01B3/46—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes silicones
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は電界発光素子、特には電界発光性粉粒体を誘電
体中に分散した組成物を発光層とする、輝度の高い、寿
命特性に優れた、しかも均一な発光を与える分散型電界
発光素子に関するものである。
体中に分散した組成物を発光層とする、輝度の高い、寿
命特性に優れた、しかも均一な発光を与える分散型電界
発光素子に関するものである。
（従来の技術）
電界発光素子は発光層の構成様式により分散型と薄膜型
とに分けられるが、このものは従来の発光素子とは異な
り、少ない消費電力にて平面発光を与えるという特色を
有し、近年各種光源及び表示パネルとして急速に注目を
集めて来ている。特に分散型の電界発光素子においては
、製造方法が容易であること、安価であること、任意の
形状の素子が製造可能なこと等の有利点を生かして液晶
表示のバックライト、案内灯及び常夜灯等としての応用
が開始されている状況である。
とに分けられるが、このものは従来の発光素子とは異な
り、少ない消費電力にて平面発光を与えるという特色を
有し、近年各種光源及び表示パネルとして急速に注目を
集めて来ている。特に分散型の電界発光素子においては
、製造方法が容易であること、安価であること、任意の
形状の素子が製造可能なこと等の有利点を生かして液晶
表示のバックライト、案内灯及び常夜灯等としての応用
が開始されている状況である。
従来、この様な分散型の電界発光素子はＣｄＳ。
ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ、Ｚｎ５ｉＯ，ＢＮ、ＳｉＣ等の電界
発光性粉粒体を誘電体物質溶液中に分散させたものを一
方の電極基板上に薄膜上に塗布し、これに他の電極基板
を加熱圧着等の手段で接着させてなるものが知られてお
り、誘電体物質としては誘電率の大きいもの程高輝度を
与えることが明らかとなっている。
発光性粉粒体を誘電体物質溶液中に分散させたものを一
方の電極基板上に薄膜上に塗布し、これに他の電極基板
を加熱圧着等の手段で接着させてなるものが知られてお
り、誘電体物質としては誘電率の大きいもの程高輝度を
与えることが明らかとなっている。
しかして、これらの誘電体物質としては一般にシアノエ
チルセルロース、シアノエチルスターチ、シアノエチル
プルラン等の多糖類のシアノエチル化物、シアノエチル
ヒドロキシエチルセルロース、シアノエチルグリセロー
ルプルラン等の多糖類誘導体のシアノエチル化物、シア
ノエチルポリビニルアルコール等のポリオール類のシア
ノエチル化物及びフッ化ビニリデン等のフッ素樹脂のよ
うな誘電率の高い高分子物質が使用されているが、上記
に示した物質は、種々の欠点を有しており、電界発光性
粉粒体の誘電体としては必ずしも完全に満足出来得るも
のではない。
チルセルロース、シアノエチルスターチ、シアノエチル
プルラン等の多糖類のシアノエチル化物、シアノエチル
ヒドロキシエチルセルロース、シアノエチルグリセロー
ルプルラン等の多糖類誘導体のシアノエチル化物、シア
ノエチルポリビニルアルコール等のポリオール類のシア
ノエチル化物及びフッ化ビニリデン等のフッ素樹脂のよ
うな誘電率の高い高分子物質が使用されているが、上記
に示した物質は、種々の欠点を有しており、電界発光性
粉粒体の誘電体としては必ずしも完全に満足出来得るも
のではない。
すなわち、多糖類及び多糖類誘導体のシアノエチル化物
及びシアノエチルポリビニルアルコールにおいては、共
通する欠点として吸湿性の大きいことがあり、電界発光
素子の誘電体として用いた場合、その大きい吸湿量の為
に発光性粉粒体を劣化させてしまい素子としての寿命を
短くする傾向があり、この現象を防ぐ為には素子の製造
工程において厳重なる湿度管理及び吸湿水分の除去の工
夫が考えられるが、生産性の点でマイナスであり又完全
なる効果を期待することも難しい。
及びシアノエチルポリビニルアルコールにおいては、共
通する欠点として吸湿性の大きいことがあり、電界発光
素子の誘電体として用いた場合、その大きい吸湿量の為
に発光性粉粒体を劣化させてしまい素子としての寿命を
短くする傾向があり、この現象を防ぐ為には素子の製造
工程において厳重なる湿度管理及び吸湿水分の除去の工
夫が考えられるが、生産性の点でマイナスであり又完全
なる効果を期待することも難しい。
また、シアノエチルセルロース、シアノエチルスターチ
は、電極基板との接着性の劣る為、これを使用した場合
には、電極と発光層との間に空隙が発生したり、使用中
に電極と発光層とが部分的にはく離することがあり、電
界発光素子の特性である均一な発光が損なわれてしまう
不利がある。
は、電極基板との接着性の劣る為、これを使用した場合
には、電極と発光層との間に空隙が発生したり、使用中
に電極と発光層とが部分的にはく離することがあり、電
界発光素子の特性である均一な発光が損なわれてしまう
不利がある。
接着性を可塑剤の添加により改良することも試みられて
はいるが、その場合には誘電率の低下による輝度の減少
や発光体の寿命が短くなる欠点が生しる。
はいるが、その場合には誘電率の低下による輝度の減少
や発光体の寿命が短くなる欠点が生しる。
なお、シアノエチルヒドロキシセルロース、シアノエチ
ルグリセロールプルラン及びシアノエチルポリビニルア
ルコールは、誘電率の温度による変化が大きくそれを用
いた素子の使用温度範囲が限定される場合がある。
ルグリセロールプルラン及びシアノエチルポリビニルア
ルコールは、誘電率の温度による変化が大きくそれを用
いた素子の使用温度範囲が限定される場合がある。
一方、フッ化ビニリデン等のフッ素樹脂は、吸湿性も小
さく、誘電率の温度変化も少ない利点を有するが、誘電
率が多糖類及び多糖誘導体のシアノエチル化物に比べて
約半分しかなく輝度が低下する欠点を持っている。
さく、誘電率の温度変化も少ない利点を有するが、誘電
率が多糖類及び多糖誘導体のシアノエチル化物に比べて
約半分しかなく輝度が低下する欠点を持っている。
（発明の構成）
本発明はこのような不利を解決した電界発光素子に関す
るものであり、これは電界発光性粉粒体を、平均組成式 （こ＼にＲ１、Ｒ２は同一または異種の炭素数３〜５の
シアノアルキル基、Ｒ３は水素原子または非＝４− 置換あるいは置換の１価炭化水素基、ａ、ｂ、ｃはａ
＝ Ｏ−１、８、ｂ＝０−１．８．ｃ＝ｏ−１，０、ａ
＋ ｂ ＝ ０ 、８〜１ 、８、ａ ＋ ｂ ＋
ｃ ＝ １ 、１−１ 。
るものであり、これは電界発光性粉粒体を、平均組成式 （こ＼にＲ１、Ｒ２は同一または異種の炭素数３〜５の
シアノアルキル基、Ｒ３は水素原子または非＝４− 置換あるいは置換の１価炭化水素基、ａ、ｂ、ｃはａ
＝ Ｏ−１、８、ｂ＝０−１．８．ｃ＝ｏ−１，０、ａ
＋ ｂ ＝ ０ 、８〜１ 、８、ａ ＋ ｂ ＋
ｃ ＝ １ 、１−１ 。
９８）で示されるシアノアルキル基含有オルガノポリシ
ロキサンを主成分としてなる誘電体中に分散配合してな
る組成物を発光層として層状に形成させてなることを特
徴とするものである。
ロキサンを主成分としてなる誘電体中に分散配合してな
る組成物を発光層として層状に形成させてなることを特
徴とするものである。
すなわち、本発明者らは、電界発光素子に使用する誘電
体について種々検討した結果、この高分子誘電体として
、誘電率が高く、誘電正接の小さいという優れた電気特
性を示し、かつ吸湿性が小さく、フィルム成型能が良好
な、シアノアルキル基を含有した特定のオルガノポリシ
ロキサンを用いることにより、従来の問題点を解決した
電界発光素子が出来ることを見いだし本発明を完成した
。
体について種々検討した結果、この高分子誘電体として
、誘電率が高く、誘電正接の小さいという優れた電気特
性を示し、かつ吸湿性が小さく、フィルム成型能が良好
な、シアノアルキル基を含有した特定のオルガノポリシ
ロキサンを用いることにより、従来の問題点を解決した
電界発光素子が出来ることを見いだし本発明を完成した
。
以下本発明の構成についてさらに詳述する。
本発明の電界発光素子を構成する電界発光性粉粒体は公
知のものでよく、したがってこれにはＣｄＳ、ＺｎＳ、
Ｚｎ５ｅ、Ｚｎ５ｉ○、ＢＮ。
知のものでよく、したがってこれにはＣｄＳ、ＺｎＳ、
Ｚｎ５ｅ、Ｚｎ５ｉ○、ＢＮ。
ＳｉＣなどの蛍光体物質が例示されるが、これらは電界
発光素子にした場合の発光特性から平均粒径が５０ＩＪ
ｍ以下である粉粒体とすることが好ましい。
発光素子にした場合の発光特性から平均粒径が５０ＩＪ
ｍ以下である粉粒体とすることが好ましい。
本発明の電界発光素子はこの電界発光性粉粒体をシアノ
アルキル基含有オルガノポリシロキサンを主成分とする
誘電体に分散配合した組成物を発光層として層状に形成
させたものであるが、このシアノアルキル基含有オルガ
ノポリシロキサンは上記した式（１）に示したように Ｒら で示され、Ｒ１、Ｒ２はシアノエチル基、シアノプロピ
ル基、シアノブチル基、２−シアノプロピル基、２−シ
アノブチル基、２−メチル−２−シアノプロピル基など
のような同一または異種のシアノアルキル基、Ｒ３は水
素原子またはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基などのアルキル基、シクロヘキシル基、シクロブチル
基などのシクロアルキル基、フェニル基、トリル基など
のアリール基、あるいはこれらの基の炭素原子に結合し
た水素原子の全部または一部をハロゲン原子などで置換
したクロロメチル基、３，３．３−トリフルオロプロピ
ル量、１，１．１−１リフルオロヘキシル基などから構
成される非置換または置換１価炭化水素基であるものと
されるが、このオルガノポリシロキサンについてはシア
ノアルキル基が置換されていることが必要であり、この
極性の高いニトリル基が電界中において配向分極される
ことによってこのオルガノポリシロキサンの誘電率が向
上される。
アルキル基含有オルガノポリシロキサンを主成分とする
誘電体に分散配合した組成物を発光層として層状に形成
させたものであるが、このシアノアルキル基含有オルガ
ノポリシロキサンは上記した式（１）に示したように Ｒら で示され、Ｒ１、Ｒ２はシアノエチル基、シアノプロピ
ル基、シアノブチル基、２−シアノプロピル基、２−シ
アノブチル基、２−メチル−２−シアノプロピル基など
のような同一または異種のシアノアルキル基、Ｒ３は水
素原子またはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基などのアルキル基、シクロヘキシル基、シクロブチル
基などのシクロアルキル基、フェニル基、トリル基など
のアリール基、あるいはこれらの基の炭素原子に結合し
た水素原子の全部または一部をハロゲン原子などで置換
したクロロメチル基、３，３．３−トリフルオロプロピ
ル量、１，１．１−１リフルオロヘキシル基などから構
成される非置換または置換１価炭化水素基であるものと
されるが、このオルガノポリシロキサンについてはシア
ノアルキル基が置換されていることが必要であり、この
極性の高いニトリル基が電界中において配向分極される
ことによってこのオルガノポリシロキサンの誘電率が向
上される。
また、このシアノアルキル基を示すＲ１、Ｒ２の数ａ、
ｂ値はそれぞれＯ〜１．８とされるが、このａ＋ｂ値は
０．８以下ではニトリル基の濃度がポリマー中で下がっ
てしまい、これに伴ってこのオルガノポリシロキサンの
誘電率が低下し、電界発光素子に使用した場合に輝度の
面で不利となるし、１．８以上とすると誘電率はよくな
るけれども工業的にこのように多量の二１−リル基導入
が難しくなるので、これは０．８〜１．８の範囲とする
ことがよく、このＲ３の数を示すＣ値はこれを大きくす
るとシアノアルキル基の数が小さくなってしまうので０
〜１．０の範囲、好ましくは０．０１〜０．１の範囲と
すればよいが、このａ＋ｂ＋ｃ値についてはこれが１．
１以下ではオルガノポリシロキサンが非常に脆い樹脂状
物となってこれを用いた電界発光素子の発光層が衝撃で
割れてしまい、フレキシビリティを有する素子の製造が
不可能となり、１．９８以上とするとこのオルガノポリ
シロキサンがオイル状となってフィルム成形ができず、
蛍光体の結合剤として使用することができなくなるので
１．１〜１．９８の範囲とする必要がある。
ｂ値はそれぞれＯ〜１．８とされるが、このａ＋ｂ値は
０．８以下ではニトリル基の濃度がポリマー中で下がっ
てしまい、これに伴ってこのオルガノポリシロキサンの
誘電率が低下し、電界発光素子に使用した場合に輝度の
面で不利となるし、１．８以上とすると誘電率はよくな
るけれども工業的にこのように多量の二１−リル基導入
が難しくなるので、これは０．８〜１．８の範囲とする
ことがよく、このＲ３の数を示すＣ値はこれを大きくす
るとシアノアルキル基の数が小さくなってしまうので０
〜１．０の範囲、好ましくは０．０１〜０．１の範囲と
すればよいが、このａ＋ｂ＋ｃ値についてはこれが１．
１以下ではオルガノポリシロキサンが非常に脆い樹脂状
物となってこれを用いた電界発光素子の発光層が衝撃で
割れてしまい、フレキシビリティを有する素子の製造が
不可能となり、１．９８以上とするとこのオルガノポリ
シロキサンがオイル状となってフィルム成形ができず、
蛍光体の結合剤として使用することができなくなるので
１．１〜１．９８の範囲とする必要がある。
このようなシアノアルキル基含有オルガノポリシロキサ
ンの製造は特殊の方法に限定されるものではなく、−射
的なポリシロキサンの合成法で行えばよい。したがって
、これは水素原子または他の官能基を含有するオルガノ
シランとシアノアルキル基含有化合物を反応させてシア
ノアルキル基と水素原子および／または１価炭化水素基
を含有するオルガノシランを合成し、ついでこれを加水
分解してシアノアルキル基含有オルガノシロキサンとし
てから重合するか、または付加反応、脱アルコール反応
、脱水反応など有機けい素化学において公知とされる方
法で製造すればよいが、この場合に反応触媒、溶剤を添
加することは任意とされる。
ンの製造は特殊の方法に限定されるものではなく、−射
的なポリシロキサンの合成法で行えばよい。したがって
、これは水素原子または他の官能基を含有するオルガノ
シランとシアノアルキル基含有化合物を反応させてシア
ノアルキル基と水素原子および／または１価炭化水素基
を含有するオルガノシランを合成し、ついでこれを加水
分解してシアノアルキル基含有オルガノシロキサンとし
てから重合するか、または付加反応、脱アルコール反応
、脱水反応など有機けい素化学において公知とされる方
法で製造すればよいが、この場合に反応触媒、溶剤を添
加することは任意とされる。
本発明の電界発光素子は上記した電界発光性粉粒体を誘
電体としてのシアノアルキル基含有オルガノポリシロキ
サンを主成分とする誘電体中に分散配合した組成物を発
光層として層状に形成させたものであり、この電界発光
性粉粒体のシアノアルキル基含有オルガノポリシロキサ
ンへの分配配合はシアノアルキル基含有オルガノポリシ
ロキサンをアセトン、Ｎ、Ｎ’−ジメチルホルムアミド
、ニトロメタン、アセトニトリル、Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドンなどの１種または２種以上の混合液に溶解した
液に電界発光性粉粒体を添加すれば良く、この電界発光
性粉粒体の添加量はシアノアルキル基含有オルガノポリ
シロキサンに対し体積比率で２０％以下では発光層中の
電界発光性粉粒体の濃度が小さすぎて素子にした場合輝
度が低下する恐れがあり、また８０％以上とすると電界
発光性粉粒体の分散が困難になるので、２０〜８０％の
範囲とすることが必要である。
電体としてのシアノアルキル基含有オルガノポリシロキ
サンを主成分とする誘電体中に分散配合した組成物を発
光層として層状に形成させたものであり、この電界発光
性粉粒体のシアノアルキル基含有オルガノポリシロキサ
ンへの分配配合はシアノアルキル基含有オルガノポリシ
ロキサンをアセトン、Ｎ、Ｎ’−ジメチルホルムアミド
、ニトロメタン、アセトニトリル、Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドンなどの１種または２種以上の混合液に溶解した
液に電界発光性粉粒体を添加すれば良く、この電界発光
性粉粒体の添加量はシアノアルキル基含有オルガノポリ
シロキサンに対し体積比率で２０％以下では発光層中の
電界発光性粉粒体の濃度が小さすぎて素子にした場合輝
度が低下する恐れがあり、また８０％以上とすると電界
発光性粉粒体の分散が困難になるので、２０〜８０％の
範囲とすることが必要である。
上記のようにして得られた電界発光性粉粒体が分散配合
されたシアノアルキル基含有オルガノポリシロキサン液
は発光体層形成に供されるものであり、この発光体層は
この溶液を例えばポリエステルフィルム上に透明導電膜
としての酸化インジウムを被覆した導電膜の上にスクリ
ーン印刷法などで厚さ約１０〜７０Ｉｉｍに塗布し、乾
燥させることによって作ればよいが、この発光体層形成
時、この溶液に各種の高誘電率物質、強誘電体、半導体
酸化物などを配合することは任意とされる。
されたシアノアルキル基含有オルガノポリシロキサン液
は発光体層形成に供されるものであり、この発光体層は
この溶液を例えばポリエステルフィルム上に透明導電膜
としての酸化インジウムを被覆した導電膜の上にスクリ
ーン印刷法などで厚さ約１０〜７０Ｉｉｍに塗布し、乾
燥させることによって作ればよいが、この発光体層形成
時、この溶液に各種の高誘電率物質、強誘電体、半導体
酸化物などを配合することは任意とされる。
また、この発光体層を用いて電界発光素子を作るには、
導電膜の上に形成した発光体層の上に常法により絶縁層
を積層したのち、厚さ２０〜１００μｍのアルミニウム
フィルムを８０〜１８０℃で圧着して裏面電極を作り、
ついでこの導電膜と裏面電極に電極端子となるリード線
を取つければよい。
導電膜の上に形成した発光体層の上に常法により絶縁層
を積層したのち、厚さ２０〜１００μｍのアルミニウム
フィルムを８０〜１８０℃で圧着して裏面電極を作り、
ついでこの導電膜と裏面電極に電極端子となるリード線
を取つければよい。
つぎに本発明の電界発光素子を添付の図面にもとづいて
説明する。第１図は本発明の電界発光素子の断面図を示
したものであるが、このものはポリエステル、セルロー
スアセテ−１〜などのプラスチックフィルムまたはガラ
ス板のうえに酸化インジウム、酸化すずなどの透明導電
膜を被覆した透明電極板１の上に、電界発光性粉粒体を
シアノアルキル基含有オルガノポリシロキサンに分散し
た発光層２と、素子の絶縁耐力を上げ、かつ電圧効果を
少なくするためのチタン酸バリウムからなる絶縁層３お
よびアルミニウム、銀などの金属からなる裏面電極４を
順次積層したのち、これらを外包５で包み、この透明電
極板１と裏面電極４から電極端子６を引き出すことによ
って構成されている。
説明する。第１図は本発明の電界発光素子の断面図を示
したものであるが、このものはポリエステル、セルロー
スアセテ−１〜などのプラスチックフィルムまたはガラ
ス板のうえに酸化インジウム、酸化すずなどの透明導電
膜を被覆した透明電極板１の上に、電界発光性粉粒体を
シアノアルキル基含有オルガノポリシロキサンに分散し
た発光層２と、素子の絶縁耐力を上げ、かつ電圧効果を
少なくするためのチタン酸バリウムからなる絶縁層３お
よびアルミニウム、銀などの金属からなる裏面電極４を
順次積層したのち、これらを外包５で包み、この透明電
極板１と裏面電極４から電極端子６を引き出すことによ
って構成されている。
（発明の効果）
本発明の電界発光素子は上記のように構成されており、
この発光層２が電界発光性粉粒体を誘電率の高いシアノ
アクリル基含有オルガノポリシロキサンに分散させたも
ので作られているので、これには ■輝度が高く、温度による輝度の変化が少ない、■長時
間点灯していても輝度の低下が小さい、■耐衝撃性にす
ぐれていて、フレキシビリティに富んでいる、 ■熱分解温度が高く、耐熱性にすぐれている。
この発光層２が電界発光性粉粒体を誘電率の高いシアノ
アクリル基含有オルガノポリシロキサンに分散させたも
ので作られているので、これには ■輝度が高く、温度による輝度の変化が少ない、■長時
間点灯していても輝度の低下が小さい、■耐衝撃性にす
ぐれていて、フレキシビリティに富んでいる、 ■熱分解温度が高く、耐熱性にすぐれている。
という有利性が与えられ、したがってこれは各種液晶デ
イスプレィのバックライトとしては勿論のこと、面発光
体として広く適用し得るという工業的有利性をもつもの
になる。
イスプレィのバックライトとしては勿論のこと、面発光
体として広く適用し得るという工業的有利性をもつもの
になる。
（実施例）
つぎに本発明の電界発光素子作製に使用されるシアノア
ルキル基含有オルガノポリシロキサンの合成例、および
これを誘電体として使用した電界発光素子の実施例をあ
げる。
ルキル基含有オルガノポリシロキサンの合成例、および
これを誘電体として使用した電界発光素子の実施例をあ
げる。
合成例１〜３、比較合成例１〜２
１００ｍｕの三ツロフラスコに２官能性シランとしての
シアノエチルメチルジメトキシシランと３−１２＝ 官能性シランとしてのシアノエチルトリエトキシシラン
とを第１表に示した量で仕込み、これに第１表に示した
量の蒸留水に１５％テトラメチル水酸化アンモニウム水
溶液３００μＱを加えた混合液を攪拌下に滴下し、均一
に分散溶解したところで９０℃に加熱し、２時間反応さ
せたところ、透明な半固体状または固体状の物質が得ら
れたが、これらは分析の結果いずれもシアノエチル基含
有オルガノポリシロキサンであり、平均組成式中シアノ
エチル基を１．０モル％含有するものであることが確認
された。
シアノエチルメチルジメトキシシランと３−１２＝ 官能性シランとしてのシアノエチルトリエトキシシラン
とを第１表に示した量で仕込み、これに第１表に示した
量の蒸留水に１５％テトラメチル水酸化アンモニウム水
溶液３００μＱを加えた混合液を攪拌下に滴下し、均一
に分散溶解したところで９０℃に加熱し、２時間反応さ
せたところ、透明な半固体状または固体状の物質が得ら
れたが、これらは分析の結果いずれもシアノエチル基含
有オルガノポリシロキサンであり、平均組成式中シアノ
エチル基を１．０モル％含有するものであることが確認
された。
ついで、このシアノエチル基含有オルガノポリシロキサ
ンをアセ１−ンに溶解し、キャスト後８０℃で４時間乾
燥して厚さ約１０１００ＩｌｖＡのフィルムを作り、こ
のものの誘電特性、機械的物性、吸湿量、熱分解温度を
しらべたところ、第１表に併記したとおりの結果が得ら
れ、つれらはいずれも誘電率、機械的性質、吸湿性、耐
熱性のすぐれにものであることが確認された。
ンをアセ１−ンに溶解し、キャスト後８０℃で４時間乾
燥して厚さ約１０１００ＩｌｖＡのフィルムを作り、こ
のものの誘電特性、機械的物性、吸湿量、熱分解温度を
しらべたところ、第１表に併記したとおりの結果が得ら
れ、つれらはいずれも誘電率、機械的性質、吸湿性、耐
熱性のすぐれにものであることが確認された。
また、比較のために米国Ｔｅｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉｎ
ｃ社製のシアノエチルセルロース・アクリロセル（同社
製商品名）と、Ｊ、 Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｓａｃ、 Ｖｏｌｍ。
ｃ社製のシアノエチルセルロース・アクリロセル（同社
製商品名）と、Ｊ、 Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｓａｃ、 Ｖｏｌｍ。
Ｎｏ、１１．１２３９−１２４３（１９６４）記載の方
法にもとづいて合成したシアノエチルポリビニルアルコ
ールを用いて上記の同様でフィルムを作り、このものの
物性をしらべたところ、第１表に併記したとおりの結果
が得られた。
法にもとづいて合成したシアノエチルポリビニルアルコ
ールを用いて上記の同様でフィルムを作り、このものの
物性をしらべたところ、第１表に併記したとおりの結果
が得られた。
１５一
実施例１〜３、比較例１〜２
前記合成例１〜３で得られたシアノエチル基含有オルガ
ノポリシロキサン８０ｇをＮ、Ｎ’−ジメチルホルムア
ミド１２０ｇに溶解し、この溶液を２分してその一方に
平均粒径が２０声の電界発光性硫化亜鉛蛍光体（ＺｎＳ
：ＣｕＡｌ）を体積比率で４０％加え、均一に分散して
発光体層用の塗布液を作ると共に、他方に粒径１〜２μ
屈のチタン酸バリウムを体積比重で４０％加え、均一に
分散させて絶縁層用塗布液を作った。
ノポリシロキサン８０ｇをＮ、Ｎ’−ジメチルホルムア
ミド１２０ｇに溶解し、この溶液を２分してその一方に
平均粒径が２０声の電界発光性硫化亜鉛蛍光体（ＺｎＳ
：ＣｕＡｌ）を体積比率で４０％加え、均一に分散して
発光体層用の塗布液を作ると共に、他方に粒径１〜２μ
屈のチタン酸バリウムを体積比重で４０％加え、均一に
分散させて絶縁層用塗布液を作った。
ついで、５ＱＸ５Ｑｃｍの透明なガラス基板の片面上に
酸化インジウムを２，０００人の厚さで蒸着させて透明
電極基板を作り、その上に上記で得た発光体層用の塗布
液をスクリーン印刷し、１５０℃で４時間乾燥して厚さ
約４０ｐｎの発光体層を設け、この上にさらに上記で得
た絶縁層用塗布液をスクリーン印刷し、１５０℃で４時
間乾燥して厚さ約１５μ「の絶縁層を積層し、これに厚
さ５０μｍのアルミニウムフィルムを１７０℃、１０Ｋ
ｇ／ａｌで圧着させたのち、これらをポリクロロトリフ
ルオロエチレンシート・アクラー〔米国アライド・ケミ
カル社製商品名〕で包み、２２０℃の温度で封止し、リ
ード端子を取つけて電界発光素子Ｉ〜■を作成すると共
に、比較のために前記比較合成例１〜２で得られたシア
ノエチルセルロース、シアノエチルポリビニルアルコー
ルを用い、これらをＮ、Ｎ’ −ジメチルホルムアミド
の２０％溶液としたほかは上記と同様に処理して電界発
光素子■、■を作った。
酸化インジウムを２，０００人の厚さで蒸着させて透明
電極基板を作り、その上に上記で得た発光体層用の塗布
液をスクリーン印刷し、１５０℃で４時間乾燥して厚さ
約４０ｐｎの発光体層を設け、この上にさらに上記で得
た絶縁層用塗布液をスクリーン印刷し、１５０℃で４時
間乾燥して厚さ約１５μ「の絶縁層を積層し、これに厚
さ５０μｍのアルミニウムフィルムを１７０℃、１０Ｋ
ｇ／ａｌで圧着させたのち、これらをポリクロロトリフ
ルオロエチレンシート・アクラー〔米国アライド・ケミ
カル社製商品名〕で包み、２２０℃の温度で封止し、リ
ード端子を取つけて電界発光素子Ｉ〜■を作成すると共
に、比較のために前記比較合成例１〜２で得られたシア
ノエチルセルロース、シアノエチルポリビニルアルコー
ルを用い、これらをＮ、Ｎ’ −ジメチルホルムアミド
の２０％溶液としたほかは上記と同様に処理して電界発
光素子■、■を作った。
つぎにこのようにして得た電界発光素子１〜■について
、４００Ｈｚ、１００Ｖの電源で入力したときの初期輝
度および４０°Ｃ１９０％ＲＨ条件下で輝度が１／２ま
で減少する時間（半減期）をしらべたところ、第２表に
示すとおりの結果が得られた。
、４００Ｈｚ、１００Ｖの電源で入力したときの初期輝
度および４０°Ｃ１９０％ＲＨ条件下で輝度が１／２ま
で減少する時間（半減期）をしらべたところ、第２表に
示すとおりの結果が得られた。
第１図は本発明の電界発光素子の縦断面図を示したもの
である。
である。
Claims (2)
- １． 電界発光性粉粒体を、平均組成式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （こゝにＲ＾１、Ｒ＾２は同一または異種の炭素数３〜
５のシアノアルキル基、Ｒ＾３は水素原子または非置換
あるいは置換の１価炭化水素基、ａ，ｂ，ｃはａ＝０〜
１．８、ｂ＝０〜１．８、ｃ＝０〜１．０、ａ＋ｂ＝０
．８〜１．８、ａ＋ｂ＋ｃ＝１．１〜１．９８）で示さ
れるシアノアルキル基含有オルガノポリシロキサンを主
成分としてなる誘電体中に分散配合してなる組成物を発
光層として層状に形成させてなることを特徴とする電界
発光素子。 - ２． 前記平均組成式におけるＲ＾１、Ｒ＾２がシアノ
エチル基またはシアノプロピル基であるシアノアルキル
基含有オルガノポリシロキサンを主成分としてなる請求
項１に記載の電界発光素子。
Priority Applications (7)
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|---|---|---|---|
| JP63028046A JPH086087B2 (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 電界発光素子 |
| CA000590171A CA1316686C (en) | 1988-02-09 | 1989-02-06 | Electroluminescent composition and electroluminescent device therewith |
| US07/306,962 US4882517A (en) | 1988-02-09 | 1989-02-07 | Electroluminescent composition containing organopolysiloxane and electroluminescent device usable as a back-lighting unit for liquid crystal display |
| AU29752/89A AU611764B2 (en) | 1988-02-09 | 1989-02-08 | Electroluminescent composition and electroluminescent device therewith |
| KR1019890001473A KR970003239B1 (ko) | 1988-02-09 | 1989-02-09 | 전계 발광 조성물 및 그것을 갖는 전계 발광 소자 |
| DE68922420T DE68922420T2 (de) | 1988-02-09 | 1989-02-09 | Elektrolumineszente Zusammensetzung und elektrolumineszente Vorrichtung mit dieser Zusammensetzung. |
| EP89102265A EP0328120B1 (en) | 1988-02-09 | 1989-02-09 | Electroluminescent composition and electroluminescent device therewith |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63028046A JPH086087B2 (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 電界発光素子 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01204393A true JPH01204393A (ja) | 1989-08-16 |
| JPH086087B2 JPH086087B2 (ja) | 1996-01-24 |
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ID=12237804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63028046A Expired - Fee Related JPH086087B2 (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 電界発光素子 |
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|---|---|
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| EP (1) | EP0328120B1 (ja) |
| JP (1) | JPH086087B2 (ja) |
| KR (1) | KR970003239B1 (ja) |
| AU (1) | AU611764B2 (ja) |
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| DE (1) | DE68922420T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03245489A (ja) * | 1990-02-22 | 1991-11-01 | Alps Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH0536479A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 分散型エレクトロルミネツセンス素子 |
| JP2002329581A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 電界発光素子 |
| JP2012197425A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-18 | Lintec Corp | 硬化性組成物、硬化物および硬化性組成物の使用方法 |
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| US5128064A (en) * | 1989-04-18 | 1992-07-07 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Cadmium sulfide membranes |
| US5059346A (en) * | 1989-04-18 | 1991-10-22 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Cadmium sulfide membranes |
| JPH0375686A (ja) * | 1989-08-17 | 1991-03-29 | Alps Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子 |
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| JP3470829B2 (ja) * | 1994-09-26 | 2003-11-25 | 矢崎総業株式会社 | 計器用指針 |
| US5520965A (en) * | 1994-10-07 | 1996-05-28 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Radiation cured radiographic intensifying screen |
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1988
- 1988-02-09 JP JP63028046A patent/JPH086087B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-02-06 CA CA000590171A patent/CA1316686C/en not_active Expired - Fee Related
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- 1989-02-08 AU AU29752/89A patent/AU611764B2/en not_active Ceased
- 1989-02-09 KR KR1019890001473A patent/KR970003239B1/ko not_active Expired - Fee Related
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- 1989-02-09 DE DE68922420T patent/DE68922420T2/de not_active Expired - Lifetime
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| JPH086087B2 (ja) | 1996-01-24 |
| EP0328120A2 (en) | 1989-08-16 |
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| EP0328120A3 (en) | 1990-08-08 |
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