JPH01204427A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01204427A JPH01204427A JP2752988A JP2752988A JPH01204427A JP H01204427 A JPH01204427 A JP H01204427A JP 2752988 A JP2752988 A JP 2752988A JP 2752988 A JP2752988 A JP 2752988A JP H01204427 A JPH01204427 A JP H01204427A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は最小加工寸法が０．３μｍ以下の半導体、特に
、トレンチ構造を持つ同寸法以下の半導体に関する。
、トレンチ構造を持つ同寸法以下の半導体に関する。
半導体の集積度は年々増大の一途をたどっている。例え
ば、Ｄ ＲＡ Ｎ （Ｄｙｈａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ
ＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）は大型コンピュータ、通信
機器から各種ＯＡ （Ｏｆｆｉｃｅ Ａ＋１ｔｏｍａｔ
ｉｏｎ）機器、端末機器に至るまで、広く使用されてい
る。システムの高性能化、小型化に伴いＤＲＡＭの大官
量化は三年に四倍の割合で進んでいる。２５６ＫＤＲＡ
Ｍは１９８３年に量産が開始され、１９８６年にはＩＭ
ＤＲＡＭの量産が開始された。４ＭＤＲＡＭ以降もこの
トレンドに沿うと予想される。これらの集積度の増大に
伴い、最小加工寸法は、２μｍ、１．２μｍ、０．８μ
ｍと微細化していく。
ば、Ｄ ＲＡ Ｎ （Ｄｙｈａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ
ＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）は大型コンピュータ、通信
機器から各種ＯＡ （Ｏｆｆｉｃｅ Ａ＋１ｔｏｍａｔ
ｉｏｎ）機器、端末機器に至るまで、広く使用されてい
る。システムの高性能化、小型化に伴いＤＲＡＭの大官
量化は三年に四倍の割合で進んでいる。２５６ＫＤＲＡ
Ｍは１９８３年に量産が開始され、１９８６年にはＩＭ
ＤＲＡＭの量産が開始された。４ＭＤＲＡＭ以降もこの
トレンドに沿うと予想される。これらの集積度の増大に
伴い、最小加工寸法は、２μｍ、１．２μｍ、０．８μ
ｍと微細化していく。
これらの半導体製造に必要な洗浄は有機溶剤、フッ酸、
超純水等を用いるウェット洗浄が主流である。
超純水等を用いるウェット洗浄が主流である。
液体は密度が大きく１種々の汚れ成分を溶解し除去する
。また、粘度が大きいため、ウェハ付着微粒子を洗い流
す。さらに、液体同士は良くまじり合い、ウェハに付着
している液体を他の液体で置換することもできる。液体
は上記の性状を持つため、これまでウェット洗浄が主流
であった。
。また、粘度が大きいため、ウェハ付着微粒子を洗い流
す。さらに、液体同士は良くまじり合い、ウェハに付着
している液体を他の液体で置換することもできる。液体
は上記の性状を持つため、これまでウェット洗浄が主流
であった。
今後の集積度の増大に伴う微細化（最小加工寸法が０．
３μｍ以下）ならびにトレンチ構造化に対して、液体の
もつ表面張力により、液体は微細部への侵入が不可能で
あるため、ウェット洗浄では対応できないという問題が
ある。
３μｍ以下）ならびにトレンチ構造化に対して、液体の
もつ表面張力により、液体は微細部への侵入が不可能で
あるため、ウェット洗浄では対応できないという問題が
ある。
シリコンウェハが洗浄、酸化、薄膜形成、不純物拡散等
の各工程で幾重にも処理されて、半導体が製造される。
の各工程で幾重にも処理されて、半導体が製造される。
シリコン表面は極めて疎水性で、水溶性液体でぬれない
。従って、シリコン面でおおオ）れた上記寸法のトレン
チ内への水溶性液体（フン酸、超純水等）の侵入は、そ
の表面張力（シリコンとの界面張力）のため不可能であ
る。
。従って、シリコン面でおおオ）れた上記寸法のトレン
チ内への水溶性液体（フン酸、超純水等）の侵入は、そ
の表面張力（シリコンとの界面張力）のため不可能であ
る。
すなわち、トレンチ形成後のトレンチ内の洗浄は困難で
ある。
ある。
発明者らは、ウェット洗浄では対応困難な最小加工寸法
が０．３μｍ以下の微細部の洗浄に関し、種々検討した
。
が０．３μｍ以下の微細部の洗浄に関し、種々検討した
。
気体はどんな微細なところでも浸入可能であるが、洗浄
力はほとんどない。一方、液体は」二連のように洗浄力
をもつが微細なところへの侵入は不可能である。
力はほとんどない。一方、液体は」二連のように洗浄力
をもつが微細なところへの侵入は不可能である。
発明者らは、下記の事実を見出し、本発明に至つた。
（１）超臨界ガスは最もクリーンな溶剤である。
（２）超臨界ガスは０．３μｍ以下の細孔内へ容易に侵
入し、かつ、細孔内に存在するものを溶かし出す。
入し、かつ、細孔内に存在するものを溶かし出す。
本発明の目的は、最小加工寸法が０．３μｍ以下の半導
体を提供することにある。
体を提供することにある。
本発明は、すくなくとも超臨界ガスと接触する工程を経
て製造されたことを特徴とする最小加工寸法が０．３μ
ｍ以下の半導体である。
て製造されたことを特徴とする最小加工寸法が０．３μ
ｍ以下の半導体である。
第２図は、超臨界炭酸ガス（圧力１５０ ｋｇ／ ｒｙ
τ、温度４５℃）の流動特性を示す。縦軸はｍ位長さ当
りの圧力損失を示す。図中には、水及び炭酸ガスの場合
の特性も併記した。超臨界炭酸ガスの圧力損失は水の場
合の一割、炭酸ガスの場合の約三倍で、炭酸ガスと同様
な取扱いが可能である。すなわち、クリーンルーム内導
入空気と同様にパブフィルタによる超臨界炭酸ガス中に
存在する異物の除去が可能である。クラス１０のスーパ
ークリーンルーム内空気中の微粒子濃度は０．１μｍ以
上の微粒子が０．０００３６個／ ｍ Ｑであり、超臨
界ガス中の微粒子も同程度にクリーン化することができ
る。現在、半導体製造分野で使用されている薬品中の微
粒子数を表しく参考文献：超ＬＳＩウル１−ラクリーン
テクノロジーシンポジウムＮａ ６、プロシーディング
、＋９８６．３．Ｐ２２０）に示したが、これらと比較
すると、超臨界ガスは極めてクリーンな１′・容剤であ
る。
τ、温度４５℃）の流動特性を示す。縦軸はｍ位長さ当
りの圧力損失を示す。図中には、水及び炭酸ガスの場合
の特性も併記した。超臨界炭酸ガスの圧力損失は水の場
合の一割、炭酸ガスの場合の約三倍で、炭酸ガスと同様
な取扱いが可能である。すなわち、クリーンルーム内導
入空気と同様にパブフィルタによる超臨界炭酸ガス中に
存在する異物の除去が可能である。クラス１０のスーパ
ークリーンルーム内空気中の微粒子濃度は０．１μｍ以
上の微粒子が０．０００３６個／ ｍ Ｑであり、超臨
界ガス中の微粒子も同程度にクリーン化することができ
る。現在、半導体製造分野で使用されている薬品中の微
粒子数を表しく参考文献：超ＬＳＩウル１−ラクリーン
テクノロジーシンポジウムＮａ ６、プロシーディング
、＋９８６．３．Ｐ２２０）に示したが、これらと比較
すると、超臨界ガスは極めてクリーンな１′・容剤であ
る。
第３図は、合成樹脂と超臨界炭酸ガスを接触し、樹脂細
孔内に存在する液体を除去した結果を示す。
孔内に存在する液体を除去した結果を示す。
縦軸は除去した液量を供試樹脂量で除した値。横軸は樹
脂カラムに供給した超臨界炭酸ガス量（標僧状態換算値
）を示す。供試樹脂はスチレンジビニルベンゼン系で、
各種吸着材料の中で、最も疎水性が太きい。樹脂内部に
無数に存在する細孔の径は８０〜２０００人に分布する
。図中には、超臨界炭酸ガスの密度が０．４１と０．６
８ｇ／、ｉの場合の除去特性を示した。−点鎖線は供試
樹脂の細孔容積から算出した含液率を示す。除去速度は
超臨界炭酸ガス密度によって異なるが、飽和状態での回
収液量／樹脂量は、いずれの場合でも、樹脂含液率にほ
ぼ一致する。このことは、８０〜２０００人の径をもつ
細孔内に存在した液がほとんどすべて除去できたことを
示す。すなオ〕ち、超臨界炭酸ガスは０．３μｍ以下の
細孔内に容易に（迅速に）侵入し、そこに存在するもの
を除去することができる。
脂カラムに供給した超臨界炭酸ガス量（標僧状態換算値
）を示す。供試樹脂はスチレンジビニルベンゼン系で、
各種吸着材料の中で、最も疎水性が太きい。樹脂内部に
無数に存在する細孔の径は８０〜２０００人に分布する
。図中には、超臨界炭酸ガスの密度が０．４１と０．６
８ｇ／、ｉの場合の除去特性を示した。−点鎖線は供試
樹脂の細孔容積から算出した含液率を示す。除去速度は
超臨界炭酸ガス密度によって異なるが、飽和状態での回
収液量／樹脂量は、いずれの場合でも、樹脂含液率にほ
ぼ一致する。このことは、８０〜２０００人の径をもつ
細孔内に存在した液がほとんどすべて除去できたことを
示す。すなオ〕ち、超臨界炭酸ガスは０．３μｍ以下の
細孔内に容易に（迅速に）侵入し、そこに存在するもの
を除去することができる。
なお、活性炭（細孔径は１人〜１０μｍ）も疎水性が高
い材料の一つであるが、活性炭と超臨界炭酸ガスとの接
触実験においても、活性炭含有液をほとんどすべて除去
することができた。
い材料の一つであるが、活性炭と超臨界炭酸ガスとの接
触実験においても、活性炭含有液をほとんどすべて除去
することができた。
半導体の製造工程は、例えば、Ｓｉウェハ（基板）の場
合、基板表面に酸化膜（Ｓｉ０２）を形成、レジス１〜
塗布しマスクを介して露光し、現像・エツチング、レジ
ス１−除去して基板にパターン形成、エツチングして、
ホウ素、リン等をイオン注入（拡散）する工程を幾度も
繰返し、必要な回路を基板に刻み込む。そして、最終的
に、ＡＱ、等を蒸着して電極を取付け、ダイシング、パ
ンケージして半導体を得る。これらの工程では、基板表
面、あるいは、上パターン形成に伴うトレンチ構造の内
面に有機質汚染や無機質汚染の存在により欠陥が発生し
、得られる半導体は使用に耐えない。従って、各工程の
前に洗浄作業が必須である。本発明の主眼は、この工程
で、基板と超臨界ガスを接触させて、これら汚染を完全
に除去した半導体を提供することにある。第１図は、こ
の洗浄工程に適用した本発明の一具体例であり１図面に
従って説明する。第１図から、洗浄槽１は、超臨界ガス
供給系２、排出系３、第三成分供給系４から構成し、供
給系中の弁２１．４１は、それぞれの目的に応じて切換
える。また、供給系２には、フィルター５を設け、洗浄
槽１への異物流入を防止できる。加熱器６は、洗浄槽内
に供給されるガスを臨界温度以上に維持する役［１を担
い、排出系中の圧力調整弁３１は、ガスの臨界圧力以上
に維持する役目を担う。そして、各工程から移送される
基板７を洗浄槽１に装填して超臨界ガスと接触させろ。
合、基板表面に酸化膜（Ｓｉ０２）を形成、レジス１〜
塗布しマスクを介して露光し、現像・エツチング、レジ
ス１−除去して基板にパターン形成、エツチングして、
ホウ素、リン等をイオン注入（拡散）する工程を幾度も
繰返し、必要な回路を基板に刻み込む。そして、最終的
に、ＡＱ、等を蒸着して電極を取付け、ダイシング、パ
ンケージして半導体を得る。これらの工程では、基板表
面、あるいは、上パターン形成に伴うトレンチ構造の内
面に有機質汚染や無機質汚染の存在により欠陥が発生し
、得られる半導体は使用に耐えない。従って、各工程の
前に洗浄作業が必須である。本発明の主眼は、この工程
で、基板と超臨界ガスを接触させて、これら汚染を完全
に除去した半導体を提供することにある。第１図は、こ
の洗浄工程に適用した本発明の一具体例であり１図面に
従って説明する。第１図から、洗浄槽１は、超臨界ガス
供給系２、排出系３、第三成分供給系４から構成し、供
給系中の弁２１．４１は、それぞれの目的に応じて切換
える。また、供給系２には、フィルター５を設け、洗浄
槽１への異物流入を防止できる。加熱器６は、洗浄槽内
に供給されるガスを臨界温度以上に維持する役［１を担
い、排出系中の圧力調整弁３１は、ガスの臨界圧力以上
に維持する役目を担う。そして、各工程から移送される
基板７を洗浄槽１に装填して超臨界ガスと接触させろ。
超臨界ガスは、ＣＯ２（臨界点７３ａｔｍ。
３１．１°Ｃ）、Ｎ２（臨界点３３．５ａ ｊｍ、−１
４７’Ｃ）、 ＣＣＱ Ｆ３（臨界点３９ａｔｍ、２８
．８℃）等の不燃で安全性の高いガスが好適であり、特
に、有機物等を良く溶解するから、適度な接触時間を保
って基板に付着する汚染物をガス中に拡散し、系外に排
出することができる。また、超臨界ガスに有機溶媒、例
えば、炭化水素系溶媒（ヘキサン、ベンゼン、トルエン
等）、ハロゲン化炭化水系溶媒（ジクロルメタン、フレ
オン等）、アルコール系溶媒（エタノール等）やケトン
系溶媒（アセトン等）などを第三成分として供給系４か
ら少量添加して、基板と接触することにより、親和力を
高め、多種多様な有機質汚染を除去できる。また、半導
体にとっては、無機質汚染も大きな障害となる。
４７’Ｃ）、 ＣＣＱ Ｆ３（臨界点３９ａｔｍ、２８
．８℃）等の不燃で安全性の高いガスが好適であり、特
に、有機物等を良く溶解するから、適度な接触時間を保
って基板に付着する汚染物をガス中に拡散し、系外に排
出することができる。また、超臨界ガスに有機溶媒、例
えば、炭化水素系溶媒（ヘキサン、ベンゼン、トルエン
等）、ハロゲン化炭化水系溶媒（ジクロルメタン、フレ
オン等）、アルコール系溶媒（エタノール等）やケトン
系溶媒（アセトン等）などを第三成分として供給系４か
ら少量添加して、基板と接触することにより、親和力を
高め、多種多様な有機質汚染を除去できる。また、半導
体にとっては、無機質汚染も大きな障害となる。
例えば、Ｓｉ基板は、空気中でｎａｔｉｖｅ Ｓ ｉ○
２膜が発生し、そのまま、酸化工程を実施すると密若性
に劣り、不純な酸化膜とな委だけでなく、後続するイオ
ン注入工程におけるホウ素、リン等の基板への拡散が阻
害され、半導体の生命すら喪失することになりかねない
。この場合、上述と同様に、第三成分供給系４から酸／
アルカリ、例えば、ＨＣＱ、＋ ＨＦ ＋ ＨｚＯ２＋
Ｎ Ｈａ等を超臨界ガスに少量混合させて、基板と接
触させて、溶出させ、ガスを排出することによって、そ
れらの汚染を除去できる。前述のように、超臨界ガスの
微細部の浸透性と第三成分を超臨界ガスに選択的に含有
させることによって微細部の現在、考え得る全ての汚染
を除去し、各工程を最適化し、良質な半導体を得ること
ができる。
２膜が発生し、そのまま、酸化工程を実施すると密若性
に劣り、不純な酸化膜とな委だけでなく、後続するイオ
ン注入工程におけるホウ素、リン等の基板への拡散が阻
害され、半導体の生命すら喪失することになりかねない
。この場合、上述と同様に、第三成分供給系４から酸／
アルカリ、例えば、ＨＣＱ、＋ ＨＦ ＋ ＨｚＯ２＋
Ｎ Ｈａ等を超臨界ガスに少量混合させて、基板と接
触させて、溶出させ、ガスを排出することによって、そ
れらの汚染を除去できる。前述のように、超臨界ガスの
微細部の浸透性と第三成分を超臨界ガスに選択的に含有
させることによって微細部の現在、考え得る全ての汚染
を除去し、各工程を最適化し、良質な半導体を得ること
ができる。
次に、超臨界ガスとしてＣＯ２を使った場合の実施例を
列記する。
列記する。
〈実施例１〉
基板（Ｓｉ）の表面に超純水を付着させ、圧力１５０ａ
ｔｍ、温度５０℃の超臨界炭酸ガスを接触させたところ
、超純水は、完全に排除でき、超純水中に溶解する有機
物（全有機炭素量ＴＯＣ＝４’６ＰＰｂ）は、基板上に
残らなかった。
ｔｍ、温度５０℃の超臨界炭酸ガスを接触させたところ
、超純水は、完全に排除でき、超純水中に溶解する有機
物（全有機炭素量ＴＯＣ＝４’６ＰＰｂ）は、基板上に
残らなかった。
〈実施例２〉
ｎａｔｉｖｅ Ｓ ｊ ０２の存在する基板を実施例１
の条件下で、超臨界炭酸ガス中にＨ（１，ＨＦを含有さ
せて接触させ、最終的に超臨界炭酸ガス単独で接触させ
てから後に、基板表面に超純水を滴下したところ、疎水
性を示し、ｎａｔｉｖｅ Ｓ １０２が除去できたこと
を示した。
の条件下で、超臨界炭酸ガス中にＨ（１，ＨＦを含有さ
せて接触させ、最終的に超臨界炭酸ガス単独で接触させ
てから後に、基板表面に超純水を滴下したところ、疎水
性を示し、ｎａｔｉｖｅ Ｓ １０２が除去できたこと
を示した。
〈実施例３〉
実施例１及び２を実施した後に、熱酸化を実施したとこ
ろ、基板表面に５ｉＯｚ膜を形成できた。
ろ、基板表面に５ｉＯｚ膜を形成できた。
また、超臨界ガス中にＮ２と０２との混合ガスを基板に
接触させたところ、基板表面にＳｉＯ２膜（厚み約２０
０人）を形成した。破壊電圧の測定の評価によっても良
質な膜であった。このことから、ＣＯ２零四気下であっ
てもＣＯ２に影響されず。
接触させたところ、基板表面にＳｉＯ２膜（厚み約２０
０人）を形成した。破壊電圧の測定の評価によっても良
質な膜であった。このことから、ＣＯ２零四気下であっ
てもＣＯ２に影響されず。
酸素原子を持つ物質の含有によって酸化膜を形成できる
ことを証拠づけるものである。
ことを証拠づけるものである。
〈実施例４〉
ポジタイプの有機塗膜を施した基板（トレンチ構造）で
あり、約１０μのパターンエツチングを終了したものを
供試して、前述と同様の処理を実施したところ、塗膜は
、基板の破損なしに剥離除去された。従って、パターン
形成工程におけるホトレジストの除去と共に、その洗浄
もできることを示す。
あり、約１０μのパターンエツチングを終了したものを
供試して、前述と同様の処理を実施したところ、塗膜は
、基板の破損なしに剥離除去された。従って、パターン
形成工程におけるホトレジストの除去と共に、その洗浄
もできることを示す。
〈実施例５〉
Ｓｊ基板に、０．５，０．３μｍのコンタクトホール、
溝を刻み、トレンチ構造体を模擬した基板を同様に処理
した後に、破壊形分析手法により、その内部を調べたと
ころ、Ｓｉの他、何ら検知できず、清浄なトレンチ構造
基板を得た。超臨界炭酸ガスの微細構造体への浸透性を
示すものである。
溝を刻み、トレンチ構造体を模擬した基板を同様に処理
した後に、破壊形分析手法により、その内部を調べたと
ころ、Ｓｉの他、何ら検知できず、清浄なトレンチ構造
基板を得た。超臨界炭酸ガスの微細構造体への浸透性を
示すものである。
本発明によれば、歩留りが良く、欠陥発生が抑止される
良質な半導体が得られる。
良質な半導体が得られる。
第１図は、本発明の一実施例の半導体鋸板と超臨界ガス
を接触させるための系統図、第２図は、超臨界炭酸ガス
と他の流体の流動性の比較図、第３図は、スチレンジビ
ニルベンゼン系樹脂の細孔を本発明による超臨界炭酸ガ
スとの接触した図である。 １・・・洗浄槽、２・・・超臨界ガス供給系、３・・排
出系、４・・・第三成分供給系、５・・・フィルタ、６
・・・加熱器、・７・・−。 ヲ 第１図 １ ２／ 第２図 蛍イ狂シ梨 −２当 −ノ の ′５記＠イｉ、灰第３
図 恨細力゛ス＋ （Ｎ ４７Ｌ３）
を接触させるための系統図、第２図は、超臨界炭酸ガス
と他の流体の流動性の比較図、第３図は、スチレンジビ
ニルベンゼン系樹脂の細孔を本発明による超臨界炭酸ガ
スとの接触した図である。 １・・・洗浄槽、２・・・超臨界ガス供給系、３・・排
出系、４・・・第三成分供給系、５・・・フィルタ、６
・・・加熱器、・７・・−。 ヲ 第１図 １ ２／ 第２図 蛍イ狂シ梨 −２当 −ノ の ′５記＠イｉ、灰第３
図 恨細力゛ス＋ （Ｎ ４７Ｌ３）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、すくなくとも超臨界ガスと接触する工程を経て製造
され、最小加工寸法が０．５μｍより小さいことを特徴
とする半導体装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、 前記最小加工寸法が０．１μｍ以上１．５μｍ未満であ
ることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2752988A JPH01204427A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2752988A JPH01204427A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01204427A true JPH01204427A (ja) | 1989-08-17 |
Family
ID=12223644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2752988A Pending JPH01204427A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01204427A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0383065A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-09 | Masaru Nishikawa | レジストのパターン形成方法、レジストの除去方法及び基板の洗浄方法 |
| US5232511A (en) * | 1990-05-15 | 1993-08-03 | Semitool, Inc. | Dynamic semiconductor wafer processing using homogeneous mixed acid vapors |
| US5238871A (en) * | 1990-11-26 | 1993-08-24 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US5238500A (en) * | 1990-05-15 | 1993-08-24 | Semitool, Inc. | Aqueous hydrofluoric and hydrochloric acid vapor processing of semiconductor wafers |
| EP0822583A3 (en) * | 1996-08-01 | 1998-04-01 | Texas Instruments Incorporated | Improvements in or relating to the cleaning of semiconductor devices |
| EP0829312A3 (en) * | 1996-07-25 | 1999-09-15 | Texas Instruments Incorporated | Improvements in or relating to semiconductor devices |
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| JP2006508307A (ja) * | 2002-11-26 | 2006-03-09 | ウーデ・ハイ・プレッシャー・テクノロジーズ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | クリーンルーム内の容器を閉じる高圧装置 |
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| US7507297B2 (en) | 2002-05-20 | 2009-03-24 | Panasonic Corporation | Cleaning method and cleaning apparatus |
-
1988
- 1988-02-10 JP JP2752988A patent/JPH01204427A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
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