JPH0383065A - レジストのパターン形成方法、レジストの除去方法及び基板の洗浄方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、例えば、半導体及びその周辺分野に用いられ
る各種のデバイス基板、フォトマスク用基板、ＸＲマス
ク用用板板にリソグラフィー法を適用して微細なパター
ン加工を施す場合において、これら基板等にレジストの
パターン形成するレジストのパターン形成方法、これら
基板からレジストを除去するレジストの除去方法及びこ
れら基板に付着している異物を除去する基板の洗浄方法
に関する。

［従来の技術］ いわゆるリソグラフィー法による微細パターン形成方法
は、一般に、被加工物たる基板表面にレジストを塗布し
てレジスト膜を形成し、このレジスト膜に所望のパター
ンの露光処理を施した後、この露光処理済みの基板に現
像処理を施して前記レジストの一部を前記パターンに沿
って除去することによりレジストパターンを形成し、次
に、このレジストパターンが形成された側からエツチン
グ処理その他の加工処理を施すことにより前記基板に前
記パターンに沿った加工を行い、しかる後、前記使用済
のレジストを除去して該基板を洗浄するという手順から
なっている。

ところで、上述の手順において、前記レジストのパター
ンを形成するレジストのパターン形成方法は露光と現像
という手順によって行われるが、従来の露光・現像は以
下のようにしてなされていた。

すなわち、まず、露光は、レジスト（高分子化合物から
なる）に、電子線、Ｘ線もしくは紫外線等の放射線を所
望のパターンに沿って照射することにより行う。この放
射線の照射によって、前記レジストは、放射線を照射さ
れた部分とされない部分とで分子量が大巾に異なったり
、あるいは、構造が異なったものとなる。すなわち、放
射線照射によって主鎖切断反応が生じて低分子量化する
（このような反応をするレジストをいわゆるポジ型レジ
ストという）か、あるいは、逆に架橋反応を生じて高分
子量化しくこのような反応をするレジストをいわゆるネ
ガ型レジストという）、これにより、放射線が照射され
ない部分と分子量において著しい違いが生じたり、ある
いは、ヘキスト社製のＡＺＩ：３５０（商品名〉等のノ
ボラック系のフォトレジストのように、放射線が照射さ
れた部位に光化学反応によって特異な官能基が生じて放
射線が照射された部分とされない部分とで溶媒に対する
溶出速度に相違が生じたりする。

この露光処理の次に行われる現像処理は、要するに、前
記露光処理を経たレジストのらち低分子量を有する部分
が一般に高分子量を有する部分に比較して通常の溶剤に
溶出しやすいこと、あるいは、前記溶出速度の相違があ
ることを利用してこの低分子量の部分あるいは溶出速度
の早い部分を選択的に溶出して除去するものである。

この現像工程は、実際には、本来の現像のほかにこの現
像後に行われるリンス及び乾燥の工程、あるいは、現像
前の前処理工程等が含まれ、さらには、前記リンス工程
も２段階に別けて行われる場合もある。なお、このリン
ス工程は、前記現像の際、溶出効果の強い物質からなる
溶媒、あるいは、複数の物質の混合液が用いられるため
、これら溶媒がレジスト中に侵入し、て該レジスト膜を
膨潤させてパターンを劣化させるおそれがあるが、この
おそれを除去するために、比較的穏やかな溶媒もしくは
混合液を用いて前記レジスト中に侵入している強い溶媒
をこの穏やかな溶媒に置換し、膨潤したレジストを引き
締めるものである。

このような現像、リンス及び乾燥の処理は、実際の製造
工程においては、通常、シリコンウェハー基板等の被処
理物を回転させておき、これに溶媒をスプレーノズルか
ら噴出させて吹きかけるいわゆるスピンスプレー法が用
いられる。すなわち、まず、前記ノズルから前記強い溶
媒を噴出させて現像処理を行い、続いて、これに数秒間
オーバラップさせて前記ノズルから前記穏やかな溶媒を
噴出させてリンス処理をし、しかる後、前記基板を高速
回転させることによりいわゆるスピンドライ法による乾
燥処理を施すことでなされる。これにより、前記シリコ
ンウェハー等の基板が溶媒によって汚染されるのを極力
防止している。この場合、汚染をできるだけ少なくする
ために、いずれの工程に用いられる溶媒も汚染物や不純
物の極めて少ないクリーンなものが用いられる。

また、前記現像処理によって前記基板に形成されたレジ
ストパターンは、前記基板へのエツチング処理その他の
加工処理に供されて使用済となるが、この使用済のレジ
ストを除去するレジストの除去（剥離）方法としては従
来以下のような種々の方法が試みられていた。

■　強力な酸化作用を有する溶液、例えば、熱濃硫酸に
過酸化水素を混入した溶液を用いて使用済レジストを分
解除去する方法、 ■　有機溶媒、例えば、東京応化工業株式会社製のレジ
スト剥離剤Ｊ１００（商品名〉を用いて剥離する方法、 ■　酸素プラズマ法により、レジストを灰化して除去す
る方法。

さらに、使用済レジストが除去された基板は洗浄工程に
供されるが、従来この洗浄工程には以下の方法が試みら
れていた。

ａ、基板をＤＩ水（超純水〉中に浸して超音波洗浄し、
次に、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）水中に浸して
同じく超音波洗浄し、しかる後、ＩＰＡ又はフレオン蒸
気にて乾燥する方法、ｂ、使用済レジストが形成されて
いる基板表面にＤＩ水あるいはＤＩ水に界面活性剤（例
えばＲＢＳ等）を加えたものを吹きかけながら該基板表
面を連続的に移動させ、この基板に回転するブラシ、ス
ポンジあるいは布等を接触させて除去する方法、 Ｃ１液化ガス又は超臨界ガスに基板を接触させた後この
ガスを膨張させることによりレジスト内に侵入したガス
の膨張力によりレジストを剥離・除去する方法（例えば
、特開昭６０−１９２３３３号公報参照）。

［発明が解決しようとする課Ｍ］ ところが、上述のレジストのパターン形成方法、ガラス
１〜の除去方法及び基板の洗浄方法には以下のような問
題点があった。

すなわち、まず、前記レジストのパターン形成方法にあ
ってはその現像の処理工程は上述のように少なくとも３
工程以上の工程が必要であり、工程数が多く、処理が煩
雑であるという欠点があった。また、その際、高価な複
数種類の溶媒を多量に用いなければならず、処理コスト
がかさむとともに、火災の防止や作業者への悪影響の除
去等安全管理の観点から、現像装置や作業場たるクリー
ンルームの換気に特別な設備が必要になり、さらには、
前記現像工程がスピンコード法によって行われることか
ら、大量の廃液がでるため、この廃液の処理も大変であ
るという欠点があった。

また、前記レジストの除去方法にあっては、以下の欠点
があった。

すなわち、前記レジストの除去方法のうち■の強力な酸
化溶剤を用いる方法は、使用する溶剤がレジストの下地
である基板にまで作用してそれを損傷する場合があるの
で適用範囲が限られ、特に、例えば、基板が、表面にＩ
ＴＯ膜〈スズを含む酸化インジウムからなる透明電極膜
〉が形成された液晶パネル用基板である場合等には、前
記溶剤がＩＴＯＩＩ！を損傷するのでこの方法を適用す
ることができなかった。

また、前記■の有機溶媒を使用する方法は、溶出効果を
高めるため、通常、この有機溶媒を加熱する必要があり
、安全性に対する配慮が大変であるとともに、レジスト
の種類やプロセスの条件等によっては、有機溶媒では使
用済レジストを完全に除去しきれない場合もあった。

なお、上述の■及び■の方法は、いずれも廃液処理の問
題も抱えている。

さらに、前記■の酸素プラズマを用いる方法は、レジス
ト除去効果にはすぐれているが、装置が大掛かりとなり
、設備費がかさむとともに、基板が金属によって汚染さ
れるおそれがあるという欠点があった。

また、前記従来の洗浄方法のうち、前記（ａ）のＤＩ水
等を用いた超音波洗浄によるものは、実際には、前記Ｄ
Ｉ水もしくはＩＰＡ水溶液が複数の槽に別けて用意され
、これら各種に次々と浸漬されて超音波洗浄がなされも
ので、工程数が多く処理が煩雑であるとともに、基板が
超音波によって損傷を受けるおそれがあり、特に、例え
ば、表面に複数の薄膜が積層されてなる多層膜基板にあ
っては、内部の弱い膜が集中的に損傷を受ける場合があ
った。

また、前記（ｂ）のブラシ等によって機械的にはぎ取る
という方法は、強固なガラス基板、あるいは、未加工の
ウェハー等に対しては有効であるが、内部に柔らかい薄
膜層を有する多ＮＷＡ基板、もしくは、薄膜化されたＸ
線マスク等の基板にはその機械的強度の面から適用する
ことができなかった。なお、これら、（ａ＞、（ｂ）の
方法はいずれも廃液処理の問題も抱えている。

さらに、前記（Ｃ）の気体等の膨張力を利用する方法は
、前記（ａ）、（ｂ　）のような問題はないが、基板を
高圧容器内に収容してその内圧を急激に変化させること
から、その衝撃により基板を破損するおそれがあり、特
に、機械的強度の弱い薄膜化されたＸ線マスクや内部に
柔らかい薄膜層を有する多層膜基板等には適用できない
ものであった。

本発明の目的は、上述の欠点を除去したレジストのパタ
ーン形成方法、レジストの除去方法及び基板の洗浄方法
を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、露光処理後の基板を臨界圧未満の高圧液体中
に一定時間浸漬したところ、現像作用が得られるという
新規な事実の発見、レジストが付着している基板を臨界
圧未満の高圧液体中に一定時間浸漬したところこのレジ
ストの除去作用が得られるという新規な事実の発見、異
物が付着している基板を臨界圧未満の高圧液体中に浸漬
することにより該異物が除去されて洗浄作用が得られる
という新規な事実の発見に基づいてなされたちのであっ
て、以下の各構成を有する。（１）基板表面に塗布され
たレジストに露光処理を施して現像することにより前記
基板表面にレジストのパターンを形成するレジストのパ
ターン形成方法において、 前記現像の処理は、前記露光処理済みの基板の少なくと
も前記レジストが形成された部位を臨界圧未満の高圧液
体中に浸漬することにより行うものであることを特徴と
したレジストのパターン形成方法。

（２）基板表面に塗布されたレジストを除去するレジス
トの除去方法において、 前記基板の少なくとも前記レジストが付着している部位
を臨界圧未満の高圧液体中に浸漬することにより行うも
のであることを特徴としたレジストの除去方法。

（３）基板に付着している異物を除去する基板の洗浄力
°法において、 前記基板を臨界圧未満の高圧液体中に浸漬することによ
り洗浄を行うことを特徴とした基板の洗浄方法。

［作用］ 上述の構成（１〉において、前記露光処理によって、前
記レジストに主鎖切断反応が生じて低分子量化する（ポ
ジ型レジストの場合）か、あるいは、逆に架橋反応を生
じて高分子量化しくネガ型レジストの場合〉、これによ
り、放射線が照射さｈた部分とされない部分とで分子量
において著しい相違が生じたり、あるいは、ヘキスト社
製のＡ２１３５０（商品名〉等のノボラック系のフォト
レジストのように、放射線が照射された部位に光化学反
応によって特異な官能基が生じて放射線が照射された部
分とされない部分とで溶媒に対する溶出速度に相違が生
じたりする。

次に、この露光処理済みの基板の少なくとも前記レジス
トが形成された部位が臨界圧未満の高圧液体中に一定時
間浸漬されると、低分子量を有する部分、あるいは、溶
出速度の早い部分が選択的に前記高圧液体中に溶出され
、現像が行われ、レジストのパターンが形成される。

また、前記構成（２）において、前記レジストが付着し
た基板の少なくとも前記レジストが付着している部位を
臨界圧未満の高圧液体中に一定時間浸漬することにより
、このレジストは前記高圧液体中に溶出して該レジスト
が除去されることか確認されている。

さらに、前記構成（３）によれば、基板に付着している
異物が除去されて基板の洗浄が行われることが確認され
ている。

ここで、臨界圧とは、物質が狭義の超臨界流体になる境
界の圧力をいう。なお、超臨界流体といった場合、広義
には、高密度に圧縮しても液化しない状態、すなわち、
その物質固有の臨界温度以上に加熱された気体の総称を
意味し、はぼ理想気体に近い性質を示す低密度の状態を
も含むものであるが、狭義の超臨界流体は、常圧よりも
著しく高い圧力（例えば、数十気圧）下におかれて高い
密度に圧縮された状態、例えば、著しい場合には液体の
密度に近いか又はそれ以上の高密度に圧縮された状態の
流体を意味する。

また、高圧液体とは、常圧において気相または液相状態
の物質を、臨界温度未満の温度に保持し、その圧力を常
圧より著しく高く（例えば、１０気圧以上）保持した液
体をいう。

発明者等の考察によれば、このような高圧液体では、個
々の分子の動きが極めて活発であると推察され、このた
め、個々の分子が常圧の状態では浸透できないようなも
のにも容易に浸透してこれを溶出してしまうものと考え
られる。

［実施例］ 以下、図面を参照にしながら、本発明の実施例にかかる
レジストのパターン形成方法、レジストの除去方法及び
基板の洗浄方法について詳細に説明する。

１ニレジストのパ　−ン まず、直径３インチの円盤状シリコンウェハー表面にポ
ジ型電子線レジストであるＰＭＭＡを約５０００オング
ストロームの厚さに塗布し、これに電子線描画装置で露
光を行う。この場合の加速電圧を２０ＫＶ、ドーズ量を
５０μＣ／ａＪ、露光パターンの最小線幅をラインとス
ペースの繰返しパターンで０．５μｍとする。

次に、この露光処理済みのシリコンウェハーを高圧液体
に浸漬して現像を行う。この場合、高圧液体としては三
フッ化メタン（ＣＦ３Ｌ臨界温度２５．９℃、臨界圧４
８．１気圧、臨界密度０．５２５ｇ／　ｃｍ３）を用い
る。

第１図及び第２図は、この現像処理の情況を示す図であ
る。

図において符号１は高圧容器であり、この高圧容器１内
のほぼ中央部には網状保持体２が設けられている。

現像を行う際には、まず、前記露光済の基板３を前記網
状保持体２上に載置する。その際、前記基板３に形成さ
れた露光済のレジスト４は図中下向きとされる。なお、
場合によっては、これと逆に上向きに載置してもよい。

次に、高圧容器１を、例えば、ドライアイスで冷却した
状態で、図示しない導入口を通じて２０℃に保持した高
圧（数十気圧）の三フッ化メタンを導入する。導入後、
導入口をとじて、前記高圧容器■を密封する。しかるの
ち、前記ドライアイスを除去し、高圧容器１を室温（２
０℃）に昇温する。

導入された三フッ化メタンは第１図に示されるように、
液層部５と気層部（蒸気部）６とに分離して存在するこ
とになるが、前記基板３は前記液層部５に浸漬されるよ
うになっている。なお、このとき、前記高圧容器ｌの内
部圧力は４０気圧であった。

この状態を４時間維持する。これにより、第２図に示さ
れるように、前記基板３のレジスト４は現像されて、前
記露光パターンに沿った凹凸パターンを形成することが
できた。

こうして形成したレジストパターンのパターンの深さを
触針式の段差計（ランクテーラ−社製・タリーステップ
〉で計測したところ、３２００オングストロームであっ
た。

２；レジストのパ　−ン この実施例は、基板として、薄膜化されたＸ線マスクを
用い、このＸ線マスクを、超臨界流体に有機溶媒を添加
したものに浸漬する場合の例を示すものである。

まず、以下のようにしてＸ線マスク用ブランクを制作す
る。

直径３インチの円盤状のシリコンウェハー（厚さ；　４
００　Ｊｌｍ＞の表面に反応性スパッタ法によりＳｉＮ
の薄ｒｇＡ（厚さ；２μｍ〉を形成し、このウェハーの
裏面からエツチングを施して前記４００μｍの厚いウェ
ハーの中央部分を除去し、周囲に厚いリング上の支持枠
部を残し、中央部を厚さ２μｍの薄膜としたシリコンウ
ェハーとし、しかる後、このシリコンウェハーの表面部
にスパッタ法により、Ｘ線吸収体たるタンタル薄膜（厚
さ１０．６μｍ）を形成させることにより、Ｘ線マスク
用ブランクを得る。

次に、上記Ｘ線マスク用ブランクの表面に、２００℃で
ハードベークされたフォトレジストＡ２１３５０Ｊ−（
ヘキスト社の商品名）の膜〈厚さ；２．５μ１１１〉を
形成し、この膜の上にＳｉＯ□Ｊｌｌｌｊ（厚さ１００
０オングストローム）を形成し、最後に、回転塗布法に
より前記Ｓｉ０２　’ＩＮ上に電子線レジストＰＭＭＡ
膜（厚さ、　３０００オングストローム〉を形成する。

第３図は、こうして得られたＸ線マスク用ブランクの断
面図であり、図中、符号）１が支持枠部、１２が薄膜化
されたシリコンウェハー、１３がタンタル膜、１４がフ
第１・レジスト膜、１５がＳｉＯ□膜、１６がＰ　Ｍ　
Ｍ　Ａ　ＷＡである。

次いで、前記Ｘ線マスク用ブランクの前記電子線レジス
トＰＭＩＶ［Ａを電子線描画装置によって露光する。こ
のとき、電子線の加速電圧を２０ＫＶ、ドーズ量を６０
Ｊｉｅ／ｃｍ　２．ラインとスペースとからなる図形の
最小寸法を０．５μｍとする。

こうして露光処理を行った基板を、前記第工図に示され
る高圧容器１に収容して前記実施例１とほぼ同様にして
現像処理を行う。

この場合、前記実施例１と異なる点は、高圧液体（ＣＦ
３１１　＞に０．５重量％のメチルイソブチルケトン（
ＭｉＢＫ）が添加されることと、高圧容器１の温度を１
６℃で１０分間維持する点である。

これにより、前記ＰＭＭＡレジストに凹凸バタンが形成
される。その場合、パターンの深さは前記触針式段差計
により測定したところ、３０００オングストロームでっ
た。また、前記凹凸パターンの四部には前記Ｓ！０２膜
が完全に露出していることが確認された。

上述のように、この実施例では、前記実施例〕に比較し
て現像時間を著しく短縮することができた。

この実施例は、前記第２実施例でレジストのパターン形
成を行ったＸ線マスクの使用済レジストの除去・洗浄方
法である。

まず、前記実施例２によってＰＭＭＡ電子線レジスト１
６（第４図）に形成されたレジストパターン上からりア
クティブ・イオン・エツチング（ＲＩＥ）を施して、前
記Ｓ！０２膜１．５に前記レジストパターンを転写し、
次に、これらパターンが形成されたＰＭＭＡレジスト膜
１６及びＳｉＯ２［１５上から酸素ガスを用いたＲＩＥ
を施して、このパターンを前記フォトレジストＡＺ１３
５０、、Ｔ　Ｍ　１４に転写する。しかる後、このフオ
トレジス１−ＡＺ１３５０Ｊの膜１４上からＣＬ２ガス
を用いたＲＩＥを施し、前記Ｘ線吸収体であるタンタル
膜１３をエツチングすることにより、前記シリコン薄膜
１−２上に形成されたタンタル膜１３に所望のパターン
を形成できる。第４図はこうして得られた基板を示す断
面図である。ところで、このタンタル膜１３上には厚さ
約１．５μｍの使用済ガラスＩ”　（Ａ、Ｚｉ　３５０
Ｊ）１４ａが残留している。

そこで、次に、この使用済レジストｉ　４　ａが残留し
ている基板を前記第１図に示される高圧容器１力網状保
持体２上に載置し、前記高圧容器ｌ内に、２５°Ｃにお
いて使用済レジストＬ４ａが十分に漫ろＢｙ三フッ化メ
タンと、７重量％となる量のＭｉＢＫを導入し、前記高
圧容器を２５℃で４５分間維持する。これにより、前記
使用済レジストの除去及び基板の洗浄がなされる。なお
、このとき、前記高圧容器内の圧力は４５気圧であった
。

このようにして使用済レジストの除去・洗浄を行った基
板を集光ランプによる斜光照明による肉眼Ｒ察、及び、
光学Ｍ微鏡による５０倍の拡大観察を行った結果、レジ
ストの残留その他異物は全く認められず、極めて清浄な
表面状態であるとともに、前記２μｍ厚のＳｉＮ膜は全
く破損されていないことが確認されている。

（４；　　　レジストの除　・　゛方法）この実施例は
、基板として、表面に８層からなる薄膜が積層されたエ
レクトロルミネセンス（ＥＬ）パネルを用い、最上層の
ＡＬｌｌｉにフォトレジストＡ２１３５０Ｊを用いて配
線パターンを形成したものを用い、これに残留している
使用済レジストの除去・洗浄を行う場合の例である。

この使用済レジストが残留している基板を前記第１図に
示される高圧容器１の網状保持体２上に載置し、前記高
圧容器］−内に、２５°Ｃにおいて前記使用済レジスト
が充分浸る量の三フッ化メタンと、５重量％となる量の
ＭｉＢＫを導入し、前記高圧容器を２５℃で３０分間維
持する。このとき、前記高圧容器内部の圧力は４５気圧
であった。これにより・前記使用済レジストの除去・洗
浄がなされた。

このようにして使用済レジストの除去・洗浄を行った基
板を集光ランプによる斜光照明による肉眼観察、及び、
光学顕微鏡による５０倍の拡大観察を行った結果、レジ
ストの残留その地異物は全く認められず、極めて清浄な
表面状態であるとともに、前記ＥＬパネルの動作試験に
おいても内部層の破壊は全く生じていないことが確認さ
れた。

以上の実施例によれば、強力な酸化作用を有する溶媒を
用いたり、あるいは、基板全体に機械的振動（前記超音
波を用いる場合）や衝撃力（前記気体の膨張力を利用す
る場合）を与える必要がなく、超臨界流体の分子が直接
接触するレジストだけに必要な作用を及ぼして現像、除
去もしくは洗浄を行うものであることから、下地の基板
や薄膜を破損することなく現像、除去もしくは洗浄を行
うことができる。

さらに、用いる液体は、比較的不活性なガス、あるいは
、これに極めて少量の有機溶媒を添加したものを用い、
これらに一定時間浸漬するだけであるから、工程が極め
て単純であるとともに、廃液処理等の後処理も従来に比
較して著しく容易であるというすぐれた利点を有してい
る。

なお、以上の実施例においては、高圧液体として三フッ
化メタンを用いた例を掲げたが、これは、必ずしも三フ
ッ化メタンに限られることなく、例えば、Ａｒ、　Ｋｒ
、　Ｘｅ等の他の不活性物質あるいはＣＯ２でもよく、
また、これら不活性物質に比較して火災等に対する安全
性に多少劣るが、例えばＣＨ４等の低級炭化水素類、Ｃ
Ｆ、　Ｈ以外のフロン類を用いることもできる。

さらに、前記各実施例ではレジストとしてフォトレジス
トを用いた例を掲げたが、これも、例えば、ＰＭＭＡ等
の電子線レジストでもよく、また、ポリイミド等の他の
有機高分子膜でもよい。

［発明の効果］ 以上詳述したように、本発明は、露光処理済の基板、レ
ジストの付着した基板あるいは異物の付着した基板を高
圧液体に一定時間浸漬することにより、現像、レジスト
の除去もしくは基板の洗浄を行うようにしたもので、こ
れにより、工程を極めて単純にし、基板破損のおそれを
除去するとともに、廃液処理を著しく軽減するというす
ぐれた効果を得ている。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の実施例にかかるレジストの
パターン形成方法における現像処理の情況を示す図、第
３図はＸ線マスク用ブランクを示す断面図、第４図は残
留レジストが付着した状態のＸ線マスクを示す断面図で
ある。 工・・・高圧容器、 ３・・・露光済の基板、 ４・・・露光済のレジスト、 ７・・・高圧液体、 １４ａ・・・使用済レジスト。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板表面に塗布されたレジストに露光処理を施し
   て現像することにより前記基板表面にレジストのパター
   ンを形成するレジストのパターン形成方法において、 前記現像の処理は、前記露光処理済みの基板の少なくと
   も前記レジストが形成された部位を臨界圧未満の高圧液
   体中に浸漬することにより行うものであることを特徴と
   したレジストのパターン形成方法。
2. （２）基板表面に塗布されたレジストを除去するレジス
   トの除去方法において、 前記基板の少なくとも前記レジストが付着している部位
   を臨界圧未満の高圧液体中に浸漬することにより行うも
   のであることを特徴としたレジストの除去方法。
3. （３）基板に付着している異物を除去する基板の洗浄方
   法において、 前記基板を臨界圧未満の高圧液体中に浸漬することによ
   り洗浄を行うことを特徴とした基板の洗浄方法。