JPH01204433A - Ｍｏｓ半導体装置とその製造方法 - Google Patents
Ｍｏｓ半導体装置とその製造方法Info
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- JPH01204433A JPH01204433A JP2817288A JP2817288A JPH01204433A JP H01204433 A JPH01204433 A JP H01204433A JP 2817288 A JP2817288 A JP 2817288A JP 2817288 A JP2817288 A JP 2817288A JP H01204433 A JPH01204433 A JP H01204433A
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、コンピューター等の電子機器に用いられて
いる半導体装置に関する。
いる半導体装置に関する。
この発明は、半導体装置において、半導体装置のパッシ
ベーション膜を、二酸化シリコン膜とその上に形成した
シリコンナイトライド膜とからなる２ｒｒＪ構造膜とす
るとともに、前記シリコンナイト膜に水素拡散用ホール
を設けることにより、ホントエレクトロントランプによ
る半導体装置の劣化を防いだものである。
ベーション膜を、二酸化シリコン膜とその上に形成した
シリコンナイトライド膜とからなる２ｒｒＪ構造膜とす
るとともに、前記シリコンナイト膜に水素拡散用ホール
を設けることにより、ホントエレクトロントランプによ
る半導体装置の劣化を防いだものである。
従来、第２図に示すように、ＭＯＳ型半導体装置のアル
ミ配線の上に形成されているパッシベーション膜１１は
、耐湿性に強いシリコンオキシナイトライド膜が一般的
である。
ミ配線の上に形成されているパッシベーション膜１１は
、耐湿性に強いシリコンオキシナイトライド膜が一般的
である。
しかし、シリコンオキシナイトライド膜をパ・ノシベー
ション膜として用いたＭＯＳ型半導体装置の場合は、シ
リコンナイトライド膜中の水素が、ゲート酸化膜４まで
拡散し、ドレイン領域３の近くで発生するホットエレク
トロンが、ゲート酸化膜にトラップされやすくなるため
、ＭＯＳトランジスタが経時変化するという問題点が指
摘されている。特に、ホットエレクトロンが発生しやす
い微細ＭＯＳＩ−ランジスタでは、劣化が著しくなる。
ション膜として用いたＭＯＳ型半導体装置の場合は、シ
リコンナイトライド膜中の水素が、ゲート酸化膜４まで
拡散し、ドレイン領域３の近くで発生するホットエレク
トロンが、ゲート酸化膜にトラップされやすくなるため
、ＭＯＳトランジスタが経時変化するという問題点が指
摘されている。特に、ホットエレクトロンが発生しやす
い微細ＭＯＳＩ−ランジスタでは、劣化が著しくなる。
Ｊ、 Ｍｉｔｓｕｈａｓｈｉ ｅｌ ａｌ ” ＭＥＣ
ＩＩＡＮＩＣＡＬ ５ＴＲＥＳＳ ＡＮＤ１１ＹＤＲＯ
Ｇ［ＥＮ ＩＥＦＦＥＣＴＳ ＯＮ ｌｌ０Ｔ
ＣＡＩ？ＲＩＥＲＩＮＪＥＣＴＩＯＮ ”ＩＥＤＭ
１９８６ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ
ｐｐ３８６そこで、この発明は従来のこのような欠点を
解決するために、ホットエレクトロンがトラップしにく
く、ＭＯＳトランジスタの経時変化の少ない半導体装置
を得ることを目的としている。
ＩＩＡＮＩＣＡＬ ５ＴＲＥＳＳ ＡＮＤ１１ＹＤＲＯ
Ｇ［ＥＮ ＩＥＦＦＥＣＴＳ ＯＮ ｌｌ０Ｔ
ＣＡＩ？ＲＩＥＲＩＮＪＥＣＴＩＯＮ ”ＩＥＤＭ
１９８６ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ
ｐｐ３８６そこで、この発明は従来のこのような欠点を
解決するために、ホットエレクトロンがトラップしにく
く、ＭＯＳトランジスタの経時変化の少ない半導体装置
を得ることを目的としている。
上記問題点を解決するために、この発明は、ゲート酸化
膜内の水素が半導体装置の外へ拡散できるように、拡散
用のパッシベーション膜をオキシナイトライド膜から成
るパッシベーション膜の下側に設けることにより、ゲー
ト酸化膜中の水素を熱処理により外部に拡散することに
より、ホットエレクトロントランプの増加をおさえ、Ｍ
ＯＳ）ランジスタの経時変化をおさえた。
膜内の水素が半導体装置の外へ拡散できるように、拡散
用のパッシベーション膜をオキシナイトライド膜から成
るパッシベーション膜の下側に設けることにより、ゲー
ト酸化膜中の水素を熱処理により外部に拡散することに
より、ホットエレクトロントランプの増加をおさえ、Ｍ
ＯＳ）ランジスタの経時変化をおさえた。
〔実施例〕
以下に、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は、本発明のＭＯＳ型半導体装置の断面図である
。シリコン基板１の表面にＮ４型のソース領域２とドレ
イン領域３を形成する。ソース領域２とドレイン領域３
との間の基板１の表面には、ゲート酸化膜４を介してデ
ー１−電極５を形成する。各々の領域への電圧印加は、
Ａβ配線７．８を介して行う。さらに、半導体装置を外
部からの異物浸入を防ぐためにパッシベーション膜を最
後に形成する。本発明のパッシベーション膜は、第１層
のパッシベーション膜１０と第２層のパッシベーション
膜１１とから形成されている。第２層のパッシベーショ
ン膜１１は、シリコンナイトライド膜であり、膜が非常
に緻密であるため、水及び水素などの浸入に対しても半
導体装置を保護する能力がある。しかし、シリコンナイ
トライド膜１１には、形成時に非常に多くの水素が含ま
れている。従ってその水素は、拡散してゲート酸化膜４
にも多量に入ってしまう。しかし、ソース領域２とドレ
イン領域３との間に十ノドエレクトロンが発生すると、
ホットエ！／り１０ンは、水素が原因になって、ゲート
酸化膜４にトラップされる。即ち、ＭＯＳ）ランジスタ
の特性は、このトラップによって経時変化してしまう。
。シリコン基板１の表面にＮ４型のソース領域２とドレ
イン領域３を形成する。ソース領域２とドレイン領域３
との間の基板１の表面には、ゲート酸化膜４を介してデ
ー１−電極５を形成する。各々の領域への電圧印加は、
Ａβ配線７．８を介して行う。さらに、半導体装置を外
部からの異物浸入を防ぐためにパッシベーション膜を最
後に形成する。本発明のパッシベーション膜は、第１層
のパッシベーション膜１０と第２層のパッシベーション
膜１１とから形成されている。第２層のパッシベーショ
ン膜１１は、シリコンナイトライド膜であり、膜が非常
に緻密であるため、水及び水素などの浸入に対しても半
導体装置を保護する能力がある。しかし、シリコンナイ
トライド膜１１には、形成時に非常に多くの水素が含ま
れている。従ってその水素は、拡散してゲート酸化膜４
にも多量に入ってしまう。しかし、ソース領域２とドレ
イン領域３との間に十ノドエレクトロンが発生すると、
ホットエ！／り１０ンは、水素が原因になって、ゲート
酸化膜４にトラップされる。即ち、ＭＯＳ）ランジスタ
の特性は、このトラップによって経時変化してしまう。
そこで、本発明は、ゲートａ化膜４の中の水素が外へ逃
げるための層を形成した。即ち、第１層のパッシベーシ
ョン膜である。水素を拡１１にシにくいシリコンナイト
ライド膜１１を拡散ホール１２を形成すれば、ゲート酸
化１２４内の水素は、矢印へのように、第ｉｌｌのパッ
シベーション膜を介して、拡散ホール１２より外部へ逃
げることができる。Ａｌ！１１！線の下に設けられてい
る中間絶縁膜あるいはフィールド酸化膜６を介しては、
逃げることは難しい。理由は、中間絶縁膜あるいは、フ
ィールド酸化膜は、一般に８５０℃以上の高温プロセス
を経てきているために、水素の拡散係数が小さいためで
ある。そこで、本発明は、６００℃以下の温度で形成し
た二酸化シリコン膜を、第１のパッシベーション膜１０
として用いている。低温で形成した膜であるため、水素
の拡散係数が大きい。
げるための層を形成した。即ち、第１層のパッシベーシ
ョン膜である。水素を拡１１にシにくいシリコンナイト
ライド膜１１を拡散ホール１２を形成すれば、ゲート酸
化１２４内の水素は、矢印へのように、第ｉｌｌのパッ
シベーション膜を介して、拡散ホール１２より外部へ逃
げることができる。Ａｌ！１１！線の下に設けられてい
る中間絶縁膜あるいはフィールド酸化膜６を介しては、
逃げることは難しい。理由は、中間絶縁膜あるいは、フ
ィールド酸化膜は、一般に８５０℃以上の高温プロセス
を経てきているために、水素の拡散係数が小さいためで
ある。そこで、本発明は、６００℃以下の温度で形成し
た二酸化シリコン膜を、第１のパッシベーション膜１０
として用いている。低温で形成した膜であるため、水素
の拡散係数が大きい。
従って、Ａ１のアロイ温度よりも低い３００℃以下の熱
処理により、ゲート酸化膜４の中の水素は、容易に矢印
のように第１のパッシベーション膜１０を介して外部へ
逃げることができる。この二酸化ノリコン膜である第１
のバノシヘーンヨン膜１０の水素の拡散係数は、その膜
中のリン濃度にも依存している。第３図は、リン濃度が
０．５％以下のＮＳＣ膜と３％のＰＳＧ膜の場合のアニ
ールによるホントエレクトロントラップの減少を示した
グラフである。リン濃度が０．５％以下であれば、水素
の拡散が早く、ホットエレクトロントランプによる劣化
も少ない。又、この水素拡散用の第１のパッシベーショ
ン膜１０は、膜厚が厚い方が、拡散しやすい。第４図は
、ホットエレクトロントラップによるＭＯＳトランジス
タの闇値電圧の変化△■■の膜厚依存性を示したグラフ
である。膜厚は、２０００Å以上にすることにより、△
ＶＴＭを少なくすることができる。
処理により、ゲート酸化膜４の中の水素は、容易に矢印
のように第１のパッシベーション膜１０を介して外部へ
逃げることができる。この二酸化ノリコン膜である第１
のバノシヘーンヨン膜１０の水素の拡散係数は、その膜
中のリン濃度にも依存している。第３図は、リン濃度が
０．５％以下のＮＳＣ膜と３％のＰＳＧ膜の場合のアニ
ールによるホントエレクトロントラップの減少を示した
グラフである。リン濃度が０．５％以下であれば、水素
の拡散が早く、ホットエレクトロントランプによる劣化
も少ない。又、この水素拡散用の第１のパッシベーショ
ン膜１０は、膜厚が厚い方が、拡散しやすい。第４図は
、ホットエレクトロントラップによるＭＯＳトランジス
タの闇値電圧の変化△■■の膜厚依存性を示したグラフ
である。膜厚は、２０００Å以上にすることにより、△
ＶＴＭを少なくすることができる。
本発明の半導体装面の断面図を第１図に示したが、特別
に、水素拡散用ホール１２を形成しなくても、水素を外
に逃がすことができる。即ち、水素拡散用の第１のパッ
シベーション膜１０が外部に一部分出ていれば、その部
分より水素は外へ拡散することができる。従って、バッ
ドの形成時に、第１のパソシベーシゴンＨ々と第２のパ
ッシベーション膜を同じパターンで穴あけすることによ
って、形成できる。
に、水素拡散用ホール１２を形成しなくても、水素を外
に逃がすことができる。即ち、水素拡散用の第１のパッ
シベーション膜１０が外部に一部分出ていれば、その部
分より水素は外へ拡散することができる。従って、バッ
ドの形成時に、第１のパソシベーシゴンＨ々と第２のパ
ッシベーション膜を同じパターンで穴あけすることによ
って、形成できる。
この発明は、以と説明したように、パッシベーション膜
を、水素拡散用の第１のパッシベーション膜と、水素含
有量の多いプラズマナイトライド膜から成る第２のパッ
シベーション膜とから構成することにより、ホットエレ
クトロントラップの少ない安定なＭＯ５型半導体装置を
供給することができる。
を、水素拡散用の第１のパッシベーション膜と、水素含
有量の多いプラズマナイトライド膜から成る第２のパッ
シベーション膜とから構成することにより、ホットエレ
クトロントラップの少ない安定なＭＯ５型半導体装置を
供給することができる。
第１図は、この発明にかかる半導体装置の断面図、第２
図は、従来の半導体装置の断面図、第３図は、本発明の
半導体装置におけるホットエレクトロントラップによる
闇値電圧変化とパッシベーション膜の特性図、第４図は
、バンシベーション膜厚の特性図である。 １・・・半導体基板 ２・・・Ｎ°ソース領域 ３・ ・ ・Ｎｏ ドレイン領域 ４・・・ゲート酸化膜 ５・・・ゲート１掻 １０・・・第１のパッシベーション膜 １１・・・シリコンナイトライド膜 １２・・・水素拡散用ホール 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 牛ｉ伴装置の断面図 第 １ 図 従来の＃−導昧装の断面図 第２図 アニール將間（ｌ１１？間） ホットエレクトロントララフ゛量ヒアニール叫聞の特性
７第 ３ 図 Ｎｓｅ ＄厚（入） ホットエしクトロントラ・ノブ萱とＮ５６ＭＮ−の特惺
図第 ４ 図
図は、従来の半導体装置の断面図、第３図は、本発明の
半導体装置におけるホットエレクトロントラップによる
闇値電圧変化とパッシベーション膜の特性図、第４図は
、バンシベーション膜厚の特性図である。 １・・・半導体基板 ２・・・Ｎ°ソース領域 ３・ ・ ・Ｎｏ ドレイン領域 ４・・・ゲート酸化膜 ５・・・ゲート１掻 １０・・・第１のパッシベーション膜 １１・・・シリコンナイトライド膜 １２・・・水素拡散用ホール 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 牛ｉ伴装置の断面図 第 １ 図 従来の＃−導昧装の断面図 第２図 アニール將間（ｌ１１？間） ホットエレクトロントララフ゛量ヒアニール叫聞の特性
７第 ３ 図 Ｎｓｅ ＄厚（入） ホットエしクトロントラ・ノブ萱とＮ５６ＭＮ−の特惺
図第 ４ 図
Claims (1)
- ＭＯＳ型半導体装置において、前記ＭＯＳ型半導体装
置のパッシベーション膜を、６００℃以下で形成した二
酸化シリコン膜と、シリコンナイトライド膜とから成る
二層構造膜にするとともに、水素拡散用の前記シリコン
ナイトライド膜の穴を設けたことを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63028172A JP2668118B2 (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | Ｍｏｓ半導体装置とその製造方法 |
| US07/269,434 US5065222A (en) | 1987-11-11 | 1988-11-09 | Semiconductor device having two-layered passivation film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63028172A JP2668118B2 (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | Ｍｏｓ半導体装置とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01204433A true JPH01204433A (ja) | 1989-08-17 |
| JP2668118B2 JP2668118B2 (ja) | 1997-10-27 |
Family
ID=12241316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63028172A Expired - Lifetime JP2668118B2 (ja) | 1987-11-11 | 1988-02-09 | Ｍｏｓ半導体装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2668118B2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58145137A (ja) * | 1982-02-23 | 1983-08-29 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
| JPS60154131A (ja) * | 1984-01-25 | 1985-08-13 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 係留用ロ−プの方位角、張力測定装置 |
| JPS61150377A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-09 | Toshiba Corp | Ｍｉｓ型半導体装置の製造方法 |
| JPS61154131A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-12 | Toshiba Corp | 絶縁ゲ−ト型電界効果半導体装置 |
| JPS6341063A (ja) * | 1986-08-07 | 1988-02-22 | Matsushita Electronics Corp | Ｍｏｓ集積回路の製造方法 |
-
1988
- 1988-02-09 JP JP63028172A patent/JP2668118B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58145137A (ja) * | 1982-02-23 | 1983-08-29 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
| JPS60154131A (ja) * | 1984-01-25 | 1985-08-13 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 係留用ロ−プの方位角、張力測定装置 |
| JPS61150377A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-09 | Toshiba Corp | Ｍｉｓ型半導体装置の製造方法 |
| JPS61154131A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-12 | Toshiba Corp | 絶縁ゲ−ト型電界効果半導体装置 |
| JPS6341063A (ja) * | 1986-08-07 | 1988-02-22 | Matsushita Electronics Corp | Ｍｏｓ集積回路の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2668118B2 (ja) | 1997-10-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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