JPH01205428A - 気相エピタキシャル成長装置 - Google Patents
気相エピタキシャル成長装置Info
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- JPH01205428A JPH01205428A JP2925688A JP2925688A JPH01205428A JP H01205428 A JPH01205428 A JP H01205428A JP 2925688 A JP2925688 A JP 2925688A JP 2925688 A JP2925688 A JP 2925688A JP H01205428 A JPH01205428 A JP H01205428A
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- substrate
- reaction tube
- epitaxial growth
- tube
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
光照射型気相エピタギノヤル成長装置に関し、エピタキ
シャル成長用反応管の内壁にエピタキシャル成長用ガス
の分解生成物がイ；］着してエピタキシャル成長用光源
の光が反応管内に透過し難くなるのを防止した装置の提
供を目的とし、エピタキシャル成長用基板を設置するザ
セプクを収容する反応管と、該反応管に連なりエピタキ
シャル成長用ガスを導入するガス導入管と、エピタキシ
ャル成長後のガスを排出するガス排出管と、反応管の外
部から基板」−を照射しエピタキシャル成長用ガスを分
解する光源と、前記反応管内に収容され、長手方向の両
端部が反応管の垂直方向の壁面に対して所定の間隔を有
し、導入されるガス流に対してほぼ平行で、かつ基板上
より所定の間隔を有する仕切り板を設け、 前記エピタキシャル成長用ガスを基板と仕切り板との間
に導入するとともに、エビクキシャル成長後のガスが仕
切り板上を通過し、光源が照射される反応管の内壁に沿
って流れるようなテーパーを反応管の壁面に設けたこと
で構成する。
シャル成長用反応管の内壁にエピタキシャル成長用ガス
の分解生成物がイ；］着してエピタキシャル成長用光源
の光が反応管内に透過し難くなるのを防止した装置の提
供を目的とし、エピタキシャル成長用基板を設置するザ
セプクを収容する反応管と、該反応管に連なりエピタキ
シャル成長用ガスを導入するガス導入管と、エピタキシ
ャル成長後のガスを排出するガス排出管と、反応管の外
部から基板」−を照射しエピタキシャル成長用ガスを分
解する光源と、前記反応管内に収容され、長手方向の両
端部が反応管の垂直方向の壁面に対して所定の間隔を有
し、導入されるガス流に対してほぼ平行で、かつ基板上
より所定の間隔を有する仕切り板を設け、 前記エピタキシャル成長用ガスを基板と仕切り板との間
に導入するとともに、エビクキシャル成長後のガスが仕
切り板上を通過し、光源が照射される反応管の内壁に沿
って流れるようなテーパーを反応管の壁面に設けたこと
で構成する。
本発明は光照射型気相エピタキシャル成長装置に関する
。
。
赤外線検知素子形成材料としてエネルギーバンドギャッ
プの狭い水銀・力ＩＳミウム・テルル（ｌ１ｇ １−
ｘＣｃｌゆＴｅ）の化合物半導体結晶が用いられており
、このような１１ｇ１−ｘ ＣｄＸＴｅの結晶を素子形
成用に都合か良いように大面積で、かつ薄膜で得ること
が必要となる。
プの狭い水銀・力ＩＳミウム・テルル（ｌ１ｇ １−
ｘＣｃｌゆＴｅ）の化合物半導体結晶が用いられており
、このような１１ｇ１−ｘ ＣｄＸＴｅの結晶を素子形
成用に都合か良いように大面積で、かつ薄膜で得ること
が必要となる。
このような要求を満たず方法として反応管内に収容され
たカドミウムテルノ喧ｃｄＴｅ）の基板」二にシノチル
カＩ・ミウム（（ＣＩｌ：ｌ） ｚｃｄ ） 、ジエチ
ルテルル（（Ｃｌｌｚｌｌ、）ｚＴｅ）のようなエピタ
：）−ンヤル成長用ガスを導入し、基板を加熱して前記
エピタキシャル成長用ガスを分解し、この分解した成分
を基板に被着させるＭ ＯＣＶ Ｄ （Ｍｅｔａｌ Ｏ
ｒｇａｎｉｃ ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ；有機金属化学気相成長）方法が用いられ
ている。
たカドミウムテルノ喧ｃｄＴｅ）の基板」二にシノチル
カＩ・ミウム（（ＣＩｌ：ｌ） ｚｃｄ ） 、ジエチ
ルテルル（（Ｃｌｌｚｌｌ、）ｚＴｅ）のようなエピタ
：）−ンヤル成長用ガスを導入し、基板を加熱して前記
エピタキシャル成長用ガスを分解し、この分解した成分
を基板に被着させるＭ ＯＣＶ Ｄ （Ｍｅｔａｌ Ｏ
ｒｇａｎｉｃ ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ；有機金属化学気相成長）方法が用いられ
ている。
このようなＭ ＯＣＶ Ｉ）法に於いてエピタキシャル
成長用基板に紫外線を照射して、エピクキシャル成長ガ
スが分解して基板に付着する分解速度を促進し、基板の
成長温度を低下さ−Ｕた光気相成長方法が最近用いられ
ている。
成長用基板に紫外線を照射して、エピクキシャル成長ガ
スが分解して基板に付着する分解速度を促進し、基板の
成長温度を低下さ−Ｕた光気相成長方法が最近用いられ
ている。
通常このような光気相成長装置は、反応管の内壁にエピ
タキシャル成長用ガスの分解生成物が付着し、この生成
物が光源からの光の透過を妨げ、基板上に光が到達する
効率が悪くなる。
タキシャル成長用ガスの分解生成物が付着し、この生成
物が光源からの光の透過を妨げ、基板上に光が到達する
効率が悪くなる。
そこで従来、このような分解生成物が反応管の内壁に付
着するのを防止した装置が提案されていた。
着するのを防止した装置が提案されていた。
第２閃は反応管の内壁面にエピタキシャル成長用カスの
反応生成物のイ」着を防止した装置で、図示するように
反応管１内にエピタキシャル成長用基板２を設置したサ
セプタ３を設け、反応管１の外部に基板に紫外線を照射
する光ａ４を設置する。
反応生成物のイ」着を防止した装置で、図示するように
反応管１内にエピタキシャル成長用基板２を設置したサ
セプタ３を設け、反応管１の外部に基板に紫外線を照射
する光ａ４を設置する。
更に反応管１の直径方向よりみて基板２が設置されてい
る中央の領域にはエピタキシャル成長用ガスが流れるよ
うなガス導入管５を設け、更に反応管の上部方向に沿っ
て高温の水素ガスが流れるようなガス導入管６を設け、
更に反応管の下部方向に’ｔ９って低温の水素ガスが流
れるようなガス導入管７を設ける。
る中央の領域にはエピタキシャル成長用ガスが流れるよ
うなガス導入管５を設け、更に反応管の上部方向に沿っ
て高温の水素ガスが流れるようなガス導入管６を設け、
更に反応管の下部方向に’ｔ９って低温の水素ガスが流
れるようなガス導入管７を設ける。
このようにエピタキシャル成長用ガスの上下を成長用ガ
スの成分を含まない別個のガスを層状に流すことで、反
応管の内壁にエピタキシャル成長用ガスが接触しないよ
うにして、エピタキシャル成長用ガスの分解生成物が反
応管の内壁面に付着しないようにしている。
スの成分を含まない別個のガスを層状に流すことで、反
応管の内壁にエピタキシャル成長用ガスが接触しないよ
うにして、エピタキシャル成長用ガスの分解生成物が反
応管の内壁面に付着しないようにしている。
〔発明が解決しようとする課題］
ところでこのようにエピタキシャル成長用ガスの他に、
反応管の内壁の分解生成物除去用のガスを別個に反応管
内に導入する従来の装置では、ごの導入されたガスによ
ってエピタキシャル成長用ガスの濃度を精度良く制御す
ることが困難で所望の組成のエピタキシャル結晶が精度
良く形成できない問題点がある。
反応管の内壁の分解生成物除去用のガスを別個に反応管
内に導入する従来の装置では、ごの導入されたガスによ
ってエピタキシャル成長用ガスの濃度を精度良く制御す
ることが困難で所望の組成のエピタキシャル結晶が精度
良く形成できない問題点がある。
また反応管に生成物が付着しないようなガスの導入管を
別個に設ける必要があり、装置が複雑な構造となる。
別個に設ける必要があり、装置が複雑な構造となる。
本発明は一上記した問題点を除去し、反応生成物が反応
管の内壁面に（（着しないようにした気相エピタキシャ
ル成長装置の提供を目的とする。
管の内壁面に（（着しないようにした気相エピタキシャ
ル成長装置の提供を目的とする。
〔課題を解決するための手段］
上記目的を達成する本発明の気相エピタキシャル成長装
置は、第１回に示すようにエピタキシャル成長用基板１
１を設置するザセブタ１２を収容する反応管１３と、該
反応管１３に連なりエピタキシャル成長用ガスを導入す
るガス導入管１４と、エピタキシャル成長後のガスを排
出するガス排出管１５と、反応管の外部から基板１−、
を照射しエピタキシャル成長用ガスを分解する光ｒＡ＋
６と、前記反応管内に収納され、長手方向の両端部が反
応管の垂直方向の壁面に対して所定の間隔を有し、基板
−１，より所定の間隔を有する仕切り板１７とを設Ｊｌ
、前記エピタキシャル成長用カスを基板と仕切り板との
間に導入するとともに、エピタキシャル成長後のカスが
仕切り板上を通過し、光源が照射される反応管の内壁に
沿って流れるようなテーパー（１８Ａ、 １ｆ３１１．
１８Ｃ）を反応管の内壁面に設げたことて柘成する。
置は、第１回に示すようにエピタキシャル成長用基板１
１を設置するザセブタ１２を収容する反応管１３と、該
反応管１３に連なりエピタキシャル成長用ガスを導入す
るガス導入管１４と、エピタキシャル成長後のガスを排
出するガス排出管１５と、反応管の外部から基板１−、
を照射しエピタキシャル成長用ガスを分解する光ｒＡ＋
６と、前記反応管内に収納され、長手方向の両端部が反
応管の垂直方向の壁面に対して所定の間隔を有し、基板
−１，より所定の間隔を有する仕切り板１７とを設Ｊｌ
、前記エピタキシャル成長用カスを基板と仕切り板との
間に導入するとともに、エピタキシャル成長後のカスが
仕切り板上を通過し、光源が照射される反応管の内壁に
沿って流れるようなテーパー（１８Ａ、 １ｆ３１１．
１８Ｃ）を反応管の内壁面に設げたことて柘成する。
本発明の装置は反応生成物の付着防止用のガスを、エピ
タキシャル成長用ガスとは別個のガスを反応管内に導入
することなく、エピタキシャル成長用ガスの一部を反応
管の光が照射される内壁面に沿って還流さ−Ｕ、ごの還
流ガスと反応管に導入されるエピタキシャル成長用ガス
とが基板」−で互し料こガス流の方向か変わるような状
態とし、この相互にガス流の異なるガスによって反応管
の内壁に基板、或いはサセプタからの熱が伝達しないよ
うにする。
タキシャル成長用ガスとは別個のガスを反応管内に導入
することなく、エピタキシャル成長用ガスの一部を反応
管の光が照射される内壁面に沿って還流さ−Ｕ、ごの還
流ガスと反応管に導入されるエピタキシャル成長用ガス
とが基板」−で互し料こガス流の方向か変わるような状
態とし、この相互にガス流の異なるガスによって反応管
の内壁に基板、或いはサセプタからの熱が伝達しないよ
うにする。
以下、図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明の気相エピタキシャル成長装置の説明図
である。
である。
図示するように反応管１３の内部にエピタキシャル成長
用のＣｄＴｅの基板１１を設置した石英或いはグラファ
イト製のサセプタ１２を収容する。反応管１３の一端部
には水平方向にガス導入管１４が設けられ、該反応管１
３の他端部には垂直方向にガス排出管１５が設けられて
いる。この基板１２上には所定の間隔ｉを隔てて、ガス
導入管１４より導入されるガスの流れに対してほぼ平行
な方向に、かつ反応管１３の両端部の内壁面より所定の
間隔ｄを設け、かつ基板上部か開口された石英製の仕切
り板１７を設ける。
用のＣｄＴｅの基板１１を設置した石英或いはグラファ
イト製のサセプタ１２を収容する。反応管１３の一端部
には水平方向にガス導入管１４が設けられ、該反応管１
３の他端部には垂直方向にガス排出管１５が設けられて
いる。この基板１２上には所定の間隔ｉを隔てて、ガス
導入管１４より導入されるガスの流れに対してほぼ平行
な方向に、かつ反応管１３の両端部の内壁面より所定の
間隔ｄを設け、かつ基板上部か開口された石英製の仕切
り板１７を設ける。
また反応管１３の両端部の上部及び下部の隅の部分Ｃ３
１導入されたエピタキシャル成長用ガスが仕切り板１７
の＋を通過して還流できるよ・うなテーパー１２（Ａ、
１８１＋、 １１３ｃを設ける。更に導入されたエピ
タキシャル成長用ガスがサセプタ１２の端面に衝突して
その部分てカスの渦流が発生しないようにするため、゛
リーセプタの端面に連なるように石英部材１９を設置す
る。また反応管］３の外部に基板１１と対向して基板１
１の紫外線照射用光源】６を設ける。
１導入されたエピタキシャル成長用ガスが仕切り板１７
の＋を通過して還流できるよ・うなテーパー１２（Ａ、
１８１＋、 １１３ｃを設ける。更に導入されたエピ
タキシャル成長用ガスがサセプタ１２の端面に衝突して
その部分てカスの渦流が発生しないようにするため、゛
リーセプタの端面に連なるように石英部材１９を設置す
る。また反応管］３の外部に基板１１と対向して基板１
１の紫外線照射用光源】６を設ける。
このような本発明の装置を用いてＣｄＴｅの基板上るこ
Ｉ１ｇ＋−ＸＣｄｘ Ｔｅの結晶をエピタキシャル成長
する場合について述べる。
Ｉ１ｇ＋−ＸＣｄｘ Ｔｅの結晶をエピタキシャル成長
する場合について述べる。
前記したサセプタ■２にＣｄＴ［４の基板１１を設置し
、該−リーセプタ１２を反応管１３内に挿入した後、該
反応管内を１Ｏ−５ＬＯｒｒ程度の真空度に成る迄排気
する。
、該−リーセプタ１２を反応管１３内に挿入した後、該
反応管内を１Ｏ−５ＬＯｒｒ程度の真空度に成る迄排気
する。
次いてガス導入管１４よりキャリアガスとしての水素ガ
スに担持されたジノチルカドミウムガスを５Ｘ］０’気
圧の分圧で、前記水素カスに担持されたジエチルテルル
ガスを４ Ｘｌ０−’気圧の分圧で、更にその他に水素
カスを単独の状態でカス導入管１４に導入し、全体のエ
ピタキシャル成長用ガスの流量が８ρ／ｍｉｎの値にな
るようにする。
スに担持されたジノチルカドミウムガスを５Ｘ］０’気
圧の分圧で、前記水素カスに担持されたジエチルテルル
ガスを４ Ｘｌ０−’気圧の分圧で、更にその他に水素
カスを単独の状態でカス導入管１４に導入し、全体のエ
ピタキシャル成長用ガスの流量が８ρ／ｍｉｎの値にな
るようにする。
またサセプタ１２に内蔵されているヒータ（図示せず）
の温度を３００°Ｃに保ぢ、基板１１の上部より光源１
６から紫外線を照射する。
の温度を３００°Ｃに保ぢ、基板１１の上部より光源１
６から紫外線を照射する。
するとガス導入管１４より導入されたエピタキシャル成
長用ガスは、サセプタの加熱による基板の加熱によって
基板−ヒで分解するとともに、紫外線照射による光化学
反応によって更にその反応が促進され、分解されたエピ
タキシャル成長用ガスの成分が基板上にエビクキンヤル
結晶として付着する。
長用ガスは、サセプタの加熱による基板の加熱によって
基板−ヒで分解するとともに、紫外線照射による光化学
反応によって更にその反応が促進され、分解されたエピ
タキシャル成長用ガスの成分が基板上にエビクキンヤル
結晶として付着する。
更にエピタキシャル成長に与からない未反応ガスは矢印
へ方向に沿っ゛ζ反応管１３の端部に当たってテーパー
１８Ｂに沿って移動し、一部はガス排出管１５より排出
されるが、排出されなかったガスは矢印Ｂに示すように
基板１１上に到達する。この基板１１上ではガス導入管
１４より導入されたエピタキシャル成長用ガスの矢印Ｃ
に示すガス流の方向に対し、前記仕切り板の下部を通過
し、反応管の端部に衝突して仕切り板の上部に還流して
きたガスの流の方向ＢとυＪガス流の方向が異なる。
へ方向に沿っ゛ζ反応管１３の端部に当たってテーパー
１８Ｂに沿って移動し、一部はガス排出管１５より排出
されるが、排出されなかったガスは矢印Ｂに示すように
基板１１上に到達する。この基板１１上ではガス導入管
１４より導入されたエピタキシャル成長用ガスの矢印Ｃ
に示すガス流の方向に対し、前記仕切り板の下部を通過
し、反応管の端部に衝突して仕切り板の上部に還流して
きたガスの流の方向ＢとυＪガス流の方向が異なる。
このガス流の方向か４’ｌｌ互に異なるガスによって、
２、（板或いはサセプタからの熱が上部のＬ壁Ｇこ到達
するのか困難となり、基板の上部ではカスの温度か高温
にならず、従って未反応のガスがその部分で分解するこ
とがなく管壁を通過するのてその部分−ζｉ；Ｊガスの
反応生成物が反応管に付着しなくなり、光源からの光が
基板上に充分到達するので反応が遅くなる現象が除去さ
れ、Ｋ１１１成の安定したエピタキシャル結晶が基板ト
に形成される。
２、（板或いはサセプタからの熱が上部のＬ壁Ｇこ到達
するのか困難となり、基板の上部ではカスの温度か高温
にならず、従って未反応のガスがその部分で分解するこ
とがなく管壁を通過するのてその部分−ζｉ；Ｊガスの
反応生成物が反応管に付着しなくなり、光源からの光が
基板上に充分到達するので反応が遅くなる現象が除去さ
れ、Ｋ１１１成の安定したエピタキシャル結晶が基板ト
に形成される。
以トの説明から明らかなように本発明によれば、反応管
の内壁面にエビタギシャル成長ガスの分解生成物か（；
１着せず、従って分解生成物の付着で反応管に曇を生し
ることが無いので光化学反応が阻害されることがないた
め、組成変動を生しないエピクー１−ノヤル結晶が得ら
れる効果がある。
の内壁面にエビタギシャル成長ガスの分解生成物か（；
１着せず、従って分解生成物の付着で反応管に曇を生し
ることが無いので光化学反応が阻害されることがないた
め、組成変動を生しないエピクー１−ノヤル結晶が得ら
れる効果がある。
第１図は本発明の気相エピタキシャル成長装置の説明図
、 第２図は従来の気相エビクキシャル成長装置の説明図で
ある。 図において、 １１はエピタキシャル成長用裁板、１２は・す゛セブタ
、１３は反応管、１４ばエピタキシャル成長用ガス導入
管、１５ばガス排出管、１６は光源、１７は仕切り板、
１８Ａ、 １８Ｂ、 １８Ｇはテーパー、１９は石英部
拐を示す。
、 第２図は従来の気相エビクキシャル成長装置の説明図で
ある。 図において、 １１はエピタキシャル成長用裁板、１２は・す゛セブタ
、１３は反応管、１４ばエピタキシャル成長用ガス導入
管、１５ばガス排出管、１６は光源、１７は仕切り板、
１８Ａ、 １８Ｂ、 １８Ｇはテーパー、１９は石英部
拐を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 エピタキシャル成長用基板（１１）を設置するサセプ
タ（１２）を収容する反応管（１３）と、該反応管に連
なりエピタキシャル成長用ガスを導入するガス導入管（
１４）と、エピタキシャル成長後のガスを排出するガス
排出管（１５）と、反応管の外部から基板上を照射しエ
ピタキシャル成長用ガスを分解する光源（１６）と、前
記反応管（１３）内に収容され、長手方向の両端部が反
応管（１３）の垂直方向の壁面に対して所定の隙間を有
し、導入されるガス流に対してほぼ平行で、かつ基板上
より所定の間隔を有する仕切り板（１７）とを設け、 前記エピタキシャル成長用ガスを基板（１１）と仕切り
板（１７）との間に導入するとともに、エピタキシャル
成長後のガスが仕切り板上を通過し、光が照射される反
応管（１３）の内壁に沿って流れるようなテーパー（１
８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ）を反応管の内壁面に設けたこと
を特徴とする気相エピタキシャル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2925688A JPH01205428A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 気相エピタキシャル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2925688A JPH01205428A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 気相エピタキシャル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01205428A true JPH01205428A (ja) | 1989-08-17 |
Family
ID=12271196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2925688A Pending JPH01205428A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 気相エピタキシャル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01205428A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5587019A (en) * | 1992-02-26 | 1996-12-24 | Nec Corporation | Apparatus for use in epitaxial crystal growth |
-
1988
- 1988-02-10 JP JP2925688A patent/JPH01205428A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5587019A (en) * | 1992-02-26 | 1996-12-24 | Nec Corporation | Apparatus for use in epitaxial crystal growth |
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