JPH09246192A - 薄膜気相成長装置 - Google Patents
薄膜気相成長装置Info
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- JPH09246192A JPH09246192A JP7310896A JP7310896A JPH09246192A JP H09246192 A JPH09246192 A JP H09246192A JP 7310896 A JP7310896 A JP 7310896A JP 7310896 A JP7310896 A JP 7310896A JP H09246192 A JPH09246192 A JP H09246192A
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 被成膜基板の上方のリアクタ壁面への生成物
の付着を阻止し、パーティクル汚染を防止すること。 【解決手段】 複数枚の被成膜基板２はサセプタ１の上
に配置される。サセプタの上方に位置するリアクタ３の
壁面に、同軸状のノズル４が垂直に設けられており、同
ノズルは、２系統の原料ガスＡ，Ｂを供給する内管５と
外管６に加え、外管の外側にバリアガスＣの供給管８を
有する。内管と外管からの原料ガスはサセプタの上面を
放射状、半径方向に流れ、被成膜基板の直前で混合さ
れ、熱化学反応により基板上に膜を成長させる。バリア
ガス供給管からのバリアガスはリアクタ壁面に沿って、
リアクタ壁面と原料ガスの間を流れ、リアクタ壁面に原
料ガスによる生成物が付着するのを防ぐ。
の付着を阻止し、パーティクル汚染を防止すること。 【解決手段】 複数枚の被成膜基板２はサセプタ１の上
に配置される。サセプタの上方に位置するリアクタ３の
壁面に、同軸状のノズル４が垂直に設けられており、同
ノズルは、２系統の原料ガスＡ，Ｂを供給する内管５と
外管６に加え、外管の外側にバリアガスＣの供給管８を
有する。内管と外管からの原料ガスはサセプタの上面を
放射状、半径方向に流れ、被成膜基板の直前で混合さ
れ、熱化学反応により基板上に膜を成長させる。バリア
ガス供給管からのバリアガスはリアクタ壁面に沿って、
リアクタ壁面と原料ガスの間を流れ、リアクタ壁面に原
料ガスによる生成物が付着するのを防ぐ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数枚の被成膜基
板をバッチ処理する薄膜気相成長装置に係り、被成膜基
板のパーティクル汚染を防止した装置に関する。
板をバッチ処理する薄膜気相成長装置に係り、被成膜基
板のパーティクル汚染を防止した装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は、原料ガスが半径方向に流れるサ
セプタ上に複数枚の被成膜基板を配置し、バッチ処理を
行う薄膜気相成長装置、特に有機金属気相成長（ＭＯＣ
ＶＤ）装置の縦断面図である。
セプタ上に複数枚の被成膜基板を配置し、バッチ処理を
行う薄膜気相成長装置、特に有機金属気相成長（ＭＯＣ
ＶＤ）装置の縦断面図である。
【０００３】円形のサセプタ１の上面に複数枚の被成膜
基板２が等間隔に配置されており、サセプタの上方にリ
アクタ３の上部壁面がサセプタと平行に位置している。
サセプタ１の中心上方に、リアクタ３の壁面に原料ガス
導入ノズル４が垂直に設けられており、同ノズルは同軸
状に配置された内管５と外管６からなる二重管構造のも
のであり、原料ガスＡを供給する内管の開口端、すなわ
ちガスの吹き出し口と、原料ガスＢを供給する外管の吹
き出し口はサセプタの中心上方に位置する。内管５の吹
き出し口の周囲には鍔状の仕切り板７が設けられてお
り、内管５と外管６からの両原料ガスＡ，Ｂが吹き出し
口を出たところで混合するのを防ぐと共に、外管からの
原料ガスＢの流れを放射状、サセプタ１の半径方向に誘
導する。
基板２が等間隔に配置されており、サセプタの上方にリ
アクタ３の上部壁面がサセプタと平行に位置している。
サセプタ１の中心上方に、リアクタ３の壁面に原料ガス
導入ノズル４が垂直に設けられており、同ノズルは同軸
状に配置された内管５と外管６からなる二重管構造のも
のであり、原料ガスＡを供給する内管の開口端、すなわ
ちガスの吹き出し口と、原料ガスＢを供給する外管の吹
き出し口はサセプタの中心上方に位置する。内管５の吹
き出し口の周囲には鍔状の仕切り板７が設けられてお
り、内管５と外管６からの両原料ガスＡ，Ｂが吹き出し
口を出たところで混合するのを防ぐと共に、外管からの
原料ガスＢの流れを放射状、サセプタ１の半径方向に誘
導する。
【０００４】被成膜基板２にIII-Ｖ族の化合物半導体を
成長させる場合、内管５からＶ族の原料ガスＡを供給
し、外管６からIII族の原料ガスＢを供給する。内管５
の開口端、吹き出し口からの原料ガスＡと、外管６から
供給されて仕切り板７で向きを変えられた原料ガスＢ
は、サセプタの上面を水平放射状に、半径方向に流れ
る。原料ガスＡ，Ｂは、仕切り板７の存在によって被成
膜基板２の直前で混合されて層流状態で流れ、そのまま
水平方向に排気される。被成膜基板２はサセプタ１を介
して加熱されており、混合された原料ガスは熱化学反応
し、サセプタを回転させることにより、被成膜基板に均
一に膜が成長する。
成長させる場合、内管５からＶ族の原料ガスＡを供給
し、外管６からIII族の原料ガスＢを供給する。内管５
の開口端、吹き出し口からの原料ガスＡと、外管６から
供給されて仕切り板７で向きを変えられた原料ガスＢ
は、サセプタの上面を水平放射状に、半径方向に流れ
る。原料ガスＡ，Ｂは、仕切り板７の存在によって被成
膜基板２の直前で混合されて層流状態で流れ、そのまま
水平方向に排気される。被成膜基板２はサセプタ１を介
して加熱されており、混合された原料ガスは熱化学反応
し、サセプタを回転させることにより、被成膜基板に均
一に膜が成長する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】サセプタ１に配置した
被成膜基板２の上に供給された原料ガスＡ，Ｂは熱化学
反応により一部は基板上に成膜されるが、多くは、加熱
されているサセプタ１及び、サセプタからの放射熱によ
り加熱されているリアクタ３の壁面に付着する。リアク
タ壁に付着した生成物は、成膜処理回数を重ねるにつれ
て堆積する。かかる付着生成物のパーティクルが被成膜
基板２に落下すると、成膜の品質を損なう。被成膜基板
のパーティクル汚染を防ぐために、リアクタ壁洗浄等の
メンテナンスを頻繁に行わねばならない。
被成膜基板２の上に供給された原料ガスＡ，Ｂは熱化学
反応により一部は基板上に成膜されるが、多くは、加熱
されているサセプタ１及び、サセプタからの放射熱によ
り加熱されているリアクタ３の壁面に付着する。リアク
タ壁に付着した生成物は、成膜処理回数を重ねるにつれ
て堆積する。かかる付着生成物のパーティクルが被成膜
基板２に落下すると、成膜の品質を損なう。被成膜基板
のパーティクル汚染を防ぐために、リアクタ壁洗浄等の
メンテナンスを頻繁に行わねばならない。
【０００６】本発明は、リアクタの壁面への生成物の付
着を阻止した薄膜気相成長装置の提供を目的とするもの
である。
着を阻止した薄膜気相成長装置の提供を目的とするもの
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、サセプタの上
方のリアクタ壁面に垂直に設けた内管と外管を有する同
軸状のノズルから２系統の原料ガスを、サセプタ上に配
置された複数枚の被成膜基板の上面に水平に供給する薄
膜気相成長装置において、前記同軸状のノズルの外管の
外側にバリアガス供給管を同軸状に設け、このバリアガ
ス供給管から前記リアクタ壁面に沿ってバリアガスを流
すように構成したことを特徴とするものである。
方のリアクタ壁面に垂直に設けた内管と外管を有する同
軸状のノズルから２系統の原料ガスを、サセプタ上に配
置された複数枚の被成膜基板の上面に水平に供給する薄
膜気相成長装置において、前記同軸状のノズルの外管の
外側にバリアガス供給管を同軸状に設け、このバリアガ
ス供給管から前記リアクタ壁面に沿ってバリアガスを流
すように構成したことを特徴とするものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】サセプタの上方に位置するリアク
タ壁面に、同軸状のノズルが垂直に設けられている。同
ノズルは、２系統の原料ガスを供給する内管と外管に加
え、外管の外側にバリアガス供給管を有する同軸状の三
重管構造で形成されている。内管、外管及びバリアガス
供給管の各開口端、すなわちガスの吹き出し口はサセプ
タの中心上方にあり、そしてサセプタ側から順に、内管
の吹き出し口、外管の吹き出し口、バリアガス供給管の
吹き出し口が位置する。内管及び外管からの２系統の原
料ガスはサセプタの上面を放射状、半径方向に流れ、サ
セプタ上に配置された複数枚の被成膜基板の直前で混合
されて、熱化学反応により基板上に膜を成長させる。
タ壁面に、同軸状のノズルが垂直に設けられている。同
ノズルは、２系統の原料ガスを供給する内管と外管に加
え、外管の外側にバリアガス供給管を有する同軸状の三
重管構造で形成されている。内管、外管及びバリアガス
供給管の各開口端、すなわちガスの吹き出し口はサセプ
タの中心上方にあり、そしてサセプタ側から順に、内管
の吹き出し口、外管の吹き出し口、バリアガス供給管の
吹き出し口が位置する。内管及び外管からの２系統の原
料ガスはサセプタの上面を放射状、半径方向に流れ、サ
セプタ上に配置された複数枚の被成膜基板の直前で混合
されて、熱化学反応により基板上に膜を成長させる。
【０００９】サセプタから最も離れているバリアガス供
給管の吹き出し口からのバリアガスは、リアクタ壁面に
沿って、リアクタ壁面と原料ガスの間を流れる。したが
って、二系統の原料ガス及びその混合ガスがリアクタ壁
面に接触するのを阻止し、生成物が付着するのを防い
で、被成膜基板のパーティクル汚染を防止する。
給管の吹き出し口からのバリアガスは、リアクタ壁面に
沿って、リアクタ壁面と原料ガスの間を流れる。したが
って、二系統の原料ガス及びその混合ガスがリアクタ壁
面に接触するのを阻止し、生成物が付着するのを防い
で、被成膜基板のパーティクル汚染を防止する。
【００１０】
【実施例】本発明の実施例について図面を参照して説明
する。図１は実施例の縦断面図であり、図２と同一符号
は同一もしくは同等部分を示す。円形のサセプタ１の上
面に複数枚の被成膜基板２が等間隔に配置されており、
サセプタ１の上方に位置するリアクタ３の壁面に、同軸
の三重管構造の原料ガス導入ノズル４が垂直に設けられ
ている。同ノズルは、２系統の原料ガスＡ，Ｂを供給す
る内管５と外管６を有すると共に、外管の外側に更にバ
リアガスＣを供給するバリアガス供給管８を有する。
する。図１は実施例の縦断面図であり、図２と同一符号
は同一もしくは同等部分を示す。円形のサセプタ１の上
面に複数枚の被成膜基板２が等間隔に配置されており、
サセプタ１の上方に位置するリアクタ３の壁面に、同軸
の三重管構造の原料ガス導入ノズル４が垂直に設けられ
ている。同ノズルは、２系統の原料ガスＡ，Ｂを供給す
る内管５と外管６を有すると共に、外管の外側に更にバ
リアガスＣを供給するバリアガス供給管８を有する。
【００１１】内管５、外管６及びバリアガス供給管８の
各開口端、ガスの吹き出し口は、サセプタの中心上方
に、サセプタ側から順に、内管の吹き出し口、外管の吹
き出し口、バリアガス供給管の吹き出し口が位置する。
そして、内管５及び外管６の吹き出し口の外周囲には、
鍔状の仕切り板７、９がそれぞれ設けられており、これ
ら仕切り板は各ガスの混合を防ぎ、外管及びバリアガス
供給管からの原料ガスＢ、バリアガスＣをサセプタの中
心部から放射状、半径方向に誘導する。
各開口端、ガスの吹き出し口は、サセプタの中心上方
に、サセプタ側から順に、内管の吹き出し口、外管の吹
き出し口、バリアガス供給管の吹き出し口が位置する。
そして、内管５及び外管６の吹き出し口の外周囲には、
鍔状の仕切り板７、９がそれぞれ設けられており、これ
ら仕切り板は各ガスの混合を防ぎ、外管及びバリアガス
供給管からの原料ガスＢ、バリアガスＣをサセプタの中
心部から放射状、半径方向に誘導する。
【００１２】原料ガス導入ノズル４の内管５と外管６か
ら供給された原料ガスＡ，Ｂは、回転するサセプタ１を
介して加熱されている被成膜基板２の直前で混合し、熱
化学反応により基板面上に膜を均一に成長させる。バリ
アガス供給管８の開口端から供給された水素ガス等のバ
リアガスは、外管６のガス吹き出し口の周囲に取り付け
られている仕切り板９によってリアクタ３の壁面に沿う
ように誘導され、内管５と外管６から供給された原料ガ
スＡ，Ｂとその混合ガスの流れとリアクタ壁面との間に
流れ、原料ガスがリアクタ３の壁面に接触するのを阻止
し、リアクタ壁面に生成物が付着するのを防止する。
ら供給された原料ガスＡ，Ｂは、回転するサセプタ１を
介して加熱されている被成膜基板２の直前で混合し、熱
化学反応により基板面上に膜を均一に成長させる。バリ
アガス供給管８の開口端から供給された水素ガス等のバ
リアガスは、外管６のガス吹き出し口の周囲に取り付け
られている仕切り板９によってリアクタ３の壁面に沿う
ように誘導され、内管５と外管６から供給された原料ガ
スＡ，Ｂとその混合ガスの流れとリアクタ壁面との間に
流れ、原料ガスがリアクタ３の壁面に接触するのを阻止
し、リアクタ壁面に生成物が付着するのを防止する。
【００１３】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成した
ので、バッチ処理される複数枚の被成膜基板の面上を流
れる原料ガスとリアクタ壁面との間をバリアガスが流れ
るから、原料ガスがリアクタ３の壁面に接触するのを阻
止し、同壁面への生成物の付着を防ぐことができ、被成
膜基板のパーティクル汚染を低減、防止できると共に、
リアクタ洗浄等のメンテナンス頻度を減らすことができ
る。
ので、バッチ処理される複数枚の被成膜基板の面上を流
れる原料ガスとリアクタ壁面との間をバリアガスが流れ
るから、原料ガスがリアクタ３の壁面に接触するのを阻
止し、同壁面への生成物の付着を防ぐことができ、被成
膜基板のパーティクル汚染を低減、防止できると共に、
リアクタ洗浄等のメンテナンス頻度を減らすことができ
る。
【図１】本発明の実施例の縦断面図である。
【図２】バッチ処理を行う有機金属気相成長装置の従来
例の縦断面図である。
例の縦断面図である。
１ サセプタ ２ 被成膜基板 ３ リアクタ ４ 原料ガス導入ノズル ５ 内管 ６ 外管 ７ 仕切り板 ８ バリアガス供給管 ９ 仕切り板
Claims (1)
- 【請求項１】 サセプタの上方のリアクタ壁面に垂直に
設けた内管と外管を有する同軸状のノズルから２系統の
原料ガスを、サセプタ上に配置された複数枚の被成膜基
板の上面に水平に供給する薄膜気相成長装置において、
前記同軸状のノズルの外管の外側にバリアガス供給管を
同軸状に設け、このバリアガス供給管から前記リアクタ
壁面に沿ってバリアガスを流すように構成したことを特
徴とする薄膜気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7310896A JPH09246192A (ja) | 1996-03-05 | 1996-03-05 | 薄膜気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7310896A JPH09246192A (ja) | 1996-03-05 | 1996-03-05 | 薄膜気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246192A true JPH09246192A (ja) | 1997-09-19 |
Family
ID=13508772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7310896A Pending JPH09246192A (ja) | 1996-03-05 | 1996-03-05 | 薄膜気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09246192A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR20120007371A (ko) * | 2010-07-14 | 2012-01-20 | 주식회사 원익아이피에스 | 박막 증착 장치 |
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-
1996
- 1996-03-05 JP JP7310896A patent/JPH09246192A/ja active Pending
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