JPH01205578A - 超伝導電界効果トランジスタ - Google Patents
超伝導電界効果トランジスタInfo
- Publication number
- JPH01205578A JPH01205578A JP63031213A JP3121388A JPH01205578A JP H01205578 A JPH01205578 A JP H01205578A JP 63031213 A JP63031213 A JP 63031213A JP 3121388 A JP3121388 A JP 3121388A JP H01205578 A JPH01205578 A JP H01205578A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconducting
- properties
- electrode
- superconducting layer
- electrons
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、超伝導トランジスタ、特に超伝導電流が外
部より印加される電界で制御できる超伝導電界効果トラ
ンジスタに関するものである。
部より印加される電界で制御できる超伝導電界効果トラ
ンジスタに関するものである。
第５図は例えは、応用物理Ｖｏ１．５６ ｐ屋６（１９
８７）Ｐ、’７５３西野らによって報告された従来の超
伝導トランジスタを示す。図において、（７）はシ１ノ
コン単結晶、（８ａ）および（８ｂ）は一方をＡ電極、
他方をＢ電極とする超伝導電極（鉛合金）、（９）はゲ
ート電極（Ａｌ）で０電極とする。σＯはゲート絶縁膜
（ｓｉｏ２）である。
８７）Ｐ、’７５３西野らによって報告された従来の超
伝導トランジスタを示す。図において、（７）はシ１ノ
コン単結晶、（８ａ）および（８ｂ）は一方をＡ電極、
他方をＢ電極とする超伝導電極（鉛合金）、（９）はゲ
ート電極（Ａｌ）で０電極とする。σＯはゲート絶縁膜
（ｓｉｏ２）である。
次に動作について説明する〇
一般に、超伝導体と常伝導体か接した糸においては、常
伝導体（あるいは半導体）中ヘクー、＜−対電子か常伝
導体（あるいは半導体）のコヒーレンス長さ程度の範囲
に、しみ出すことかできる。
伝導体（あるいは半導体）中ヘクー、＜−対電子か常伝
導体（あるいは半導体）のコヒーレンス長さ程度の範囲
に、しみ出すことかできる。
ソシテ、このコヒーレンス長さは、キャリア濃度に依存
している０ いま、Ａ′ｆｌ！、極とゲート電極（９）の間に電圧を
かけて、ゲート電極（９）近くのシリコン単結晶（７）
内のキャリア濃度を多くすると、コヒーレンス長さが長
くなる。このときＡ、Ｂ電極間に電流を流そうとすると
、Ａ２Ｂ電極間の間隔がコヒーレンス長さくらいであれ
は、Ａ電極からシリコン単結晶（７）中へ入ったクーパ
一対電子がＢ電極まで達して電流が流れる。一方、ゲー
ト電極に電圧をかけないと、キャリアが少なくなってコ
ヒーレンス長さが短くなるためＡ、Ｂ電極間に電流は流
れなくなる。このようにしてゲート電圧を変化させるこ
とによってＡ、Ｂ電極間に流れる超伝導電流を制御する
。
している０ いま、Ａ′ｆｌ！、極とゲート電極（９）の間に電圧を
かけて、ゲート電極（９）近くのシリコン単結晶（７）
内のキャリア濃度を多くすると、コヒーレンス長さが長
くなる。このときＡ、Ｂ電極間に電流を流そうとすると
、Ａ２Ｂ電極間の間隔がコヒーレンス長さくらいであれ
は、Ａ電極からシリコン単結晶（７）中へ入ったクーパ
一対電子がＢ電極まで達して電流が流れる。一方、ゲー
ト電極に電圧をかけないと、キャリアが少なくなってコ
ヒーレンス長さが短くなるためＡ、Ｂ電極間に電流は流
れなくなる。このようにしてゲート電圧を変化させるこ
とによってＡ、Ｂ電極間に流れる超伝導電流を制御する
。
従来の超伝導トランジスタでは、クーパ一対電子の半導
体中へのしみ出しによる電流を使うため、大きな超伝導
電流を得ることは卸しい。また、電ｔＭ ［４１全コヒ
ーレンス長程度の長さ（約０２μｍ以下）にする必要か
あるため、加工か難しい。さらにゲートミル４極の部分
も、Ａ、Ｂ電極に近づける必要かあるためＳｉ結晶を約
０１μｍの厚さに１で薄くする必要かあり、これも作製
を困難にしているなどの課題かあった。
体中へのしみ出しによる電流を使うため、大きな超伝導
電流を得ることは卸しい。また、電ｔＭ ［４１全コヒ
ーレンス長程度の長さ（約０２μｍ以下）にする必要か
あるため、加工か難しい。さらにゲートミル４極の部分
も、Ａ、Ｂ電極に近づける必要かあるためＳｉ結晶を約
０１μｍの厚さに１で薄くする必要かあり、これも作製
を困難にしているなどの課題かあった。
この発明は、かかる課題を解決するためになされたもの
で、作製が容易でかつ比較的大きな超伝導電流が制御で
きる超伝導電界効果トランジスタを得ることを目的とす
る。
で、作製が容易でかつ比較的大きな超伝導電流が制御で
きる超伝導電界効果トランジスタを得ることを目的とす
る。
この発明に係る超伝導電界効果トランジスタは、組成比
、温度および欠陥の量の違いに応じて絶縁体または半導
体的な性質と、金属的な性質と、超伝導体的な性質とを
示すような物質系にあって絶縁体または半導体的な性質
を示し電子親和度またはイオン化エネルギーか異なる２
種の材料を接合することにより両材料の接合界面イ」近
に電子の過剰または不足を誘起して実現する超伝導層と
、この超伝導層の両端に設けられ超伝導電流を流す第１
および第２の電極と、上記絶縁体または半導体的な性質
を示す材料を超伝導層とで挾むように設けられ超伝導層
の過剰または不足型、子を消滅きせる電界を印加する第
３の電極を備えたものである。
、温度および欠陥の量の違いに応じて絶縁体または半導
体的な性質と、金属的な性質と、超伝導体的な性質とを
示すような物質系にあって絶縁体または半導体的な性質
を示し電子親和度またはイオン化エネルギーか異なる２
種の材料を接合することにより両材料の接合界面イ」近
に電子の過剰または不足を誘起して実現する超伝導層と
、この超伝導層の両端に設けられ超伝導電流を流す第１
および第２の電極と、上記絶縁体または半導体的な性質
を示す材料を超伝導層とで挾むように設けられ超伝導層
の過剰または不足型、子を消滅きせる電界を印加する第
３の電極を備えたものである。
この発明においては、外部より超伝導層の過剰または不
足電子を消滅させる電界を印加することによシ超伝導電
流が遮断する。
足電子を消滅させる電界を印加することによシ超伝導電
流が遮断する。
第１図はこの発明の一実施例の超伝導電界効果トランジ
スタを示す断面図であり、（１）は基板として用いた５
ｒＴｉ○５の単結晶、（２）は基板上にマグネトコンス
バツタなどを用いて作製したＥａＰｂｌ−ｘＢｌｘ０３
層であシ、Ｘの値は約０３５以上例えば０４にした第１
材料である。（３）はさらにスパッタリングの条件を変
えて作ったＢａＰｂ１−ｙＢｉｙ０３−δ層であり、ｙ
の値ばＸより大きくなるよう例えはｙ−〇８にし、かつ
δはＯてない値をとるものにした第２材料である。これ
ら２種の側斜（，１３ａ’ＰｂＢｉＯ３Ｊ脅）は絶縁体
または半導体的性質を示す。この材料の物性及び上記２
種の材料を接合したとき超伝導層が誘起されることは、
例えは、同一出願人より特許出願している特願昭６２−
２８１６２４号「超伝導体装置」にて詳細に述べられて
いるので、ここではそれを引用して説明する。
スタを示す断面図であり、（１）は基板として用いた５
ｒＴｉ○５の単結晶、（２）は基板上にマグネトコンス
バツタなどを用いて作製したＥａＰｂｌ−ｘＢｌｘ０３
層であシ、Ｘの値は約０３５以上例えば０４にした第１
材料である。（３）はさらにスパッタリングの条件を変
えて作ったＢａＰｂ１−ｙＢｉｙ０３−δ層であり、ｙ
の値ばＸより大きくなるよう例えはｙ−〇８にし、かつ
δはＯてない値をとるものにした第２材料である。これ
ら２種の側斜（，１３ａ’ＰｂＢｉＯ３Ｊ脅）は絶縁体
または半導体的性質を示す。この材料の物性及び上記２
種の材料を接合したとき超伝導層が誘起されることは、
例えは、同一出願人より特許出願している特願昭６２−
２８１６２４号「超伝導体装置」にて詳細に述べられて
いるので、ここではそれを引用して説明する。
まず・ＢａＰｂ１ 、Ｂｉｘ０３は・第２図−その電
子物性の状態図を示すように組成比および温度に応じて
絶縁体または半導体的な性質と、金属的な性質と、超伝
導体的な性質とを示す物質であり、さらに欠陥の量の違
いに応じても上記のような性質を示すことが知られてい
る。すなわち、ｘ （０３５では臨界温度約１３にの超
伝導体であるが、Ｘ〉○３５の領域で、Ｘを太きくして
ゆくと、バンド中の完全につまった部分と、空いた部分
が分裂し両者の間にギャップが生じ、フリーキャリアが
なくなるとともに上側の空のバンドは、エネルギーが高
くなってゆき、電子親和度は小さくなってゆく。こうし
て絶縁体まだは半導体的性質を示すが、この領域でも十
分なフリーキャリアさえあれは超伝導を示すと考えられ
ている。
子物性の状態図を示すように組成比および温度に応じて
絶縁体または半導体的な性質と、金属的な性質と、超伝
導体的な性質とを示す物質であり、さらに欠陥の量の違
いに応じても上記のような性質を示すことが知られてい
る。すなわち、ｘ （０３５では臨界温度約１３にの超
伝導体であるが、Ｘ〉○３５の領域で、Ｘを太きくして
ゆくと、バンド中の完全につまった部分と、空いた部分
が分裂し両者の間にギャップが生じ、フリーキャリアが
なくなるとともに上側の空のバンドは、エネルギーが高
くなってゆき、電子親和度は小さくなってゆく。こうし
て絶縁体まだは半導体的性質を示すが、この領域でも十
分なフリーキャリアさえあれは超伝導を示すと考えられ
ている。
次に、接合による超伝導層の誘起について説明する。
第３図は第１図で示した構造に対応する伝導バンドのバ
ンドダイアダラムで、横軸が膜厚方向の距離１１縦軸か
電子のエネルギーＥを表わす。
ンドダイアダラムで、横軸が膜厚方向の距離１１縦軸か
電子のエネルギーＥを表わす。
ＡはＢａＰｂ１−ＸＢｌｘ０３ （ｘ＞０．３５ ）の
領域、ＢはＢ Ｌ Ｐｂ １− ｙＥ ｉ ｙＯ５−δ
（ｙ＞Ｘ、δニー、ｏ）の領域を示す。０】〕はＡ、１
３の接合界面、ＯΔは伝導バンド、σ３は界面にたまっ
た電子を表わす。ＥＦはフェルミエネルギーである。今
、Ｂの側すなわち電子親和度のよシ小さい方に自由な電
子を導入すると、それは、電子親和度のより大き々Ａ側
に流れ込ませることができる。自由電子を導入する方法
としては、酸素の欠損を導入する方法が考えられる。半
導体となったＢａＰｂ１ ｙＢｉｙ０３の酸素を化学
量論的な値である３から減少させて３−δにしてゆくと
、酸素欠損に起因した準位か生じ、伝導バンドに自由電
子が現ｔツれる。この電子か、電子親和度の、より太き
々Ａ側に流れ込む。電子か流れ込むことにより後に残き
れた正電荷と流れ込んだ電子との引力により生じるバン
ドの曲がりのため、電子は界面付近に高濃度で著積はれ
る。
領域、ＢはＢ Ｌ Ｐｂ １− ｙＥ ｉ ｙＯ５−δ
（ｙ＞Ｘ、δニー、ｏ）の領域を示す。０】〕はＡ、１
３の接合界面、ＯΔは伝導バンド、σ３は界面にたまっ
た電子を表わす。ＥＦはフェルミエネルギーである。今
、Ｂの側すなわち電子親和度のよシ小さい方に自由な電
子を導入すると、それは、電子親和度のより大き々Ａ側
に流れ込ませることができる。自由電子を導入する方法
としては、酸素の欠損を導入する方法が考えられる。半
導体となったＢａＰｂ１ ｙＢｉｙ０３の酸素を化学
量論的な値である３から減少させて３−δにしてゆくと
、酸素欠損に起因した準位か生じ、伝導バンドに自由電
子が現ｔツれる。この電子か、電子親和度の、より太き
々Ａ側に流れ込む。電子か流れ込むことにより後に残き
れた正電荷と流れ込んだ電子との引力により生じるバン
ドの曲がりのため、電子は界面付近に高濃度で著積はれ
る。
バンドの曲かシが大きく、界１ｍ付近のバンドかフェル
ミエネルギーＥＦよシ下になると、そこには電子ガスの
状態かできる。このような界面付近に生じた２次元的な
電子ガスの濃度かある程度以上になると、低温で超伝導
状態が実現できる。
ミエネルギーＥＦよシ下になると、そこには電子ガスの
状態かできる。このような界面付近に生じた２次元的な
電子ガスの濃度かある程度以上になると、低温で超伝導
状態が実現できる。
又、接合する２つの材料のイオン化エネルギーの違いを
利用して、接合界面付近にホールが過剰に存在する層す
なわち電子が不足する層を作ることでも超伝導状態か得
られる。この場合の価電子バンドのバンドダイアダラム
を第４図に示す。
利用して、接合界面付近にホールが過剰に存在する層す
なわち電子が不足する層を作ることでも超伝導状態か得
られる。この場合の価電子バンドのバンドダイアダラム
を第４図に示す。
図中、横軸は膜厚方向の距離、縦軸は電子のエネルギー
を表わす。Ａはイオン化エネルギーのよシ小さな材料、
Ｂはイオン化エネルギーのより大きな材料を表わす。圓
はＡ、Ｅの接合界面、［株］は価電子バンド、日は界面
にたまったホールを表わす。
を表わす。Ａはイオン化エネルギーのよシ小さな材料、
Ｂはイオン化エネルギーのより大きな材料を表わす。圓
はＡ、Ｅの接合界面、［株］は価電子バンド、日は界面
にたまったホールを表わす。
ＥＦハフエルミエネルギーである。この場合には、Ｂの
側にドーピングあるいは欠陥の導入などによシフリーホ
ールを生成する。そうするとイオン化エネルギーの違い
のため、このホールかＡの側ニ移り、先に示したのと同
様に、今度はホールガスができる。そうしてこの部分か
超伝導状態になる。
側にドーピングあるいは欠陥の導入などによシフリーホ
ールを生成する。そうするとイオン化エネルギーの違い
のため、このホールかＡの側ニ移り、先に示したのと同
様に、今度はホールガスができる。そうしてこの部分か
超伝導状態になる。
この電子ガスまたはホールガスは、もともとバンドの曲
かシで誘起されたものである。このため、外部からバン
ドの曲がシを変えるような電界を加えることで、電子ガ
スまたはホールガスの厚さを制御できる。たとえは十分
に大きな電界をかけることで電子ガスまたはホールガス
をなくすることができ、超伝導状態は存在できなく々る
。
かシで誘起されたものである。このため、外部からバン
ドの曲がシを変えるような電界を加えることで、電子ガ
スまたはホールガスの厚さを制御できる。たとえは十分
に大きな電界をかけることで電子ガスまたはホールガス
をなくすることができ、超伝導状態は存在できなく々る
。
このように、絶縁体または半導体的性質を示し、電子親
和度またはイオン化エネルギーの異なる２種の材料を接
合することによシ超伝導層が実現でき、さらにこの超伝
導状態は外部より電界を印加することにより制御できる
。これを電界効果トランジスタとして応用したのが第１
図に示した本発明の実施例である。図において、（４）
は上記２種の材料の接合により誘起された超伝導層、（
５ａ） ＋ （５ｂ）はこの超伝導層の両端に設けられ
超伝導電流を流す電極で、一方を第１の電極（八重極）
、他方を第２の電極（Ｂ電極）とする。（６）は絶縁体
または半導体的性質を示す材料（層）を超伝導層とで挾
むように設けられ、外部よシ超伝導層の過剰または不足
電子を消滅させる電界を印加するための第３の′電極（
Ｃ電極）である。
和度またはイオン化エネルギーの異なる２種の材料を接
合することによシ超伝導層が実現でき、さらにこの超伝
導状態は外部より電界を印加することにより制御できる
。これを電界効果トランジスタとして応用したのが第１
図に示した本発明の実施例である。図において、（４）
は上記２種の材料の接合により誘起された超伝導層、（
５ａ） ＋ （５ｂ）はこの超伝導層の両端に設けられ
超伝導電流を流す電極で、一方を第１の電極（八重極）
、他方を第２の電極（Ｂ電極）とする。（６）は絶縁体
または半導体的性質を示す材料（層）を超伝導層とで挾
むように設けられ、外部よシ超伝導層の過剰または不足
電子を消滅させる電界を印加するための第３の′電極（
Ｃ電極）である。
このように構成された超伝導電界効果トランジスタにお
いて、Ａ、Ｂ電極間より超伝導層に超伝導電流を流した
状態で、０電極に適当な電界を印加すれは、この電極に
近い超伏導層近傍のバンドが変形され、前述した電子ガ
スまたはホールガスが々くなりこの付近の超伝導層が存
在できなくなる。このため超伝導電流が流れなくなる。
いて、Ａ、Ｂ電極間より超伝導層に超伝導電流を流した
状態で、０電極に適当な電界を印加すれは、この電極に
近い超伏導層近傍のバンドが変形され、前述した電子ガ
スまたはホールガスが々くなりこの付近の超伝導層が存
在できなくなる。このため超伝導電流が流れなくなる。
このようにして、０電極より印加する電界によって超伝
導電流を流したり遮断したりすることができる０上記実
施例では絶縁体または半導体的性質を示し電子親和度ま
たはイオン化エネルギーの異なる２種の接合される材料
としてＢａＰｂＢ１０５を示したが、接合することによ
って接合界面付近に電子の過剰または不足を誘起して超
伝導層が実現でき、これが外部よシの電界によシ制御で
きる材料でありさえすれは、上記実施例と同様の効果を
奏する。
導電流を流したり遮断したりすることができる０上記実
施例では絶縁体または半導体的性質を示し電子親和度ま
たはイオン化エネルギーの異なる２種の接合される材料
としてＢａＰｂＢ１０５を示したが、接合することによ
って接合界面付近に電子の過剰または不足を誘起して超
伝導層が実現でき、これが外部よシの電界によシ制御で
きる材料でありさえすれは、上記実施例と同様の効果を
奏する。
また、電界を印加するＣ電極の幅を狭くしておけは超伝
導層が存在できなくなる部分か狭くなる。
導層が存在できなくなる部分か狭くなる。
このため、印加する電界により超伝導層の弱結合状態か
存在し、電界の大きさにより弱結合領域を制御できるジ
ョセフソン結合型電界効果トランジスタを得ることもで
きる。
存在し、電界の大きさにより弱結合領域を制御できるジ
ョセフソン結合型電界効果トランジスタを得ることもで
きる。
以上のようにこの発明によれば、組成比、温度および欠
陥の量の違いに応じて絶縁体または半導体的な性質と、
金属的な性質と、超伝導体的な性質とを示すような物質
系にあって絶縁体または半導体的な性質を示し電子親和
度またはイオン化エネルギーが異なる２種の材料を接合
することによυ両材料の接合界面付近に電子の過剰また
は不足を誘起して実現する超伝導層と、この超伝導層の
両端に設けられ超伝導電流を流す第１および第２の電極
と、上記絶縁体または半導体的な性質を示す側斜を超伝
導層とで挾むように設けられ超伝導層の過剰または不足
電子を消滅させる電界を印加する第３の電極を備える構
成にしたので、作製が容易でかつ比較的大きな超伝導電
流が制御できる超伝導電界効果トランジスタか得られる
効果がある０
陥の量の違いに応じて絶縁体または半導体的な性質と、
金属的な性質と、超伝導体的な性質とを示すような物質
系にあって絶縁体または半導体的な性質を示し電子親和
度またはイオン化エネルギーが異なる２種の材料を接合
することによυ両材料の接合界面付近に電子の過剰また
は不足を誘起して実現する超伝導層と、この超伝導層の
両端に設けられ超伝導電流を流す第１および第２の電極
と、上記絶縁体または半導体的な性質を示す側斜を超伝
導層とで挾むように設けられ超伝導層の過剰または不足
電子を消滅させる電界を印加する第３の電極を備える構
成にしたので、作製が容易でかつ比較的大きな超伝導電
流が制御できる超伝導電界効果トランジスタか得られる
効果がある０
第１図はこの発明の一実施例による超伝導電界効果トラ
ンジスタを示す断面図、第２図は第１図の実施例に用い
られるＢａＰｂ１−ｘＢｉｘｏ ３の電子物性を示す状
態図、第３図および第４図は第１図に示した構造に対応
する伝導バンドまたは価電子バンドダイアダラムをそれ
ぞれ示す特性図、第５図は従来の超伝導トランジスタを
示す断面図である。 図において、（２）は第１材料（ＢａＰｂ１−ｘＢｉｘ
ｏ３層）、（３）は第２材料（Ｂａｒｂ １−ｙＢｉ３
ｒ０３−δ層）、（４）は超伝導層、（５ａ）、（５ｂ
）は第１の電極（Ａ電極）及び第２の電極（Ｂ電極）、
（６）は第３の電極（０電極）である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
ンジスタを示す断面図、第２図は第１図の実施例に用い
られるＢａＰｂ１−ｘＢｉｘｏ ３の電子物性を示す状
態図、第３図および第４図は第１図に示した構造に対応
する伝導バンドまたは価電子バンドダイアダラムをそれ
ぞれ示す特性図、第５図は従来の超伝導トランジスタを
示す断面図である。 図において、（２）は第１材料（ＢａＰｂ１−ｘＢｉｘ
ｏ３層）、（３）は第２材料（Ｂａｒｂ １−ｙＢｉ３
ｒ０３−δ層）、（４）は超伝導層、（５ａ）、（５ｂ
）は第１の電極（Ａ電極）及び第２の電極（Ｂ電極）、
（６）は第３の電極（０電極）である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 絶縁体または半導体的な性質と、金属的な性質と、超
伝導体的な性質とを、組成比、温度、および欠陥の量の
違いに応じて示すような物質系にあって絶縁体または半
導体的な性質を示している第１材料に、上記物質系にあ
って絶縁体または半導体的な性質を示しており、第１材
料と電子親和度またはイオン化エネルギーの異なる第２
材料を接合し、両材料の接合界面付近に電子の過剰また
は不足を誘起して実現する超伝導層と、この超伝導層の
両端に設けられ超伝導電流を流す第１および第２の電極
と、上記第１材料または第２材料を上記超伝導層とで挾
むように設けられ超伝導層の過剰または不足電子を消滅
させる電界を印加する第３の電極とを備えたことを特徴
とする超伝導電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63031213A JPH01205578A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | 超伝導電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63031213A JPH01205578A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | 超伝導電界効果トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01205578A true JPH01205578A (ja) | 1989-08-17 |
Family
ID=12325154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63031213A Pending JPH01205578A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | 超伝導電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01205578A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5828079A (en) * | 1992-06-29 | 1998-10-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Field-effect type superconducting device including bi-base oxide compound containing copper |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5220773A (en) * | 1975-08-09 | 1977-02-16 | Shinji Kawamichi | Semi-conductor element |
| JPS5727079A (en) * | 1980-07-25 | 1982-02-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of josephson element of oxide superconductor |
-
1988
- 1988-02-12 JP JP63031213A patent/JPH01205578A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5220773A (en) * | 1975-08-09 | 1977-02-16 | Shinji Kawamichi | Semi-conductor element |
| JPS5727079A (en) * | 1980-07-25 | 1982-02-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of josephson element of oxide superconductor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5828079A (en) * | 1992-06-29 | 1998-10-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Field-effect type superconducting device including bi-base oxide compound containing copper |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6175575A (ja) | 超電導デバイス | |
| JP2585269B2 (ja) | 超伝導トランジスタ | |
| JPH0217943B2 (ja) | ||
| JPH01101676A (ja) | 超伝導トランジスタ | |
| JP2583922B2 (ja) | 超電導スイッチング素子 | |
| JPH0484469A (ja) | 三端子デバイス | |
| JP2867956B2 (ja) | 超電導トランジスタ | |
| JPS6256673B2 (ja) | ||
| JPS6256672B2 (ja) | ||
| JP2829173B2 (ja) | 超電導素子 | |
| JP2597745B2 (ja) | 超電導素子および作製方法 | |
| JP2829201B2 (ja) | 超電導素子 | |
| JP2774713B2 (ja) | 超電導素子 | |
| JP2621245B2 (ja) | 超伝導体装置 | |
| JP2583923B2 (ja) | 超電導スイッチング素子 | |
| JP2583924B2 (ja) | 超電導スイッチング素子 | |
| JPH05183201A (ja) | 超伝導素子 | |
| JPS63308974A (ja) | 超電導トランジスタ | |
| JPH01137682A (ja) | 超電導スイッチング素子 | |
| JPH0249481A (ja) | 酸化物系ジョセフソン接合装置の製造方法 | |
| JPS62213179A (ja) | ジヨセフソン接合素子 | |
| JPS63311778A (ja) | 超伝導デバイス | |
| JPH05183203A (ja) | 超伝導素子 | |
| JPH0283986A (ja) | 超伝導ダイオード | |
| JPH08162682A (ja) | 超電導素子およびその製造方法 |