JPH01208489A - 触媒電極及びその製造法 - Google Patents
触媒電極及びその製造法Info
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- JPH01208489A JPH01208489A JP63033719A JP3371988A JPH01208489A JP H01208489 A JPH01208489 A JP H01208489A JP 63033719 A JP63033719 A JP 63033719A JP 3371988 A JP3371988 A JP 3371988A JP H01208489 A JPH01208489 A JP H01208489A
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- electrode
- electroless plating
- porous
- platinum
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B15/00—Operating or servicing cells
- C25B15/02—Process control or regulation
- C25B15/023—Measuring, analysing or testing during electrolytic production
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- Electrodes For Compound Or Non-Metal Manufacture (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、触媒電極及びその製造法に関し、より詳しく
は、固体高分子電解質(例えば、イオン交換膜)を用い
る水電解法による水素、酸素若しくはオゾンの製造、ハ
ロゲン化物水溶液の電解によるハロゲンの製造等のゼロ
ギャップ電解法に適した触媒電極に関する。
は、固体高分子電解質(例えば、イオン交換膜)を用い
る水電解法による水素、酸素若しくはオゾンの製造、ハ
ロゲン化物水溶液の電解によるハロゲンの製造等のゼロ
ギャップ電解法に適した触媒電極に関する。
従来の技術
従来、水電解、ハロゲン化物電解等の電解合成を行なう
に当っては、イオン交換膜と触媒電極とを密接させて電
解する、所謂ゼロギャップ電解が行なわれている。
に当っては、イオン交換膜と触媒電極とを密接させて電
解する、所謂ゼロギャップ電解が行なわれている。
その際用いられる陽極としては、通常、チタン、タンタ
ル等のバルブメタルのパンチング板、エキスバンド板、
メツシュ、ホトエツチング板、球状金属微粉末や繊維状
金属の焼結板等のポーラス板を基体材料とし、これに電
極触媒能を有する金属又は金属酸化物を電気めっき、化
学めっき、熱分解めっき、イオンブレーティング等の方
法で全面に被覆したポーラス触媒電極が、また陰極には
、炭素粉末の表面に電極触媒をスパッタリング等の方法
で被覆したものを、PTFE樹脂でモールドしたポーラ
ス触媒電極等が夫々使用されている。
ル等のバルブメタルのパンチング板、エキスバンド板、
メツシュ、ホトエツチング板、球状金属微粉末や繊維状
金属の焼結板等のポーラス板を基体材料とし、これに電
極触媒能を有する金属又は金属酸化物を電気めっき、化
学めっき、熱分解めっき、イオンブレーティング等の方
法で全面に被覆したポーラス触媒電極が、また陰極には
、炭素粉末の表面に電極触媒をスパッタリング等の方法
で被覆したものを、PTFE樹脂でモールドしたポーラ
ス触媒電極等が夫々使用されている。
発明が解決しようとする問題点
ゼロギャップ電解で作動する反応界面は、イオン交換膜
と電極との接触点である。しかして、従来のポーラス触
媒電極は、その空孔内或は背面側にも電極反応に関与し
ない電極触媒が接合されている。このような空孔内或は
背面側に存在する電極触媒は、反応生成物を分解して電
流効率を低下させるといった副反応を惹起することがあ
る。従って、ゼロギャップ電解に用いるポーラス触媒電
極には、触媒金属がイオン交換膜との接触面に必要最小
量だけ存在することが理想とされる。しかしながら、従
来から知られている湿式或は乾式のめっき法によれば、
触媒金属の空孔内や背面側へのまわりこみを防ぎきれず
、電極の選択された面に電極触媒を接合することが困難
であるので、上記のような理想構造を持つポーラス電極
を製造することができない。
と電極との接触点である。しかして、従来のポーラス触
媒電極は、その空孔内或は背面側にも電極反応に関与し
ない電極触媒が接合されている。このような空孔内或は
背面側に存在する電極触媒は、反応生成物を分解して電
流効率を低下させるといった副反応を惹起することがあ
る。従って、ゼロギャップ電解に用いるポーラス触媒電
極には、触媒金属がイオン交換膜との接触面に必要最小
量だけ存在することが理想とされる。しかしながら、従
来から知られている湿式或は乾式のめっき法によれば、
触媒金属の空孔内や背面側へのまわりこみを防ぎきれず
、電極の選択された面に電極触媒を接合することが困難
であるので、上記のような理想構造を持つポーラス電極
を製造することができない。
問題点を解決するための手段
本発明者は、上記従来技術の問題点に鑑みて鋭意研究を
重ね、予め白金被覆処理を施したチタン材と無処理のチ
タン材とを積層して焼結し、白金被覆層のみに二酸化鉛
を電析して製造される二酸化鉛電極をゼロギャップ電解
に用いた場合には、オゾン等を高濃度で製造できること
を見い出し、先に特許出願した(特願昭62−7276
2号)。
重ね、予め白金被覆処理を施したチタン材と無処理のチ
タン材とを積層して焼結し、白金被覆層のみに二酸化鉛
を電析して製造される二酸化鉛電極をゼロギャップ電解
に用いた場合には、オゾン等を高濃度で製造できること
を見い出し、先に特許出願した(特願昭62−7276
2号)。
更に本発明者は、−層優れた触媒電極を得るべく研究を
行なった結果、ポーラス基体材料に電極触媒能を有する
金属(以下触媒金属という)を無電解めっきするに先立
って、該基体を陰極とし且つ該触媒金属の無電解めっき
浴を用いて該基体の選択された面に電解処理を行ない、
次いで無電解めっきを行なう場合には、該基体の選択さ
れた面にのみ触媒金属が接合しそれ以外の部分、例えば
、空孔内、背面側等にめっきが施されていない触媒電極
が得られることを見い出し、本発明を完成した。
行なった結果、ポーラス基体材料に電極触媒能を有する
金属(以下触媒金属という)を無電解めっきするに先立
って、該基体を陰極とし且つ該触媒金属の無電解めっき
浴を用いて該基体の選択された面に電解処理を行ない、
次いで無電解めっきを行なう場合には、該基体の選択さ
れた面にのみ触媒金属が接合しそれ以外の部分、例えば
、空孔内、背面側等にめっきが施されていない触媒電極
が得られることを見い出し、本発明を完成した。
即ち本発明は、下記■〜■の触媒電極及びその製造法に
係る。
係る。
■ポーラス基体材料の選択された面に、白金、パラジウ
ム、ロジウム、ルテニウム及びイリジウムから選ばれた
1種又は2種以上の電極触媒能を有する金属層を備えた
触媒電極。
ム、ロジウム、ルテニウム及びイリジウムから選ばれた
1種又は2種以上の電極触媒能を有する金属層を備えた
触媒電極。
■ポーラス基体材料の選択された面に、白金、パラジウ
ム、ロジウム、ルテニウム及びイリジウムから選ばれた
1種又は2種以上の電極触媒能を有する金属層をめっき
により形成するに当り、該基体の選択された面を無電解
めっき液を用いて電解処理した後、同一組成の無電解め
っき浴を用いて無電解めっきを行なって該金属層を形成
することを特徴とする触媒電極の製造法。
ム、ロジウム、ルテニウム及びイリジウムから選ばれた
1種又は2種以上の電極触媒能を有する金属層をめっき
により形成するに当り、該基体の選択された面を無電解
めっき液を用いて電解処理した後、同一組成の無電解め
っき浴を用いて無電解めっきを行なって該金属層を形成
することを特徴とする触媒電極の製造法。
■ポーラス基体材料の選択された面に、白金、パラジウ
ム、ロジウム、ルテニウム及びイリジウムから選ばれた
1種又は2種以上の電極触媒能を有する金属層、及び該
金属層の上に、二酸化鉛又は二酸化マンガンである電極
触媒能を有する金属酸化物層を備えた触媒電極。
ム、ロジウム、ルテニウム及びイリジウムから選ばれた
1種又は2種以上の電極触媒能を有する金属層、及び該
金属層の上に、二酸化鉛又は二酸化マンガンである電極
触媒能を有する金属酸化物層を備えた触媒電極。
■ポーラス基体材料の選択された面に、白金、パラジウ
ム、ロジウム、ルテニウム及びイリジウムから選ばれた
1種又は2種以上の電極触媒能を有する金属層及び該金
属層の上に二酸化鉛又は二酸化マンガンである電極触媒
能を有する金属酸化物層を、めっきにより形成するに当
り、該基体の選択された面を無電解めっき液を用いて電
解処理した後、同一組成の無電解めっき浴を用いて無電
解めっきを行なって該金属層を形成し、更に該金属酸化
物を電析することを特徴とする触媒電極の製造法。
ム、ロジウム、ルテニウム及びイリジウムから選ばれた
1種又は2種以上の電極触媒能を有する金属層及び該金
属層の上に二酸化鉛又は二酸化マンガンである電極触媒
能を有する金属酸化物層を、めっきにより形成するに当
り、該基体の選択された面を無電解めっき液を用いて電
解処理した後、同一組成の無電解めっき浴を用いて無電
解めっきを行なって該金属層を形成し、更に該金属酸化
物を電析することを特徴とする触媒電極の製造法。
本発明では、ポーラス基体材料としては公知のものをい
ずれも使用できるが、得られる触媒電極を陽極として使
用する場合には、例えば、チタン、タンタル等の耐食性
金属のエキスバンド板、ホトエツチング板等の有孔板の
積層材、ゼロキャップ電解に適した多孔質焼結体等を特
に好ましく使用できる。上記多孔質焼結体の原料として
は特に制限されず公知のものを使用できるが、例えば、
溶融噴霧法、回転電極法、ひびり振動切削法等の公知の
方法で製造される球状金属粉末、繊維状金属等を挙げる
ことができる。焼結は通常真空中又はアルゴン、ヘリウ
ム等の不活性ガス中で行なわれる。また焼結条件は、使
用する金属の種類に応じて適宜選択すればよい。焼結体
の中でも、空孔率が通常40〜80%程度、好ましくは
50〜70%程度であり、且つ開孔径が通常10〜10
00μm程度、好ましくは50〜500μm程度である
ものを特に好ましく使用できる。空孔率40%未満又は
開孔径が10μm未満の場合には、電解に際してのイオ
ン交換膜への電解液の補給、ガスの脱離等が困難になる
傾向がある。また、空孔率が80%を越えるか又は開孔
径が1000μmを越える場合には、膜と電極との接触
点が少なくなり、電流密度が大きくなって膜の破損を引
き起こす恐れがある。
ずれも使用できるが、得られる触媒電極を陽極として使
用する場合には、例えば、チタン、タンタル等の耐食性
金属のエキスバンド板、ホトエツチング板等の有孔板の
積層材、ゼロキャップ電解に適した多孔質焼結体等を特
に好ましく使用できる。上記多孔質焼結体の原料として
は特に制限されず公知のものを使用できるが、例えば、
溶融噴霧法、回転電極法、ひびり振動切削法等の公知の
方法で製造される球状金属粉末、繊維状金属等を挙げる
ことができる。焼結は通常真空中又はアルゴン、ヘリウ
ム等の不活性ガス中で行なわれる。また焼結条件は、使
用する金属の種類に応じて適宜選択すればよい。焼結体
の中でも、空孔率が通常40〜80%程度、好ましくは
50〜70%程度であり、且つ開孔径が通常10〜10
00μm程度、好ましくは50〜500μm程度である
ものを特に好ましく使用できる。空孔率40%未満又は
開孔径が10μm未満の場合には、電解に際してのイオ
ン交換膜への電解液の補給、ガスの脱離等が困難になる
傾向がある。また、空孔率が80%を越えるか又は開孔
径が1000μmを越える場合には、膜と電極との接触
点が少なくなり、電流密度が大きくなって膜の破損を引
き起こす恐れがある。
得られる触媒電極を陰極として使用する場合には、ポー
ラス基体材料としては、公知の炭素系材料を好ましく使
用できる。その具体例としては、例えば、粉粒状炭素、
炭素繊維チョップ等の焼結体、カーボンペーパー、フェ
ルト、クロス、その他ゼロギャップ電解に適した炭素粉
末等をPTFE樹脂でモールドしたもの(特開昭61−
276987号)、膨張化黒鉛を含む焼結体(特開昭6
2−227098号)等を挙げることができる。
ラス基体材料としては、公知の炭素系材料を好ましく使
用できる。その具体例としては、例えば、粉粒状炭素、
炭素繊維チョップ等の焼結体、カーボンペーパー、フェ
ルト、クロス、その他ゼロギャップ電解に適した炭素粉
末等をPTFE樹脂でモールドしたもの(特開昭61−
276987号)、膨張化黒鉛を含む焼結体(特開昭6
2−227098号)等を挙げることができる。
上記ポーラス炭素基体の開孔径及び空孔率は特に制限さ
れないが、通常夫々1〜10μm程度及び40〜60%
程度とすればよい。
れないが、通常夫々1〜10μm程度及び40〜60%
程度とすればよい。
また、電極触媒能を有する金属としては、白金、−パラ
ジウム、ロジウム、ルテニウム及びイリジウムから選ば
れた1種又は2種以上の金属を使用する。合金の場合、
配合比率は特に制限されず適宜選択すればよい。上記金
属の無電解めっき浴としては公知のものがいずれも使用
でき、例えば、上記金属の塩、還元剤等を含む浴液をア
ンモニア水、アルカリ性pH緩衝液等でpH10〜13
程度に調整した無電解めっき浴等を挙げることができる
。
ジウム、ロジウム、ルテニウム及びイリジウムから選ば
れた1種又は2種以上の金属を使用する。合金の場合、
配合比率は特に制限されず適宜選択すればよい。上記金
属の無電解めっき浴としては公知のものがいずれも使用
でき、例えば、上記金属の塩、還元剤等を含む浴液をア
ンモニア水、アルカリ性pH緩衝液等でpH10〜13
程度に調整した無電解めっき浴等を挙げることができる
。
白金塩としては、白金ニトロ錯塩、白金ニトロアンミン
錯塩等を、パラジウム塩としては、パラジウムニトロ錯
塩、パラジウムアンミン錯塩等を、ロジウム塩としては
、ロジウムのアンミン錯塩等を、ルテニウム塩としては
、ルテニウムのニトロシルアンミン錯塩等を、またイリ
ジウム塩としては、イリジウムのハロゲン化物等を夫々
例示できるが、これらに限定されるものではない。還元
剤としては公知のものを使用でき、例えば、ヒドラジン
、アルキルアミンボラン等を挙げることができる。ヒド
ラジンとしては、その水和物、塩酸塩、硫酸塩等を好適
に使用できる。上記無電解めっき浴には、その他の添加
剤として、例えば、ヒドロキシルアミン塩等の反応促進
剤を使用してもよい。
錯塩等を、パラジウム塩としては、パラジウムニトロ錯
塩、パラジウムアンミン錯塩等を、ロジウム塩としては
、ロジウムのアンミン錯塩等を、ルテニウム塩としては
、ルテニウムのニトロシルアンミン錯塩等を、またイリ
ジウム塩としては、イリジウムのハロゲン化物等を夫々
例示できるが、これらに限定されるものではない。還元
剤としては公知のものを使用でき、例えば、ヒドラジン
、アルキルアミンボラン等を挙げることができる。ヒド
ラジンとしては、その水和物、塩酸塩、硫酸塩等を好適
に使用できる。上記無電解めっき浴には、その他の添加
剤として、例えば、ヒドロキシルアミン塩等の反応促進
剤を使用してもよい。
ヒドロキシルアミン塩としては、塩酸塩、硫酸塩、硝酸
塩等を好適に使用できる。上記浴成分の添加量は特に制
限されず、適宜選択すればよい。上記無電解めっき浴は
、特公昭59−33667号、特公昭59−39504
号、特公昭59−34784号、特開昭60−1627
80号等に記載されている。
塩等を好適に使用できる。上記浴成分の添加量は特に制
限されず、適宜選択すればよい。上記無電解めっき浴は
、特公昭59−33667号、特公昭59−39504
号、特公昭59−34784号、特開昭60−1627
80号等に記載されている。
上記■の本発明触媒電極は、以下のようにして製造され
る。
る。
まず、ポーラス基体材料の選択された面を、触媒金属の
無電解めっき液を用いて電解処理する。
無電解めっき液を用いて電解処理する。
電解処理条件は特に制限されず適宜選択できる。
通常、室温下、電圧3.5〜15.5V程度及び電流密
度0.05〜1.OA/dm2程度で電解が行なわれる
。尚、ポーラス基体材料を上記電解処理に供する前に、
常法に従って、洗浄処理、エツチング処理、酸洗等に供
してもよい。
度0.05〜1.OA/dm2程度で電解が行なわれる
。尚、ポーラス基体材料を上記電解処理に供する前に、
常法に従って、洗浄処理、エツチング処理、酸洗等に供
してもよい。
電解処理方法も特に制限されないが、通常は隔膜法が使
用される。隔膜法を行なうための装置の一例を第1図に
示す。第1図において、(1)はポーラス基体(陰極と
なる)、(3)は陽極である。陽極(3)としては、通
常白金メツシュ又は白金めっきしたポーラスチタン板が
用いられる。
用される。隔膜法を行なうための装置の一例を第1図に
示す。第1図において、(1)はポーラス基体(陰極と
なる)、(3)は陽極である。陽極(3)としては、通
常白金メツシュ又は白金めっきしたポーラスチタン板が
用いられる。
隔膜(5)は陰陽極を分離すると共に適当な速度で触媒
金属イオンを陰極表面に補給できるような保水性が要求
される。保水量が多いと、ポーラス電極の細管内に電解
液が入って内部までめっきされ、少ないと、電解電圧が
高くなって発熱するので好ましくない。隔膜(5)の材
料としては上記条件を満たすものがいずれも使用でき、
その具体例としては、例えば、濾紙、枦布等に用いられ
るセルロース系繊維、合成繊維等の吸水性材料、吸水性
樹脂、カチオン交換膜等を挙げることができる。カチオ
ン交換膜を使用する場合には、電解液中のカチオニック
な金属イオンが膜中を移動して陰極表面に補給されるた
め、より効果的にポーラス基体(1)が電解処理される
。(7)はチタン製の容器で、電解液溜めと給電材とを
兼ねている。
金属イオンを陰極表面に補給できるような保水性が要求
される。保水量が多いと、ポーラス電極の細管内に電解
液が入って内部までめっきされ、少ないと、電解電圧が
高くなって発熱するので好ましくない。隔膜(5)の材
料としては上記条件を満たすものがいずれも使用でき、
その具体例としては、例えば、濾紙、枦布等に用いられ
るセルロース系繊維、合成繊維等の吸水性材料、吸水性
樹脂、カチオン交換膜等を挙げることができる。カチオ
ン交換膜を使用する場合には、電解液中のカチオニック
な金属イオンが膜中を移動して陰極表面に補給されるた
め、より効果的にポーラス基体(1)が電解処理される
。(7)はチタン製の容器で、電解液溜めと給電材とを
兼ねている。
(9)はポーラス基体(1)を隔膜(5)に圧接するた
めの重り及び給電体を兼ねる金属板であり、例えば、ス
テンレススチール等を使用できる。
めの重り及び給電体を兼ねる金属板であり、例えば、ス
テンレススチール等を使用できる。
電解は、ポーラス基体(1)の選択された面に隔膜(5
)を接触させ、(7)に無電解めっき液を入れ、隔膜(
5)を吸水状態に保ちつつ行なわれる。陰極(1)に析
出させる触媒金属皮膜の厚さは特に制限されないが、0
.05〜1.0μm程度とすればよく、通常は0.1μ
m前後で充分である。
)を接触させ、(7)に無電解めっき液を入れ、隔膜(
5)を吸水状態に保ちつつ行なわれる。陰極(1)に析
出させる触媒金属皮膜の厚さは特に制限されないが、0
.05〜1.0μm程度とすればよく、通常は0.1μ
m前後で充分である。
上記隔膜法による電解処理は、大型の触媒電極を製造す
る場合に特に好ましく採用できる。小型の電極である場
合には、筆めっき法又はそれに類似の方法に従って行う
こともできる。
る場合に特に好ましく採用できる。小型の電極である場
合には、筆めっき法又はそれに類似の方法に従って行う
こともできる。
上記電解処理により、ポーラス基体の片面に選択的に活
性点が形成される。
性点が形成される。
かくして電解処理されたポーラス基体は、次に無電解め
っきに供される。無電解めっきは、通常の条件下に行な
われる。無電解めっきは、前段の電解処理で析出させた
触媒金属面が活性点となって開始し、自触媒作用によっ
て成長する。このため、触媒金属が析出していないポー
ラス基体の空孔内又は背面側にはめっきが起らず、必要
な面のみが選択的にめっきされることになる。この無電
解めっきによって、触媒金属層を通常0.5〜5.0μ
m程度、好ましくは1.0〜3.0μm程度まで成長さ
せる。めっきされる金属量は、浴液中の金属量を予め調
節しておけばよい。バッチ処理で行なわれるめっきの金
属利用率は、90〜95%程度である。
っきに供される。無電解めっきは、通常の条件下に行な
われる。無電解めっきは、前段の電解処理で析出させた
触媒金属面が活性点となって開始し、自触媒作用によっ
て成長する。このため、触媒金属が析出していないポー
ラス基体の空孔内又は背面側にはめっきが起らず、必要
な面のみが選択的にめっきされることになる。この無電
解めっきによって、触媒金属層を通常0.5〜5.0μ
m程度、好ましくは1.0〜3.0μm程度まで成長さ
せる。めっきされる金属量は、浴液中の金属量を予め調
節しておけばよい。バッチ処理で行なわれるめっきの金
属利用率は、90〜95%程度である。
かくして本発明触媒電極を得ることができる。
尚、必要に応じ、めっき後の電極を、常法に従って洗浄
してもよい。洗浄方法としては、例えば、温水で吸引す
る方法等を挙げることができる。
してもよい。洗浄方法としては、例えば、温水で吸引す
る方法等を挙げることができる。
本発明では、上記方法によって施された触媒金属のめっ
き皮膜上に、電極触媒能を有する金属酸化物を電析させ
てもよい。前記金属酸化物としては、二酸化鉛又は二酸
化マンガンを使用できる。
き皮膜上に、電極触媒能を有する金属酸化物を電析させ
てもよい。前記金属酸化物としては、二酸化鉛又は二酸
化マンガンを使用できる。
電析は公知の方法に従って行なうことができる。
例えば、ポーラス基体に前段の無電解処理で例えば白金
を析出させた後、該ポーラス基体を陽極とし、且つ例え
ばステンレス鋼を陰極とし、鉛又はマンガン電解めっき
浴を用い、電解を行なうことにより白金析出層上に選択
的に二酸化鉛又は二酸化マンガンが析出した触媒電極を
得ることができる。電解条件は特に制限されないが、通
常60〜70℃程度の温度下に3〜5A/dm2程度で
行なえばよい。鉛又はマンガン電解めっき浴としては公
知のものがいずれも使用でき、その具体例としては、例
えば、硝酸鉛銅浴、硝酸鉛浴、硝酸マンガン浴等を挙げ
ることができる。
を析出させた後、該ポーラス基体を陽極とし、且つ例え
ばステンレス鋼を陰極とし、鉛又はマンガン電解めっき
浴を用い、電解を行なうことにより白金析出層上に選択
的に二酸化鉛又は二酸化マンガンが析出した触媒電極を
得ることができる。電解条件は特に制限されないが、通
常60〜70℃程度の温度下に3〜5A/dm2程度で
行なえばよい。鉛又はマンガン電解めっき浴としては公
知のものがいずれも使用でき、その具体例としては、例
えば、硝酸鉛銅浴、硝酸鉛浴、硝酸マンガン浴等を挙げ
ることができる。
かくして、ポーラス基体の選択された面に、触媒金属層
及び触媒金属酸化物層を有する触媒電極を得ることがで
きる。
及び触媒金属酸化物層を有する触媒電極を得ることがで
きる。
上記方法で製造される本発明触媒電極を用いてゼロキャ
ップ電解を行なうに当っては、公知の方法に従ってイオ
ン交換膜−触媒電極接合体を作製してもよく、或いはイ
オン交換膜と触媒電極とを単に圧接してゼロキャップ電
解を行なってもよい。
ップ電解を行なうに当っては、公知の方法に従ってイオ
ン交換膜−触媒電極接合体を作製してもよく、或いはイ
オン交換膜と触媒電極とを単に圧接してゼロキャップ電
解を行なってもよい。
その際の電圧等の各条件は適宜選択すればよい。
発明の効果
本発明によれば、以下のような顕著な効果が達成される
。
。
(1)ポーラス基体の選択された面にのみ触媒金属層を
備えた触媒電極を極めて容易に製造できる。該電極をゼ
ロキャップ電解に使用する場合には、反応生成物を分解
して電流効率を低下させるといった不利な副反応が殆ん
ど起こらず、非常に有用な電極として使用できる。
備えた触媒電極を極めて容易に製造できる。該電極をゼ
ロキャップ電解に使用する場合には、反応生成物を分解
して電流効率を低下させるといった不利な副反応が殆ん
ど起こらず、非常に有用な電極として使用できる。
(2大型から小型まで、所望形状の触媒電極を容易に製
造できる。
造できる。
(3)触媒電極の製造に当り、常に同一組成の無電解め
っき浴を使用するので、電極の汚染又は損傷がなく、め
っき浴の汚染もなくなる。
っき浴を使用するので、電極の汚染又は損傷がなく、め
っき浴の汚染もなくなる。
(4)ポーラス基体の選択された面にのみ触媒金属を析
出させることができるので、高価な触媒金属の使用量を
効率よく低減できる。
出させることができるので、高価な触媒金属の使用量を
効率よく低減できる。
(5)炭素質材料に対しても、金属のポーラス基体と同
様に部分めっきできる。
様に部分めっきできる。
(6)本発明触媒電極は、本発明者が先に特許出願した
二酸化鉛電極に比し、1/3〜115程度のコストで製
造できる。
二酸化鉛電極に比し、1/3〜115程度のコストで製
造できる。
実施例
以下に実施例及び比較例を挙げ、本発明をより一層明瞭
なものとする。
なものとする。
参考例1(ポーラス基体の製造)
びびり切削繊維(ファイバー長2〜3mm、径約60μ
m)を真空焼結した径85mm5厚さ3mmのポーラス
チタン板〔空孔率約60%、東京製鋼■製〕を使用した
。このチタン板を、シュウ酸50gを含む500回の水
に入れ、60℃に加温して5分間表面をエツチングした
後、吸引しながら充分水洗した。
m)を真空焼結した径85mm5厚さ3mmのポーラス
チタン板〔空孔率約60%、東京製鋼■製〕を使用した
。このチタン板を、シュウ酸50gを含む500回の水
に入れ、60℃に加温して5分間表面をエツチングした
後、吸引しながら充分水洗した。
実施例1(白金めっき)
参考例1で得られたポーラスチタン板(陰極)、白金の
電気めっきを全面に施したポーラスチタン板(径85m
m、厚さ3a1ms陽極)及び#4の濾紙〔隔膜、東洋
濾紙■製〕を第1図に示すように配置し、下記組成の無
電解めっき浴を濾紙が濡れる程度ニ加工、4〜5V、0
.3〜0.5Aで約10分電解した。電解後、陰極のポ
ーラスチタン板を取出し、下記組成の無電解めっき浴に
浸漬して65〜70℃で2時間無電解めっきを行なった
。
電気めっきを全面に施したポーラスチタン板(径85m
m、厚さ3a1ms陽極)及び#4の濾紙〔隔膜、東洋
濾紙■製〕を第1図に示すように配置し、下記組成の無
電解めっき浴を濾紙が濡れる程度ニ加工、4〜5V、0
.3〜0.5Aで約10分電解した。電解後、陰極のポ
ーラスチタン板を取出し、下記組成の無電解めっき浴に
浸漬して65〜70℃で2時間無電解めっきを行なった
。
めっき終了後、ポーラスチタン板を浴液から取出し、吸
引しながら水洗し、100°Cで乾燥した。
引しながら水洗し、100°Cで乾燥した。
該ポーラスチタン板の片面の0.5mm厚の層に約3μ
mの白金めっきが施された本発明触媒電極を得た。
mの白金めっきが施された本発明触媒電極を得た。
(無電解めっき浴)
テトラアンミン白金(II)塩化物溶液300mg(P
tとして) 28%アンモニア水 2m05%ヒドロ
キシルアミン塩酸塩溶液 0m12 20%ヒドラジン水和物溶液 8m(2水
残部針
300 mQ実施例2(ロジウムめっき) 参考例1で得られたポーラスチタン板を、無電解めっき
浴として下記組成のものを使用する以外は、実施例1と
同様に処理し、該ポーラスチタン板の片面の約0.5m
m厚の層に約3μmのロジウムめっきが施された本発明
触媒電極を得た。
tとして) 28%アンモニア水 2m05%ヒドロ
キシルアミン塩酸塩溶液 0m12 20%ヒドラジン水和物溶液 8m(2水
残部針
300 mQ実施例2(ロジウムめっき) 参考例1で得られたポーラスチタン板を、無電解めっき
浴として下記組成のものを使用する以外は、実施例1と
同様に処理し、該ポーラスチタン板の片面の約0.5m
m厚の層に約3μmのロジウムめっきが施された本発明
触媒電極を得た。
(無電解めっき浴)
ヘキサアンミンロジウム塩化物水溶液
300mg(Phとして)
28%アンモニア水 10−5%ヒドロキ
シルアミン塩酸塩溶液 01TIQ 20%ヒドラジン水和物溶液 10戒水
残部針
300 mQ実施例3 回転電極法(REP)で得られた球形チタン(径300
μm)を真空焼結して得られた径5InIfi、厚さ5
[QIllのポーラスチタン板〔空孔率40%、東京型
w4■製〕を参考例1と同様にエツチング及び水洗した
後、実施例1と同様にして処理し、該ポーラスチタン板
の片面の0.5mm厚の層に約3μmの白金めっきが施
された本発明触媒電極を得た。尚、基本操作は実施例1
と同様である。
シルアミン塩酸塩溶液 01TIQ 20%ヒドラジン水和物溶液 10戒水
残部針
300 mQ実施例3 回転電極法(REP)で得られた球形チタン(径300
μm)を真空焼結して得られた径5InIfi、厚さ5
[QIllのポーラスチタン板〔空孔率40%、東京型
w4■製〕を参考例1と同様にエツチング及び水洗した
後、実施例1と同様にして処理し、該ポーラスチタン板
の片面の0.5mm厚の層に約3μmの白金めっきが施
された本発明触媒電極を得た。尚、基本操作は実施例1
と同様である。
実施例4
実施例3と同様にして得られたポーラスチタン板(径8
0mm、厚さ5mm)を、下記組成の無電解めっき浴を
用いて電解しく室温、5V、0.5A、約5分)、続い
て無電解めっきしく60℃、2時間)、チタンポーラス
チタン板の片面の0.5mm厚の層に約2μmのパラジ
ウムめっきが施された本発明触媒電極を得た。尚、基本
操作は実施例1と同様である。
0mm、厚さ5mm)を、下記組成の無電解めっき浴を
用いて電解しく室温、5V、0.5A、約5分)、続い
て無電解めっきしく60℃、2時間)、チタンポーラス
チタン板の片面の0.5mm厚の層に約2μmのパラジ
ウムめっきが施された本発明触媒電極を得た。尚、基本
操作は実施例1と同様である。
(無電解めっき浴)
テトラニトロパラジウム酸カリウム
200mg(Pdとして)
28%アンモニア水 2mQ5%ヒドロ
キシルアミン塩酸塩溶液 0mQ 20%ヒドラジン水和物溶液 1〇−水
残部針
300一実施例5(イリジウムめっき) 参考例1と同様にして得られたポーラスチタン板に、下
記組成の無電解めっき浴を用いて電解しく室温、5.5
V、0.5A、約5分)、続イテ無電解めっきしく85
℃、2時間)、該ポーラスチタン板の片面の0.5mm
厚の層に約1.5μmのイリジウムめっきが施された本
発明触媒電極を得た。尚、基本操作は実施例1と同様で
ある。
キシルアミン塩酸塩溶液 0mQ 20%ヒドラジン水和物溶液 1〇−水
残部針
300一実施例5(イリジウムめっき) 参考例1と同様にして得られたポーラスチタン板に、下
記組成の無電解めっき浴を用いて電解しく室温、5.5
V、0.5A、約5分)、続イテ無電解めっきしく85
℃、2時間)、該ポーラスチタン板の片面の0.5mm
厚の層に約1.5μmのイリジウムめっきが施された本
発明触媒電極を得た。尚、基本操作は実施例1と同様で
ある。
(無電解めっき浴)
ヘキサクロロイリジウム(IV)酸カリウム250mg
(Irとして) 5%ヒドロキシルアミン塩酸塩溶液 0m1 20%ヒドラジン水和物溶液 8mQ水
残部計
200戒実施例6(ルテニウムめっき) 実施例3と同様にして得られたポーラスチタン板〔径8
0mm、厚さ5 m m s空孔率40%、東京製14
(11製〕に、下記組成の無電解めっき浴を用いて電解
しく室温、5V、0.2〜0.5A、約10分)、続い
て無電解めっきしく60℃、2時間)、該ポーラスチタ
ン板の片面の0.5mm厚の層に約1.5μmのルテニ
ウムめっきが施された本発明触媒電極を得た。尚、基本
操作は実施例1と同様である。
(Irとして) 5%ヒドロキシルアミン塩酸塩溶液 0m1 20%ヒドラジン水和物溶液 8mQ水
残部計
200戒実施例6(ルテニウムめっき) 実施例3と同様にして得られたポーラスチタン板〔径8
0mm、厚さ5 m m s空孔率40%、東京製14
(11製〕に、下記組成の無電解めっき浴を用いて電解
しく室温、5V、0.2〜0.5A、約10分)、続い
て無電解めっきしく60℃、2時間)、該ポーラスチタ
ン板の片面の0.5mm厚の層に約1.5μmのルテニ
ウムめっきが施された本発明触媒電極を得た。尚、基本
操作は実施例1と同様である。
(無電解めっき浴)
ペンタクロルニトロシルルテニウムカリウム200mg
(Ruとして) アンモニア水(1:1) 10m22N
水酸化ナトリウム 10−5%ヒドロキシルア
ミン塩酸塩溶液 mQ 20%ヒドラジン水和物溶液 1戒水
残部針
200戒実施例7(二酸化鉛めっき) 実施例1の方法で得られた本発明の白金めっきポーラス
チタン電極を陽極とし、全面に白金めっきを施したポー
ラスチタン板を陰極とし、下記組成の浴液中で電解しく
70℃、3A/dm2、約1時間)、白金層の上に厚さ
0. 5mmの二酸化鉛層を備えた本発明触媒電極を得
た。予め白金めっきが施された部分以外には二酸化鉛は
析出しなかった。
(Ruとして) アンモニア水(1:1) 10m22N
水酸化ナトリウム 10−5%ヒドロキシルア
ミン塩酸塩溶液 mQ 20%ヒドラジン水和物溶液 1戒水
残部針
200戒実施例7(二酸化鉛めっき) 実施例1の方法で得られた本発明の白金めっきポーラス
チタン電極を陽極とし、全面に白金めっきを施したポー
ラスチタン板を陰極とし、下記組成の浴液中で電解しく
70℃、3A/dm2、約1時間)、白金層の上に厚さ
0. 5mmの二酸化鉛層を備えた本発明触媒電極を得
た。予め白金めっきが施された部分以外には二酸化鉛は
析出しなかった。
(電気めっき浴)
硝酸鉛(Pb (NO3) 23 1モル/Q硝酸銅
(Cu (NOs ) 2 ” 3H20)0.1モル
/Q 水 残部針
IQ実施例8(炭素電極) 膨張化黒鉛を焼結して製造したポーラス炭素板〔径85
mm、厚さ0. 5mm5神戸製鋼■製〕をアセトン及
び水で吸引しながら洗浄した。これを、隔膜として径9
0mmのカチオン交換膜(ナフィオン117膜、デュポ
ン社製)を使用し、電解条件を室温、4V、0.5A、
2時間とする以外は実施例1と同様に操作して、基体炭
素板の片面の約0.2mmの層に約3μmの白金めっき
が施された本発明触媒電極を得た。
(Cu (NOs ) 2 ” 3H20)0.1モル
/Q 水 残部針
IQ実施例8(炭素電極) 膨張化黒鉛を焼結して製造したポーラス炭素板〔径85
mm、厚さ0. 5mm5神戸製鋼■製〕をアセトン及
び水で吸引しながら洗浄した。これを、隔膜として径9
0mmのカチオン交換膜(ナフィオン117膜、デュポ
ン社製)を使用し、電解条件を室温、4V、0.5A、
2時間とする以外は実施例1と同様に操作して、基体炭
素板の片面の約0.2mmの層に約3μmの白金めっき
が施された本発明触媒電極を得た。
実施例1(水電解による水素及び酸素の製造)第2図に
示す電解装置を用い、水電解による水素及び酸素の製造
を行なった。第2図において、(11)はイオン交換膜
、(13)はポーラス触媒電極(陽極)、(15)はポ
ーラス触媒電極(陰極)、(17)は陽極側端板、(1
9)は陰極側端板、(21)は気体分離器、(23)は
陽極発生ガス及び(25)は陰極発生ガスを夫々示して
いる。
示す電解装置を用い、水電解による水素及び酸素の製造
を行なった。第2図において、(11)はイオン交換膜
、(13)はポーラス触媒電極(陽極)、(15)はポ
ーラス触媒電極(陰極)、(17)は陽極側端板、(1
9)は陰極側端板、(21)は気体分離器、(23)は
陽極発生ガス及び(25)は陰極発生ガスを夫々示して
いる。
電解条件及び結果は下記の通りである。従来のSPE法
(固体高分子電解質法)で使用される膜−触媒電極接合
体を作製せず、直接膜と電極とを圧接してゼロキャップ
電解を行なった。電圧は、下記に示す通り、SPE法よ
り約0.3〜0.5V高いが、イニシャルコストを20
〜30%低減でき、良好な電流効率で水素及び酸素を得
た。
(固体高分子電解質法)で使用される膜−触媒電極接合
体を作製せず、直接膜と電極とを圧接してゼロキャップ
電解を行なった。電圧は、下記に示す通り、SPE法よ
り約0.3〜0.5V高いが、イニシャルコストを20
〜30%低減でき、良好な電流効率で水素及び酸素を得
た。
陽極−白金めっきポーラスチタン電極(実施例1、径8
5mm、厚さ3.0mm) 陰極:白金めっきポーラス炭素電極(実施例8、径85
mm、厚さ0.5mm) ′隔膜:カチオン交換膜(
ナフィオン117膜、デュポン社製) 陽極側端板:チタン材 陰極側端板ニステンレススチール材 温度:50〜60°C 電極液:水 電流:50A 電流密度: 100 A/di2 電圧=2電圧−2,2v 水素発生の電流効率:99.5% 実験例2(塩酸電解による塩素の製造)第2図に示す電
解装置を用い、塩素電解による塩素の製造を行なった。
5mm、厚さ3.0mm) 陰極:白金めっきポーラス炭素電極(実施例8、径85
mm、厚さ0.5mm) ′隔膜:カチオン交換膜(
ナフィオン117膜、デュポン社製) 陽極側端板:チタン材 陰極側端板ニステンレススチール材 温度:50〜60°C 電極液:水 電流:50A 電流密度: 100 A/di2 電圧=2電圧−2,2v 水素発生の電流効率:99.5% 実験例2(塩酸電解による塩素の製造)第2図に示す電
解装置を用い、塩素電解による塩素の製造を行なった。
電解条件及び結果は下記の通りである。この場合、SP
E法に比し、イニシャルコストを約30〜50%低減で
きた。
E法に比し、イニシャルコストを約30〜50%低減で
きた。
陽極:イリジウムめっきポーラスチタン電極(実施例5
、径80 wms厚さ3.0wm)陰極:白金めっきポ
ーラス炭素電極(実施例8、径80flI111厚さ0
.5non)隔膜:ナフィオン117膜 陽極側端板兼給電体:チタン材 陰極側端板兼給電体:不浸透性炭素材 温度=30〜40℃ 電極液=7N 塩酸 電流二30A 電流密度:60A/dm2 電圧1.7V 塩素発生曾:37.6g/時 塩素発生の電流効率:95% 実験例3(水電解によるオゾンの製造)第2図に示す電
解装置を用い、水電解によるオゾンの製造を行なった。
、径80 wms厚さ3.0wm)陰極:白金めっきポ
ーラス炭素電極(実施例8、径80flI111厚さ0
.5non)隔膜:ナフィオン117膜 陽極側端板兼給電体:チタン材 陰極側端板兼給電体:不浸透性炭素材 温度=30〜40℃ 電極液=7N 塩酸 電流二30A 電流密度:60A/dm2 電圧1.7V 塩素発生曾:37.6g/時 塩素発生の電流効率:95% 実験例3(水電解によるオゾンの製造)第2図に示す電
解装置を用い、水電解によるオゾンの製造を行なった。
電解条件及び結果は下記の通りである。SPE法では、
陰極として使用するためにナフィオン膜に白金を接合し
なければならず、また二酸化鉛陽極の焼結工程が3回必
要であるのに対し、本発明法では、電極作成は1回で終
了し、陽極と陰極との間に無接合のナフィオン膜をその
まま使用できるので、イニシャルコストを約30〜50
%低減できた。
陰極として使用するためにナフィオン膜に白金を接合し
なければならず、また二酸化鉛陽極の焼結工程が3回必
要であるのに対し、本発明法では、電極作成は1回で終
了し、陽極と陰極との間に無接合のナフィオン膜をその
まま使用できるので、イニシャルコストを約30〜50
%低減できた。
陽極:二酸化鉛被覆ポーラスチタン電極(実施例7、径
80111111%厚さ3.0mm)陰極:白金めっき
ポーラス炭素電極(実施例8、径80mm、厚さ0.5
mm) 隔膜:ナフィオン117膜 陽極側端板兼給電体;チタン材 陰極側端板兼給電体ニステンレススチール材温度:28
〜30℃ 電極液:水 電流: 50A 電流密度: 100 A/dm2 電圧=3電圧−3,5V オゾン発生量:2.50g/時 オゾン濃度:18.0重量% オゾン発生の電流効率:18%
80111111%厚さ3.0mm)陰極:白金めっき
ポーラス炭素電極(実施例8、径80mm、厚さ0.5
mm) 隔膜:ナフィオン117膜 陽極側端板兼給電体;チタン材 陰極側端板兼給電体ニステンレススチール材温度:28
〜30℃ 電極液:水 電流: 50A 電流密度: 100 A/dm2 電圧=3電圧−3,5V オゾン発生量:2.50g/時 オゾン濃度:18.0重量% オゾン発生の電流効率:18%
第1図は、本発明触媒電極を製造する際に使用する装置
の一例を示す該略図である。第2図は、本発明電極を用
いてゼロキャップ電解を行なう際に使用する装置の一例
を示す該略図である。 (1)・・・ポーラス基体 (3)・・・陽極 (5)・・・隔膜 (7)・・・チタン製容器 (9)・・・金属板 (11)・・・イオン交換膜 (13)・・・ポーラス触媒電極(陽極)(15)・・
・ポーラス触媒電極(陰極)(17)・・・陽極側端板 (19)・・・陰極側端板 (21)・・・気体分離器 (23)・・・陽極発生ガス (25)・・・陰極発生ガス (以 上) 図面の浄、I:(内容に変更・なし) 第1図 第2図 手続補正言動式) 1 事件の表示 昭和63年特許願第33719号 2 発明の名称 触媒電極及びその製造法 3 補正をする者 事件との関係 特許出願人 株式会社笹倉機械製作所 (ほか1名) 4代理人 大阪市東区平野町2の10 沢の鶴ビル昭和63年5月
31日 6 補正の対象 図 面 7 補正の内容
の一例を示す該略図である。第2図は、本発明電極を用
いてゼロキャップ電解を行なう際に使用する装置の一例
を示す該略図である。 (1)・・・ポーラス基体 (3)・・・陽極 (5)・・・隔膜 (7)・・・チタン製容器 (9)・・・金属板 (11)・・・イオン交換膜 (13)・・・ポーラス触媒電極(陽極)(15)・・
・ポーラス触媒電極(陰極)(17)・・・陽極側端板 (19)・・・陰極側端板 (21)・・・気体分離器 (23)・・・陽極発生ガス (25)・・・陰極発生ガス (以 上) 図面の浄、I:(内容に変更・なし) 第1図 第2図 手続補正言動式) 1 事件の表示 昭和63年特許願第33719号 2 発明の名称 触媒電極及びその製造法 3 補正をする者 事件との関係 特許出願人 株式会社笹倉機械製作所 (ほか1名) 4代理人 大阪市東区平野町2の10 沢の鶴ビル昭和63年5月
31日 6 補正の対象 図 面 7 補正の内容
Claims (4)
- (1)ポーラス基体材料の選択された面に、白金、パラ
ジウム、ロジウム、ルテニウム及びイリジウムから選ば
れた1種又は2種以上の電極触媒能を有する金属層を備
えた触媒電極。 - (2)ポーラス基体材料の選択された面に、白金、パラ
ジウム、ロジウム、ルテニウム及びイリジウムから選ば
れた1種又は2種以上の電極触媒能を有する金属層を、
めっきにより形成するに当り、該基体の選択された面を
無電解めっき液を用いて電解処理した後、同一組成の無
電解めっき浴を用いて無電解めっきを行なって該金属層
を形成することを特徴とする触媒電極の製造法。 - (3)ポーラス基体材料の選択された面に、白金、パラ
ジウム、ロジウム、ルテニウム及びイリジウムから選ば
れた1種又は2種以上の電極触媒能を有する金属層、及
び該金属層の上に、二酸化鉛又は二酸化マンガンである
電極触媒能を有する金属酸化物層を備えた触媒電極。 - (4)ポーラス基体材料の選択された面に、白金、パラ
ジウム、ロジウム、ルテニウム及びイリジウムから選ば
れた1種又は2種以上の電極触媒能を有する金属層及び
該金属層の上に二酸化鉛又は二酸化マンガンである電極
触媒能を有する金属酸化物層を、めっきにより形成する
に当り、該基体の選択された面を無電解めっき液を用い
て電解処理した後、同一組成の無電解めっき浴を用いて
無電解めっきを行なって該金属層を形成し、更に該金属
酸化物を電析することを特徴とする触媒電極の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63033719A JP2660284B2 (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 触媒電極及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63033719A JP2660284B2 (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 触媒電極及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01208489A true JPH01208489A (ja) | 1989-08-22 |
| JP2660284B2 JP2660284B2 (ja) | 1997-10-08 |
Family
ID=12394208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63033719A Expired - Lifetime JP2660284B2 (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 触媒電極及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2660284B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08257418A (ja) * | 1994-12-06 | 1996-10-08 | Rp Fiber & Resin Intermediates | 遷移金属とホスフィンを主体とした触媒の電気化学的製造方法 |
| JP2009520880A (ja) * | 2005-12-23 | 2009-05-28 | ターレスナノ ズィーアールティー. | 高い異なる圧力差を有する電気化学セル用電極、かかる電極の製造方法、及びかかる電極を使用する電気化学セル |
| JPWO2019117199A1 (ja) * | 2017-12-14 | 2020-12-17 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 水分解触媒用のマンガン酸化物、マンガン酸化物−カーボン混合物、マンガン酸化物複合電極材料及びそれらの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57158390A (en) * | 1981-03-26 | 1982-09-30 | Tokuyama Soda Co Ltd | Manufacture of ion exchange membrane-catalytic electrode joined body |
-
1988
- 1988-02-16 JP JP63033719A patent/JP2660284B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
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