JPH01208802A - 窒素焼成可能なレジスター組成物 - Google Patents
窒素焼成可能なレジスター組成物Info
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- JPH01208802A JPH01208802A JP63303865A JP30386588A JPH01208802A JP H01208802 A JPH01208802 A JP H01208802A JP 63303865 A JP63303865 A JP 63303865A JP 30386588 A JP30386588 A JP 30386588A JP H01208802 A JPH01208802 A JP H01208802A
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- sinterable
- resistor composition
- mol
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- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
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- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body
- H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body characterised by the resistive component
- H01C17/06533—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body characterised by the resistive component composed of oxides
- H01C17/0654—Oxides of the platinum group
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- Glass Compositions (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
童栗上主科尻分立
本発明は窒素焼成可能（ｎｉｔｒｏｇｅｎ ｆｉｒｅ
ａｂｌｅ）な抵抗体（ｒｅｓ ｉｓ ｔｏｒ）組成物に
関する。
ａｂｌｅ）な抵抗体（ｒｅｓ ｉｓ ｔｏｒ）組成物に
関する。
災米技街
ハンキー（ｌｌａｎｋｅｙ）に付与された米国特許第４
．５３６．３２８号は電気抵抗素子作製用の組成物を開
示している。この米国特許第４，５３６，３２８号の内
容はすべて参考として本明細書に引用する。
．５３６．３２８号は電気抵抗素子作製用の組成物を開
示している。この米国特許第４，５３６，３２８号の内
容はすべて参考として本明細書に引用する。
抵抗体組成物は、−ｉに、伝尋性相（ペロプスカイト）
、ガラス相（バインダー成分またはガラス フリット）
、添加剤および有機ベヒクルを含んでいる。
、ガラス相（バインダー成分またはガラス フリット）
、添加剤および有機ベヒクルを含んでいる。
窒素焼成可能な抵抗体においてしばしば生ずる問題は抵
抗体と金属、例えば、銅、端子との接点での反応であり
、この反応は好ましくない横縦比（ａｓｐｅｃｔ ｒ
ｉｔｉｏ）をもたらす。
抗体と金属、例えば、銅、端子との接点での反応であり
、この反応は好ましくない横縦比（ａｓｐｅｃｔ ｒ
ｉｔｉｏ）をもたらす。
又凱立旦血
本発明の目的は、銅伝導体で末端化したとき、貧（ρｏ
ｏｒ）横縦比従って貧レーザートリミング特性をもたら
し得る大接触抵抗を有しない厚膜抵抗体を提供すること
である。
ｏｒ）横縦比従って貧レーザートリミング特性をもたら
し得る大接触抵抗を有しない厚膜抵抗体を提供すること
である。
本発明の別の目的は窒素のような還元性（非酸化性）雰
囲気下で火入れ若しくは焼成（ｆｉｒｉｎｇ）可能であ
りまた抵抗熱係数のような良好な性質を維持できる厚Ｍ
Ｆｍ抗体を提供することである。
囲気下で火入れ若しくは焼成（ｆｉｒｉｎｇ）可能であ
りまた抵抗熱係数のような良好な性質を維持できる厚Ｍ
Ｆｍ抗体を提供することである。
ｌユ皇血皇
上記の目的並びに他の目的および利点は、ａ、（１）式
：Ａ’＋−、Ａ’ｘ Ｂ’ｌ−ｙ Ｂ”ｙ ０３（式中
、Ａ′がＳｒである場合にはＡ“はＢａ、 Ｌａ。
：Ａ’＋−、Ａ’ｘ Ｂ’ｌ−ｙ Ｂ”ｙ ０３（式中
、Ａ′がＳｒである場合にはＡ“はＢａ、 Ｌａ。
ＹＳＣａおよびＮａの１種以上であり、Ａ′がＢａであ
る場合にはＡ“はＳｒ、Ｌａｓ Ｙ、ＣａおよびＮａの
１種以上であり；Ｂ ｔはＲｕであり；Ｂ“はＴｉ、Ｃ
ｄ５Ｚｒ、■およびＣｏの１種以上であり；０ ＜ ｘ
＜ ０．２であり；０＜ｙ＜０．２である）のペロブ
スカイト（灰チタン石） 、（２）伝導性相全重量に対
して５〜３０重量％の金属銅粉末、ニッケル金属粉末ま
たは酸化第２銅を含有する伝導性相；および ｂｉａ）４０〜６０モル％のＳｒＯまたはＢａＯ、２５
〜４５モル％のＢ２Ｏ３，０〜６モル％のＺｎＯ１０，
２５〜２．０モル％のＴｉＯ２、２〜１４モル％の５ｉ
ｏ２、および（ｂ） ４０〜６０モル％のＳｒＯまたは
ＢａＯ１２５〜４５モル％のＢ２Ｏ３、５〜２０モル％
の Ａｌ１ｚ ０３．０．２５〜２．０モル％のＴｉＯ
２からなる群より選ばれたガラス相；とを含む改良され
た窒素焼成可能な抵抗体組成物に関する本発明によって
達成される。
る場合にはＡ“はＳｒ、Ｌａｓ Ｙ、ＣａおよびＮａの
１種以上であり；Ｂ ｔはＲｕであり；Ｂ“はＴｉ、Ｃ
ｄ５Ｚｒ、■およびＣｏの１種以上であり；０ ＜ ｘ
＜ ０．２であり；０＜ｙ＜０．２である）のペロブ
スカイト（灰チタン石） 、（２）伝導性相全重量に対
して５〜３０重量％の金属銅粉末、ニッケル金属粉末ま
たは酸化第２銅を含有する伝導性相；および ｂｉａ）４０〜６０モル％のＳｒＯまたはＢａＯ、２５
〜４５モル％のＢ２Ｏ３，０〜６モル％のＺｎＯ１０，
２５〜２．０モル％のＴｉＯ２、２〜１４モル％の５ｉ
ｏ２、および（ｂ） ４０〜６０モル％のＳｒＯまたは
ＢａＯ１２５〜４５モル％のＢ２Ｏ３、５〜２０モル％
の Ａｌ１ｚ ０３．０．２５〜２．０モル％のＴｉＯ
２からなる群より選ばれたガラス相；とを含む改良され
た窒素焼成可能な抵抗体組成物に関する本発明によって
達成される。
本発明の厚膜抵抗体組成物に含まれる重要材料は、
（ａｌ 伝導性相、および
ｉｂ） ガラス フリット（ガラス相またはバインダ
である。
である。
添加剤を含有させて抵抗熱係数、静電気放電怒度、粉末
取扱いおよびレーザートリミング性のような抵抗体の種
々の性質を最適化させ得る。これらの添加剤には、限定
するものではないが、ＭｎＯ２、Ｔｔ Ｏ２、ＺｒＯ２
、ＣｕＯおよび５ｒＴｉ Ｏ３がある。他の添加剤は装
飾的外観を改良するための表面改質剤としておよびガラ
ス強化剤として作用する。これらは焼成中のガラスの流
動性を改善し、またクラック発出を停止させる部位（サ
イト）を与え従ってレーザートリム安定性を改善する。
取扱いおよびレーザートリミング性のような抵抗体の種
々の性質を最適化させ得る。これらの添加剤には、限定
するものではないが、ＭｎＯ２、Ｔｔ Ｏ２、ＺｒＯ２
、ＣｕＯおよび５ｒＴｉ Ｏ３がある。他の添加剤は装
飾的外観を改良するための表面改質剤としておよびガラ
ス強化剤として作用する。これらは焼成中のガラスの流
動性を改善し、またクラック発出を停止させる部位（サ
イト）を与え従ってレーザートリム安定性を改善する。
典型的には、これらの添加剤はｈｉｔ ０３ 、Ｔｉｏ
□および５ｉｎ２のような高表面積セラミック酸化物で
ある。
□および５ｉｎ２のような高表面積セラミック酸化物で
ある。
上記はすべて有機ベヒクル中に分散させる。ベヒクルの
主目的は分散粒子の適当な基体上への転写のための媒体
として作用することである。ベヒクルはまた抵抗体イン
クの焼成中に明らかに揮発性でなければならず、また伝
導性相の還元のような最小の作用を有していなければな
らない。
主目的は分散粒子の適当な基体上への転写のための媒体
として作用することである。ベヒクルはまた抵抗体イン
クの焼成中に明らかに揮発性でなければならず、また伝
導性相の還元のような最小の作用を有していなければな
らない。
本発明において使用する適当な有機ベヒクルはかなりの
低温（２００〜５００℃）で揮発する有機ベヒクルであ
る。本発明において使用する有機ベヒクルは、好ましく
は、樹脂、例えば、アクリル エステル樹脂好ましくは
イソブチル メタクリレートと米国Ｎ、 Ｙ、州ロチェ
スターのイーストマン コダック社の“テクサノール（
Ｔ Ｅ Ｘ Ａ Ｎ ＯＬ ）″のような溶媒とである
。樹脂は１０ｐｐｍ以下の酸素含有窒素雰囲気下で４０
０℃以下で分解する任意のポリマーであり得る。
低温（２００〜５００℃）で揮発する有機ベヒクルであ
る。本発明において使用する有機ベヒクルは、好ましく
は、樹脂、例えば、アクリル エステル樹脂好ましくは
イソブチル メタクリレートと米国Ｎ、 Ｙ、州ロチェ
スターのイーストマン コダック社の“テクサノール（
Ｔ Ｅ Ｘ Ａ Ｎ ＯＬ ）″のような溶媒とである
。樹脂は１０ｐｐｍ以下の酸素含有窒素雰囲気下で４０
０℃以下で分解する任意のポリマーであり得る。
使用できる他の溶媒はターピネオールまたはトリデシル
アルコール（“ＴＤＡ″）である。本発明において使
用する溶媒は各々の樹脂を溶解しかつその後の分散およ
び転写工程において適切な蒸気圧を示す任意の溶媒また
は可塑剤であり得る。
アルコール（“ＴＤＡ″）である。本発明において使
用する溶媒は各々の樹脂を溶解しかつその後の分散およ
び転写工程において適切な蒸気圧を示す任意の溶媒また
は可塑剤であり得る。
好ましい実施様態においては、有機ベヒクルは３０〜５
０重量％のイソブチル メタクリレートと５０〜７０重
量％の“テキサノール”である。
０重量％のイソブチル メタクリレートと５０〜７０重
量％の“テキサノール”である。
ペロブスカイトの好ましい組成は５ｒＲｕ Ｏ３、Ｓｒ
、 ｑＬａｌＲｕｏ １．５ｒＲｕ、 ｌｌｓ Ｔｉ、
ａｓ Ｏ３、Ｓｒ、＋、Ｌａ１Ｒｕ、、５ Ｔｉ、ｏ
ｓ ０３ 、ＢａＲｕ０：＋、Ｂａ、 ｇＬａ、 １Ｒ
Ｌ１０３ 、ＢａＲｕ、 ｑｓ ＴＬ、 ｏｓｏ３およ
びＢａ、 ＊Ｌａ、 ＋Ｒｕ、 １１５７ｉｅ、 ｏｓ
Ｏｚである。
、 ｑＬａｌＲｕｏ １．５ｒＲｕ、 ｌｌｓ Ｔｉ、
ａｓ Ｏ３、Ｓｒ、＋、Ｌａ１Ｒｕ、、５ Ｔｉ、ｏ
ｓ ０３ 、ＢａＲｕ０：＋、Ｂａ、 ｇＬａ、 １Ｒ
Ｌ１０３ 、ＢａＲｕ、 ｑｓ ＴＬ、 ｏｓｏ３およ
びＢａ、 ＊Ｌａ、 ＋Ｒｕ、 １１５７ｉｅ、 ｏｓ
Ｏｚである。
前述した諸性質はペロブスカイト伝導性層の物理特性に
必ずしも依存していないけれども、すべての粒子が４０
０メツシユふるいを通るに十分な小粒度を有することお
よび表面積がＢ、Ｅ、Ｔ。
必ずしも依存していないけれども、すべての粒子が４０
０メツシユふるいを通るに十分な小粒度を有することお
よび表面積がＢ、Ｅ、Ｔ。
モノソーブで測定したとき３〜９ｍ″／ｇであることが
好ましい。Ｂ、 Ｅ、 Ｔ、モノソーブ（Ｍｏｎｏｓ
−ｏｒｂ）は粉末の表面積を測定する方法である。この
方法は粉末を吸着ガスの単一層で覆うのに必要なガス容
量を測定することを含み、分子径から表面積を算出する
。
好ましい。Ｂ、 Ｅ、 Ｔ、モノソーブ（Ｍｏｎｏｓ
−ｏｒｂ）は粉末の表面積を測定する方法である。この
方法は粉末を吸着ガスの単一層で覆うのに必要なガス容
量を測定することを含み、分子径から表面積を算出する
。
銅またはニッケル金属（元素状鋼または元素状ニッケル
）あるいは酸化第２銅を伝導性相の一部として添加して
良好な横縦比を有する組成物を調製する。横縦比は抵抗
体の大きさに対しての抵抗値の尺度化に関する。例えば
、理想的には、厚膜抵抗体が幅を一定に保ちながら長さ
を５倍増大したとき、抵抗も５倍増大することである。
）あるいは酸化第２銅を伝導性相の一部として添加して
良好な横縦比を有する組成物を調製する。横縦比は抵抗
体の大きさに対しての抵抗値の尺度化に関する。例えば
、理想的には、厚膜抵抗体が幅を一定に保ちながら長さ
を５倍増大したとき、抵抗も５倍増大することである。
厚膜抵抗体の法則からの偏差は抵抗体と末端伝導体間の
界面において化学反応が生ずることを示しており、抵抗
体本体において直列の接触抵抗を生じている（第１図お
よび第２図参照）。
界面において化学反応が生ずることを示しており、抵抗
体本体において直列の接触抵抗を生じている（第１図お
よび第２図参照）。
第２図は第１図の等価電気回路を示している。
オーム計を第１図の各末端内に置いた場合、オーム計が
測定する抵抗は銅末端の抵抗（Ｒｃｕ） 、成端と抵抗
体間の界面での接触抵抗（ＲｃｏＨｔ）および抵抗体本
体の抵抗（ＲＲｔｓ ）である。これらの抵抗は図中の
回路で示されている如くすべて直列であり、従って、加
算的であり、 ＲＥＯ＝ＲＣＵ＋２ （Ｒｃｏｓｔ） ＋Ｒ＊！ｓであ
る（ＲＥｌｌはオーム計で測定したときの等価抵抗であ
る）。
測定する抵抗は銅末端の抵抗（Ｒｃｕ） 、成端と抵抗
体間の界面での接触抵抗（ＲｃｏＨｔ）および抵抗体本
体の抵抗（ＲＲｔｓ ）である。これらの抵抗は図中の
回路で示されている如くすべて直列であり、従って、加
算的であり、 ＲＥＯ＝ＲＣＵ＋２ （Ｒｃｏｓｔ） ＋Ｒ＊！ｓであ
る（ＲＥｌｌはオーム計で測定したときの等価抵抗であ
る）。
伝導性相の成分としての銅またはニッケル金属ま′たは
酸化第２銅粉末は良好な横縦比を与える（抵抗体長さの
５倍増大に対して４．５倍以上の抵抗の増大）。ある特
定の掻作理論によって拘束することは望まないけれども
、銅またはニッケル金属あるいは酸化第２銅粉末はルテ
ニウム ペロブスカイトの分解および溶解を制御してい
るものと信じている。還元雰囲気での焼成中、ポリマー
は次の反応式に従って上記ペロブスカイトを還元する傾
向がある： （ａ） ５ｒＲｕ Ｏ３＋炭素（ホＩＪマー） −Ｒ
ＬＩ０２ ＋ＳｒＯ（１） （ｂ） Ｒｕｎｇ −ＲＬＩ＋０２ （還元雰囲気
中）また、ガラスも上記ペロブスカイトを次の反応によ
って溶解する性質を有する： （ａ） ５ｒＲｕ Ｏ，＋ガラスーＲｕＯｚ ＋Ｓｒ
Ｏ（２）（ｂｌ Ｒｕ５ｔ −Ｒｕ＋Ｏｚ ＜還元
雰囲気中）もし反応（１）または（２）のいずれかが多
量のＲｕＯ□または生ずるルテニウムによって生ずる場
合には、貧横縦比を有する抵抗体が生成するであろう。
酸化第２銅粉末は良好な横縦比を与える（抵抗体長さの
５倍増大に対して４．５倍以上の抵抗の増大）。ある特
定の掻作理論によって拘束することは望まないけれども
、銅またはニッケル金属あるいは酸化第２銅粉末はルテ
ニウム ペロブスカイトの分解および溶解を制御してい
るものと信じている。還元雰囲気での焼成中、ポリマー
は次の反応式に従って上記ペロブスカイトを還元する傾
向がある： （ａ） ５ｒＲｕ Ｏ３＋炭素（ホＩＪマー） −Ｒ
ＬＩ０２ ＋ＳｒＯ（１） （ｂ） Ｒｕｎｇ −ＲＬＩ＋０２ （還元雰囲気
中）また、ガラスも上記ペロブスカイトを次の反応によ
って溶解する性質を有する： （ａ） ５ｒＲｕ Ｏ，＋ガラスーＲｕＯｚ ＋Ｓｒ
Ｏ（２）（ｂｌ Ｒｕ５ｔ −Ｒｕ＋Ｏｚ ＜還元
雰囲気中）もし反応（１）または（２）のいずれかが多
量のＲｕＯ□または生ずるルテニウムによって生ずる場
合には、貧横縦比を有する抵抗体が生成するであろう。
−方、これらの反応を防止することによっては、貧接触
抵抗も生じ得る。銅またはニッケル金属あるいは酸化第
２銅粉末の添加はこれら２つの極端間の兼合いと良好な
横縦比を与える。
抵抗も生じ得る。銅またはニッケル金属あるいは酸化第
２銅粉末の添加はこれら２つの極端間の兼合いと良好な
横縦比を与える。
銅または二・７ケル金属あるいは酸化第２銅粉末の物理
的性質は上記の改良された横縦比にとって臨界的なもの
ではないけれども、銅またはニッケル金属あるいは酸化
第２銅粉末は２〜７ミクロン範囲の５０ｍ２粒度〔セデ
ィグラフ（ｓｅｄ ｉｇｒａｐｈ） ）および０．２５
〜３．Ｏｒｙ？／ｇの表面積を有することが好ましい。
的性質は上記の改良された横縦比にとって臨界的なもの
ではないけれども、銅またはニッケル金属あるいは酸化
第２銅粉末は２〜７ミクロン範囲の５０ｍ２粒度〔セデ
ィグラフ（ｓｅｄ ｉｇｒａｐｈ） ）および０．２５
〜３．Ｏｒｙ？／ｇの表面積を有することが好ましい。
伝導性相全重量に対する銅またはニッケル金属あるいは
酸化第２銅粉末の量は５〜３０重量％好ましくは８〜２
０重■％である。この量より小ない銅またはニッケル金
属あるいは酸化第２銅粉末によっては、回路から回路へ
の抵抗体性質が変化し得る。上記範囲より多い場合には
、抵抗熱係数（ＴＣＰ）が温度によって変化し、厚膜適
用に有用な範囲（４００ｐｐｍ）外となる。ＴＣＰは次
の式；（式中、Ｒ７□は温度Ｔ２での抵抗であり、ＲＴ
Ｉは温度Ｔ１での抵抗である） によって定義される。’ｒｚ＝１２５℃、Ｔ＋＝２５℃
のとき、この値はＨＴＣＲと称される。
酸化第２銅粉末の量は５〜３０重量％好ましくは８〜２
０重■％である。この量より小ない銅またはニッケル金
属あるいは酸化第２銅粉末によっては、回路から回路へ
の抵抗体性質が変化し得る。上記範囲より多い場合には
、抵抗熱係数（ＴＣＰ）が温度によって変化し、厚膜適
用に有用な範囲（４００ｐｐｍ）外となる。ＴＣＰは次
の式；（式中、Ｒ７□は温度Ｔ２での抵抗であり、ＲＴ
Ｉは温度Ｔ１での抵抗である） によって定義される。’ｒｚ＝１２５℃、Ｔ＋＝２５℃
のとき、この値はＨＴＣＲと称される。
ガラス フリットは、−ａに、伝寡性相粒子を濃密な均
質膜へと焼結するのを助長し基体への接着用の化合結合
を形成する点で重要である。ガラス フリットはまた伝
導性相を希釈するようにも作用し従って種々の抵抗値を
有する抵抗体を与える。
質膜へと焼結するのを助長し基体への接着用の化合結合
を形成する点で重要である。ガラス フリットはまた伝
導性相を希釈するようにも作用し従って種々の抵抗値を
有する抵抗体を与える。
本発明の特定の抵抗体においては、ガラス組成物の種類
が反応（２）の制御を助長する点で重要である。伝導性
相の完全溶解を防止するためには、Ａ′部位上に含まれ
る少なくとも４０モル％のカチオンがガラス中にあるこ
とが判明した。本発明の場合においては、これはＳｒＯ
および／またはＢａＯである。その好ましい量は４７〜
５８モル％である。それより多量では、ガラスは失透し
て基体に対して乏しい接着性を有しがちである。また、
ガラスは好ましくは修飾剤としてのＴｉＯ□を０．２５
〜２．００モル％好ましくは０．７〜１．５モル％の範
囲の量で含むべきである。抵抗体の他の性質を調整する
ための他の修飾剤にはＡ２□０１、Ｍｎ０ｚ 、Ｐｂｏ
、Ｚｒ０ｇ ＳＣｕｂＳＣａＯｌＺｎＯｌＢｉｇ ０
３ 、ＣｄＯおよびＮａ、 Ｏがあり得る。ガラス形成
性酸化物はＢ２Ｏ３またはＳｉＯ□のいずれかであり得
る。
が反応（２）の制御を助長する点で重要である。伝導性
相の完全溶解を防止するためには、Ａ′部位上に含まれ
る少なくとも４０モル％のカチオンがガラス中にあるこ
とが判明した。本発明の場合においては、これはＳｒＯ
および／またはＢａＯである。その好ましい量は４７〜
５８モル％である。それより多量では、ガラスは失透し
て基体に対して乏しい接着性を有しがちである。また、
ガラスは好ましくは修飾剤としてのＴｉＯ□を０．２５
〜２．００モル％好ましくは０．７〜１．５モル％の範
囲の量で含むべきである。抵抗体の他の性質を調整する
ための他の修飾剤にはＡ２□０１、Ｍｎ０ｚ 、Ｐｂｏ
、Ｚｒ０ｇ ＳＣｕｂＳＣａＯｌＺｎＯｌＢｉｇ ０
３ 、ＣｄＯおよびＮａ、 Ｏがあり得る。ガラス形成
性酸化物はＢ２Ｏ３またはＳｉＯ□のいずれかであり得
る。
好ましいのは、ガラスは１種または２種のガラス群、即
ち、ＺｎＯおよびＴｉＯ２で修飾したＳｒＯＢ２０ｗｌ
５ｉＯｚまたは ＢａＯ−Ｂ２０３−５ｉｎｇ （ガラス群Ｉ）および
ＴｉＯ２で修飾した５ｒＯ−Ｂｚ Ｏｘ−八１ｚＯ３ま
たはＢａｄ−Ｂｚ ｏｗｌ −ｒａ１２０３ （ガラス
群■）である。これらガラス群の好ましい組成範囲は次
の如くであるニ ガラス群■ 好ましいモル％ＳｒＯまたはＢ
ａＯ４２〜５２ ＢｚＯｓ ２８ 〜４０ＺｎＯ２
〜 ５ ＴｉＯｚ Ｏ，７〜 １．５
Ｓｉｎｇ ７ 〜１２−立立
ム匡ニー 好圭ρハ天火Ｘ５ｒＯまたはＢａＯ
４５〜５８ ＢｚＯ＋ ２８ 〜４０＾ｆｆｚ
ｃ）＋ ８ 〜１８Ｔｉｌｔ
０．７〜１．５上述の各ガラス
群において、ＳｒＯ成分は５ｒＯ１ＢａＯまたはＳｒＯ
＋ＢａＯであり得る。
ち、ＺｎＯおよびＴｉＯ２で修飾したＳｒＯＢ２０ｗｌ
５ｉＯｚまたは ＢａＯ−Ｂ２０３−５ｉｎｇ （ガラス群Ｉ）および
ＴｉＯ２で修飾した５ｒＯ−Ｂｚ Ｏｘ−八１ｚＯ３ま
たはＢａｄ−Ｂｚ ｏｗｌ −ｒａ１２０３ （ガラス
群■）である。これらガラス群の好ましい組成範囲は次
の如くであるニ ガラス群■ 好ましいモル％ＳｒＯまたはＢ
ａＯ４２〜５２ ＢｚＯｓ ２８ 〜４０ＺｎＯ２
〜 ５ ＴｉＯｚ Ｏ，７〜 １．５
Ｓｉｎｇ ７ 〜１２−立立
ム匡ニー 好圭ρハ天火Ｘ５ｒＯまたはＢａＯ
４５〜５８ ＢｚＯ＋ ２８ 〜４０＾ｆｆｚ
ｃ）＋ ８ 〜１８Ｔｉｌｔ
０．７〜１．５上述の各ガラス
群において、ＳｒＯ成分は５ｒＯ１ＢａＯまたはＳｒＯ
＋ＢａＯであり得る。
ガラス粉末の物理的性質は横縦比の改良にとって臨界的
なものではない。しかしながら、典型的な表面積（ＢＥ
Ｔモノソーブ）は０．２〜３．Ｏｒｄ／ｇである。
なものではない。しかしながら、典型的な表面積（ＢＥ
Ｔモノソーブ）は０．２〜３．Ｏｒｄ／ｇである。
実施斑
以下、本発明を次の限定的でない実施例によって説明す
る。
る。
ペロブスカイト粉末を適当な粉末をボールミル中で脱イ
オン水中で４時間混合することによって調製した。次い
で、乾燥粉末をアルミするつぼ中で１２００℃で２時間
力焼させた。２００メツシユふるいによりふるい掛けし
たのち、１２００℃で２時間２回目の力焼を行い、次い
で、脱イオン水でボールミリングして適当な粒度削減を
行った。
オン水中で４時間混合することによって調製した。次い
で、乾燥粉末をアルミするつぼ中で１２００℃で２時間
力焼させた。２００メツシユふるいによりふるい掛けし
たのち、１２００℃で２時間２回目の力焼を行い、次い
で、脱イオン水でボールミリングして適当な粒度削減を
行った。
災族附−１上
ガラスの調製
ガラスを適当な酸化物類をシアナイト（ラン高石）るつ
ぼ中で秤量することによって調製した。
ぼ中で秤量することによって調製した。
粉末を６００℃で１時間予熱し、次いで、１２００℃で
３θ分間溶融させた。溶融物質を室温の水中で急冷させ
た。これをガラス調製物としその後粒子削減を行った。
３θ分間溶融させた。溶融物質を室温の水中で急冷させ
た。これをガラス調製物としその後粒子削減を行った。
典型的には、適切な粒度の粉末はイソプロピル アルコ
ール中でのボールミリングにより得られた。
ール中でのボールミリングにより得られた。
ペーストを調製するために、粉末を先ず手によりあるい
は電気ホバート ミキサーにより混練し、次いで、マラ
ーまたは３本ロールミルによって分散させた。得られた
インクを３２５メツシユ スクリーンにより基体、典型
的には９６％アルミナ上にスクリーン印刷した。この基
体は予備焼成した適当な成端、典型的には、銅をすでに
有していた。各抵抗体はその後１５０℃で１０分間乾燥
させて揮発性溶媒を除去した。
は電気ホバート ミキサーにより混練し、次いで、マラ
ーまたは３本ロールミルによって分散させた。得られた
インクを３２５メツシユ スクリーンにより基体、典型
的には９６％アルミナ上にスクリーン印刷した。この基
体は予備焼成した適当な成端、典型的には、銅をすでに
有していた。各抵抗体はその後１５０℃で１０分間乾燥
させて揮発性溶媒を除去した。
乾燥させた各抵抗体を還元雰囲気、典型的には、１０ｐ
ｐｍ以下の酸素を含む窒素雰囲気の厚膜ベルト炉中で、
９００℃±ｌＯ℃のピーク温度で焼成した。各焼成回路
を、その後、関連性質について測定した。抵抗は適当な
オーム計を用いて２点プローブ法により測定した。抵抗
熱係数は先ず２５℃での抵抗を測定し次いで回路を１２
５℃の適当な試験チャンバーに入れて抵抗を再測定し等
式（３）に従って計算することによって決定した。横縦
比は大きさ５０ｍｍＸ ５０ｍｍの抵抗体の抵抗（Ｒ５
）を測定し次いで大きさ５０ｍｍＸ ２５０ｍｍの抵抗
体の抵抗（Ｒ３）を測定することによって決定した。
ｐｍ以下の酸素を含む窒素雰囲気の厚膜ベルト炉中で、
９００℃±ｌＯ℃のピーク温度で焼成した。各焼成回路
を、その後、関連性質について測定した。抵抗は適当な
オーム計を用いて２点プローブ法により測定した。抵抗
熱係数は先ず２５℃での抵抗を測定し次いで回路を１２
５℃の適当な試験チャンバーに入れて抵抗を再測定し等
式（３）に従って計算することによって決定した。横縦
比は大きさ５０ｍｍＸ ５０ｍｍの抵抗体の抵抗（Ｒ５
）を測定し次いで大きさ５０ｍｍＸ ２５０ｍｍの抵抗
体の抵抗（Ｒ３）を測定することによって決定した。
後者を前者で割った（Ｒｓ ／Ｒ１） ：理論的には
、結果は５であるべきである。値が約４．５より大きい
場合に、厚膜回路用に適する抵抗体を得ることができた
。４．５より小さい値は適切な値にレーザートリミング
できなかった。レーザートリミングは焼成抵抗体をレー
ザービームで切断し、抵抗体材料を蒸発させそして抵抗
値が所定の値に増大する生産方法である。
、結果は５であるべきである。値が約４．５より大きい
場合に、厚膜回路用に適する抵抗体を得ることができた
。４．５より小さい値は適切な値にレーザートリミング
できなかった。レーザートリミングは焼成抵抗体をレー
ザービームで切断し、抵抗体材料を蒸発させそして抵抗
値が所定の値に増大する生産方法である。
厚膜回路に適する適当な抵抗体においては、他の性質が
必要である。これらの性質は特定の用途に対して特異的
である傾向を有し、従って、本明細書においては説明し
ない。これらの性質には粉末取扱い性、電圧安定性、静
電気放電感度、環境安定性および混合性がある。
必要である。これらの性質は特定の用途に対して特異的
である傾向を有し、従って、本明細書においては説明し
ない。これらの性質には粉末取扱い性、電圧安定性、静
電気放電感度、環境安定性および混合性がある。
第１表は、銅の存在なしで、３種のペロブスカイトと２
種のガラス群（ＺｎＯおよびＴｉ０ｚで修飾した５ｒＯ
−Ｂ、ｏｆｆ ＳｉｎｇまたはＢａ０−Ｂｚ ｏｗｌ
５ｉＯｚ ）および（ＴｉＯｚで修飾したＳｉｎｇ
Ｂｚ Ｏ＋−八１２０３またはＢａＯＢｚ Ｃｈ
５ｉＯｚ ）からの３種のガラスとの組合せが貧横縦
比を与えることを示している。
種のガラス群（ＺｎＯおよびＴｉ０ｚで修飾した５ｒＯ
−Ｂ、ｏｆｆ ＳｉｎｇまたはＢａ０−Ｂｚ ｏｗｌ
５ｉＯｚ ）および（ＴｉＯｚで修飾したＳｉｎｇ
Ｂｚ Ｏ＋−八１２０３またはＢａＯＢｚ Ｃｈ
５ｉＯｚ ）からの３種のガラスとの組合せが貧横縦
比を与えることを示している。
第２表は銅粉末のペロブスカイト／ガラス組合せへの添
加が良好な横縦比を与えていることを示している。銅と
置換えたニッケル金属粉末（実施例Ｘ）も許容し得る結
果を与えている。
加が良好な横縦比を与えていることを示している。銅と
置換えたニッケル金属粉末（実施例Ｘ）も許容し得る結
果を与えている。
第３表は与えられたガラス組成物に対しての銅粉末添加
の限界を示している。約２１％の値で、ＨＴ ＣＲは４
００ｐｐｍ以上となり、これは、殆んどの用途において
、最大の使用可能基準である。
の限界を示している。約２１％の値で、ＨＴ ＣＲは４
００ｐｐｍ以上となり、これは、殆んどの用途において
、最大の使用可能基準である。
第４表はガラス組成物が良好な横縦比と許容し得る基準
を有するＨＴＣＲのためには好ましくは酸化チタンを含
有すべきこと示している。
を有するＨＴＣＲのためには好ましくは酸化チタンを含
有すべきこと示している。
第 １ 表（１）
Ｉ ＩＩ ［１１１Ｖ Ｖ
ＶＩＳｒＲｕ０３− ３５．０ Ｓｒ、５Ｌａ１Ｒｕｏ、 −−３５，０３５，０
−５ｒＲｕ、ｓｓＴ！、ｏｓＯｓ ３１．５ ３
５．０ ３１．５ − −ガラ
スＡ ３８．５ ガラス８ ３５．０ −
３５．０ ３５．０ガラスＣ−３８，５− ガラスＤ −−３５，０ベヒクル
３０．０ ３０．０ ３０．０ ３０
．０ ３０．０ ３０．０抵 抗 ６
９ＪＫＡ １３４０ＫＡ １１２ＪＫＡ ５．
６ＫＡ ３２４ＫＡ １５ＫＡＨＴＣＲ１８，６
−２６８２３ 横縦°比 １．４／１ ３．１／１ （１
，８８／ｌ １１／１ １．２６／１３．１／１
本 ガラスＡ ： ４７．５ ＳｒＯ，３８Ｊ Ｂ
Ｊ＊、 １０．４ Ｓｉｎ、 、 ３．８ ２ｎ
。
ＶＩＳｒＲｕ０３− ３５．０ Ｓｒ、５Ｌａ１Ｒｕｏ、 −−３５，０３５，０
−５ｒＲｕ、ｓｓＴ！、ｏｓＯｓ ３１．５ ３
５．０ ３１．５ − −ガラ
スＡ ３８．５ ガラス８ ３５．０ −
３５．０ ３５．０ガラスＣ−３８，５− ガラスＤ −−３５，０ベヒクル
３０．０ ３０．０ ３０．０ ３０
．０ ３０．０ ３０．０抵 抗 ６
９ＪＫＡ １３４０ＫＡ １１２ＪＫＡ ５．
６ＫＡ ３２４ＫＡ １５ＫＡＨＴＣＲ１８，６
−２６８２３ 横縦°比 １．４／１ ３．１／１ （１
，８８／ｌ １１／１ １．２６／１３．１／１
本 ガラスＡ ： ４７．５ ＳｒＯ，３８Ｊ Ｂ
Ｊ＊、 １０．４ Ｓｉｎ、 、 ３．８ ２ｎ
。
＊本 ガラスＢ；４６．５ ＳｒＯ，３８Ｊ Ｂ２０
＋、 １０．４ ５ｉｆｔ 、 ３．８ Ｚｎｏ、
１．ＯＴｉｎ２＊＊本ガラスＣ： ５５．ＯＳｒ０．
３０．ＯＦｂＯｓ、 １５．ＯＡＩ＊０３゜＊＊林ガラ
スＤ ： ５４．ＯＳｒＯ，３０，ＯＢ２Ｏ３，１５
，ＯＡｌ２Ｏ３，１，ＯＴｉＯ。
＋、 １０．４ ５ｉｆｔ 、 ３．８ Ｚｎｏ、
１．ＯＴｉｎ２＊＊本ガラスＣ： ５５．ＯＳｒ０．
３０．ＯＦｂＯｓ、 １５．ＯＡＩ＊０３゜＊＊林ガラ
スＤ ： ５４．ＯＳｒＯ，３０，ＯＢ２Ｏ３，１５
，ＯＡｌ２Ｏ３，１，ＯＴｉＯ。
（１）すべての成分は重量％による。
匪−じＬ−表Ｔ１１
ＶＩＩＩ ｒＸ Ｘ
ＸＩＩｒＲｕ０２ Ｓｒ、 、Ｌａ１Ｒｕｏｓ ３
７．８ＳｒＲｕ、 ｑｓＴｒ、 ｏｓｏｚ ３１
．５ ３１．５ ３１．５ガ
ラスＢ ３１．５ ２５．２
３１．５ガラスＤ
３１．５ｕＯ 銅 ７．０ ？、０ ７
．０ニツケル
７．０ベヒクル ３０．０
３０．０ ３０．０ ３０．０抵 抗
６５．Ｋ Ａ １．４ＫＡ １１．
８ＫＡ５７６ＫＡ［−１ＴＣＲ２６７４７７７６１０２ 横縦比 ７．９／１ ６．１／１ ６．１／１
５．３／１本 ガラスＢ ： ４６．５ Ｓｒ０
．３８．３ １１ｉ０ｉ、１０．４ ５ｉＯｚ１３．８
Ｚｎｏ 、 １．ＯＴｉｏｚ本＊ ガラスＤ ：
５４．ＯＳｒＯ，３０，ＯＢｚＯ＊、 １５．ＯＡ１
ｚ０３，１．ＯＴｉ０ｚ（１）すべての組成は重■％に
よる。
ＸＩＩｒＲｕ０２ Ｓｒ、 、Ｌａ１Ｒｕｏｓ ３
７．８ＳｒＲｕ、 ｑｓＴｒ、 ｏｓｏｚ ３１
．５ ３１．５ ３１．５ガ
ラスＢ ３１．５ ２５．２
３１．５ガラスＤ
３１．５ｕＯ 銅 ７．０ ？、０ ７
．０ニツケル
７．０ベヒクル ３０．０
３０．０ ３０．０ ３０．０抵 抗
６５．Ｋ Ａ １．４ＫＡ １１．
８ＫＡ５７６ＫＡ［−１ＴＣＲ２６７４７７７６１０２ 横縦比 ７．９／１ ６．１／１ ６．１／１
５．３／１本 ガラスＢ ： ４６．５ Ｓｒ０
．３８．３ １１ｉ０ｉ、１０．４ ５ｉＯｚ１３．８
Ｚｎｏ 、 １．ＯＴｉｏｚ本＊ ガラスＤ ：
５４．ＯＳｒＯ，３０，ＯＢｚＯ＊、 １５．ＯＡ１
ｚ０３，１．ＯＴｉ０ｚ（１）すべての組成は重■％に
よる。
ｊでＡ［コ岬 ３−１．−１１．−１．−１．ゴ
ーーーキヒ□（菖）ＸＩＩＩ ＸＩＶ
ＸＶ ＸＶＴＳｒＲｕ、 ｑｓＴＸ、 ｏｓ
ｅ３３３．３ ３１．５ ３０．８ ２９
．８ガラスＤ ３３．３ ３１．５
３０．８ ２９．８銅 ３．６
７．０ ８．３ １０．５ベヒクル
３０．０ ３０．０ ３０．０ ３０
．０銅、全伝導性相 ９．７５ １８．２
２１．２ ２６．０の重量％ 抵 抗 １４．９Ｋ Ａ １２．ＩＫＡ
７．９に八 ８．２に／ＬＨＴＣｒ？
１４０ ２２８ ４１５ ４１０
横縦比 ５．６／１ ４．６／１ ５．６／１
４．５／１本 ガラスＤ： ５４．ＯＳｒＯ
，３０，０ＢｚＯｚ、１５．ＯＡｌ２Ｏ３，Ｉ Ｔｉ
０ｚ（１） すべでの成分は重量％による。
ーーーキヒ□（菖）ＸＩＩＩ ＸＩＶ
ＸＶ ＸＶＴＳｒＲｕ、 ｑｓＴＸ、 ｏｓ
ｅ３３３．３ ３１．５ ３０．８ ２９
．８ガラスＤ ３３．３ ３１．５
３０．８ ２９．８銅 ３．６
７．０ ８．３ １０．５ベヒクル
３０．０ ３０．０ ３０．０ ３０
．０銅、全伝導性相 ９．７５ １８．２
２１．２ ２６．０の重量％ 抵 抗 １４．９Ｋ Ａ １２．ＩＫＡ
７．９に八 ８．２に／ＬＨＴＣｒ？
１４０ ２２８ ４１５ ４１０
横縦比 ５．６／１ ４．６／１ ５．６／１
４．５／１本 ガラスＤ： ５４．ＯＳｒＯ
，３０，０ＢｚＯｚ、１５．ＯＡｌ２Ｏ３，Ｉ Ｔｉ
０ｚ（１） すべでの成分は重量％による。
第一−Ｌ−Ｊけ）
ＸＶＩＩ ＸＶＩＩＩ ＸＩＸ
ＸＸ ＸＸｌＳｒ、ｑＬａ、ｌＲｕ０＋ ３
１．５ ３１．５ ３１，５ ３１．５
３１．５ガラス Ｃ３１，５ ガラス Ｅ ３１．５ガラス Ｆ
３１．５ガラス Ｇ
３１．５ −ガラス
ｔｌ −３１，
５銅 ７．０ ７．０ ７．０
７．０ ７．０ベヒクル ３０．０
３０．０ ３０．０ ３０．０ ３０．０
抵 抗 ５２０にル ６４にル １
９００にル ４８に／Ｌ ６に／ＬＩＩＴＣ
Ｒ，ｐｐＭ −９８００１６５４８９０６２１１
８２０６横縦比 ０．５１／１ ５／１ １．４
／１ ６／１ ６／１モル％ ＳｒＯＢｚ ０３ ＾１ｚｏ３ＴｉＯ２本 ガラス
Ｃ： ５５ ３０ １５ −傘型
ガラスＥ： ５０ ４０ １０
−本林 ガラスＦ： ４５ ３０
２５ 〜本本本本 ガラスＧ： ４０
５０ １０ −ネ林林ガラスＨ
： ５０ ３２ １７ １．０（１
１すべての成分は重量％による。
ＸＸ ＸＸｌＳｒ、ｑＬａ、ｌＲｕ０＋ ３
１．５ ３１．５ ３１，５ ３１．５
３１．５ガラス Ｃ３１，５ ガラス Ｅ ３１．５ガラス Ｆ
３１．５ガラス Ｇ
３１．５ −ガラス
ｔｌ −３１，
５銅 ７．０ ７．０ ７．０
７．０ ７．０ベヒクル ３０．０
３０．０ ３０．０ ３０．０ ３０．０
抵 抗 ５２０にル ６４にル １
９００にル ４８に／Ｌ ６に／ＬＩＩＴＣ
Ｒ，ｐｐＭ −９８００１６５４８９０６２１１
８２０６横縦比 ０．５１／１ ５／１ １．４
／１ ６／１ ６／１モル％ ＳｒＯＢｚ ０３ ＾１ｚｏ３ＴｉＯ２本 ガラス
Ｃ： ５５ ３０ １５ −傘型
ガラスＥ： ５０ ４０ １０
−本林 ガラスＦ： ４５ ３０
２５ 〜本本本本 ガラスＧ： ４０
５０ １０ −ネ林林ガラスＨ
： ５０ ３２ １７ １．０（１
１すべての成分は重量％による。
実施例 ５
本実施例は、以下の第５表に要約されているように、本
発明におけるＣｕ （Ａ） 、ＣｕＯ（Ｂ）およびＣｕ
２Ｏ（Ｃ）の利用を示す。
発明におけるＣｕ （Ａ） 、ＣｕＯ（Ｂ）およびＣｕ
２Ｏ（Ｃ）の利用を示す。
本Ｓｒ−、、Ｌａ、 １Ｒｕｏ３３１．８ ３１．
８ ３１．８＊ガラス ３１．８ ３１
．８ ３１．８＊Ｃｕ ７．０
−木ＣｕＯ０７，０ ＊ Ｃｕ２Ｏ７，０ ＊ベヒクル ３０．０ ３０．０ ３０
．０抵 抗 ６に／Ｌ ＩＩＫ
／Ｌ ６にルＨＴＣＲ２１２１６０７８ 横縦比 ６．５／１ ５．８／１ ０．９１／１零
重量％ニ ガラス組成：５０モル％５ｒＯ ３３モル％Ｂ２０３ １６モル％八ＣＯ５ １モル％Ｔ１０２ 本明ＴＩＭ書の記載は例示を目的とするものであり限定
するためでないこと、および種々の修正および変形が本
発明の精神および範囲を逸脱することなしになされ得る
ことを理解されたい。
８ ３１．８＊ガラス ３１．８ ３１
．８ ３１．８＊Ｃｕ ７．０
−木ＣｕＯ０７，０ ＊ Ｃｕ２Ｏ７，０ ＊ベヒクル ３０．０ ３０．０ ３０
．０抵 抗 ６に／Ｌ ＩＩＫ
／Ｌ ６にルＨＴＣＲ２１２１６０７８ 横縦比 ６．５／１ ５．８／１ ０．９１／１零
重量％ニ ガラス組成：５０モル％５ｒＯ ３３モル％Ｂ２０３ １６モル％八ＣＯ５ １モル％Ｔ１０２ 本明ＴＩＭ書の記載は例示を目的とするものであり限定
するためでないこと、および種々の修正および変形が本
発明の精神および範囲を逸脱することなしになされ得る
ことを理解されたい。
第１図は抵抗体の略図である。
第２図は第１図の等価電気抵抗回路の略図である。
第１図
第２図
Ｒｃｕ−銅末端の抵抗
Ｒｃｏｎ−接触抵抗
Ｒｒｅｓ−厚膜抵抗体本体の抵抗
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １．ａ．（１）式：Ａ′＿１＿−＿ｘＡ″＿ｘＢ′＿１
＿−ｙＢ″＿ｙＯ＿３（式中、Ａ′がＳｒである場合に
はＡ″は Ｂａ、Ｌａ、Ｙ、ＣａおよびＮａの１種以上であり、Ａ
′がＢａである場合にはＡ″はＳｒ、Ｌａ、Ｙ、Ｃａお
よびＮａの１種以上であり；Ｂ′はＲｕであり；Ｂ″は
Ｔｉ、Ｃｄ、、Ｚｒ、ＶおよびＣｏの１種以上であり；
０＜ｘ＜０．２であり； ０＜ｙ＜０．２である） のペロブスカイト、（２）伝導性相全重量に対して５〜
３０重量％の金属銅粉末、ニッケル金属粉末または酸化
第２銅を含有する伝導性相、および ｂ．（ａ）４０〜６０モル％のＳｒＯまたはＢａＯ、２
５〜４５モル％のＢ＿２Ｏ＿３、０〜６モル％のＺｎＯ
、０．２５〜２．０モル％のＴｉＯ＿２、２〜１４モル
％のＳｉＯ＿２；および（ｂ）４０〜６０モル％のＳｒ
ＯまたはＢａＯ、２５〜４５モル％のＢ＿２Ｏ＿３、５
〜２０モル％のＡｌ＿２Ｏ＿３、０．２５〜２．０モル
％のＴｉＯ＿２からなる群より選ばれたガラス相； とを含む窒素焼成可能な抵抗体組成物。 ２．Ａ′がＳｒである請求項１記載の窒素焼成可能な抵
抗体組成物。 ３．Ａ′がＢａである請求項１記載の窒素焼成可能な抵
抗体組成物。 ４．ペロブスカイトがＳｒＲｕＯ＿３、 ＳｒＲｕ＿０＿．＿３Ｔｉ＿０＿．＿２Ｏ＿３、ＳｒＲ
ｕ＿０＿．＿９Ｔｉ＿０＿．＿１Ｏ＿３、Ｓｒ＿．＿９
Ｌａ＿．＿１ＲｕＯ＿３、ＳｒＲｕ＿．＿９＿５Ｔｉ＿
０＿．＿０＿５Ｏ＿３、Ｓｒ＿．＿９Ｌａ＿．＿１Ｒｕ
＿．＿９＿５Ｔｉ＿．＿０＿５Ｏ＿３、ＳｒＲｕ＿．＿
０＿９＿５Ｃｄ＿０＿．＿０＿５Ｏ＿３、Ｓｒ＿．＿０
＿９Ｂａ＿０＿．＿１ＲｕＯ＿３、Ｓｒ＿０＿．＿９Ｙ
＿０＿．＿１ＲｕＯ＿３、Ｓｒ＿０＿．＿８Ｎａ＿０＿
．＿１Ｌａ＿０＿．＿１ＲｕＯ＿３、ＳｒＲｕ＿０＿．
＿８Ｚｒ＿０＿．＿２Ｏ＿３、ＳｒＲｕ＿０＿．＿９Ｚ
ｒ＿０＿．＿１Ｏ＿３、ＳｒＲｕ＿０＿．＿７＿５Ｖ＿
０＿．＿２＿５Ｏ＿３、ＳｒＲｕ＿０＿．＿８Ｃｏ＿０
＿．＿２Ｏ＿３、ＳｒＲｕ＿０＿．＿８Ｔｉ＿０＿．＿
１Ｚｒ＿０＿．＿１Ｏ＿３、ＢａＲｕＯ＿３、Ｂａ＿．
＿９Ｌａ＿．＿１ＲｕＯ＿３、ＢａＲｕ＿．＿９＿５Ｔ
ｉ＿．＿０＿５Ｏ＿３およびＢａ＿．＿９Ｌａ＿．＿１
Ｒｕ＿０＿．＿９＿５Ｔｉ＿０＿．＿０＿５Ｏ＿３から
なる群より選ばれる請求項１記載の窒素焼成可能な抵抗
体組成物。 ５．ペロブスカイトがＳｒＲｕＯ＿３、 Ｓｒ＿．＿９Ｌａ＿．＿１ＲｕＯ＿３、ＳｒＲｕ＿．＿
９＿５Ｔｉ＿．＿０＿５Ｏ＿３、Ｓｒ＿．＿９Ｌａ＿．
＿１ＲＵ＿．＿９＿５Ｔｉ＿０＿．＿０＿５Ｏ＿３、Ｂ
ａＲｕＯ＿３、Ｂａ＿．＿９Ｌａ＿．＿１ＲｕＯ＿３、
ＢａＲｕ＿．＿９＿５Ｔｉ＿．＿９＿５Ｏ＿３およびＢ
ａ＿．＿９Ｌａ＿．＿１Ｒｕ＿．＿９＿５Ｔｉ＿０＿．
＿０＿５Ｏ＿３からなる群より選ばれる請求項１記載の
窒素焼成可能な抵抗体組成物。 ６．さらに有機ベヒクルを含む請求項１記載の窒素焼成
可能な抵抗体組成物。 ７．有機ベヒクルがアクリルエステル樹脂と溶媒の混合
物である請求項６記載の窒素焼成可能な抵抗体組成物。 ８．樹脂がイソブチルメタクリレートである請求項１記
載の窒素焼成可能な抵抗体組成物。 ９．金属粉末または酸化第２銅が２〜７．０ミクロン範
囲の５０％粒度および０．２５〜３．０ｍ＾２／ｇの表
面積とを有する請求項１記載の窒素焼成可能な抵抗体組
成物。 １０．全伝導性相に対する金属粉末または酸化第２銅の
量が８〜２０重量％である請求項１記載の窒素焼成可能
な抵抗体組成物。 １１．ガラス相がモル％で次の組成を有する請求項１記
載の窒素焼成可能な抵抗体組成物； ４２〜５２％のＳｒＯまたはＢａＯ ２８〜４０％のＢ＿２Ｏ＿３ ２〜５％のＺｎＯ ０．７〜１．５％のＴｉＯ＿２ ７〜１２％のＳｉＯ＿２ １２．ガラス相がモル％で次の組成を有する請求項１記
載の窒素焼成可能な抵抗体組成物： ４５〜５８％のＳｒＯまたはＢａＯ ２８〜４０％のＢ＿２Ｏ＿３ ８〜１８％のＡｌ＿２Ｏ＿３ ０．７〜１．５％のＴｉＯ＿３ １３．さらに、ＭｎＯ＿２、ＴｉＯ＿２、ＺｎＯ＿２／
Ｃｕ＿ｏおよびＳｒＴｉＯ＿３からなる群より選ばれた
１種以上の添加剤を含む請求項１記載の窒素焼成可能な
抵抗体組成物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US155342 | 1988-02-12 | ||
| US07/155,342 US4814107A (en) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | Nitrogen fireable resistor compositions |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01208802A true JPH01208802A (ja) | 1989-08-22 |
Family
ID=22555057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63303865A Pending JPH01208802A (ja) | 1988-02-12 | 1988-11-30 | 窒素焼成可能なレジスター組成物 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4814107A (ja) |
| EP (1) | EP0327828B1 (ja) |
| JP (1) | JPH01208802A (ja) |
| KR (1) | KR0142577B1 (ja) |
| DE (1) | DE58905651D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2761338C1 (ru) * | 2021-02-12 | 2021-12-07 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" | Полупроводниковый наноструктурированный керамический материал |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3941283C1 (ja) * | 1989-12-14 | 1991-01-31 | W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau, De | |
| JP2970713B2 (ja) * | 1991-12-25 | 1999-11-02 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 厚膜抵抗体組成物 |
| AU5128093A (en) * | 1992-09-14 | 1994-04-12 | Conductus, Inc. | Improved barrier layers for oxide superconductor devices and circuits |
| JPH08186004A (ja) * | 1994-12-30 | 1996-07-16 | Murata Mfg Co Ltd | 抵抗材料、それを用いた抵抗ペースト及び抵抗体 |
| JP3246245B2 (ja) * | 1994-12-30 | 2002-01-15 | 株式会社村田製作所 | 抵抗体 |
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