JPH01208883A - 磁気抵抗素子 - Google Patents
磁気抵抗素子Info
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- JPH01208883A JPH01208883A JP63216473A JP21647388A JPH01208883A JP H01208883 A JPH01208883 A JP H01208883A JP 63216473 A JP63216473 A JP 63216473A JP 21647388 A JP21647388 A JP 21647388A JP H01208883 A JPH01208883 A JP H01208883A
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は磁気抵抗センサ素子の分野に係りさらに詳細に
は磁気抵抗ヘッドに組み込まれる磁気抵抗センサ素子に
関する。
は磁気抵抗ヘッドに組み込まれる磁気抵抗センサ素子に
関する。
［従来技術１
磁気抵抗センサの出力はセンサ部内にある複数の磁区に
よって悪影響を受ける、これら磁区の磁壁は検出中の磁
場の影響下で急激に移動するためである。磁壁のこの急
激な移動はセンサ出力内に不均等な応答を引起し、セン
サの有用性を制限している。センサの「読み取り」動作
中に検出領域に単一磁区を作りバークハウゼン雑音を避
ける努力がなされて来ている。これらの努力の中で多く
なされているのは活性領域内でセンサが単一磁区となる
形状にセンサを作ることである。
よって悪影響を受ける、これら磁区の磁壁は検出中の磁
場の影響下で急激に移動するためである。磁壁のこの急
激な移動はセンサ出力内に不均等な応答を引起し、セン
サの有用性を制限している。センサの「読み取り」動作
中に検出領域に単一磁区を作りバークハウゼン雑音を避
ける努力がなされて来ている。これらの努力の中で多く
なされているのは活性領域内でセンサが単一磁区となる
形状にセンサを作ることである。
そのような形状の一例にいわゆる“フットボール′”型
センサ素子がある。例えばスエナガ（Ｓｕｅｎａｇａ）
４．５５６，９２５の第８図、及びモーリー（Ｍｏｗｒ
ｙ ）第０１５．２０３号に示されており特に後者につ
いては本出願はその続編であって、ここでも参照として
引用されている。フットボール型センサ素子は非常に安
定な中央部単一磁区を有する。しがしながら経験的に、
このセンサ素子でさえも、素子を軸方向に飽和させるよ
うな大きな外部磁場（センサ素子が読み取りｌ書込みヘ
ッド内に組込まれている着合に生じる）の影響下で２つ
の垂直磁区に分割されることが知られている。さらに通
常の写真食刻では処理工程中の変化が“フットボール″
の端点を大きくなまらせてしまうので中央部単一磁区を
安定させるのに重要な幾何学図形が除かれてしまう。
センサ素子がある。例えばスエナガ（Ｓｕｅｎａｇａ）
４．５５６，９２５の第８図、及びモーリー（Ｍｏｗｒ
ｙ ）第０１５．２０３号に示されており特に後者につ
いては本出願はその続編であって、ここでも参照として
引用されている。フットボール型センサ素子は非常に安
定な中央部単一磁区を有する。しがしながら経験的に、
このセンサ素子でさえも、素子を軸方向に飽和させるよ
うな大きな外部磁場（センサ素子が読み取りｌ書込みヘ
ッド内に組込まれている着合に生じる）の影響下で２つ
の垂直磁区に分割されることが知られている。さらに通
常の写真食刻では処理工程中の変化が“フットボール″
の端点を大きくなまらせてしまうので中央部単一磁区を
安定させるのに重要な幾何学図形が除かれてしまう。
［発明の要約］
本発明は“フットボール″の端点を無制限長のピンの首
（ｂｏｔｔｌｅ ｎｅｃｋ ）構造で置き換えることか
ら成る。最終的な構造は“ピンの前型磁気抵抗素子″と
命名する。
（ｂｏｔｔｌｅ ｎｅｃｋ ）構造で置き換えることか
ら成る。最終的な構造は“ピンの前型磁気抵抗素子″と
命名する。
この構造は非常に安定な中央単独磁区を備え、これは中
央領域が軸方向に飽和された後でも再生する。さらにび
んの首構造は写真食刻処理工程での大きな変動の影響を
受けずに正しく維持される。
央領域が軸方向に飽和された後でも再生する。さらにび
んの首構造は写真食刻処理工程での大きな変動の影響を
受けずに正しく維持される。
［発明の実施例１
第１図は提案されたピンの前型磁気抵抗素子１０を示す
。素子は中心線に関して対称である。素子は３つの部分
で構成されている二対向する平行辺を備えた中央部分１
２゜ここが最大幅部分である。内側に傾斜した辺を備え
た移行部分１４゜最後に通常長方形をしたピンの首部分
１６である。
。素子は中心線に関して対称である。素子は３つの部分
で構成されている二対向する平行辺を備えた中央部分１
２゜ここが最大幅部分である。内側に傾斜した辺を備え
た移行部分１４゜最後に通常長方形をしたピンの首部分
１６である。
ピンの前型磁気抵抗素子の実施例の材質は８０：２０ニ
ツケル・鉄合金である。しかしながら、これは任意の好
適な磁気抵抗材料で構成することができる。材料の磁化
軸は通常は第１図の矢印で示すようにセンサ素子１０の
軸沿いの方向（中央部分１２の辺に平行）であるが、第
２図の別の実施例に示すようにわずかに傾斜する場合も
ある。すなわち、第１図及び第２図の両実施例における
磁化軸は平行形でも傾斜形でも良く、素子の応用方法に
依っている。
ツケル・鉄合金である。しかしながら、これは任意の好
適な磁気抵抗材料で構成することができる。材料の磁化
軸は通常は第１図の矢印で示すようにセンサ素子１０の
軸沿いの方向（中央部分１２の辺に平行）であるが、第
２図の別の実施例に示すようにわずかに傾斜する場合も
ある。すなわち、第１図及び第２図の両実施例における
磁化軸は平行形でも傾斜形でも良く、素子の応用方法に
依っている。
（傾斜形はＭＲセンサーの出力の直線性を少し、改善す
る。） 以下に示すのは経験的に導がれな３部分の長さ及び高さ
のパラメータである： パラメータ 範囲（ｌ１ｍ） 実際上の制限（１１ｍ
）Ｈ１２−１５４−１０ Ｈ２１−３１−３ Ｌｌｏ−（Ｘ） ５−１０ Ｌ２１０−（Ｘ） １５−２５Ｌ３５−２５
１０−２０ 厚さ ５０−１０００°Ａ １５０−７００
’Ａ実際の使用に際しては、本技術分野に精通の技術者
には容易に理解されるように、外部磁場の影響下にある
素子の抵抗変化を検出するための導線を例えばスエナガ
その他による４、５５６，９２５号の第５図又は先に引
用したモーリーによる第０１５，２０３第１２図に示す
ように取り付けなければならない。
る。） 以下に示すのは経験的に導がれな３部分の長さ及び高さ
のパラメータである： パラメータ 範囲（ｌ１ｍ） 実際上の制限（１１ｍ
）Ｈ１２−１５４−１０ Ｈ２１−３１−３ Ｌｌｏ−（Ｘ） ５−１０ Ｌ２１０−（Ｘ） １５−２５Ｌ３５−２５
１０−２０ 厚さ ５０−１０００°Ａ １５０−７００
’Ａ実際の使用に際しては、本技術分野に精通の技術者
には容易に理解されるように、外部磁場の影響下にある
素子の抵抗変化を検出するための導線を例えばスエナガ
その他による４、５５６，９２５号の第５図又は先に引
用したモーリーによる第０１５，２０３第１２図に示す
ように取り付けなければならない。
第２図は別の傾斜形実施例２０を示す。この実施例は中
心線に対して非対称である。どちらかと言えば一方のピ
ンの首形状部３０は素子の下半分に又もう一方のピンの
首部２６は素子の上半分側に突き出ている。本質的に、
素子の移行部２４ 、２８は互いに傾斜している。素子
は対向する平行な辺を有する幅広の中央部２２と、それ
ぞれ少くともひとつの傾斜辺３４．３２を備えた対向す
る一対の傾斜する移行部２４ 、２８と、それぞれに継
がる長方形のピンの首形状部２６．３０とで構成されて
いる。
心線に対して非対称である。どちらかと言えば一方のピ
ンの首形状部３０は素子の下半分に又もう一方のピンの
首部２６は素子の上半分側に突き出ている。本質的に、
素子の移行部２４ 、２８は互いに傾斜している。素子
は対向する平行な辺を有する幅広の中央部２２と、それ
ぞれ少くともひとつの傾斜辺３４．３２を備えた対向す
る一対の傾斜する移行部２４ 、２８と、それぞれに継
がる長方形のピンの首形状部２６．３０とで構成されて
いる。
ピンの首形状部２６．３０が図に示すように中央部２２
の辺と平らになるように作られていると、それぞれの移
行部２４．２８はそれぞれひとつの傾斜辺３４又は３２
を有することになる。もつとも、ピンの首形状部が中央
部と平とはならない構造のものも本発明の範囲に含まれ
ると考える。そのような構造においては移行部は第１図
に示す第１の実施例のように２つの傾斜辺を有する。第
２図の傾斜形実施例における磁化軸の方向は中央部平行
辺に対して傾斜していても、していなくても良い。
の辺と平らになるように作られていると、それぞれの移
行部２４．２８はそれぞれひとつの傾斜辺３４又は３２
を有することになる。もつとも、ピンの首形状部が中央
部と平とはならない構造のものも本発明の範囲に含まれ
ると考える。そのような構造においては移行部は第１図
に示す第１の実施例のように２つの傾斜辺を有する。第
２図の傾斜形実施例における磁化軸の方向は中央部平行
辺に対して傾斜していても、していなくても良い。
第１図は提案された中心線に対称なピンの首構造磁気抵
抗素子の部分平面図。 第２図は斜形構造の別の実施例の平面図。 ［符号の説明Ｊ １０．２０・・・磁気抵抗素子 １２．２２・・・中央幅広部 １４．２４．２８・・・移行部
抗素子の部分平面図。 第２図は斜形構造の別の実施例の平面図。 ［符号の説明Ｊ １０．２０・・・磁気抵抗素子 １２．２２・・・中央幅広部 １４．２４．２８・・・移行部
Claims (15)
- （１）ピンの首形磁気抵抗素子。
- （２）ピンの首形状を有する磁気抵抗素子。
- （３）請求項２に記載の磁気抵抗素子において、その形
状が中心線に対し対称である磁気抵抗素子。 - （４）請求項３に記載の磁気抵抗素子において、素子の
各対称部分が中央の幅広部、移行部及びピンの首形状部
を有することを特徴とする磁気抵抗素子。 - （５）請求項４に記載の磁気抵抗素子において前記中央
の幅広部が対向する平行辺を有することを特徴とする磁
気抵抗素子。 - （６）請求項５に記載の磁気抵抗素子において、前記移
行部が傾斜辺を有することを特徴とする磁気抵抗素子。 - （７）請求項６に記載の磁気抵抗素子において、前記ピ
ンの首形状部が長方形であることを特徴とする磁気抵抗
素子。 - （８）請求項２に記載の磁気抵抗素子において、その形
状が幅広の中央部と、２つの対向し互いに傾斜する移行
部と終端のピンの首形状部で構成されていることを特徴
とする磁気抵抗素子。 - （９）請求項８に記載の磁気抵抗素子において、中央の
幅広部が対向する平行辺を有することを特徴とする磁気
抵抗素子。 - （１０）請求項９に記載の磁気抵抗素子において、前記
移行部の各々が少くともひとつの傾斜辺を有することを
特徴とする磁気抵抗素子。 - （１１）請求項１０に記載の磁気抵抗素子において、前
記ピンの首形状部が長方形であることを特徴とする磁気
抵抗素子。 - （１２）請求項５に記載の磁気抵抗素子において、素子
の磁化軸の方向が中央幅広部の対向する平行辺に平行で
あることを特徴とする磁気抵抗素子。 - （１３）請求項５に記載の磁気抵抗素子において、素子
の磁化軸が中央幅広部の対向する平行辺に対し傾斜して
いることを特徴とする磁気抵抗素子。 - （１４）請求項９に記載の磁気抵抗素子において、素子
の磁化軸の方向が中央幅広部の対向する平行辺に平行で
あることを特徴とする磁気抵抗素子。 - （１５）請求項９に記載の磁気抵抗素子において、素子
の磁化軸が中央幅広部の対向する平行辺に対し傾斜して
いることを特徴とする磁気抵抗素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/152,792 US4821133A (en) | 1987-02-17 | 1988-02-05 | Bottleneck magnetoresistive element |
| US152792 | 1988-02-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01208883A true JPH01208883A (ja) | 1989-08-22 |
| JPH0770762B2 JPH0770762B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=22544465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63216473A Expired - Lifetime JPH0770762B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-09-01 | 磁気抵抗素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4821133A (ja) |
| EP (1) | EP0326749B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0770762B2 (ja) |
| CA (1) | CA1316596C (ja) |
| DE (1) | DE3888342T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010093277A (ja) * | 2002-06-25 | 2010-04-22 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置 |
| JP2015094688A (ja) * | 2013-11-13 | 2015-05-18 | アルプス電気株式会社 | 磁気センサ |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4956736A (en) * | 1988-12-16 | 1990-09-11 | Eastman Kodak Company | Thin film magnetic element having a rhombic shape |
| US5170303A (en) * | 1990-04-30 | 1992-12-08 | Seagate Technology Inc. | Inductive thin film head having improved readback characteristics |
| US5065094A (en) * | 1990-08-07 | 1991-11-12 | Seagate Technology, Inc. | Two terminal magnetoresistive sensor having DC blocking capacitor |
| US5208715A (en) * | 1990-08-31 | 1993-05-04 | Seagate Technology, Inc. | Shield geometry for stabilizing magnetic domain structure in a magnetoresistive head |
| DE69329669D1 (de) * | 1992-08-25 | 2000-12-21 | Seagate Technology Llc | Magnetoresistiver Sensor und Herstellungsverfahren dafür |
| WO1994027288A1 (en) * | 1993-05-11 | 1994-11-24 | Philips Electronics N.V. | Magnetoresistive element having composite structure and thin film magnetic head incorporating same |
| US5452166A (en) * | 1993-10-01 | 1995-09-19 | Applied Magnetics Corporation | Thin film magnetic recording head for minimizing undershoots and a method for manufacturing the same |
| TW349690U (en) * | 1994-12-16 | 1999-01-01 | Ibm | Magnetoresistive head with a magnetoresistive film shaped to provide an improved read sensitivity profile |
| JP2870437B2 (ja) * | 1994-12-29 | 1999-03-17 | ヤマハ株式会社 | Ｍｒヘッドおよびその製造方法 |
| US6222702B1 (en) | 1997-08-15 | 2001-04-24 | Seagate Technology, Inc. | Magnetic read element shield having dimensions that minimize domain wall movement |
| US6222361B1 (en) * | 1997-12-04 | 2001-04-24 | Sony Precision Technology Inc. | Position detecting device using varying width magneto-resistive effect sensor |
| US6169646B1 (en) | 1998-11-18 | 2001-01-02 | Seagate Technology, Inc. | Magnetoresistive shield incorporating seedlayer for anisotropy enhancement |
| US6097578A (en) * | 1998-12-02 | 2000-08-01 | Seagate Technology, Inc. | Bottom shield design for magnetic read heads |
| US7123768B2 (en) * | 2000-04-26 | 2006-10-17 | Minolta Co., Ltd. | Apparatus and method for detecting a pattern |
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| WO2018116783A1 (ja) * | 2016-12-21 | 2018-06-28 | 株式会社村田製作所 | 磁気センサ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5845619A (ja) * | 1981-09-09 | 1983-03-16 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4535375A (en) * | 1983-01-14 | 1985-08-13 | Magnetic Peripherals, Inc. | Magnetoresistive head |
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-
1988
- 1988-02-05 US US07/152,792 patent/US4821133A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-09-01 JP JP63216473A patent/JPH0770762B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1988-09-27 CA CA000578558A patent/CA1316596C/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-11-22 DE DE3888342T patent/DE3888342T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-11-22 EP EP88311028A patent/EP0326749B1/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0326749A2 (en) | 1989-08-09 |
| EP0326749B1 (en) | 1994-03-09 |
| US4821133A (en) | 1989-04-11 |
| EP0326749A3 (en) | 1991-02-06 |
| JPH0770762B2 (ja) | 1995-07-31 |
| CA1316596C (en) | 1993-04-20 |
| DE3888342T2 (de) | 1994-06-16 |
| DE3888342D1 (de) | 1994-04-14 |
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