JPH04273486A - 磁気抵抗素子およびその中点電圧の調整方法 - Google Patents
磁気抵抗素子およびその中点電圧の調整方法Info
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- JPH04273486A JPH04273486A JP9155591A JP5559191A JPH04273486A JP H04273486 A JPH04273486 A JP H04273486A JP 9155591 A JP9155591 A JP 9155591A JP 5559191 A JP5559191 A JP 5559191A JP H04273486 A JPH04273486 A JP H04273486A
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- Japan
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- magnetoresistive element
- resistance
- magnetoresistive
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 abstract description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気信号の検出に使用
される磁気抵抗素子および磁気抵抗素子の中点電圧を調
整する調整方法に関する。
される磁気抵抗素子および磁気抵抗素子の中点電圧を調
整する調整方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗素子は、磁気抵抗効果を有する
強磁性体薄膜より成るストライプを有するものであって
、磁気信号の検出に使用される。このような磁気抵抗素
子の一例が図５に示されている。
強磁性体薄膜より成るストライプを有するものであって
、磁気信号の検出に使用される。このような磁気抵抗素
子の一例が図５に示されている。
【０００３】この磁気抵抗素子は、図５に示すように、
強磁性体薄膜から成る。そのストライプ（長手方向のパ
ターン）が、ほぼ平行になるように折り返し配置された
同一形状の抵抗要素５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃ，５１Ｄを
絶縁基板５２上に形成し、かつ、ブリッジに接続した構
造を有する。磁気抵抗要素５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃ，５
１Ｄの抵抗変化率の差で生じる中点電圧の変化が、磁界
の強度の変化として検出される。
強磁性体薄膜から成る。そのストライプ（長手方向のパ
ターン）が、ほぼ平行になるように折り返し配置された
同一形状の抵抗要素５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃ，５１Ｄを
絶縁基板５２上に形成し、かつ、ブリッジに接続した構
造を有する。磁気抵抗要素５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃ，５
１Ｄの抵抗変化率の差で生じる中点電圧の変化が、磁界
の強度の変化として検出される。
【０００４】一般にかかる用途の磁気抵抗素子は、図５
に示すように、磁気抵抗素子のブリッジ回路６１を構成
する。そして、差動増幅回路６２を介し出力信号を増幅
して検出する方法が多用されている。
に示すように、磁気抵抗素子のブリッジ回路６１を構成
する。そして、差動増幅回路６２を介し出力信号を増幅
して検出する方法が多用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の磁気抵
抗素子では、図５に示すように、４つの抵抗要素の各々
の抵抗値が同じとなるように設計され差動増幅回路６２
の入力端子６２Ａ，６２Ｂの中点電圧が無磁界時に０Ｖ
であるのが理想である。しかし、強磁性体薄膜からなる
薄膜フォトリソ工程で製造される４つの抵抗要素を同じ
抵抗値とすることは困難であり、中点電圧がばらつく欠
点を有している。
抗素子では、図５に示すように、４つの抵抗要素の各々
の抵抗値が同じとなるように設計され差動増幅回路６２
の入力端子６２Ａ，６２Ｂの中点電圧が無磁界時に０Ｖ
であるのが理想である。しかし、強磁性体薄膜からなる
薄膜フォトリソ工程で製造される４つの抵抗要素を同じ
抵抗値とすることは困難であり、中点電圧がばらつく欠
点を有している。
【０００６】本発明の目的は、このような欠点を除去し
、中点電圧の調整を可能にする磁気抵抗素子およびその
中点電圧の調整方法を提供することにある。
、中点電圧の調整を可能にする磁気抵抗素子およびその
中点電圧の調整方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、磁気抵抗効果
をもつ強磁性体薄膜の、第１のストライプをほぼ平行に
配置して、各第１のストライプを直列に接続した第１の
抵抗要素を、同一絶縁基板上に４つ用いてブリッジの形
状に形成した磁気抵抗素子において、磁気抵抗効果をも
つ強磁性体薄膜の、第２のストライプをほぼ平行に配置
して、各第２のストライプを並列に接続した第２の抵抗
要素を、少なくとも一つの、第１の抵抗要素に直列に接
続したことを特徴とする。
をもつ強磁性体薄膜の、第１のストライプをほぼ平行に
配置して、各第１のストライプを直列に接続した第１の
抵抗要素を、同一絶縁基板上に４つ用いてブリッジの形
状に形成した磁気抵抗素子において、磁気抵抗効果をも
つ強磁性体薄膜の、第２のストライプをほぼ平行に配置
して、各第２のストライプを並列に接続した第２の抵抗
要素を、少なくとも一つの、第１の抵抗要素に直列に接
続したことを特徴とする。
【０００８】前述した本発明の磁気抵抗素子のブリッジ
の中点電圧を調整する磁気抵抗素子の中点電圧の調整方
法であって、第２の抵抗要素のストライプの一部分を切
断し、磁気抵抗素子のブリッジの中点電圧を調整するよ
うにしたことを特徴とする。
の中点電圧を調整する磁気抵抗素子の中点電圧の調整方
法であって、第２の抵抗要素のストライプの一部分を切
断し、磁気抵抗素子のブリッジの中点電圧を調整するよ
うにしたことを特徴とする。
【０００９】
【実施例】次に、本発明の実施例について、図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００１０】図１は、本発明に係る磁気抵抗素子の一例
を示す平面図である。図１の磁気抵抗素子は、絶縁基板
１１の上に強磁性体薄膜を形成し、フォトリソグラフィ
技術を用いてストライプが平行になるように折り返し配
置された抵抗要素１と複数のストライプが並列に接続さ
れた抵抗要素２が直列に接続されている。さらに、スト
ライプが折り返された抵抗要素３と、ストライプが並列
に接続された抵抗要素４と、ストライプが折り返された
抵抗要素５と６の抵抗要素よりブリッジ構造を有してい
る。
を示す平面図である。図１の磁気抵抗素子は、絶縁基板
１１の上に強磁性体薄膜を形成し、フォトリソグラフィ
技術を用いてストライプが平行になるように折り返し配
置された抵抗要素１と複数のストライプが並列に接続さ
れた抵抗要素２が直列に接続されている。さらに、スト
ライプが折り返された抵抗要素３と、ストライプが並列
に接続された抵抗要素４と、ストライプが折り返された
抵抗要素５と６の抵抗要素よりブリッジ構造を有してい
る。
【００１１】また、電極パッド７は、抵抗要素２と抵抗
要素６との接続部分に設けられている。同様にして、電
極パッド８は、抵抗要素３と抵抗要素４との接続部分に
設けられ、電極パッド９は、抵抗要素５と抵抗要素６と
の接続部分に設けられ、電極パッド１０は、抵抗要素６
と抵抗要素７との間に設けられている。
要素６との接続部分に設けられている。同様にして、電
極パッド８は、抵抗要素３と抵抗要素４との接続部分に
設けられ、電極パッド９は、抵抗要素５と抵抗要素６と
の接続部分に設けられ、電極パッド１０は、抵抗要素６
と抵抗要素７との間に設けられている。
【００１２】さらに、抵抗要素１の長手方向は、抵抗要
素３の長手方向および抵抗要素６の長手方向と直角にな
っている。抵抗要素２の長手方向は、抵抗要素１の長手
方向と平行になっている。抵抗要素５の長手方向は、抵
抗要素３の長手方向および抵抗要素６の長手方向と直角
となっている。抵抗要素４の長手方向は、抵抗要素５の
長手方向と平行になっている。
素３の長手方向および抵抗要素６の長手方向と直角にな
っている。抵抗要素２の長手方向は、抵抗要素１の長手
方向と平行になっている。抵抗要素５の長手方向は、抵
抗要素３の長手方向および抵抗要素６の長手方向と直角
となっている。抵抗要素４の長手方向は、抵抗要素５の
長手方向と平行になっている。
【００１３】このような磁気抵抗素子の等価回路が図２
に示されている。図２に示されるように、磁気抵抗素子
１および磁気抵抗素子２と、磁気抵抗素子３と、磁気抵
抗素子４および磁気抵抗素子５と、磁気抵抗素子６とが
、ブリッジとなっている。
に示されている。図２に示されるように、磁気抵抗素子
１および磁気抵抗素子２と、磁気抵抗素子３と、磁気抵
抗素子４および磁気抵抗素子５と、磁気抵抗素子６とが
、ブリッジとなっている。
【００１４】次に、図１の磁気抵抗素子の中点電圧の調
整方法について説明する。磁気抵抗素子の中点電圧を調
整する場合、フォトリソグラフィ技術を用いて製造され
た磁気抵抗チップ上の電極パッド９と１０との間に電源
２１が印加され、さらに、電圧計２２が電極パッド７と
８との間に接続される。そして、無磁界のときに中点電
圧が０Ｖになるように調整するには、抵抗要素２，４を
調整する。この調整方法が図３に示されている。
整方法について説明する。磁気抵抗素子の中点電圧を調
整する場合、フォトリソグラフィ技術を用いて製造され
た磁気抵抗チップ上の電極パッド９と１０との間に電源
２１が印加され、さらに、電圧計２２が電極パッド７と
８との間に接続される。そして、無磁界のときに中点電
圧が０Ｖになるように調整するには、抵抗要素２，４を
調整する。この調整方法が図３に示されている。
【００１５】図３に示されるように、磁気抵抗素子に電
源２１が加えられ、その結果、電圧計２２の指示が０Ｖ
にならない場合、レーザ３１により例えば抵抗要素２の
ストライプを切断する。また、場合により抵抗要素４の
ストライプも切断する。このように、抵抗要素２，４の
ストライプの一部分をレーザで切断し、磁気抵抗素子の
ブリッジの中点電圧を０Ｖとなるように調整する。図４
に、このようにして製作された磁気抵抗素子チップの例
を示す。この例では、抵抗要素２，４が一部切断したパ
ターンを示す。
源２１が加えられ、その結果、電圧計２２の指示が０Ｖ
にならない場合、レーザ３１により例えば抵抗要素２の
ストライプを切断する。また、場合により抵抗要素４の
ストライプも切断する。このように、抵抗要素２，４の
ストライプの一部分をレーザで切断し、磁気抵抗素子の
ブリッジの中点電圧を０Ｖとなるように調整する。図４
に、このようにして製作された磁気抵抗素子チップの例
を示す。この例では、抵抗要素２，４が一部切断したパ
ターンを示す。
【００１６】このように、本実施の磁気抵抗素子は、強
磁性体薄膜から成る複数のストライプを各々のストライ
プがほぼ平行になるように多数回、折り返した構造の４
つの抵抗要素と複数のストライプ状で構成された２つの
抵抗要素とでブリッジに接続するように、同一絶縁基板
上に形成した磁気抵抗素子において、その複数のストラ
イプ状で構成された２つの抵抗要素のストライプパター
ンの一部分を切断し、磁気抵抗素子のブリッジの中点電
圧を調整する。
磁性体薄膜から成る複数のストライプを各々のストライ
プがほぼ平行になるように多数回、折り返した構造の４
つの抵抗要素と複数のストライプ状で構成された２つの
抵抗要素とでブリッジに接続するように、同一絶縁基板
上に形成した磁気抵抗素子において、その複数のストラ
イプ状で構成された２つの抵抗要素のストライプパター
ンの一部分を切断し、磁気抵抗素子のブリッジの中点電
圧を調整する。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、強磁性
体薄膜から成る複数のストライプを各々のストライプが
ほぼ平行になるように、多数回、折り返した構造の抵抗
要素と、複数の並列接続されたストライプパターンで構
成された抵抗要素とでブリッジ接続され、フォトリソグ
ラフィ技術で製造された磁気抵抗素子のチップを、後か
ら、複数の並列接続されたストライプパターンで構成さ
れた２つの抵抗要素の一部分を、例えばレーザで切断し
て磁気抵抗素子の中点電圧を調整できることから、特性
バラツキの少ない磁気検出回路を作成できるという効果
を有する。
体薄膜から成る複数のストライプを各々のストライプが
ほぼ平行になるように、多数回、折り返した構造の抵抗
要素と、複数の並列接続されたストライプパターンで構
成された抵抗要素とでブリッジ接続され、フォトリソグ
ラフィ技術で製造された磁気抵抗素子のチップを、後か
ら、複数の並列接続されたストライプパターンで構成さ
れた２つの抵抗要素の一部分を、例えばレーザで切断し
て磁気抵抗素子の中点電圧を調整できることから、特性
バラツキの少ない磁気検出回路を作成できるという効果
を有する。
【図１】本発明に係る磁気抵抗素子の一例を示す平面図
である。
である。
【図２】図１の磁気抵抗素子の等価回路および検出回路
を示す図である。
を示す図である。
【図３】図１に示した磁気抵抗素子の中点電圧を調整す
る方法を示す図である。
る方法を示す図である。
【図４】図３の方法により製作された磁気抵抗素子の一
例を示す図である。
例を示す図である。
【図５】従来の磁気抵抗素子の一例を示す平面図である
。
。
【図６】図５の磁気抵抗素子の等価回路および検出回路
を示す図である。
を示す図である。
１〜７ 抵抗要素
７〜１０ 電極パッド
１１ 絶縁基板
Claims (2)
- 【請求項１】磁気抵抗効果をもつ強磁性体薄膜の、第１
のストライプをほぼ平行に配置して、各第１のストライ
プを直列に接続した第１の抵抗要素を、同一絶縁基板上
に４つ用いてブリッジの形状に形成した磁気抵抗素子に
おいて、磁気抵抗効果をもつ強磁性体薄膜の、第２のス
トライプをほぼ平行に配置して、各第２のストライプを
並列に接続した第２の抵抗要素を、少なくとも一つの、
第１の抵抗要素に直列に接続したことを特徴とする磁気
抵抗素子。 - 【請求項２】請求項１記載の磁気抵抗素子のブリッジの
中点電圧を調整する磁気抵抗素子の中点電圧の調整方法
であって、第２の抵抗要素のストライプの一部分を切断
し、磁気抵抗素子のブリッジの中点電圧を調整するよう
にしたことを特徴とする磁気抵抗素子の中点電圧の調整
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9155591A JPH04273486A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 磁気抵抗素子およびその中点電圧の調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9155591A JPH04273486A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 磁気抵抗素子およびその中点電圧の調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04273486A true JPH04273486A (ja) | 1992-09-29 |
Family
ID=13002999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9155591A Pending JPH04273486A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 磁気抵抗素子およびその中点電圧の調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04273486A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6469927B2 (en) * | 2000-07-11 | 2002-10-22 | Integrated Magnetoelectronics | Magnetoresistive trimming of GMR circuits |
| US7224566B2 (en) | 2002-04-19 | 2007-05-29 | Integrated Magnetoelectronics Corporation | Interfaces between semiconductor circuitry and transpinnor-based circuitry |
-
1991
- 1991-02-28 JP JP9155591A patent/JPH04273486A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6469927B2 (en) * | 2000-07-11 | 2002-10-22 | Integrated Magnetoelectronics | Magnetoresistive trimming of GMR circuits |
| US7224566B2 (en) | 2002-04-19 | 2007-05-29 | Integrated Magnetoelectronics Corporation | Interfaces between semiconductor circuitry and transpinnor-based circuitry |
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