JPH012088A - アクティブ・マトリックス液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
アクティブ・マトリックス液晶表示装置およびその製造方法Info
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- JPH012088A JPH012088A JP62-158093A JP15809387A JPH012088A JP H012088 A JPH012088 A JP H012088A JP 15809387 A JP15809387 A JP 15809387A JP H012088 A JPH012088 A JP H012088A
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- forming
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔座業上の利用分野〕
本発明は厚膜状の単結晶シリコン基板上に形成された電
界効果型トランジスタを有するアクティブ・マトリック
ス液晶表示装置およびその製造方法に関する。
界効果型トランジスタを有するアクティブ・マトリック
ス液晶表示装置およびその製造方法に関する。
近年、ツイスト・ネマティック型（ＴＮ型）ｔ−中心と
した液晶表示装置（１，ＣＤ）の応用が発展し、腕時計
や電卓の分野で大賞にもちいられている。また、情報端
末やワープロ等の用途に、ドツトの組合せによシ文字や
図形等の任′を表示が可能なマトリックス型も使われ始
めている。マトリックス型ＬＣＤの構造は、ストライプ
状の電極を有する基板２枚を液晶を介して各基板上の電
極線が互いに垂直に父差するように対向して配置したも
のである。かかるＬＣＤはマトリックス端子とよばれる
Ｘ−Ｙ端子によ＃）駆動される。
した液晶表示装置（１，ＣＤ）の応用が発展し、腕時計
や電卓の分野で大賞にもちいられている。また、情報端
末やワープロ等の用途に、ドツトの組合せによシ文字や
図形等の任′を表示が可能なマトリックス型も使われ始
めている。マトリックス型ＬＣＤの構造は、ストライプ
状の電極を有する基板２枚を液晶を介して各基板上の電
極線が互いに垂直に父差するように対向して配置したも
のである。かかるＬＣＤはマトリックス端子とよばれる
Ｘ−Ｙ端子によ＃）駆動される。
このマトリックス型ＬＣＤの応用分野を広げるためには
、表示’ＭＷの増大が必要である。しかし、従来のＬＣ
Ｄの電圧妨過率変化特性はその立ち上がシがあまシ急峻
でないので、表示容量を増加させるために、マトリック
ス端子の走査本数を増加させると、選択画素と非ｉ択画
素各々にかかる実効省土比が低下する。このため、艮好
なコントラストが得られる視野角も著しく狭くなるので
、従来のＬＣＤでは、走査本数が６０本位が限界であっ
た。
、表示’ＭＷの増大が必要である。しかし、従来のＬＣ
Ｄの電圧妨過率変化特性はその立ち上がシがあまシ急峻
でないので、表示容量を増加させるために、マトリック
ス端子の走査本数を増加させると、選択画素と非ｉ択画
素各々にかかる実効省土比が低下する。このため、艮好
なコントラストが得られる視野角も著しく狭くなるので
、従来のＬＣＤでは、走査本数が６０本位が限界であっ
た。
このマトリックス型ＬＣＤの表示谷ｔヶ大幅に増加させ
るために、ＬＣＤの各画素に液晶スイッチング用のアク
ティブ素子を配置したアクティブ・マトリックス液晶表
示装置が提案されている。
るために、ＬＣＤの各画素に液晶スイッチング用のアク
ティブ素子を配置したアクティブ・マトリックス液晶表
示装置が提案されている。
このアクティブ・マトリックス液晶表示装置においては
、絶縁体上の良質の結晶性をもった単結晶シリコンを形
成することは困難であることと耐光性の点からアクティ
ブ素子としては多結晶シリコンを半導体材料とした１＝
’ Ｂ Ｔ構造の薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）が用いら
れている。かかる多結晶シリコンでは結晶性の点からア
クティブ素子の駆動用ＩＣを作ることは困難であるため
、フラット・デイスプレィ一般にはアクティブ素子と駆
動回路は端子で接続する方法がとられていた。
、絶縁体上の良質の結晶性をもった単結晶シリコンを形
成することは困難であることと耐光性の点からアクティ
ブ素子としては多結晶シリコンを半導体材料とした１＝
’ Ｂ Ｔ構造の薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）が用いら
れている。かかる多結晶シリコンでは結晶性の点からア
クティブ素子の駆動用ＩＣを作ることは困難であるため
、フラット・デイスプレィ一般にはアクティブ素子と駆
動回路は端子で接続する方法がとられていた。
しかしながら、４００Ｘ６００１１ｋｉ素のデイスプレ
ィでは、縦４００本、横６４０本の端子が出ているため
１０４０Ｉｆ所の接続と１０４０個のドライバが必要と
されているように、端子接続技術は限界に来ている。従
って、デイスプレィの高密度。
ィでは、縦４００本、横６４０本の端子が出ているため
１０４０Ｉｆ所の接続と１０４０個のドライバが必要と
されているように、端子接続技術は限界に来ている。従
って、デイスプレィの高密度。
高性能化が計れないだけでなく、かなシのコストがこの
接続工程に必要となる欠点があった。
接続工程に必要となる欠点があった。
本発明の目的は、このような従来の欠点を除去し、高歩
留りでかつ高性能のアクティブ・マトリックス液晶表示
装置およびその製造方法を提供することにある。
留りでかつ高性能のアクティブ・マトリックス液晶表示
装置およびその製造方法を提供することにある。
本発明のアクティブ・マトリックス液晶表示装置は、デ
ータ信号電極と走査信号電極とで定まる位置にアクティ
ブ素子を設けた素子基板と対向電極を有する対向基板と
が液晶を介して互いに対向して配置されてなるアクティ
ブ・マトリックス液晶表示装置において、前記素子基板
は保持基板に接着１−を介してデバイス層が形成され、
前記デバイス層には前記アクティブ素子のほかに液晶駆
動回路のうち少なくとも走査側駆動回路とデータ側駆動
回路が形成され、前記アクティブ素子は多結晶シリコン
またはアモルファスシリコンで形成され、前記液晶駆動
回路は単結晶シリコンで形成されていることと前記デバ
イスｌ−の反対面にはデータ信号電極と走査信号電極が
形成されている構成を有している。
ータ信号電極と走査信号電極とで定まる位置にアクティ
ブ素子を設けた素子基板と対向電極を有する対向基板と
が液晶を介して互いに対向して配置されてなるアクティ
ブ・マトリックス液晶表示装置において、前記素子基板
は保持基板に接着１−を介してデバイス層が形成され、
前記デバイス層には前記アクティブ素子のほかに液晶駆
動回路のうち少なくとも走査側駆動回路とデータ側駆動
回路が形成され、前記アクティブ素子は多結晶シリコン
またはアモルファスシリコンで形成され、前記液晶駆動
回路は単結晶シリコンで形成されていることと前記デバ
イスｌ−の反対面にはデータ信号電極と走査信号電極が
形成されている構成を有している。
また、本発明のアクティブ・マトリックス液晶表示装置
の製造方法は、データ信号電極と走食信信電極とで定ま
る位置にアクティブ素子を設けた素子基板と対向電極を
有する対向基板とが液晶を介して互いに対向して配置さ
れてなるアクティブ・マトリックス液晶表示装置の製造
方法において、前記素子基板は単結晶シリコン基板の一
主面に絶縁体を形成する工程と、前記絶縁体に下地の単
結晶シリコンに達するまでコンタクト穴を形成する工程
と、前記絶縁体上に多結晶シリコンまたはアモルファス
シリコンを形成しアクティブ素子を形成する工程と、前
記アクティブ素子から前記コンタクト穴に配線を形成す
る工程と、前記絶縁体の形成していない前記単結晶シリ
コン基板の一主面に液晶駆動回路のうち少なくとも走査
側駆動回路とデータ側駆動回路を形成する工程と、前記
アクティブ素子と前記液晶駆動回路を配線する工程と、
前記単結晶シリコン基板の一主面側を接層剤で抹持基板
に接層し前記絶縁体が露出するまで前記単結晶シリコン
基板ｔ−ｍ面から研磨する工程と、前記絶縁体の前記保
持基板と反対側の表面にデータ信号電極と走査信号電極
の信号電極を形成し前記信号電極と前記コンタクト穴を
通して前記アクティブ素子に配線を行なう工寝喀含んで
構成される。
の製造方法は、データ信号電極と走食信信電極とで定ま
る位置にアクティブ素子を設けた素子基板と対向電極を
有する対向基板とが液晶を介して互いに対向して配置さ
れてなるアクティブ・マトリックス液晶表示装置の製造
方法において、前記素子基板は単結晶シリコン基板の一
主面に絶縁体を形成する工程と、前記絶縁体に下地の単
結晶シリコンに達するまでコンタクト穴を形成する工程
と、前記絶縁体上に多結晶シリコンまたはアモルファス
シリコンを形成しアクティブ素子を形成する工程と、前
記アクティブ素子から前記コンタクト穴に配線を形成す
る工程と、前記絶縁体の形成していない前記単結晶シリ
コン基板の一主面に液晶駆動回路のうち少なくとも走査
側駆動回路とデータ側駆動回路を形成する工程と、前記
アクティブ素子と前記液晶駆動回路を配線する工程と、
前記単結晶シリコン基板の一主面側を接層剤で抹持基板
に接層し前記絶縁体が露出するまで前記単結晶シリコン
基板ｔ−ｍ面から研磨する工程と、前記絶縁体の前記保
持基板と反対側の表面にデータ信号電極と走査信号電極
の信号電極を形成し前記信号電極と前記コンタクト穴を
通して前記アクティブ素子に配線を行なう工寝喀含んで
構成される。
仄に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明のアクティブ・マトリックス液晶表示装
置の一実施例を説明するための液晶画素部の断面図であ
シ、第２図は第１図に示す素子基板の模式的平面図であ
る。
置の一実施例を説明するための液晶画素部の断面図であ
シ、第２図は第１図に示す素子基板の模式的平面図であ
る。
第１図および第２図に示すように、この実施例はデータ
信号電極２１と走査信号電極２０とで定まる位置に液晶
画素スイ・ツチング用のアクティブ素子５を設けた素子
基板と対向電極１４を有する対向基板１５とが液晶層１
３を介して互いに対向して配置されてなるアクティブ・
マトリックス液晶表示装置に２いて、前記素子基板はデ
バイスＩ−が保持基板ＩＫ接着されてなシ、デバイス１
ｍには前記アクティブ素子５と液晶駆動回路のうち走査
ＩＩ駆動回路２２とデータ（ｉＩｌｌ駆動回路２３が形
成され、前記アクティブ素子５は多結晶シリコンまたは
アモルファスシリコンで形成され、前記奴晶駆動回路は
単結晶シリコンで形成されたアクティブ・マトリックス
液晶表示装置である。
信号電極２１と走査信号電極２０とで定まる位置に液晶
画素スイ・ツチング用のアクティブ素子５を設けた素子
基板と対向電極１４を有する対向基板１５とが液晶層１
３を介して互いに対向して配置されてなるアクティブ・
マトリックス液晶表示装置に２いて、前記素子基板はデ
バイスＩ−が保持基板ＩＫ接着されてなシ、デバイス１
ｍには前記アクティブ素子５と液晶駆動回路のうち走査
ＩＩ駆動回路２２とデータ（ｉＩｌｌ駆動回路２３が形
成され、前記アクティブ素子５は多結晶シリコンまたは
アモルファスシリコンで形成され、前記奴晶駆動回路は
単結晶シリコンで形成されたアクティブ・マトリックス
液晶表示装置である。
また、本実施例においては、走査側駆動回路２２とデー
タ側駆動回路２３をＭＯＳトランジスタを用いて形成し
ている。
タ側駆動回路２３をＭＯＳトランジスタを用いて形成し
ている。
第３−および第４図はそれぞれかかる走査側駆動回路と
データ４Ａ駆動回路の代表的な概念的回路図である。
データ４Ａ駆動回路の代表的な概念的回路図である。
第３図に示すように、走査側駆動回路は走：！１−電極
の数だけシフトレジスタ３２を有する。これらの各シフ
トレジスタ３２に垂直同期信号２６が入りその出力信号
をドライバ２５に入れ液晶の駆動に適した電圧にに侠し
て走査信号２７として出力する。
の数だけシフトレジスタ３２を有する。これらの各シフ
トレジスタ３２に垂直同期信号２６が入りその出力信号
をドライバ２５に入れ液晶の駆動に適した電圧にに侠し
て走査信号２７として出力する。
一万、第４図に示すように、データ側扇動回路はデータ
信号の畝だけサンプルホールド回路２８を有する。これ
らの各サンプルホールド回路２８はビデオ信号２９を水
平同期信号３０によシゲートを閉じてホールドし、この
値をドライバ２５に入れデータ信号３１として出力する
。
信号の畝だけサンプルホールド回路２８を有する。これ
らの各サンプルホールド回路２８はビデオ信号２９を水
平同期信号３０によシゲートを閉じてホールドし、この
値をドライバ２５に入れデータ信号３１として出力する
。
以上説明したこれらの回路は前述したように通常のＭＯ
Ｓ−ＩＣにみられる如く、ＭＯＳ）ランジスタで構成さ
れる。従って、これらの回路は液晶画素スイッチング用
のＭＯＳトランジスタの形成プロセスと同じプロセスで
形成することができる。
Ｓ−ＩＣにみられる如く、ＭＯＳ）ランジスタで構成さ
れる。従って、これらの回路は液晶画素スイッチング用
のＭＯＳトランジスタの形成プロセスと同じプロセスで
形成することができる。
次に、第５図（ａ）〜（Ｃ）は、本発明のかかるアクテ
ィブ・マトリックス液晶表示装置の製造方法の一実施例
を説明するための工程順に配置した素子基板の断面図で
ある。
ィブ・マトリックス液晶表示装置の製造方法の一実施例
を説明するための工程順に配置した素子基板の断面図で
ある。
まづ、第５図（ａ）に示すように、単結晶シリコン基板
４上に熱ば化によシ厚さ１μｍの二酸化シリコン層３を
所要の部分に形成し、単結晶が露出している部分には液
晶駆動回路２４であるＭＯＳ１Ｃを形成する。しかる後
、二酸化シリコン層３上に多結晶シリコンを堆積し電界
効果トランジスタ（ＦＥＴ）を形成してアクティブ素子
５とする。
４上に熱ば化によシ厚さ１μｍの二酸化シリコン層３を
所要の部分に形成し、単結晶が露出している部分には液
晶駆動回路２４であるＭＯＳ１Ｃを形成する。しかる後
、二酸化シリコン層３上に多結晶シリコンを堆積し電界
効果トランジスタ（ＦＥＴ）を形成してアクティブ素子
５とする。
このｌＩ’ Ｅ Ｔのゲート構造は、第１図に示すよう
に、シングルゲート構造またはダブルゲート構造である
。なお、ダブルゲート構造はゲートが２個直夕詐５並ん
だ構造であり、ＰＥＴが２個並んだ回路に相当する。第
５図（ａ）はかかる回路を示す。
に、シングルゲート構造またはダブルゲート構造である
。なお、ダブルゲート構造はゲートが２個直夕詐５並ん
だ構造であり、ＰＥＴが２個並んだ回路に相当する。第
５図（ａ）はかかる回路を示す。
次に、第５図（ｂ）にボすように、菓子形成面をエポキ
シまたはポリイミドなどの接Ｎ層２によシ石英ガラス等
の保持基板１に接看する。次に、デバイス層を除く単結
晶シリコン基板４ｔ−メカニカル・ケミカルボリジング
によシ除去する。この場合のボリシングは化学液に有機
アミンを用いているので、二酸化シリコンＩｍ ３ Ｆ
ｉ加工されず、ポリシングカロエを二酸化シリコンｆＢ
３の深さで止めることができる。
シまたはポリイミドなどの接Ｎ層２によシ石英ガラス等
の保持基板１に接看する。次に、デバイス層を除く単結
晶シリコン基板４ｔ−メカニカル・ケミカルボリジング
によシ除去する。この場合のボリシングは化学液に有機
アミンを用いているので、二酸化シリコンＩｍ ３ Ｆ
ｉ加工されず、ポリシングカロエを二酸化シリコンｆＢ
３の深さで止めることができる。
次に、第夕図（Ｃ）に示すように、ボリシング加工面に
データ信号電極および走査信号電憔の信号電＄ｉ９をＩ
ＴＯ等で形成する。
データ信号電極および走査信号電憔の信号電＄ｉ９をＩ
ＴＯ等で形成する。
このようにして形成した基板と第１図に示すＩＴＯ等の
対向電極１４に一全面に形成した対向基板１５と勿グラ
スファイバ等のスペーサを介して組み合わせて液晶セル
とする。シールは通常のエポキシ系有機シールを用いる
。このセルに液晶を注入し赦晶層１３とし、しかる後封
止することによりアクティブ・マトリックス液晶表示装
置が得られる。
対向電極１４に一全面に形成した対向基板１５と勿グラ
スファイバ等のスペーサを介して組み合わせて液晶セル
とする。シールは通常のエポキシ系有機シールを用いる
。このセルに液晶を注入し赦晶層１３とし、しかる後封
止することによりアクティブ・マトリックス液晶表示装
置が得られる。
ここで菓子基板と対向基板に対しラビングによシ配向処
理をおこなう。この場合、ポリイミド等の配向処理膜を
塗布することが多いが不可欠ではゝないので第１図では
り省略した。また、液晶は市販品のＴＮ型漱晶でセル厚
が８μｍを用い、偏向板は同様に市販品を用いた。この
ＴＮ型液晶とこの偏向板を用いたＬＣＤをスタティク駆
動で駆動した場合、５：１のコントラスト比ＣＢが得ら
れる視野角は±５０＠である。
理をおこなう。この場合、ポリイミド等の配向処理膜を
塗布することが多いが不可欠ではゝないので第１図では
り省略した。また、液晶は市販品のＴＮ型漱晶でセル厚
が８μｍを用い、偏向板は同様に市販品を用いた。この
ＴＮ型液晶とこの偏向板を用いたＬＣＤをスタティク駆
動で駆動した場合、５：１のコントラスト比ＣＢが得ら
れる視野角は±５０＠である。
このような菓子構成で４００Ｘ６４０画素、ピッチ０．
０５ｍｍで形成したアクティブ・マトリクス液晶表示装
置は、スタティック駆動時とほぼ同一の表示性能を示す
。更に、模擬信号として２０００本走査時相当の信号ま
で印加した場合は、スタティック駆動時とほぼ同じ表示
性能が得られる。向、この表示装置の駆動信号咳は、従
来のＭ ０８ ）ランジスタ又は’ｆ’ＦＴを積層した
アクティブ・マトリックス液晶表示装置に用いる信号と
同様の信号を用いることができる。この表示装置に中間
調を含むテレビ画面を出した場合、はぼ忠実に階調を表
現した上に高コントラストであシ、又、画面内でコント
ラスト班を生じることもない。
０５ｍｍで形成したアクティブ・マトリクス液晶表示装
置は、スタティック駆動時とほぼ同一の表示性能を示す
。更に、模擬信号として２０００本走査時相当の信号ま
で印加した場合は、スタティック駆動時とほぼ同じ表示
性能が得られる。向、この表示装置の駆動信号咳は、従
来のＭ ０８ ）ランジスタ又は’ｆ’ＦＴを積層した
アクティブ・マトリックス液晶表示装置に用いる信号と
同様の信号を用いることができる。この表示装置に中間
調を含むテレビ画面を出した場合、はぼ忠実に階調を表
現した上に高コントラストであシ、又、画面内でコント
ラスト班を生じることもない。
本実施例によるパネルは駆動回路を積層しているため、
端子の数が１０４０本から１０本と著しく減少し、端子
の接続工程が著しく廟略になる。
端子の数が１０４０本から１０本と著しく減少し、端子
の接続工程が著しく廟略になる。
しかも、本パネルは小型であるので、ビデオカメラ寺の
ビューファインダに適するだけでなく、投射型デイスプ
レィに応用することによりｌｍＸ１ｍ角の良好な投射画
面を得ることもでき、また中間、Ａ表示も良好である。
ビューファインダに適するだけでなく、投射型デイスプ
レィに応用することによりｌｍＸ１ｍ角の良好な投射画
面を得ることもでき、また中間、Ａ表示も良好である。
次に、本発明のアクティブ・マトリックス表示装置の応
用例について述べる。
用例について述べる。
上記の実施例で述べたものは、直視型のデイスプレィと
しても、仄のような投射型デイスプレィとしても用いら
れる。すなわち、直視型に対し、１ ｍ Ｘ １ ｍ角
程度の超大画面の表示としては、液晶パネルにキセノン
ランプ等からの強い光を照射してそれを投影する投射型
デイスプレィが適する。
しても、仄のような投射型デイスプレィとしても用いら
れる。すなわち、直視型に対し、１ ｍ Ｘ １ ｍ角
程度の超大画面の表示としては、液晶パネルにキセノン
ランプ等からの強い光を照射してそれを投影する投射型
デイスプレィが適する。
従来のレーザ熱書き込みの液晶パネルを用いた投射型デ
イスプレィの液晶パネルを本発明の液晶パネルと賦き侯
えることにより、レーザ及びその扇動回路関係が必要な
くなるので、小型の投射型デイスプレィが実現できる。
イスプレィの液晶パネルを本発明の液晶パネルと賦き侯
えることにより、レーザ及びその扇動回路関係が必要な
くなるので、小型の投射型デイスプレィが実現できる。
なお、投射光学系は従来のものを用いることができる。
例えば、液晶パネルとして、４００Ｘ６４０１！１ｌｌ
ｅ、 ピッチ０．０５ｍｍの本発明のアクティブ・マ
トリックス表示装置を用いれば、液晶パネルが着しく小
型になるため、者しく小型の投射光学系が実現出来る。
ｅ、 ピッチ０．０５ｍｍの本発明のアクティブ・マ
トリックス表示装置を用いれば、液晶パネルが着しく小
型になるため、者しく小型の投射光学系が実現出来る。
又、投射系には、通常のオーバー・ヘッド・プロジェク
タ（いわゆる０１１Ｐ）も用いることができる。
タ（いわゆる０１１Ｐ）も用いることができる。
以上の実施例および応用例についての説明は全てモノク
ロの画面であったが、通常おこなわれているように、対
向基板上に各−系に対応して九ＧＢ各ドツトのカラーフ
ィルタを形成することにより、容易にカラー画面がＩ１
１伏型、投射型のいづれをも得ることができる。また、
投射型の場合は、本発明によるアクティブ・マトリック
ス表示装置を３枚用い、各々に８０８３枚のうちの１枚
を組み合わせた上、それらを合成してカラー画面を得る
ことも可能である。
ロの画面であったが、通常おこなわれているように、対
向基板上に各−系に対応して九ＧＢ各ドツトのカラーフ
ィルタを形成することにより、容易にカラー画面がＩ１
１伏型、投射型のいづれをも得ることができる。また、
投射型の場合は、本発明によるアクティブ・マトリック
ス表示装置を３枚用い、各々に８０８３枚のうちの１枚
を組み合わせた上、それらを合成してカラー画面を得る
ことも可能である。
以上説明したように、従来はアクティブ素子とその駆動
回路が別であるために端子の接続が必要であシワデイス
プレィの胃性油化が得られなかったのに対し、本発明は
周辺駆動回路を各同素のアクティブ素子と同一基板上に
作製することにより、端子数の大幅な削減を実現し、ま
た投射型に応用することによシ、超小型の投射型デイス
プレィを得られる効果がある。史に、コントロール回路
および信号処理１ｇｌ路をも同一基板上に作製すること
により、少数の外付は受動部品のみでテレビ装置または
情報端末装置を構成できる効果がある。
回路が別であるために端子の接続が必要であシワデイス
プレィの胃性油化が得られなかったのに対し、本発明は
周辺駆動回路を各同素のアクティブ素子と同一基板上に
作製することにより、端子数の大幅な削減を実現し、ま
た投射型に応用することによシ、超小型の投射型デイス
プレィを得られる効果がある。史に、コントロール回路
および信号処理１ｇｌ路をも同一基板上に作製すること
により、少数の外付は受動部品のみでテレビ装置または
情報端末装置を構成できる効果がある。
第１図は本発明のアクティブ・マトリックス液晶表示装
置の一実施例を説明するための准晶画素部の断面図、第
２図は第１図に示す素子基板の模式的平面図、第３図お
よび第４図はそれぞれ第２図に示す走査側駆動回路の概
念的回路図およびデータ１ｌｔｌＩ駆動回路の概念的回
路図、第５図（ａ）〜（Ｃ）は本発明のアクティブ・マ
トリックス液晶表示装置の製造方法を説明するための工
程順に配置した素子基板の断面図である。 １・・・・・・透明基板、２・・・・・・接着ノー、３
・・・・・・二酸化シリコン層、４・・・・・・単結晶
シリコン基板、５・・・・・・マクティプ素子、６・・
・・・・二酸化シリコン、７・・・・・・株持基叡、８
・・・・・・コンタクト穴、９・・・・・・信号電像、
１０・・・・・・ドレイン領域、１１・・・・・・ソー
ス領域、１２・・・・・・ゲート電極、１３・・・・・
・液晶層、１４・・・・・・対向を惟、１５・・・・・
・対向基板、１６・・・・・・ドレイン電憶、１７・・
・・・・ソース電極、１８・・・・・・ｌｆｆ１Ｉ累電
惟、１９・・・・・・データ信号電極、２ｏ・・・・・
・走査信号電憔、２１・・・・・・データ信号電極、２
２・・・・・・定食１１Ｉ１１駆動回路、２３・・・・
・・データ１ｋｌＩＩＩＪＡ動回路、２４・・・・・°
液晶駆動回路、２５・・・・・・ドライバ、２６・・・
・・・垂直同期信号、２７・・・・・・走査信号、２８
・・・・・・サンプルホールド回路、２９・・・・・・
ビデオ信号、３０・・・・・・水平同期信号、３１・・
・・・・データ信号。 ゛（ソ 帛１ 図 第２ 冒 第３ 図 弗４ 回 第Ｓ 図
置の一実施例を説明するための准晶画素部の断面図、第
２図は第１図に示す素子基板の模式的平面図、第３図お
よび第４図はそれぞれ第２図に示す走査側駆動回路の概
念的回路図およびデータ１ｌｔｌＩ駆動回路の概念的回
路図、第５図（ａ）〜（Ｃ）は本発明のアクティブ・マ
トリックス液晶表示装置の製造方法を説明するための工
程順に配置した素子基板の断面図である。 １・・・・・・透明基板、２・・・・・・接着ノー、３
・・・・・・二酸化シリコン層、４・・・・・・単結晶
シリコン基板、５・・・・・・マクティプ素子、６・・
・・・・二酸化シリコン、７・・・・・・株持基叡、８
・・・・・・コンタクト穴、９・・・・・・信号電像、
１０・・・・・・ドレイン領域、１１・・・・・・ソー
ス領域、１２・・・・・・ゲート電極、１３・・・・・
・液晶層、１４・・・・・・対向を惟、１５・・・・・
・対向基板、１６・・・・・・ドレイン電憶、１７・・
・・・・ソース電極、１８・・・・・・ｌｆｆ１Ｉ累電
惟、１９・・・・・・データ信号電極、２ｏ・・・・・
・走査信号電憔、２１・・・・・・データ信号電極、２
２・・・・・・定食１１Ｉ１１駆動回路、２３・・・・
・・データ１ｋｌＩＩＩＪＡ動回路、２４・・・・・°
液晶駆動回路、２５・・・・・・ドライバ、２６・・・
・・・垂直同期信号、２７・・・・・・走査信号、２８
・・・・・・サンプルホールド回路、２９・・・・・・
ビデオ信号、３０・・・・・・水平同期信号、３１・・
・・・・データ信号。 ゛（ソ 帛１ 図 第２ 冒 第３ 図 弗４ 回 第Ｓ 図
Claims (2)
- （１）データ信号電極と走査信号電極とで定まる位置に
アクティブ素子を設けた素子基板と対向電極を有する対
向基板とが液晶を介して互いに対向して配置されてなる
アクティブ・マトリックス液晶表示装置において、前記
素子基板は保持基板に接着層を介してデバイス層が形成
され、前記デバイス層には前記アクティブ素子のほかに
液晶駆動回路のうち少なくとも走査側駆動回路とデータ
側駆動回路が形成され、前記アクティブ素子は多結晶シ
リコンまたはアモルファスシリコンで形成され、前記液
晶駆動回路は単結晶シリコンで形成されていることと前
記デバイス層の反対面にはデータ信号電極と走査信号電
極が形成されていることを特徴とするアクティブ・マト
リックス液晶表示装置。 - （２）データ信号電極と走査信号電極とで定まる位置に
アクティブ素子を設けた素子基板と対向電極を有する対
向基板とが液晶を介して互いに対向して配置されてなる
アクティブ・マトリックス液晶表示装置の製造方法にお
いて、前記素子基板は単結晶シリコン基板の一主面に絶
縁体を形成する工程と、前記絶縁体に下地の単結晶シリ
コンに達するまでコンタクト穴を形成する工程と、前記
絶縁体上に多結晶シリコンまたはアモルファスシリコン
を形成しアクティブ素子を形成する工程と、前記アクテ
ィブ素子から前記コンタクト穴に配線を形成する工程と
、前記絶縁体の形成していない前記単結晶シリコン基板
の一主面に液晶駆動回路のうち少なくとも走査側駆動回
路とデータ側駆動回路を形成する工程と、前記アクティ
ブ素子と前記液晶駆動回路を配線する工程と、前記単結
晶シリコン基板の一主面側を接着剤で保持基板に接着し
前記絶縁体が露出するまで前記単結晶シリコン基板を裏
面から研磨する工程と、前記絶縁体の前記保持基板と反
対側の表面にデータ信号電極と走査信号電極の信号電極
を形成し前記信号電極と前記コンタクト穴を通して前記
アクティブ素子に配線を行なう工程とを含むことを特徴
とするアクティブ・マトリックス液晶表示装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15809387A JPS642088A (en) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | Active matrix liquid crystal display device and its production |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15809387A JPS642088A (en) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | Active matrix liquid crystal display device and its production |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH012088A true JPH012088A (ja) | 1989-01-06 |
| JPS642088A JPS642088A (en) | 1989-01-06 |
Family
ID=15664148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15809387A Pending JPS642088A (en) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | Active matrix liquid crystal display device and its production |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS642088A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5247375A (en) * | 1990-03-09 | 1993-09-21 | Hitachi, Ltd. | Display device, manufacturing method thereof and display panel |
| JP2003179068A (ja) | 2001-12-12 | 2003-06-27 | Hitachi Ltd | 画像表示装置およびその製造方法 |
| JP5034360B2 (ja) | 2006-08-08 | 2012-09-26 | ソニー株式会社 | 表示装置の製造方法 |
| JP2008147418A (ja) | 2006-12-11 | 2008-06-26 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタ装置、画像表示装置およびその製造方法 |
-
1987
- 1987-06-24 JP JP15809387A patent/JPS642088A/ja active Pending
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