JPS63101832A - アクテイブ・マトリクス液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野さ 本発明は厚膜状の単結晶シリコン基板上に形成された電
界効果型トランジスタを有するアクティブ・マトリクス
液晶表示装置に関する。

（従来の技術とその問題点） 近年、ツイスト・ネマティック型（ＴＮ型）を中心とし
た液晶表示装置（ＬＣＤ）の応用が発展し、腕時計や電
卓の分野で大量にもちいられている。また、情報端末、
ワープロ等の用途に、ドツトの組合せにより文字、図形
等の任意表示が可能なマトリクス型も使われ始めている
。マトリクス型ＬＣＤの構造は、ストライプ状の電極を
有する基板２枚を、液晶を介して、各基板上の電極線が
互いに垂直に交差するように対向“して配置したもので
ある。本型のＬＣＤのｘ−Ｙ端子を、マトリクス端子と
よぶ。

このマトリクス型ＬＣＤの応用分野を広げるためには、
表示容量の増大が必要である。しかし、従来のＬＣＤの
電圧透過率変化特性はその立ち上がりがあまり急峻でな
いので、大表示容量を得るために、マルチプレクス駆動
の走査本数を増加させると、選択画素と非選択画素各々
にかかる実効電圧比が低下する。この為、良好なコント
ラストが得られる視野角も著しく狭くなるので、従来の
ＬＣＤでは、走査本数が６０本位が限界であった。

このマトリクス型ＬＣＤの表示容量を大幅に増加させる
ために、ＬＣＤの各画素に液晶スイッチング用のアクテ
ィブ素子を配置したアクティブ・マトリクス液晶表示装
置が提案されている。ここ数年の間に発表されたアクテ
ィブ・マトリクス液晶表示装置試作品のアクティブ素子
としては、無定形シリコン（ａ　−Ｓｉ）や多結晶シリ
コン（ｐ−８ｉ）を半導体材料としたＦＥＴ構造の薄膜
トランジスタ（ＴＰＴ）、又は単結晶シリコン（ｓ−８
ｉ）を半導体材料としたＦＥＴが大部分である。以下で
はこのようなアクティブ素子を形成した基板を素子基板
とよぶ。

これらのうちａ−８ｉやｐ−８ｉのＴＰＴは製造プロセ
スがまだ確立されていないので歩留まりが悪く、また良
品の特性も不十分であり、走査本数に限界がある。更に
、ＴＰＴの特性が不十分、且つ一枚の基板内でも特性が
一様でない為、テレビ画面のような中間調がでず、又コ
ントラストが弱く、且つ画面内でコントラスト環が生じ
る。

一方、５−８ｉ上のＦＥＴは、従来のシリコンＩＣプロ
セスをそのまま用いることにより得られるので、歩留ま
りも良く、良品の特性も十分であり、走査本数も実用上
限界がない。しかし、この５−８ｉは不透明であるので
、フルカラー化が困難であり、且つコントラストが高く
とれるＴＮ型が使えない等の本質的な欠点がある。

このような従来のアクティブ・マトリクスに関しては、
ニー・アイ・ラカトス（Ａ、　１．　Ｌａｋａｔｏｓ）
著による雑誌［プロシーディンゲス・オブ・ニスアイデ
ィー（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　ＳＩＤ月、第２
４巻、第２号、第１８５頁（昭和５８年発行）収録の論
文゛′プロミス・アンド・チャレンジ・オブ・シンフィ
ルム・シリコン・アプローチズ・トウ・アクティブ・マ
トリクス”（Ｐｒｏｍｉｓｅ　ａｎｄ　Ｃｈａｌｌｅｎ
ｇｅｏｆ　Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ　５ｉｌｉｃｏｎ　Ａｐ
ｐｒｏａｃｈｅｓ　ｔｏ　Ａｃｔｉｖｅ　Ｍａｔｒｉｃ
ｅｓ）に述べられている。

一般に、絶縁基板上に半導体素子を形成される方法とし
ては、ａ−８ｉやｐ−８ｉを使う方法の他に、サファイ
アまたはスピネル等の結晶性の絶縁物上に単結晶シリコ
ンをエピタキシャル成長させ、そのエピタキシャル層に
素子（この素子はサファイヤ上に形成した場合、ＳＯ８
とよばれる）を形成する方法もある。このＳＯ８は、５
−８ｉ上の素子数みの性能が得られるが、サファイア等
の基板の価格が非常に高く、また大面積のものが得られ
ない欠点がある。

近年、前記ＳＯ８の他に、絶縁基板上の単結晶シリコン
からなるアクティブ素子として、ボリシングを用いた転
写半導体素子（以下ＰＴＤと略す）が現れた。この素子
については、液口らによる［昭和５９年秋季第４５回応
用物理学会学術講演会予稿集］（講演番号１２ａ−ｃ−
２）及び「日本応用物理学会欧文誌（Ｊａｐａｎｅｓｅ
　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈ５ｉｃ
ｓ月第２３巻、第５８１５頁（１９８４年発行）の論文
、及び特願昭５９−１３７６０６号に示されている。

このＰＴＤ素子の製造法は、およそ次のとおりである。

まず、５−８ｉ基板に深さを制御された酸化物からなる
素子分離領域を設け、この素子分離領域間の半導体部分
に所望の素子を形成した後、その素子形成面を接着剤で
保持基板に接着し、前記素子分離領域が露出するまで前
記半導体基板を裏面から研磨しながら除去し、除去によ
り露出した面を絶縁性の高分子材料からなる接着剤を介
して支持基板に固定した後、保持基板を除去して形成さ
れる。

このようにして得られた転写半導体素子は、単結晶シリ
コン上にデバイスが形成されているので通常のシリコン
デバイス並の優れた性能を有し、かつ安価で透明な絶縁
体上に形成されるので、液晶用の基板に適した素子基板
が安価に得られる可能性がある。しかし液晶表示装置は
、通常ある程度の光がある状態で用いられる。例えば、
直射日光下、及び、投射光学系中等のような、強度の光
照射のもとて安定に動作することが要求されることは珍
しいことではない。よく知られているような半導体デバ
イスは一般に光照射のもとでは安定に動作しないので、
このような光照射の問題は大きな問題である。

この問題とは別に端子の問題が、フラット・ディスプレ
イ一般に問題としである。例えば、４００　Ｘ　６４０
画素のディスプレイでは、縦４００本、横６４０本の端
子が出る為、１０４０箇所の接続と１０４０個のドライ
バが必要とされる。ドライバのＩＣ化および端子接続技
術の向上に因り近年解決可能にはなっているが、かなり
のコストがこの部分にかかつている。

（発明の目的） 本発明の目的は、このような従来の欠点を除去し、高歩
留まりで且つ高性能のアクティブ・マトリクス液晶表示
装置を提供することにある。特に、強度の光照射のもと
でも安定に動作し、且つ、パネルからの取出し端子数を
大幅に減らしたアクティブ・マトリクス液晶表示装置を
得ることに本発明の目的がある。

（問題を解決するための手段） 本発明のアクティブ・マトリクス液晶表示装置は、デー
タ信号電極と走査信号電極とで定まる位置にアクティブ
素子を設けた素子基板と対向電極を有する対向基板とが
液晶を介して互いに対向して配置されてなるアクティブ
・マトリクス液晶表示装置において、前記素子基板は保
持基板に接着磨を介してデバイス層が形成され、前記デ
バイス層は単結晶シリコンと絶縁体とからなり、前記デ
バイス層上には前記アクティブ素子のほかに液晶駆動回
路のうち少なくとも走査側駆動回路とデータ側駆動回路
とが形成され、前記単結晶シリコンの前記を形成した面
と反対側の面上に光遮蔽層を形成した構成を有している
。

光遮蔽層は少なくとも液晶パネル周辺の駆動回路のトラ
ンジスタ部分は覆う必要がある。また液晶パネル画素部
分の液晶画素駆動回路のアクティブ素子も誤動作防止の
点から光遮蔽層で覆うことが望ましい。ただし、光透過
をオン−オフする画素電極の箇所は、光遮蔽層で覆わな
いようにする。

（作用） アクティブ素子の他にデバイス層上に走査側駆動回路と
データ側駆動回路とを形成し、マトリクス端子を各駆動
回路に接続したのでパネルからの取りだし端子数を大幅
に減らすことができる。また前記トランジスタを形成し
た面と反対側の面上に光遮蔽層を設けることにより強度
の光照射のもとでも安定に動作する。

（実施例） 次に、本発明について実施例に基づいて詳細に説明する
。第１図は本発明アクティブ・マトリクス液晶表示装置
の実施例のうち素子基板３８の液晶駆動回路のトランジ
スタを積層した断面図である。

本実施例は、第３図に示すようにデータ信号電極２１と
走査信号電極２０とが交差する位置に液晶画素スイッチ
ング用のアクティブ素子を設け、更に外に取り出すマト
リクス端子１９を素子基板上に製作した走査側駆動回路
２２とデータ側駆動回路２３に接続している。

本発明によるトランジスタは、第１図に示すように素子
基板３８上に形成されている。前記素子基板は互いに隣
接する単結晶シリコン３と絶縁体４とからなるデバイス
層が保持基板１に接着されてなり、前記単結晶シリコン
にＭＯＳ　）ランジスタ１８からなるアクティブ素子が
保持基板側に形成され、同じ光遮蔽層２４が保持基板と
反対側に形成され、絶縁体４にコンタクト穴をあけて、
接続電極３７を形成し電気的接続をとっている。ソース
領域１１とドレイン領域１０とはゲート電極７をマスク
にしてイオン打ち込みによりセルファライオン的に作成
される。

このようなＭＯＳ　）ランジスタにおいて、光遮蔽層２
４は、ＭＯＳ−ＦＥＴのチャネル部を覆うように形成さ
れ、強度の光照射下での誤動作を防ぐ。

本発明で用いる光遮蔽層には、光を遮蔽する効果のある
ものは、全て用いることができる。代表的な材料には、
金属膜または金属と金属化合物との多層膜、及び染料を
含有する高分子膜がある。

金属膜には、クロムＣｒ、モリブデンＭｏ、タングステ
ンＷ、アルミニウムＡｌ、ニッケルＮｉ等の蒸着膜があ
り、ニッケル等は無電解メッキでも製作される。多層膜
には、酸化クロムＣｒ２Ｏ３／クロム／酸化クロムの構
成等がある。染料を含有する高分子膜には、ゼラチン、
カゼイン、他合成高分子等の高分子と、カチオン性染料
や酸性染料等の染料がある。また単結晶シリコンへの汚
染防止や電気的ショートの防止の為に、単結晶シリコン
と光遮蔽府との間に中間層を設けることが多いが、この
中間層は必要不可欠では無いので第１図では省略した。

液晶駆動回路の基本回路を説明する。走査側駆動回路２
２とデータ側駆動回路２３とは上述のＭＯＳ　トランジ
スタを用いて構成され、各々代表的な概念回路図を第４
図と第５図に示した。走査側駆動回路は、走査電極の数
だけシフトレジスタ３６を有し、これらの各シフトレジ
スタに垂直同期信号２６が入り、その出力走査信号をド
ライバ２５ａに入れ、液晶の駆動に適した電圧に変換し
、走査信号２７として出力する。データ側駆動回路は、
データ信号の数だけサンプルホールド回路２８を有し、
これらの各サンプルホールド回路は、ビデオ信号２９を
水平同期信号３０でゲートを閉じてホールドし、この値
をドライバ２５６に入れ、データ信号３１として出力す
る。本実施例では、駆動回路をＭＯＳ　）ランジスタを
用いて構成した場合について述べたが、駆動回路はこれ
に限らず、バイポーラ・トランジスタを用いても構成で
きる。この場合も基本的には、本実施例と同じである。

液晶パネルの断面構造は第２図に示すとおりである。素
子基板３８と対向電極１４を有する対向基板１５とが、
液晶１３を介して互いに対向して配置されてなる。本図
に示されるように液晶画素駆動用のアクティブ素子もＭ
ＯＳ構造であり、駆動回路と同様に製作される。

本実施例の製造方法は、概略、第６図〜第８図に示した
とおりである。これらの図は、本発明のアクティブ・マ
トリクス液晶表示装置の製造方法を説明する為工程順に
配置した素子基板の主要部断面図である。特に駆動回路
及び画素駆動のアクティブ素子の製造方法について述べ
た。

まず、第６図に示すように、単結晶シリコン基板１６上
に熱酸化により厚さ２１１ｍの酸化シリコン膜５ｉ０２
を形成し、各表示画素に対応する部分を除き反応性イオ
ンエツチングによりこの酸化シリコン膜を除去する。こ
の残った酸化シリコン膜の部分が絶縁体４となる。単結
晶シリコン基板１６が露出している部分に、５ｉＨ２Ｃ
Ｉ２−Ｈ２−ＨＣｌ系を用いて、シリコンを絶縁体４と
同じ高さまで選択エピタキシャル成長させ、単結晶シリ
コン３を形成する。この上にＦＥＴ型のトランジスタを
形成するがこれは通常のＭＯＳプロセスと同様に形成さ
れる。すなわち、第７図に示すように、酸化シリコンか
らなるゲート絶縁膜９、金属電極からなるゲート電極７
、酸化シリコンからなる層間絶縁膜１２を各々形成の後
、イオン打ち込みによりソース領域１トドレイン領域１
０を形成する。ゲート電極に用いる金属電極には、アル
ミニウム、モリブデン、タングステン等の金属を用いる
が、この他に、金属シリサイド、及び、ポリシリコン等
も用いることができる。

また、酸化シリコンで構成される絶縁体４に、絶縁体よ
り深く、コンタクト穴１７を一画素につき２箇所、通常
の写真蝕技術を用いて、形成する。クロム、モリブデン
、タングステン等の金属蒸着により、ドレイン電極６を
形成し、アクティブ素子であるＭＯＳ　）ランジスタか
らコンタクト穴まで配線する。また同様に金属蒸着によ
り、ソース電極８とを形成し、ＭＯＳ　）ランジスタか
らコンタクト穴まで配線する。

次に第８図に示すように、このＭＯＳ　）ランジスタを
形成した単結晶シリコン基板１６のＭＯＳ素子形成面を
絶縁性の高分子材料、例えばエポキシまたはポリイミド
からなる接着層２で石英ガラス。ホウケイ酸ガラス、パ
イレックス系ガラス、ソーダガラス、シリコンウェハ、
等の保持基板１に接着する。

次に、ＭＯＳ形成部を除く単結晶シリコン基板１６をメ
カノケミカルボリジングで除去する。この場合のポリシ
ングでは、化学液として有機アミンを用いている為に、
絶縁体層４の成分である酸化シリコンは単結晶シリコン
よりも加工速度がかな、り遅いため、ポリシング加工を
絶縁体層４の深さで止めることができる。こうして素子
形成した単結晶シリコン領域３と絶縁体領域４から構成
されるデバイス層を用意に残すことができる。

次に、駆動回路用のＭＯ８素子の場合は、第１図に示す
ように絶縁体４の研磨上に接続電極３７を形成し、コン
タクト穴１７を通じてドレイン電極６とソース電極８と
導通をとる。この接続電極を用いて別のトランジスタ、
抵抗等と接続する。又、接続電極はＭＯ８素子と同じ面
上に形成することもできる。

又、画素駆動用のＭＯＳ　）ランジスタ・アクティブ素
子の場合は、第２図に示すように、絶縁体４の研磨面上
にデータ信号電極２１を形成し、コンタクト穴を通して
、ソース電極８と導通をとる。データ信号電極は通常ド
レイン電極等と同じ金属電極である。次に研磨面上に画
素電極５を形成し、コンタクト穴１７を通して、ドレイ
ン電極６と導通をとる。画素電極５は、通常酸化インジ
ウム−スズ（ＩＴＯ）や酸化スズ（ＮＥＳＡ）等の透明
電極である。この工程により、画素電極５が素子基板表
面に形成される。またこのようにしてデバイス層の両側
に、走査信号電極とデータ信号電極が形成された。

次に、単結晶シリコン３と絶縁体４からなるデバイス層
上に、酸化シリコンをスバタリング法により形成し中間
層とした。この上に更にクロムをスバタリング法により
形成し、ＭＯＳ−ＦＥＴのチャネル部を覆う形にパター
ニングし、光遮蔽層２４とした。

以上のように製作した走査側駆動回路２２とデータ側駆
動回路２３のＭＯＳ　）ランジスタと、走査信号電極２
０とデータ信号電極２１の交差点にある液晶画素電極５
駆動のアクティブ素子のＭＯＳ　）ランジスタ１８とは
、第３図に示したように、液晶パネルの周辺でマトリク
ス端子１９を介して接続される。

このようにして出来た素子基板を、ＩＴＯ等の対向基板
１４を全面に形成した対向基板１５と、グラス・ファイ
バ等のスペーサを介して組み合わせて液晶セルを形成す
る。この液晶セルに液晶を注入して液晶層１３とし、通
常のエポキシ系有機シールを用いた封止（シール）する
ことによりＡＭ−ＬＣＤが得られる（第２図）。

ここで素子基板と対向基板に対しラビングにより配向処
理をおこなった。この場合、ポリイミド等の配向処理膜
を塗布することが多いが不可欠ではないので第２図では
、省略した。また、液晶はＴＮ型液晶であるＺＬＩ−１
５６５（メルク社製）を用い、そのセル厚は８ｐｍ、偏
向板は日東電工製のＮＰＦ−１１００Ｈを用いた。この
ＴＮ型液晶とこの偏向板を用いたＬＣＤをスタティク駆
動で駆動した場合、５：１のコントラスト比ＣＲが得ら
れる視野角±５０°であった。

なお、この実施例は、熱酸化後選択的に酸化シリコン膜
を除去したのち選択エピタキシャル成長を行ったが、単
結晶シリコン基板を選択酸化すれば選択エピタキシャル
成長は行わなくてもよい。

その場合、単結晶シリコンと絶縁体との間で段差が若干
生じるが、性能的には、はぼ遜色のないものが得られる
。

このような素子構成で４００　Ｘ　６４０画素、ピッチ
０゜０５ｍｍのアクティブ・マトリクス液晶表示を試作
したが、このアクティブ・マトリクス液晶表示装置はス
タティック駆動時とほぼ同一の表示性能を示した。更に
模擬信号として２０００本走査時相当の信号まで印加し
たが、スタティック駆動時とほぼ同じ表示性能が得られ
た。駆動信号には、従来のＭＯＳ　）ランジスタ又はＴ
ＰＴを積層したアクティブ・マトリクス液晶表示装置に
用いる信号と同様の信号を用いた。この表示装置に中間
調を含むテレビ画面を出した場合、はぼ忠実に階調を表
現し、高コントラストであり、又、画面内でコントラス
ト塩は生じなかった。更に、ａ−８ｉ又はｐ−８ｉのＴ
ＰＴを用いたものに比べて歩留まりの向上も著しがった
。本実施例によるパネルは駆動回路を積層している為、
端子の数が１０４０本から、タロツク信号、垂直同期信
号、水平同期信号、ビデオ信号、電源（２電源）、アー
スの７本と著しく減少し、端子の接続工程が著しく簡略
になった。本パネルは小型であるので、ビデオカメラ等
のビューファインダに適する。また後で述べる投射型デ
ィスプレイに応用することによりｌｍＸ１ｍ角の良好な
投射画面を得た。中間調表示も良好であった。

本発明によるアクティブ・マトリクス液晶表示装置の第
２の実施例は、画素ピッチを０．２ｍｍとした以外は、
第１の実施例と同様に試作した。本パネルは直視におい
ても良好なコントラスト、階調性、視野角を有した。

第９図は本発明アクティブ・マトリクス液晶表示装置の
第３の実施例を説明するための素子基板の模式的平面図
である。この実施例は、コントロール回路３２とテレビ
信号処理回路３３とを、画素電極５に接続されるＭＯＳ
　）ランジスタ１８の形成、及び走査側駆動回路２２と
データ側駆動回路２３の形成と同時に、所定の単結晶シ
リコン領域に設けた以外は第１の実施例と同様である。

これらのコントロール回路とテレビ信号処理回路も通常
のＭＯＳ−ＩＣと同じくＭＯＳ　）ランジスタにより構
成される。テレビ信号処理回路は、アンテナ端子３４と
スピーカ端子３５とに接続され、本パネルとわずかの受
動素子の外付けにより、テレビが構成される。本実施例
の画素数は４００　Ｘ　６４０画素、ピッチは０．０５
ｍｍであり、第１の実施例と同じくビューファイダや投
射側ディスプレイとして良好な特性を示した。本実施例
によるアクティブ・マトリクス液晶表示装置は、通常の
テレビだけではなく、パーソナル・コンピュータ、ワー
プロ、情報端末等のディスプレイとして用いることがで
きる。

次に本発明ＡＭ−ＬＣＤの応用例についても述べる。上
記の実施例で述べたものは、直視型のディスプレイとし
ても、次のような投射型ディスプレイとしても用いられ
る。直視型に対し、ｌｍＸ１ｍ角程度の超大画面の表示
としては、液晶パネルにキセノンランプ等からの強い光
を照射してそれを投影する投射型ディスプレイが適する
。従来のレーザ熱書き込みの液晶パネルを用いた投射型
ディスプレイの液晶パネルを本発明の液晶パネルと置き
換えることにより、レーザ及びその駆動回路関係が必要
なくなるので、小型の投射型ディスプレイが実現できる
。投射光学系は従来のものを用いることができる。例え
ば、液晶パネルとして、４００Ｘ６４０画素、ピッチ０
．０５ｍｍの本発明のＡＭ−ＬＣＤを用いれば、液晶パ
ネルが著しく小型になる為、著しく小型の投射光学系が
実現出来る。又、投射系には、通常のオーバー・ヘッド
・プロジェクタ（いわゆる０ＨＰ）も用いることができ
る。

以上の説明は全てモノクロの画面であったが、通常おこ
なわれているように、対向基板上に各画素に対応して、
ＲＧＢ各ドツトのカラーフィルタを形成することにより
、容易に、カラー画面が直視型、投射型ともに、得られ
る。また、投射型の場合は、本発明によるＡＭ−ＬＣＤ
を３枚もちい、各々にＲＧＢ３枚のうちの１枚を組み合
わせて、それらを合成してカラー画面を得ることも可能
である。

（発明の効果） 以上説明したように、従来は透明基板上にａ−８ｉ又は
ｐ−８ｉを形成してその上にＴＰＴを形成するので、特
性が悪く、走査本数５００本位がスタティック駆動と同
等になる限界であったが、本発明によれば、透明基板上
に、ａ−８ｉに形成したＭＯＳを移すことができるので
、良好な特性が得られ、２０００本走査も可能となり、
また製造歩留まりの向上も著しい。更に、本発明によれ
ば、特に、直射日光下、及び、投射光学系中等のような
、強度の光照射のもとでも安定に動作するアクティブ・
マトリクス液晶表示装置が得られる。

本発明によるＡＭ−ＬＣＤを多数枚組み合わせれば大面
積化が可能で、周辺駆動回路を各画素のアクティブ素子
と同一基板上に製作することにより、端子数の大幅減少
ができ、また投射型に応用することにより、超小型の投
射型ディスプレイも得られる。更に、コントロール回路
、信号処理回路をも同一基板上に製作することにより、
少数の外付は受動部品のみでテレビ装置または情報端末
装置を構成出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明のアクティブ・マトリクス液晶表示装
置の第１の実施例の液晶駆動回路のトランジスタ部分の
断面図であり、第２図は本発明の第１の実施例の画素部
分の断面図である。第３図は、この実施例における素子
基板の模式的平面図である。 第４図と第５図は各々走査側駆動回路とデータ側駆動回
路の代表的な概念的回路図である。第６図〜第８図は、
本発明のアクティブ・マトリクス液晶表示装置の製造方
法を説明する為工程順に配置した素子基板の主要部の断
面図であり、第９図は本発明アクティブ・マトリクス液
晶表示装置の第３の実施例を説明するための素子基板の
模式的平面図である。 １・０．保持基板、２・・・接着層、３・・・単結晶シ
リコン、４・・・絶縁体、５・・・画素電極、６・・・
ドレイン電極、７０．。 ゲート電極、８・・・ソース電極、９・・・ゲート絶縁
膜、１０・・・ドレイン領域、１１・・・ソース領域、
１２・・・層間絶縁膜、１３１０．液晶層、１４・・・
対向電極、１５・・・対向基板、１６・、・単結晶シリ
コン基板、１７・・・コンタクト穴、１８・・・ＭＯＳ
　）ランジスタ、１９・−・マトリクス端子、２０・・
・走査信号電極、２１・・・データ信号電極、２２・・
・走査側駆動回路、２３・・・データ側駆動回路、２４
・・・光遮蔽層、２５ａ。 ２５ｂ・・・ドライバ、２６・・・垂直同期信号、２７
・・・走査信号、２８・・・サンプルホールド回路、２
９・・・ビデオ信号、３０・・・水平同期信号、３１・
・・データ信号、３２・・・コントロール回路、３３・
・・テレビ信号処理回路、３４・・・アンテナ端子、３
５・・・テレビ信号処理回路、３６０９．シフトレジ第
１図 ３単結晶シリコン ３８素子基析　　　　８ソース雷極　７ゲート雪怨　　
　　　　　　箇　リ　Ｍ第３図 １９マトリクス端子 第４図 ３６シフト・レジスタ 第６図 第７図 第８図 ３単結晶シリコン 第９図 ３２コントロールＵＯ伯

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. データ信号電極と走査信号電極とで定まる位置にアクテ
   ィブ素子を設けた素子基板と対向電極を有する対向基板
   とが液晶を介して互いに対向して配置されたアクティブ
   ・マトリクス液晶表示装置において、前記素子基板は保
   持基板に接着層を介してデバイス層が形成され、前記デ
   バイス層は単結晶シリコンと絶縁体とからなり、前記デ
   バイス層には前記アクティブ素子のほかに液晶駆動回路
   のうち少なくとも走査側駆動回路とデータ側駆動回路と
   が形成され、前記単結晶シリコンの前記回路を形成した
   面と反対側の面上に光遮蔽層を形成したことを特徴とす
   るアクティブ・マトリクス液晶表示装置。