JPH01209783A - セラミックス配線基板及びその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高耐熱性、高耐熱サイクル性及び高耐食性で
且つ微細配線が可能なセラミックス配線基板に関する。

本発明配線基板は、例えば航空・宇宙用配線基板、精密
機器、電源装置、増幅装置、スイッチング装置、半導体
パッケージ、セラミックセンサー用等の配線基板として
使用できる。

従来の技術と問題点 セラミックス配線基板は、特に高周波特性や放熱特性が
良いことから、ハイブリッド基板として使用されるだけ
でなく、無線通信機器や増幅装置等に広く用いられてい
る。ところが近年電子機器の進歩や高度化に伴い、セラ
ミックス配線基板に求められる性能や信頼性は一段と高
度なものになりつつある。即ち、やや特殊な環境でも使
用可能な耐熱性及び耐食性の優れた配線基板、導体幅及
び導体間隔が１００μｍ以下の微細配線を施したセラミ
ックス配線基板、更にその両者の特徴を合せ持った配線
基板等が要望されている。

従来セラミックス配線基板としては、例えば、１）Ｗ、
Ｍｏ系合金等の粉末を同時焼結した配線基板、２）Ａｇ
系合金、Ｃｕ等をペースト印刷した配線基板、３）Ｃｕ
鍍金を施した配線基板、４）Ａｕ、Ｃｒ等をスパッタリ
ングした配線基板等が使用されている。しかしながら、
何れの配線基板にも以下のような欠点があり、好ましく
ない。即ち、１）の配線基板は耐熱特性は良いが、ガラ
ス成分を結合剤とする焼結金属を導体としているため、
導体抵抗が比較的大きく、エツチング加工ができないの
で、導体幅及び導体間隔が１００μｍ以下の微細配線形
成が難しい。また金属粉末は空気中高温下では表面が酸
化するため、焼結金属の導体抵抗が大幅に上昇し、従っ
て４００℃以上では１００時間程度の連続使用も困難で
ある。また基板ごと焼成するため、配線基板の寸法精度
を保障しにくい。更に上記導体上へ鍍金を施す場合に不
良率が高いという欠点もある。２）の配線基板は最も広
く用いられているが、耐熱性及び耐食性に乏しく、ペー
スト印刷によって製造されるため導体幅及び導体間隔が
１００μｍ以下の微細配線形成が難しい。また、高周波
特性が不充分である、コストが高い、マイグレーション
を起し易い、等の問題点もある。３）のＣｕ鍍金法によ
れば、導体幅及び導体間隔が１００μｍ以下の微細配線
を施した配線基板が得られるが、該配線基板は耐熱性及
び耐食性が劣っている。従って、微細配線を描けても配
線の経時劣化が起き、また銅とセラミックスの熱膨張率
の違いによる配線の破損も懸念される。４）の配線基板
は薄膜セラミックス配線板に用いられているが、生産性
が低く高価である。

また大電流を流すための厚膜化も困難である。

問題点を解決するための手段 本発明者は、上述したような、各種メタライジング法に
よって製造された従来のセラミックス配線基板の欠点を
解消すべく鋭意研究を重ねた。その結果、配線基板用セ
ラミックスに、Ｍｏ及びＷの少な（とも１種、Ｃｏ及び
Ｎｉの少なくとも１種並びに必要に応じてＰを含む合金
を導体として用いて回路を形成する場合には、導体幅及
び導体間隔が１００μｍ以下の微細配線を極めて容易に
形成でき、しかも、得られる配線基板が耐熱性、耐熱サ
イクル性、耐食性、電気特性等の諸特性に優れているこ
とを見出し、本発明を完成した。

即ち本発明は、 ■　アルミナ系セラミックス、マグネシア系セラミック
ス及びアルミナ−マグネシア系セラミックスから選ばれ
た配線基板用セラミックスに、Ｍ。

及びＷの少くとも１種並びにＣｏ及びＮｉの少くとも１
種を含む合金からなる回路を備えたセラミックス配線基
板、及び ■　アルミナ系セラミックス、マグネシア系セラミック
ス及びアルミナ−マグネシア系セラミックスから選ばれ
た配線基板用セラミックスに、Ｍ。

及びＷの少くとも１種、Ｃｏ及びＮｉの少くとも１種及
びＰを含む合金からなる回路を備えたセラミックス配線
基板、並びにその製造法を提供するものである。

本発明においては、配線基板用セラミックス（以下セラ
ミックス基体という）として、アルミナ系セラミックス
、マグネシア系セラミックス及びアルミナ−マグネシア
系セラミックスを使用する。アルミナ系セラミックスと
しては公知のものを使用できるが、例えば、４０〜９９
．９９％アルミナ（Ａ１２２０ｓ　）　、ムライト（３
Ａ９２０３・５ｉＯ２）、普通磁器（ＡＱ２０ｓ　　・
５ｉ０２）等を好ましく使用できる。マグネシア系セラ
ミックスとしても公知のものを使用できるが、その中で
も、例えば、マグネシア（ＭｇＯ）、フォルステライト
（２ＭｇＯ・５ｉ０２）、ステアタイト（ＭｇＯ−Ｓ　
ｉ　０２　）等を特に好ましく使用できる。アルミナ−
マグネシア系セラミックスとじては、アルミナとマグネ
シアの比率が０．５：９９゜９５〜９９．９５：０．５
程度のものをいずれも使用できるが、その中でも、例え
ばコージェライ）　（２ＭｇＯΦ２ＡＱ２０３　＠５８
　ｉ０２　）等を特に好ましく使用できる。セラミック
ス基体の形状は、板状のものに限定されず、例えば、矩
形、円柱形、球状等の任意の形状とすることができる。

本発明では、セラミックス基体に回路を形成するための
導体として、Ｍｏ及びＷの少なくとも１種、Ｃｏ及びＮ
ｉの少なくとも１種並びに必要に応じてＰを含有する合
金（以下Ｍ　ｏ　／Ｗ　−Ｃｏ　／Ｎｉ系合金と総称す
る）を使用する。該合金は、後記するように、鍍金法に
より合金鍍金皮膜としてセラミックス基体に密着される
。従来、Ｍ　ｏ　／Ｗ−Ｃｏ／Ｎｉ系合金鍍金皮膜は、
耐摩耗性皮膜及びガラス鋳型の離型用皮膜、耐酸性皮膜
として使用されているが、セラミックス配線基板の導体
材料として用いられた例はない。

Ｍ　ｏ　／　Ｗ　−Ｃｏ　／　Ｎ　ｉ系合金における各
金属の含有量は特に制限されず適宜選択すればよいが、
通常Ｐを含む場合には、Ｍｏ及びＷの少くとも１種０．
５〜４０重量％程度、Ｃｏ及びＮｉの少くとも１種６０
〜９９重量％程度及び残部Ｐ、Ｐを含まない場合には、
Ｍｏ及びＷの少くとも１種０．５〜７５重量％程度及び
Ｃｏ及びＮｉの少くとも１種２５〜９９．５重量％程度
とすればよい。

上記Ｍｏ／Ｗ−Ｃｏ／Ｎｉ系合金は、耐熱性、耐食性及
び電気特性に優れ、セラミックス基体と非常に近い熱膨
張率を有している。

本発明セラミックス配線基板の製造工程は、通常、（１
）セラミックス基体に特定の前処理を施す工程（前処理
工程と云う）、（２）セラミックス基体上に、Ｍ　ｏ　
／　Ｗ　−Ｃｏ　／　Ｎ　ｉ系合金の鍍金皮膜を形成さ
せる工程（鍍金工程と云う）及び（３）レジスト形成及
びエツチング等を行い、セラミックス基体上に回路を形
成させる工程（回路形成工程という）を含んでいる。以
下、各工程につき説明する。

（１）　前処理工程 前処理工程には下記工）〜Ｖ）の工程が含まれる。

■）　まずセラミックス基体を脱脂処理し、水洗する。

脱脂方法としては公知の方法がいずれも採用でき、例え
ば、超音波溶剤脱脂、超音波浸漬アルカリ脱脂、中性脱
脂、酸性脱脂、蒸気脱脂等を挙げることができる。

■）　次いで、常法により希酸法及び水洗した後、下記
組成の粗化処理浴に浸漬して処理し、水洗する。処理は
、通常８０〜１３０℃程度、好ましくは９０〜１１０℃
程度の温度下に１０分〜２００時間程度好ましくは１０
分〜１００時間程度で終了する。

（粗化処理浴） 水酸化アルカリ塩　５０〜１２００ｇ／１２程度、好ま
しくは５０〜１１００ ｇ／Ｑ程度 有機酸塩　　　　　５〜５００ｇ／Ｑ程度、好ましくは
２５〜５００ｇ／ Ｑ程度 上記水酸化アルカリ塩としては、水酸化リチウム、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム及び水酸化マグネシウム
よりなる群から選ばれた１種又は２種以上を使用できる
。有機酸塩としては、有機酸のナトリウム塩、カリウム
塩及びアンモニウム塩よりなる群から選ばれた１種又は
２種以上を使用できる。有機酸としては、例えば、アジ
ピン酸、イタコン酸、イミノニ酢酸、コハク酸、シュウ
酸、フマル酸、マレイン酸、マロン酸等のジカルボン酸
、クエン酸、ニトリロトリ酢酸等のトリカルボン酸、エ
チレンジアミンテトラ酢酸、グリコールエーテルジアミ
ンテトラ酢酸、シクロヘキサンジアミンテトラ酢酸等の
テトラカルボン酸、ジエチレントリアミンペンタ酢酸等
のペンタカルボン酸、トリエチレンテトラミンヘキサ酢
酸等のヘキサカルボン酸、アスコルビン酸等のヒドロキ
シル酸、グルコン酸、酒石酸、ヒドロキシルエチルエチ
レンジアミントリ酢酸、リンゴ酸等のヒドロキシカルボ
ン酸、アスパラギン酸、グルタミン酸等のアミノカルボ
ン酸等を挙げることができる。

■）　次いで、無機酸３〜５００　ｇ／Ｑ程度を含む浴
に浸漬して処理（酸洗）し、水洗する。無機酸としては
、塩酸、過塩素酸、ケイフッ酸、硝酸、ビロリン酸、フ
ッ酸、ホウフッ酸、ポリリン酸、硫酸及びリン酸よりな
る群から選ばれた１種又は２種以上を使用できる。処理
は、５〜５０℃程度の温度下５秒〜１０分間程度で終了
する。

■）　下記組成のセンシタイザ−浴に浸漬して処理し、
水洗する。処理は、５〜９５℃好ましくは５〜５０℃程
度の温度下５秒〜１時間程度好ましくは１０秒〜１０分
程度で終了する。

（センシタイザ−浴） 錫　　　塩　１〜１００ｇ／Ｑ程度、好ましくは５〜５
０ｇ／Ｑ程度 無　機　酸　１〜５００ｇ／１２程度、好ましくは５〜
５０　ｇ　／　Ｑ程度 錫塩としては、塩化錫及び／又はフッ化錫を使用できる
。無機酸としては、塩酸及び／又はフッ酸を使用できる
。

■）　下記組成のアクチベーター浴に浸漬して処理し、
水洗する。処理は、５〜９５℃好ましくは５〜５０℃程
度の温度下５秒〜１時間程度好ましくは１０秒〜１０分
間程度で終了する。

（アクチベーター浴） パラジウム塩　０．０５〜１０ｇ／（２種度、好ましく
は０．０５〜１．０ｇ／ Ｑ程度 無機酸　０．０５〜５００ｇ／Ｑ程度、好ましくは０．
５〜１０ｇ／Ｑ 程度 パラジウム塩としては、塩化パラジウム、塩化パラジウ
ムアンモニウム、塩化パラジウムナトリウム、塩化パラ
ジウムカリウム、酢酸パラジウム、シアン化パラジウム
、臭化パラジウム、硝酸パラジウム及びテトラアンミン
塩化パラジウムよりなる群から選ばれた１種又は２種以
上を使用できる。

無機酸としては、塩酸及び／又はフッ酸を使用できる。

上記Ｉ）〜Ｖ）の前処理工程をセラミックス基体に施さ
ず、従来法に従ってＭ　ｏ　／　Ｗ　−Ｃｏ　／　Ｎｉ
系合金を鍍金する場合には、セラミックス基体表面と該
合金鍍金皮膜との密着性が非常に弱く、セラミックス配
線基板として使用し得ない。その原因としては、イ）セ
ラミックス表面が非常に緻密で滑らかな酸化物とガラス
質の集合体であるため、金属と化合物を形成せず、しか
も、金属とセラミックスとが引掛り合って接合するアン
カー効果が全くないこと、ｏ）Ｍｏ／Ｗ−Ｃｏ／Ｎｉ系
合金の鍍金皮膜は大きな内部応力を有し、そのため、セ
ラミックス表面から剥れようとする大きな力が存在する
こと、ハ）Ｍｏ／Ｗ−Ｃｏ／Ｎｉ系合金を鍍金する際に
は、他の金属を鍍金する場合に比して特に大量の水素ガ
スが発生し、この水素ガスが合金鍍金皮膜に吸蔵され金
属とセラミックスの界面にてガス圧力を発生させて合金
皮膜とセラミックス表面の密着を損なってしまうこと、
二）Ｍｏ／Ｗ−Ｃｏ／Ｎｉ系合金鍍金は還元効率が悪く
鍍金に長時間受やし、口）及びハ）の影響を長時間受け
てしまうこと等が考えられる。

上記前処理を施されたセラミックス基体は、下記の鍍金
工程及び回路形成工程に供される。

（２）　鍍金工程 鍍金方法としては、例えば下記■）〜■）の方法を挙げ
ることができる。

■）　前処理したセラミックス基体を、Ｍｏ／Ｗ−Ｃｏ
　／　Ｎ　ｉ系合金の無電解鍍金浴に浸漬し、無電解鍍
金する。無電解鍍金は、５０〜１１０℃程度の温度下に
５分〜５時間程度で終了する。この無電解鍍金により、
Ｍｏ及びＷの少なくとも１種、Ｃｏ及びＮｉの少なくと
も１種並びにＰを含む鍍金皮膜が形成される。Ｍｏ／Ｗ
−Ｃｏ／Ｎｉ系合金の無電解鍍金浴の具体例を下記に挙
げる。

無電解Ｃｏ−Ｍｏ合金鍍金浴 コバルト塩　　　　　２−２００ｇ／Ｑモリブデン酸塩
　　　２−２００ｇ／１２錯化剤　　　　　　　２−１
５０ｇ／（２還元剤　　　　　　　１−１００ｇ／（２
ｐＨ調整剤　　　　　０−５０ｇ０− ５Ｏ７−１２ 温度　　　　　　　５０−１００℃ 無電解Ｃｏ−Ｗ合金鍍金浴 コバルト塩　　　　　２−２００ｇ／Ｑタングステン酸
塩　　２−２００ｇ／９錯化剤　　　　　　　２−２０
０ｇ／１２還元剤　　　　　　　１−１００　ｇ／Ｑｐ
Ｈ調整剤　　　　　０−５０ｇ／Ｑ ｐＨ７−１２ 温度　　　　　　　５０−１００℃ 無電解Ｃｏ−Ｍｏ−Ｗ合金鍍金浴 コバルト塩　　　　　２−２００ｇ／９モリブデン酸塩
　　　２−２００ｇ／９タングステン酸塩　　２−２０
０ｇ／９錯化剤　　　　　　　２−２００ｇ／９還元剤
　　　　　　　１−１００　ｇ／ＱｐＨ調整剤　　　　
　０−５０ｇ／Ｑ ｐＨ７−１２ 温度　　　　　　　５０−１００°Ｃ 無電解Ｎｉ−Ｍｏ合金鍍金浴 ニッケル塩　　　　　２−２００ｇ／９モリブデン酸塩
　　　２−２００ｇ／Ｑ錯化剤　　　　　　　２−２０
０ｇ／Ｑ還元剤　　　　　　　１−１００ｇ／９ｐＨ調
整剤　　　　　０−５０ｇ／Ｇ！ｐＨ３−１２ 温度　　　　　　　５０−１００°Ｃ 無電解Ｎ　ｉ　−Ｗ合金鍍金浴 ニッケル塩　　　　　２−２００ｇ／Ｑタングステン酸
塩　　２−２００ｇ／９錯化剤　　　　　　　２−２０
０ｇ／９還元剤　　　　　　　１−１００ｇ／ＱｐＨ調
整剤　　　　　０−５０ｇ／１２ｐＨ３−１２ 温度　　　　　　　５０−１００℃ 無電解Ｎｉ−Ｍｏ−Ｗ合金鍍金浴 ニッケル塩　　　　　２−２００ｇ／Ｑモリブデン酸塩
　　　２−２００　ｇ　／　Ｑタングステン酸塩　　２
−２００ｇ／Ｑ錯化剤　　　　　　　２−２００　ｇ　
／　Ｑ還元剤　　　　　　　１−１００ｇ／１２ｐＨ調
整剤　　　　　０−！５０ｇ／ＱＨ３−１２ 温度　　　　　　　５０−１００℃ 無電解Ｃｏ−Ｎｉ−Ｍｏ合合金合金 浴コバルト塩　　　　２−２００ｇ／Ｑニッケル塩　　
　　　２−２００ｇ／９モリブデン酸塩　　　２−２０
０ｇ／Ｑ錯化剤　　　　　　　２−２００ｇ／９還元剤
　　　　　　　１−１００ｇ／９ｐＨｇ整剤　　　　　
０−５０ｇ／Ｑ ｐＨ３−１２ 温度　　　　　　　５０−１００℃ 無電解Ｃｏ−Ｎ１−Ｗ合金鍍金浴 コバルト塩　　　　　２−２００ｇ／Ｑニッケル塩　　
　　　２−２００ｇ／９タングステン酸塩　　２−２０
０ｇ／Ｑ錯化剤　　　　　　　２−２００ｇ／９還元剤
　　　　　　　１−１００ｇ／９９Ｈ調整剤　　　　　
０−５０ｇ／Ｑ ｐＨ３−１２ 温度　　　　　　　５０−１００℃ 無電解Ｃｏ−Ｎｉ−Ｍｏ−Ｗ合金鍍金浴コバルト塩　　
　　　２−２００ｇ／９ニッケル塩　　　　　２−２０
０ｇ／１２モリブデン酸塩　　　２−２００ｇ／１２タ
ングステン酸塩　　２−２００ｇ／Ｑ錯化剤　　　　　
　　２−２００ｇ／Ｑ還元剤　　　　　　　１−１００
ｇ／ＱｐＨ調整剤　　　　　０−５０ｇ／９ ｐＨ３−１２ 温度　　　　　　　５０−１００℃ 上記の浴において、コバルト塩としては、硫酸コバルト
、塩化コバルト及び硫酸コバルトアンモニウムから選ば
れた１種又は２種以上を使用できる。ニッケル塩として
は、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、硫酸ニッケルアンモ
ニウム及び硫酸ニッケルカリウムから選ばれた１種又は
２種以上を使用できる。モリブデン酸塩としては、モリ
ブデン酸ナトリウム、モリブデン酸カリウム及びモリブ
デン酸アンモニウムから選ばれた１種又は２種以上を使
用できる。タングステン酸塩としては、タングステン酸
ナトリウム、タングステン酸カリウム及びタングステン
酸アンモニウムから選ばれた１種又は２種以上を使用で
きる。錯化剤としては、有機酸若しくは無機酸のナトリ
ウム塩、カリウム塩及びアンモニウム塩並びにアミン類
から選ばれた１種又は２種以上を使用できる。前記有機
酸としては、例えば、アジピン酸、アスコルビン酸、ア
スパラギン酸、アラニン、イタコン酸、アミノ二酢酸、
ギ酸、クエン酸、グリコール酸、グリシン、グルコン酸
、グルタミン酸、コハク酸、酢酸、酒石酸、乳酸、ピロ
リン酸、フマル酸、プロピオン酸、マレイン酸、マロン
酸、リンゴ酸等を挙げることができる。またアミン類と
しては、例えば、エチレンジアミン、ジェタノールアミ
ン、ジエチレントリアミン、トリエタノールアミン、モ
ノエタノールアミン等を挙げることができる。前記無機
酸塩としては、例えば、ピロリン酸等を挙げることがで
きる。還元剤としては、例えば、次亜リン酸ナトリウム
、次亜リン酸カリウム、次亜リン酸マグネシウム、次亜
リン酸アンモニウム、次亜リン酸コバルト、次亜リン酸
ニッケル、ジメチルアミンボラン等を挙げることができ
る。ｐＨ調整剤としては、例えば、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム、アンモニア水等を挙げることができる
。

また、上記浴には、例えば、ホウ酸、塩化アンモニウム
、硫酸アンモニウム等の添加剤を、通常５００　ｇＩＱ
程度、好ましくは４００ｇ／Ｑ程度を上限として添加し
てもよい。

■）　本発明では、前処理を施したセラミックス基体に
、Ｂ、Ｐ％Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｏ。

Ｐｄ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｗ、Ｒｅ及びＰｔよりなる群から選
ばれた金属若しくは２種以上の合金（Ｍ。

／Ｗ　−Ｃｏ　／　Ｎ　ｉ系合金も含む）を無電解鍍金
した後、更にＭｏ／Ｗ−Ｃｏ／Ｎｉ系合金を電気鍍金し
てもよい。無電解鍍金は、ｐＨ３〜１２程度、温度３０
〜１１０℃程度で１０秒〜５時間程度行なわれる。無電
解鍍金浴としては、Ｍ　ｏ　／　Ｗ　−Ｃｏ　／　Ｎ　
ｉ系合金については上記例示のものを、それ以外の金属
若しくは合金については公知のものをそれぞれ使用でき
る。Ｍ　ｏ　／　Ｗ　−Ｃｏ／　Ｎ　ｉ系合金の電気鍍
金は、温度４０〜１１０℃程度、電流密度０．５〜２Ｏ
Ａ／ｄゴ程度で１０分〜１０時間程度行なわれる。電気
鍍金により、Ｍｏ及びＷの少なくとも１種並びにＣｏ及
びＮｉの少なくとも１種を含む合金皮膜が形成される。

以下にＭｏ／Ｗ−Ｃｏ／Ｎｉ系合金の電気鍍金浴の具体
例を挙げる。

電気Ｃｏ−Ｍｏ合金鍍金浴 コバルト塩　　　　　５−３５０ｇ／Ｑモリブデン酸塩
　　　５−３５０ｇ／９錯化剤　　　　　　　０−４０
０ｇ／ＱｐＨｎ整剤　　　　　０−１００ｇ／Ｑｐ）１
　　　　　　　　２−１１ 温度　　　　　　　４０−１００℃ 電流密度　　　　０．５−２０Ａ／ｄｍ２電気Ｃｏ−Ｗ
合金鍍金浴 コバルト塩　　　　　５−３５０ｇ／（２タングステン
酸塩　　５−３５０ｇ／９錯化剤　　　　　　　０−４
００ｇ／ＱｐＨＦｉ整剤　　　　　０−１００ｇ＃１９
Ｈ２−１１ 温度　　　　　　　４０−１００°Ｃ 電流密度　　　　０．５−２０Ａ／ｄｍ２電気Ｃｏ−Ｍ
ｏ−Ｗ合金鍍金浴 コバルト塩　　　　　５−３５０ｇ／Ｑモリブデン酸塩
　　　５−３５０ｇ／（２タングステン酸塩　　５−３
５０ｇ／９錯化剤　　　　　　　０−４００ｇ／ＱｐＨ
調整剤　　　　　０−１００ｇ／９ｐＨ２−１１ 温度　　　　　　　４０−１００℃ 電流密度　　　　０．５−２０Ａ／ｄｍ２電気Ｎｉ−Ｍ
ｏ合金鍍金浴 ニッケル塩　　　　　５−３５０ｇ／Ｑモリブデン酸塩
　　　５−３５０ｇ／Ｑ錯化剤　　　　　　　０−４０
０ｇ／ＱｐＨ調整剤　　　　　０−１００ｇ／９Ｈ２−
１１ 温度　　　　　　　４０−１００℃ 電流密度　　　　０．５−２０Ａ／ｄｍ２電気Ｎ　ｉ　
−Ｗ合金鍍金浴 ニッケル塩　　　　　５−３５０ｇ／Ｑタングステン酸
塩　　５−３５０ｇ／Ｑ錯化剤　　　　　　　０−４０
０ｇ／ＱｐＨ調整剤　　　　　０−１００ｇ／（２ｐＨ
２−１１ 温度　　　　　　　４０−１００℃ 電流密度　　　　０．５−２０Ａ／ｄｍ２電気Ｎｉ−Ｍ
ｏ−Ｗ合金鍍金浴 ニッケル塩　　　　　５−３５０ｇ／Ｑモリブデン酸塩
　　　５−３５０ｇ／９タングステン酸塩　　５−３５
０ｇ／Ｑ錯化剤　　　　　　　０−４００ｇ／ＱｐＨＦ
Ｊ整剤　　　　　０−１００ｇ／９ｐＨ２−１１ 温度　　　　　　　４０−１００℃ 電流密度　　　　０．５−２０Ａ／ｄｍ２電気Ｎｉ−Ｃ
ｏ−Ｍｏ合金鍍金浴 ニッケル塩　　　　　５−３５０ｇ／Ｑコバルト塩　　
　　　５−３５０ｇ／９モリブデン酸塩　　　５−３５
０ｇ／Ｑ錯化剤　　　　　　　０−４００ｇ／ＱｐＨ調
整剤　　　　　０−１００ｇ／１２ｐＨ２−１１ 温度　　　　　　　４０−１００℃ 電流密度　　　　０．５−２０Ａ／ｄｍ２電気Ｎ１−Ｃ
ｏ−Ｗ合金鍍金浴 ニッケル塩　　　　　５−３５０ｇ／Ｑコバルト塩　　
　　　５−３５０ｇ／１２タングステン酸塩　　５−３
５０ｇ／Ｑ錯化剤　　　　　　　０−４００ｇ／ＱｐＨ
調整剤　　　　　０−１００ｇ／１２ｐＨ２−１１ 温度　　　　　　　４０−１００℃ 電流密度　　　　０．５−２０Ａ／ｄｍ２電気Ｎｉ−Ｃ
ｏ−Ｍｏ−Ｗ合金鍍金浴 ニッケル塩　　　　　５−３５０ｇ／Ｑコバルト塩　　
　　　５−３５０ｇ／（２モリブデン酸塩　　　５−３
５０ｇ／Ｑタングステン酸塩　　５−３５０ｇ／Ｑ錯化
剤　　　　　　　０−４００ｇ／（２ｐＨ調整剤　　　
　　０−１００ｇ／１２ｐＨ２−１１ 温度　　　　　　　４０−１００℃ 電流密度　　　　０．５−２０Ａ／ｄｍ２上記電気鍍金
浴において、コバルト塩、ニッケル塩、モリブデン酸塩
、タングステン酸塩、錯化剤及びｐＨ調整剤並びに添加
剤としては無電解鍍金浴において例示されたものをいず
れも使用できる。

■）　また本発明では、セラミックス基体を上記前処理
の■工程まで処理して水洗及び乾燥した後、蒸着法、ス
パッタリング法若しくはイオンプレーティング法により
、Ａ（７％　５ｔ１Ｔｉｓ　Ｖｓ　Ｃｒ５Ｆｅ％Ｃｏ、
Ｎｉ、ＣｕＳＺｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、ＰｄＳＡｇ、５ｎＳＴ
ａ、Ｗ、Ｐｔ及びＡｕから選ばれた金属若しくは２種以
上の合金を該基体表面に形成し、Ｍｏ／Ｗ−Ｃｏ／Ｎｉ
系合金の無電解鍍金又は電気鍍金を行なってもよい。

上記■〜■の方法により、セラミックス基体表面にＭｏ
／Ｗ−Ｃｏ／Ｎｉ系合金の鍍金皮膜を強固に密着させる
ことができる。該鍍金皮膜の熱さは特に制限されず適宜
選択できるが、通常５〜１００μｍ程度とすればよい。

また、セラミックス基体表面に無電解鍍金皮膜を形成す
るか又は蒸着法、スパッタリング法若しくはイオンプレ
ーティング法によって金属皮膜を形成した後に、更にＭ
ｏ／Ｗ−Ｃｏ／Ｎｉ系合金鍍金皮膜を形成する場合には
、Ｍｏ／Ｗ−Ｃｏ／Ｎ　ｉ系合金鍍金皮膜は、上記無電
解鍍金皮膜又は金属皮膜よりも厚くするのが好ましい。

上記■〜■の方法により、Ｍｏ／Ｗ−Ｃｏ／Ｎｉ系合金
がセラミックス基体表面に強固に破着した理由としては
、イ）上記粗化処理浴に含まれる有機酸塩がセラミック
ス基体表面のガラス質と反応して、ガラス質のＳｔと可
溶性錯塩を形成し、セラミックスの ロ）ガラス質の修飾陽イオンもキレート化するため、ガ
ラス質の表面が極度に粗化されること、ハ）不溶性粒子
であるアルミナやマグネシアの粒界のガラス質がえぐら
れて、凹部となって良好な鍍金素地が形成されること等
が考えられる。

（３）　回路形成工程 回路形成は、例えばエツチング法により行なうことがで
きる。

即ち、Ｍｏ／Ｗ−Ｃｏ／Ｎｉ系合金鍍金皮膜の上に、常
法に従って感光性樹脂にてポジ像のレジストを形成し、
次いでエツチング及び脱膜すればよい。エツチングは、
下記組成のエツチング浴を用い、５〜１２０℃好ましく
は２０〜１００℃程度の温度下５秒〜１０分間好ましく
は５秒〜５分間程度で終了する。脱膜は常法に従えばよ
い。

（エツチング浴） フッ素酸　　５〜５００ｇ／Ｑ程度、好ましくは１０〜
５００　ｇ／Ｑ程度 無　機　酸　５０〜１０００ｇ／Ｑ程度、好ましくは５
０〜５００　ｇ　／　Ｑ程度 フッ素酸としては、フッ化水素酸、ホウフッ化水素酸及
びケイフッ化水素酸よりなる群から選ばれた１種又は２
種以上を使用できる。無機酸としては、塩酸、過塩素酸
、硝酸、硫酸及びリン酸よりなる群から選ばれた１種又
は２種以上を使用できる。上記エツチング浴には、６０
０ｇ／（２程度を上限とし、好ましくは１０〜５００ｇ
／Ｑ程度の有機酸を添加してもよい。有機酸としては、
アジピン酸、アスコルビン酸、アスパラギン酸、イタコ
ン酸、イミノ２酢酸、クエン酸、グルコン酸、グルタミ
ン酸、クロル酢酸、コハク酸、酢酸、酒石酸、ニトリロ
トリア酢酸、フマル酸、マレイン酸、マロン酸及びリン
ゴ酸よりなる群から選ばれた１種又は２種以上を使用で
きる。

本発明では、上記エツチング法以外の方法、例えば、ア
ディティブ法、セミアデイティブ法等に準じて、セラミ
ックス基体上に、Ｍｏ／Ｗ−Ｃｏ／Ｎｉ系合金の回路を
形成することもできる。

アディティブ法によれば、セラミックス基体に上記（１
）の前処理を施してから水洗及び乾燥した後、該基体上
に常法に従って感光性樹脂にてネガ像のレジストを形成
し、更に（２）の■又は■の方法に従って鍍金し、次い
で常法に従って脱膜すればよい。脱膜用の浴としては公
知のものが使用でき、例えば、水酸化ナトリウムを含む
浴等を挙げることができる。

またセミアデイティブ法によれば、下記のようにして回
路が形成される。即ち、セラミックス基体に、上記（２
）■又は■の方法に従って、Ｍｏ。

／Ｗ−Ｃｏ／Ｎｉ系合金皮膜又はそれ以外の金属若しく
は合金皮膜を形成した後、常法に従って感光性樹脂にて
ネガ像のレジストを形成し、Ｍ　ｏ　／Ｗ−Ｃｏ／Ｎｉ
系合金を電気鍍金し、必要に応じてエツチングし、次い
で脱膜し、最後に不要部分の金属を溶解除去して水洗す
ればよい。金属除去用の浴としては公知のものが使用で
き、例えば、ＡＱ及びＳＬには水酸化アルカリ溶液等を
、Ｔｉ１Ｖ、ＺｒＳＮｂＳＭｏ、Ｔａ、Ｗ及びＲｅには
フッ化水素酸と硝酸との混酸溶液等を、Ｃｒには塩酸溶
液等を、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ％ＣｕＳＰｄ。

Ａｇ及びＳｎには硝酸溶液等を、Ｐｔには王水等を、Ａ
ｕにはシアン化アルカリ溶液等をそれぞれ使用できる。

かくして本発明セラミックス配線板を得ることかで°き
る。本発明配線板においては、セラミックス基板全面に
配線が施されていてもよ（、又は−部分に配線が施され
ていても構わない。

発明の効果 本発明によれば、耐熱性、耐熱サイクル性、耐食性、電
気特性等の緒特性に優れ、導体幅及び導体間隔が１００
μｍ以下の微細配線を施されたセラミックス配線基板を
極めて容易且つ安価に製造できる。

実施例 以下に、参考例、実施例及び比較例を挙げ、本発明をよ
り一層明瞭なものとする。

参考例１ 鏡面研摩した銅板に、上記各種Ｍｏ／Ｗ−Ｃ（。

／Ｎｉ系合金の電気鍍金浴（ｐＨ約９．０）を用いて８
０℃の温度下電流密度５Ａ／ｄｍ２で電気鍍金し、厚さ
約１００μｍのＭｏ及びＷの少なく・　　とも１種並び
にＣｏ及びＮＬの少なくとも１種を含有する合金皮膜を
析出させ、その後銅板を溶解した。

Ｐｄをスパッタリングして積付したポリイミドフィルム
を、上記各種Ｍｏ／Ｗ−Ｃｏ／Ｎ　ｉ系合金の無電解鍍
金浴（ｐ　Ｈ９，０）に９０℃で６０分間浸漬し、該フ
ィルム上に厚さ約１００μｍのＭｏ及びＷの少なくとも
１種、Ｃｏ及びＮｉの少なくとも１種並びにＰを含有す
る合金皮膜を析出させ、その後読フィルムを剥離した。

得られたＭｏ／Ｗ−Ｃｏ／Ｎｉ系合金皮膜につき、熱膨
脹係数及び体積抵抗を測定した。熱膨脹係数は、０〜６
００℃における合金皮膜の鍍金面方向の線膨張係数を作
動トランスにより精密測定して算出した。体積抵抗は、
ホイットストーンブリッジを用いて精密測定した。結果
を第１表に示す。

第　　１　　表 第１表より、Ｍｏ／Ｗ−Ｃｏ／Ｎｉ系合金の熱膨脹係数
が、セラミックス基体のそれ（８５〜９９．９５％アル
ミナ：６．６〜８．０ＸＩＯ−８、普通磁器：９，０Ｘ
ＩＯ−８、マグネシア：１０〜１３Ｘ１０−６、フォル
ステライト＝１０〜１２Ｘ１０−”、ステアタイト：６
．９〜７．８×１Ｏ−８）と非常によく一致しているこ
とが判る。

また上記合金の体積抵抗も、セラミックス配線基板の導
体として充分低いことが判る。

実施例１ ９０％アルミナを、モノクロルエタンに室温下１０分間
浸漬して溶剤脱脂し、乾燥した。これを、水酸化ナトリ
ウム５０ｇ／Ｑ、ケイ酸ナトリウム３０　ｇ／Ｑ　、リ
ン酸ナトリウム７　ｇ　／　Ｑ及びオレイン酸ナトリウ
ム１０ｇ／Ｑを含む浴に５０℃で１０分間浸漬してアル
カリ脱脂し、水洗し、硫酸水溶液（１００ｇ／Ｑ）に浸
漬して室温下２分間酸洗し、水洗した。次いで、水酸化
ナトリウム２００ｇ／Ｑ、クエン酸ナトリウム２００ｇ
ＩＱ及びエチレンジアミンテトラ酢酸２ナトリウム２０
０ｇ／Ｑを含む粗化処理浴に１００℃で７２時間浸漬し
て粗化処理し、水洗し、上記硫酸水溶液で酸洗（室温下
２分間）し、水洗した。このセラミックス基体を、フッ
化錫２５ｇ／９及びフッ化水素酸５０　ｇ／Ｑを含むセ
ンシタイザ−浴に室温下２分間浸漬処理して水洗し、次
いで塩化パラジウム０．５ｇ／Ｑ、塩酸１ｇ／Ｑ及びフ
ッ化水素酸５０ｇＩＱを含むアクチベーター浴に室温下
２分間浸漬処理して水洗した後、下記組成の無電解鍍金
浴（ｐＨ９）に９０℃で６０分浸漬して無電解鍍金（約
１０μｍ）を施し、水洗及び乾燥した。

硫酸コバルト　　　　　　　　３５ｇＩＱモリブデン酸
ナトリウム　　　４５　ｇ／Ｑクエン酸ナトリウム　　
　　　８５ｇ／Ｑ次亜リン酸ナトリウム　　　　ｌ　Ｏ
ｇ／Ｑ塩化アンモニウム　　　　　　５０ｇ／Ｑか（し
て８５．０〜９９．９９％アルミナに施されたＣｏ−Ｍ
ｏ合金鍍金皮膜上に、所望の回路パターンとなるように
レジスト（０ＭＲ８５、東京応化工業■製〕を形成し、
乾燥した。次いでネガフィルムを通して紫外線を露光（
５０ｍＪ／ｃｏ＋２）し、ＯＭＲ現像液で現像し、ＯＭ
Ｒリンス液で乾燥し、フッ化水素酸１００ｇ／９．硝酸
４００ｇＩＱ及びクエン酸２００ｇ／（２を含むエツチ
ング浴に室温下２分間浸漬してエツチングし、水洗し、
ＯＭＲ剥離液で脱膜し並びに乾燥して、本発明セラミッ
クス配線基板を得た。

実施例２〜１８ セラミックス基体及び無電解鍍金浴を下記第３表に示す
通り変更しく尚、実施例１０〜１８のアルカリ脱脂時間
を２分並びに粗化処理時間を１時間とする）、実施例１
と同様にして本発明セラミックス配線基板を得た。

第　　　２　　　表 第　２　表（続き） 第　２　表（続き） 第　２　表（続き） 第　２　表（続き） 実施例１９〜５４ 実施例１において、無電解鍍金（ｐＨ９，９０℃、１０
分）及び水洗した後に、更に電気鍍金しく５Ａ／ｄｉ２
、ｐＨ８，８０℃、６０分、陽極としてチタン白金電極
を用いた、膜厚計的２５μｍ）、水洗及び乾燥する以外
は実施例１と同様にして本発明セラミックス配線基板を
得た。尚、実施例２８〜３６及び４６〜５４のアルカリ
脱脂時間は２分、粗化処理時間は１時間とした。各実施
例で用いたセラミックス基体、無電解鍍金浴及び電気鍍
金浴を下記第３表に示す。

実施例５５〜７２ アクチベーター浴で処理し、水洗及び乾燥するまでは実
施例１と同様の操作を行なった（実施例６４〜７２にお
いては、アルカリ脱脂時間を２分、粗化処理時間を１時
間とした）。次いで、前処理を施されたセラミックス基
体上に、所望の回路パターンとなるようにレジスト［Ａ
ＬＰＨＯ１０１０５Ｏ。

日本合成化学■製］を形成し、ネガフィルムを通して紫
外線を露光しく１００ｍＪ／ａｍ２）　、炭酸ナトリウ
ム水溶液（１０ｇ／Ｑ）に３０℃で２分間浸漬して現像
し、水洗し、下記第４表に記載の組成を有する無電解鍍
金浴で無電解鍍金しくｐＨ６，９０℃、６０分、膜厚的
１５μｍ）、水洗した。更に水酸化ナトリウム水溶液に
５０℃で２分間浸漬して脱膜し、水洗及び乾燥して本発
明セラミックス配線基板を得た。

第４表 第　４　表（続き） 第　４　表（続き） 第　４　表（続き） 第　４　表（続き） 第　４　表（続き） 実施例７３〜９０ 粗化処理後の酸処理及び水洗までは実施例１と同様の操
作を行なった後（実施例６４〜７０においては、アルカ
リ脱脂時間を２分、粗化処理時間を１時間とした）、乾
燥した。次いで、金を蒸着、スパッタリング若しくはイ
オンプレーティングしく実施例７３．７８．７９．８３
〜８５及び８９・・・蒸着、実施例７４．７５．７７．
８０．８２．８７及び８８・・・スパッタリング、実施
例７６．８１．８６及び９０・・・イオンプレーディン
グ）、その上に所望の回路パターンとなるようにレジス
ト（０ＭＲ８５、東京応化工業■製〕を形成して乾燥し
、ネガフィルムを通して紫外線を露光しく５０　ｍ　Ｊ
　／ｃｍ２）　、ＯＭＲ現像液で現像し、ＯＭＲリンス
液で乾燥し、下記第５表に示す組成の電気鍍金浴で電気
鍍金しく５Ａ／ｄｍ２、ｐＨ８，８０’Ｃ，６０分、膜
厚的１５μｍ）、水洗し、ＯＭＲ剥離液で脱膜し、水洗
し、シアン化カリウム水溶液（１００ｇ／Ｑ）に５０℃
で１０分間浸漬して不要部分の金を溶解し、水洗し、本
発明セラミックス配線基板を得た。

第　　　５　　　表 第　５　表（続き） 第　５　表（続き） 第　５　表（続き） 実施例９１〜１０８ 実施例１において、無電解鍍金及び水洗した後に、更に
無電解鍍金しくｐＨ９，９０℃、６０分、膜厚径約２０
μｍ）、水洗及び乾燥する以外は実施例１と同様にして
本発明セラミックス配線基板を得た。尚、実施例１００
〜１０８のアルカリ脱脂時間は２分、粗化処理時間は１
時間とした。各実施例で用いたセラミックス基体、無電
解鍍金浴及び電気鍍金浴を下記第６表に示す。

実施例１０９〜１４４ 実施例１において、無電解鍍金（ｐＨ９，９０℃、１０
分）及び水洗し乾燥した後に、その上に所望の回路パタ
ーンとなるようにレジスト（０ＭＲ８５、東京応化工業
■製〕を形成して乾燥し、ポジフィルムを通して紫外線
を露光しく５０ｍＪ／ｃｍ２）　、ＯＭＲ現像液で現像
し、ＯＭＲリンス液で乾燥し、下記第７表に示す組成の
電気鍍金浴で電気鍍金しく５Ａ／ｄｉ２、ｐＨ８，８０
°Ｃ，６０分、膜厚的１５μｍ）、水洗し、ＯＭＲ剥離
液で脱膜し、水洗し、実施例１のエツチング浴に室温で
１０秒間浸漬して不要部分の無電解鍍金を溶解し、水洗
し、本発明セラミックス配線基板を得た。尚、実施例１
１８〜１２６及び１３６〜１４４のアルカリ脱脂時間は
２分、粗化処理時間は１時間とした。各実施例で用いた
セラミックス基体、無電解鍍金浴及び電気鍍金浴を下記
第７表に示す。

実施例１４５〜１６２ 粗化処理後の酸処理及び水洗までは実施例１と同様の操
作を行なった後（実施例１５４〜１６２においては、ア
ルカリ脱脂時間を２分、粗化処理時間を１時間とした）
、乾燥した。次いで、ニッケルを蒸着、スパッタリング
若しくはイオンプレーティングしく実施例１４９．１５
２．１５９及び１６２・・・蒸着、実施例１４５．１４
８．１５１．１５３．１５５．１５６．１５８及び１６
１・・・スパッタリング、実施例１４６．１４７．１５
０．１５４．１５７及び１６０・・・イオンプレーティ
ング）、次いで下記第８表に示す組成の電気鍍金浴で電
気鍍金しく５Ａ／ｄａ２、ｐＨ８，８０℃、６０分、膜
厚的１５μｍ）、水洗し乾燥し、その上に所望の回路パ
ターンとなるようにレジスト〔０ＭＲ８５、東京応化工
業■製〕を形成して乾燥し、ネガフィルムを通して紫外
線を露光しく５０ｍＪ／ｃｍ２）　、ＯＭＲ現像液で現
像し、ＯＭＲリンス液で乾燥し、実施例１のエツチング
浴に室温下２分間浸漬してエツチングし、ＯＭＲ剥離液
で脱膜し、水洗し、本発明セラミックス配線基板を得た
。

第　　　８　　　表 第　８　表（続き） 第　８　表（続き） 第　８　表（続き） 実施例１〜１６２で得られたセラミックス配線基板の連
続使用温度（℃）、耐熱サイクル性、耐食性並びに導体
幅（μｍ）及び導体間隔（μｍ）を調べた。

〔連続使用温度（℃）〕

焼成炉中導通試験に準じて行なった。即ち、印加電圧を
１００ｖとし、空気雰囲気中にて１００時間の連続使用
に耐え得る最高温度（’Ｃ”）を求めた。

〔耐熱サイクル性〕

ＪＩＳ　　Ｃ５０３０に準じ、−４０６０３分保持キ室
温３分保持に２００℃３分保持を１サイクルとし、５サ
イクル繰り返して試験した。

Ｏ・・・変化しない ×・・・導体不良及び絶縁不良が発生する〔耐食性〕 ＪＩＳ　　Ｃ５０２８に準じ、塩化ナトリウムの５重足
％水溶液を３５℃で１００時間噴霧して試験した。

○・・・変化しない ×・・・導体不良及び絶縁不良が発生する〔導体幅（μ
ｍ）及び導体間隔（μｍ））電子顕微鏡で測定した。

結果を第９表に示す。

第　　　９　　　表 第　　９　　表（続き） 第　　９　　表（続き） 第　　９　　表（続き） 第　　９　　表（続き） 比較例１（金属粉末同時焼結法） 下記組成のＷペーストをアルミナグリーンシートに印刷
し、これを不活性雰囲気中１３５０℃で同時焼結し、配
線基板を得た。

・Ｗペースト タングステン微粉末（粒径的１μｍ） ９２．０重量％ エチルセルロース　　　　　１．０重量％ポリビニルブ
チラール　　　１．０重量％ジエチレングリコール　　
　３．０重量％モノ−ｎ−ブチルエチルアセテート ３．０重量％ 比較例２（Ａｇ系合金ペースト法） 下記組成のＡｇ−Ｐｄペースト（２０Ｐ　ｄ−Ａｇ）を
９６％アルミナセラミックスに印刷し、これを空気中９
００℃で焼成し、配線基板を得た。

嗜Ａｇ−Ｐｄペースト（２０Ｐｄ−Ａｇ）Ａｇ　−Ｐｄ
微粉末（粒径的２μｍ） ７９．０重量％ 酸化ビスマス　　　　　　　９．０重量％酸化珪素　　
　　　　　　　４．０重世％エチルセルロース　　　　
　３．０重量％ブチルカルピトールアセテート ６．０重量％ 比較例３（Ｃｕ鍍金法） ９６％アルミナセラミックスに無電解銅鍍金を施し、更
に電解銅鍍金を施してから写真法により配線を形成し、
配線基板を得た。

比較例４（クロムスパッタリング法） ９９．５％アルミナセラミックスにクロムをスパッタリ
ングし、更に写真法により配線を形成し、配線基板を得
た。

実施例１で得られた本発明配線基板及び比較例１〜４で
得られた従来の配線基板を、下記に示す各種性能試験に
供した。結果を第７表に示す。

・配線基板寸法精度（％） 製造した配線基板の寸法と設計寸法との誤差をＸＹテー
ブルにて精密測定して算出した。

・導体厚分布（％） セラミックス基体に形成された導体の厚さの分布を断面
観察法により精密測定して算出した。

数値の小さいもの程均−な厚さを有する。

・ミスボンド率（％） 製造した配線基板に自動ボンディングマシンにより連続
ボンディングし、導体のボンディング強度を測定し、ミ
スボンド率を算出した。

・鍍金性 以下の基準に従って判定した。

Ｏ・・・尋常に鍍金できる。

Δ・・・鍍金し難い場合がある。

×・・・特殊なものしか鍍金できない。

・半田付性 以下の基準に従って判定した。

○・・・フラックスを用いて尋常に半田付できる。

Δ・・・半田付し難い場合がある。

×・・・直接半田付できない。

尚、連続使用温度（℃）、耐食性、導体の体積抵抗（μ
Ωｃｍ）　、導体の熱膨張係数（１０−８／°Ｃ）並び
に導体中及び導体間隔（μｍ）は、上記と同様にして求
めた。

注１）・・・無電解ニッケル鍍金しかできない。

２）・・・特殊なＡｇ系合金ペーストしか鍍金できない
。

３）・・・鍍金工程が繁雑となる。

第７表から、本発明配線基板が、従来の配線基板に比し
、各種性能に同時著るしく優れていることが判る。

（以　上）

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）アルミナ系セラミックス、マグネシア系セラミッ
   クス及びアルミナ−マグネシア系セラミックスから選ば
   れた配線基板用セラミックスに、Ｍｏ及びＷの少くとも
   １種並びにＣｏ及びＮｉの少くとも１種を含む合金から
   なる回路を備えたセラミックス配線基板。
2. （２）合金が、Ｍｏ及びＷの少くとも１種並びにＣｏ及
   びＮｉの少くとも１種とともにＰを含んでいる請求項（
   １）のセラミックス配線基板。
3. （３）アルミナ系セラミックス、マグネシア系セラミッ
   クス及びアルミナ−マグネシア系セラミックスから選ば
   れた配線基板用セラミックスを、脱脂し、酸洗し、水酸
   化アルカリ塩及び有機酸塩を含む粗化処理浴によって処
   理し、酸洗し、錫塩及び無機酸を含むセンシタイザー浴
   によって処理し、パラジウム塩及び無機酸を含むアクチ
   ベーター浴によって処理した後、該セラミックス表面に
   、Ｂ、Ｐ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ
   、Ｓｎ、Ｗ、Ｒｅ及びＰｔからなる群から選ばれた少く
   とも１種を無電解鍍金し、次いでＭｏ及びＷの少くとも
   １種並びにＣｏ及びＮｉの少くとも１種を含む合金を電
   気鍍金するか又はＭｏ及びＷの少くとも１種、Ｃｏ及び
   Ｎｉの少くとも１種並びにＰを含む合金を無電解鍍金し
   、更に鍍金皮膜上にレジストを形成し、エッチング及び
   脱膜することを特徴とする請求項（１）又は（２）のセ
   ラミックス基板の製造法。
4. （４）アルミナ系セラミックス、マグネシア系セラミッ
   クス及びアルミナ−マグネシア系セラミックスから選ば
   れた配線基板用セラミックスを、脱脂し、酸洗し、水酸
   化アルカリ塩及び有機酸塩を含む粗化処理浴によって処
   理し、酸洗した後、該セラミックス表面に蒸着、イオン
   プレーティング若しくはスパッタリングによってＡｌ、
   Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｒ
   、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ及び
   Ａｕよりなる群から選ばれた１種以上の金属皮膜を形成
   し、該金属皮膜上にレジストを形成し、更に、Ｍｏ及び
   Ｗの少くとも１種並びにＣｏ及びＮｉの少くとも１種を
   含む合金を電気鍍金し、脱膜及び上記金属皮膜の不要部
   分を除去することを特徴とする請求項（１）のセラミッ
   クス基板の製造法。
5. （５）アルミナ系セラミックス、マグネシア系セラミッ
   クス及びアルミナ−マグネシア系セラミックスから選ば
   れた配線基板用セラミックスを、脱脂し、酸洗し、水酸
   化アルカリ塩及び有機酸塩を含む粗化処理浴によって処
   理し、酸洗した後、該セラミックス表面に、Ｂ、Ｐ、Ｆ
   ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｗ、
   Ｒｅ及びＰｔよりなる群から選ばれた１種以上の金属を
   無電解鍍金し、該金属皮膜上にレジストを形成し、更に
   、Ｍｏ及びＷの少くとも１種並びにＣｏ及びＮｉの少く
   とも１種を含む合金を電気鍍金し、脱膜及び上記金属皮
   膜の不要部分を除去することを特徴とする請求項（１）
   のセラミックス基板の製造法。
6. （６）アルミナ系セラミックス、マグネシア系セラミッ
   クス及びアルミナ−マグネシア系セラミックスから選ば
   れた配線基板用セラミックスを、脱脂し、酸洗し、水酸
   化アルカリ塩及び有機酸塩を含む粗化処理浴によって処
   理し、酸洗した後、該セラミックス表面に蒸着、イオン
   プレーティング若しくはスパッタリングによってＡｌ、
   Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｒ
   、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ及び
   Ａｕよりなる群から選ばれた１種以上の金属皮膜を形成
   し、次いでＭｏ及びＷの少くとも１種並びにＣｏ及びＮ
   ｉの少くとも１種を含む合金を電気鍍金し、更に鍍金皮
   膜上にレジストを形成し、エッチング及び脱膜し、上記
   金属皮膜の不要部分を除去することを特徴とする請求項
   （１）のセラミックス基板の製造法。
7. （７）アルミナ系セラミックス、マグネシア系セラミッ
   クス及びアルミナ−マグネシア系セラミックスから選ば
   れた配線基板用セラミックスを、脱脂し、酸洗し、水酸
   化アルカリ塩及び有機酸塩を含む粗化処理浴によって処
   理し、酸洗し、錫塩及び無機酸を含むセンシタイザー浴
   によって処理し、パラジウム塩及び無機酸を含むアクチ
   ベーター浴によって処理した後、該セラミックス表面に
   、Ｍｏ及びＷの少くとも１種、Ｃｏ及びＮｉの少くとも
   １種並びにＰを含む合金を無電解鍍金し、更に鍍金皮膜
   上にレジストを形成し、エッチング及び脱膜することを
   特徴とする請求項（２）のセラミックス基板の製造法。
8. （８）アルミナ系セラミックス、マグネシア系セラミッ
   クス及びアルミナ−マグネシア系セラミックスから選ば
   れた配線基板用セラミックスを、脱脂し、酸洗し、水酸
   化アルカリ塩及び有機酸塩を含む粗化処理浴によって処
   理し、酸洗し、錫塩及び無機酸を含むセンシタイザー浴
   によって処理し、並びにパラジウム塩及び無機酸を含む
   アクチベーター浴によって処理した後、該セラミックス
   表面にレジストを形成し、Ｍｏ及びＷの少くとも１種、
   Ｃｏ及び／又はＮｉの少くとも１種並びにＰを含む合金
   を無電解鍍金し、脱膜することを特徴とする請求項（２
   ）のセラミックス基板の製造法。