JPH08144061A - 絶縁体のメタライズ方法 - Google Patents
絶縁体のメタライズ方法Info
- Publication number
- JPH08144061A JPH08144061A JP31237094A JP31237094A JPH08144061A JP H08144061 A JPH08144061 A JP H08144061A JP 31237094 A JP31237094 A JP 31237094A JP 31237094 A JP31237094 A JP 31237094A JP H08144061 A JPH08144061 A JP H08144061A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- insulator
- oxide film
- solution
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 粗化工程が不要でしかも触媒液の管理の容易
な、絶縁体の無電解めっきによるメタライズ法の確立。 【構成】 アルカリ水溶液中で金属酸化物（例：Ｚｎ
Ｏ、ＳｎＯ2 、ＴｉＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ3 ）を構成する金属
の金属錯体（錯化剤の例：トリエタノールアミン、アン
モニア）を形成し、該金属錯体を含む溶液に絶縁体基板
（例：プリント配線板用基板）を接触させ、該金属錯体
を熱分解させることにより該絶縁体基板上に金属酸化物
皮膜を形成し、その後、該金属酸化物皮膜上にアルカリ
触媒溶液中でパラジウムを付与した後、無電解めっき液
中で金属皮膜（例：銅）を形成し、必要に応じ、さらに
電気めっきにより金属皮膜（例：銅）を形成することを
特徴とする。低コストでまた低温プロセスで、密着力の
大きいそしてメタライズ層のファインパターン化が可能
である。
な、絶縁体の無電解めっきによるメタライズ法の確立。 【構成】 アルカリ水溶液中で金属酸化物（例：Ｚｎ
Ｏ、ＳｎＯ2 、ＴｉＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ3 ）を構成する金属
の金属錯体（錯化剤の例：トリエタノールアミン、アン
モニア）を形成し、該金属錯体を含む溶液に絶縁体基板
（例：プリント配線板用基板）を接触させ、該金属錯体
を熱分解させることにより該絶縁体基板上に金属酸化物
皮膜を形成し、その後、該金属酸化物皮膜上にアルカリ
触媒溶液中でパラジウムを付与した後、無電解めっき液
中で金属皮膜（例：銅）を形成し、必要に応じ、さらに
電気めっきにより金属皮膜（例：銅）を形成することを
特徴とする。低コストでまた低温プロセスで、密着力の
大きいそしてメタライズ層のファインパターン化が可能
である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁体のメタライズ方
法に関するものであり、特には湿式法による金属酸化物
皮膜の形成と続いての無電解めっきとの組み合わせを特
徴とする絶縁体基板のメタライズ技術に関する。ここ
で、メタライズとは金属（合金を含む）の皮膜を絶縁体
表面に形成することを云う。
法に関するものであり、特には湿式法による金属酸化物
皮膜の形成と続いての無電解めっきとの組み合わせを特
徴とする絶縁体基板のメタライズ技術に関する。ここ
で、メタライズとは金属（合金を含む）の皮膜を絶縁体
表面に形成することを云う。
【０００２】
【従来の技術】電子機器、自動車、航空機等の材料分野
において、絶縁体のメタライズを必要とする場合が多
い。これまで、絶縁体のメタライズ法として、幾つかの
方法が提唱されている。例えば、乾式法として、次のよ
うな方法が提唱されている。「高融点金属法」は、アル
ミナ基材表面にモリブデンなどの高融点金属粉末を含む
インク又はペーストを焼結してメタライズ層を形成する
ものであり、その改良法として特開昭５５−１５４３８
３号は、細粗両粉末からなるＭｏに、好ましくはＭｎ粉
末を主にしたものを添加し、有機液体を加えたペースト
を仮焼Ａｌ2 Ｏ3 に被着し、水素中で１５００℃で焼結
することを記載している。「厚膜法」はセラミック表面
に金属化合物を含んだ懸濁物を塗布し、塗布層を焼付け
た後、金属化合物を還元するものである。例えば、特開
昭５９−９２９７９号は、実施例として、Ｃｕ化合物の
粉末と、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｎａ2 Ｏ系
高融点ガラス粉末を水で混練したものを９６％Ａｌ2 Ｏ
3 磁器に印刷塗布し、大気中１１００〜１２００℃で焼
成し、灯油に浸漬することにより還元して金属被覆層を
形成することを記載している。「ダイレクトボンド法」
は、例えば特開昭５７−８２１８１号に記載されるよう
に、表面に酸化銅層を有する銅箔で覆われたＡｌ2 Ｏ3
焼結板をＣｕとＣｕ2 Ｏの共晶温度で真空炉中Ｏ2 分圧
をコントロールしながら加熱するものである。「物理蒸
着法」は、基板上に直接メタル層を蒸着法やスパッタ法
などにより形成するものである。
において、絶縁体のメタライズを必要とする場合が多
い。これまで、絶縁体のメタライズ法として、幾つかの
方法が提唱されている。例えば、乾式法として、次のよ
うな方法が提唱されている。「高融点金属法」は、アル
ミナ基材表面にモリブデンなどの高融点金属粉末を含む
インク又はペーストを焼結してメタライズ層を形成する
ものであり、その改良法として特開昭５５−１５４３８
３号は、細粗両粉末からなるＭｏに、好ましくはＭｎ粉
末を主にしたものを添加し、有機液体を加えたペースト
を仮焼Ａｌ2 Ｏ3 に被着し、水素中で１５００℃で焼結
することを記載している。「厚膜法」はセラミック表面
に金属化合物を含んだ懸濁物を塗布し、塗布層を焼付け
た後、金属化合物を還元するものである。例えば、特開
昭５９−９２９７９号は、実施例として、Ｃｕ化合物の
粉末と、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｎａ2 Ｏ系
高融点ガラス粉末を水で混練したものを９６％Ａｌ2 Ｏ
3 磁器に印刷塗布し、大気中１１００〜１２００℃で焼
成し、灯油に浸漬することにより還元して金属被覆層を
形成することを記載している。「ダイレクトボンド法」
は、例えば特開昭５７−８２１８１号に記載されるよう
に、表面に酸化銅層を有する銅箔で覆われたＡｌ2 Ｏ3
焼結板をＣｕとＣｕ2 Ｏの共晶温度で真空炉中Ｏ2 分圧
をコントロールしながら加熱するものである。「物理蒸
着法」は、基板上に直接メタル層を蒸着法やスパッタ法
などにより形成するものである。
【０００３】高融点金属法は、高温プロセス（〜１５０
０℃）を使用するので融点がプロセス温度以下の金属
（Ｃｕ等）に適用できず、メタライズ層は高融点金属に
限られる。厚膜法では、用いるペースト粒子のサイズの
関係でメタライズ層のファインパターン化ができない
（現状２００μｍ巾）。また、高温プロセス（〜１００
０℃）が必要である。ダイレクトボンド法は品質的には
接着力良好なメタライズ層を形成することができるが、
プロセスのコントロールが困難であるため、工業化に適
さない。この方法も高温プロセス（〜１０００℃）が必
要である。物理的蒸着法は、密着力の高いメタライズ層
を形成でき、ほとんどすべての金属に適用可能であり、
手段を選べば低温プロセス（２７０℃）も可能である。
しかし高価な真空装置を使用するため高コストである。
０℃）を使用するので融点がプロセス温度以下の金属
（Ｃｕ等）に適用できず、メタライズ層は高融点金属に
限られる。厚膜法では、用いるペースト粒子のサイズの
関係でメタライズ層のファインパターン化ができない
（現状２００μｍ巾）。また、高温プロセス（〜１００
０℃）が必要である。ダイレクトボンド法は品質的には
接着力良好なメタライズ層を形成することができるが、
プロセスのコントロールが困難であるため、工業化に適
さない。この方法も高温プロセス（〜１０００℃）が必
要である。物理的蒸着法は、密着力の高いメタライズ層
を形成でき、ほとんどすべての金属に適用可能であり、
手段を選べば低温プロセス（２７０℃）も可能である。
しかし高価な真空装置を使用するため高コストである。
【０００４】こうした乾式・高温プロセスに替えて、湿
式・低温プロセスとして無電解めっき法がある。無電解
めっき法は、例えば、特開昭５２−９１４号に記載され
るように、基板をエッチングなどにより粗化した後、Ｓ
ｎＣｌ2 、ＰｄＣｌ2 溶液などにて基板表面を活性化
し、無電解めっきによりメタル層を形成するものであ
る。また、特開平６−６１６１９号には、セラミックス
またはガラス基板に酸化亜鉛層を形成し、無電解めっき
の触媒となる金属の金属塩を溶かした溶液と接触させた
時、酸化亜鉛の溶解反応に並行して、金属塩中の金属イ
オンが表面および内部に取り込まれるという現象を利用
して、これを無電解めっき浴中に入れることによりセラ
ミックスまたはガラス基板の表面に金属層を積層させる
ことを特徴とした回路基板の製造方法が記載されてい
る。
式・低温プロセスとして無電解めっき法がある。無電解
めっき法は、例えば、特開昭５２−９１４号に記載され
るように、基板をエッチングなどにより粗化した後、Ｓ
ｎＣｌ2 、ＰｄＣｌ2 溶液などにて基板表面を活性化
し、無電解めっきによりメタル層を形成するものであ
る。また、特開平６−６１６１９号には、セラミックス
またはガラス基板に酸化亜鉛層を形成し、無電解めっき
の触媒となる金属の金属塩を溶かした溶液と接触させた
時、酸化亜鉛の溶解反応に並行して、金属塩中の金属イ
オンが表面および内部に取り込まれるという現象を利用
して、これを無電解めっき浴中に入れることによりセラ
ミックスまたはガラス基板の表面に金属層を積層させる
ことを特徴とした回路基板の製造方法が記載されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】無電解めっき法は、低
温プロセスであるが、メタライズ層の密着力を得るため
に基板の粗化処理が必要である。このために、メタライ
ズ層のファインパターン化に限度が生じる。また、粗化
処理はメタライズ層のふくれの原因になることもある。
前記特開平６−６１６１９号は、酸化亜鉛の溶解反応を
利用してめっき皮膜と密着性を向上させているが、酸化
亜鉛の溶解性はｐＨに大きく影響される。触媒液にはＺ
ｎＯが溶解してくるのでｐＨの管理が難しく、液寿命も
短い。酸化亜鉛膜の形成方法としてスプレーコーティン
グ法もあるが、得られる酸化亜鉛皮膜が平滑すぎてＣｕ
との密着が得られない。従って酸化亜鉛表面を粗化する
ことが必要になるが、上述したように粗化液は酸化亜鉛
を溶解するため、液のコントロールが難しい。また、液
寿命が短く、コスト高になる。
温プロセスであるが、メタライズ層の密着力を得るため
に基板の粗化処理が必要である。このために、メタライ
ズ層のファインパターン化に限度が生じる。また、粗化
処理はメタライズ層のふくれの原因になることもある。
前記特開平６−６１６１９号は、酸化亜鉛の溶解反応を
利用してめっき皮膜と密着性を向上させているが、酸化
亜鉛の溶解性はｐＨに大きく影響される。触媒液にはＺ
ｎＯが溶解してくるのでｐＨの管理が難しく、液寿命も
短い。酸化亜鉛膜の形成方法としてスプレーコーティン
グ法もあるが、得られる酸化亜鉛皮膜が平滑すぎてＣｕ
との密着が得られない。従って酸化亜鉛表面を粗化する
ことが必要になるが、上述したように粗化液は酸化亜鉛
を溶解するため、液のコントロールが難しい。また、液
寿命が短く、コスト高になる。
【０００６】こうした状況に鑑み、本発明の課題は、粗
化工程が不要でしかも触媒液の管理の容易な、無電解め
っきによる絶縁体のメタライズ法を開発し、これを通し
て低コストでまた低温プロセスで、密着力の大きいそし
てメタライズ層のファインパターン化が可能であるメタ
ライズ方法を確立することである。
化工程が不要でしかも触媒液の管理の容易な、無電解め
っきによる絶縁体のメタライズ法を開発し、これを通し
て低コストでまた低温プロセスで、密着力の大きいそし
てメタライズ層のファインパターン化が可能であるメタ
ライズ方法を確立することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するべく
検討の結果、アルカリ水溶液中で金属酸化物を構成する
金属の金属錯体を形成し、該金属錯体を含む溶液に絶縁
体基板を接触させそして該金属錯体を熱分解させること
により絶縁体基板上に金属酸化物皮膜を形成した場合、
表面が適度に荒れており、そのために粗化処理の必要な
く、市販の触媒液を使用して無電解めっきが好適に実施
でき、この方法が、低コスト、低温プロセス、高密着
性、ファインパターン化という要件をすべて満足させる
に最も適しているとの結論に至った。かくして、本発明
は、アルカリ水溶液中で金属酸化物を構成する金属の金
属錯体を形成し、該金属錯体を含む溶液に絶縁体基板を
接触させ、該金属錯体を熱分解させることにより該絶縁
体基板上に金属酸化物皮膜を形成し、その後、該金属酸
化物皮膜上にアルカリ触媒溶液中でパラジウムを付与し
た後、無電解めっき液中で金属皮膜を形成することを特
徴とする絶縁体のメタライズ方法を提供する。更に、こ
の後、電気めっきにより金属皮膜を形成することができ
る。
検討の結果、アルカリ水溶液中で金属酸化物を構成する
金属の金属錯体を形成し、該金属錯体を含む溶液に絶縁
体基板を接触させそして該金属錯体を熱分解させること
により絶縁体基板上に金属酸化物皮膜を形成した場合、
表面が適度に荒れており、そのために粗化処理の必要な
く、市販の触媒液を使用して無電解めっきが好適に実施
でき、この方法が、低コスト、低温プロセス、高密着
性、ファインパターン化という要件をすべて満足させる
に最も適しているとの結論に至った。かくして、本発明
は、アルカリ水溶液中で金属酸化物を構成する金属の金
属錯体を形成し、該金属錯体を含む溶液に絶縁体基板を
接触させ、該金属錯体を熱分解させることにより該絶縁
体基板上に金属酸化物皮膜を形成し、その後、該金属酸
化物皮膜上にアルカリ触媒溶液中でパラジウムを付与し
た後、無電解めっき液中で金属皮膜を形成することを特
徴とする絶縁体のメタライズ方法を提供する。更に、こ
の後、電気めっきにより金属皮膜を形成することができ
る。
【０００８】金属酸化物皮膜は好ましくはＺｎＯ、Ｓｎ
Ｏ2 、ＴｉＯ2 及びＩｎ2 Ｏ3 のうちから選ばれた１種
または複数種の混合物であり、ＺｎＯが特に好ましい。
金属錯体を形成するための錯化剤は好ましくはトリエタ
ノールアミンまたはアンモニアである。絶縁体基板は、
セラミックス、ガラス或いはプラスチックであり、その
好適な適用例の一つはプリント配線板用基板である。
Ｏ2 、ＴｉＯ2 及びＩｎ2 Ｏ3 のうちから選ばれた１種
または複数種の混合物であり、ＺｎＯが特に好ましい。
金属錯体を形成するための錯化剤は好ましくはトリエタ
ノールアミンまたはアンモニアである。絶縁体基板は、
セラミックス、ガラス或いはプラスチックであり、その
好適な適用例の一つはプリント配線板用基板である。
【０００９】
【作用】アルカリ水溶液中でＺｎＯ、ＳｎＯ2 、ＴｉＯ
2 及びＩｎ2 Ｏ3 のうちから選ばれた１種または複数種
の混合物を構成する金属の金属錯体を形成する。錯化剤
を加えることによって、通常、金属水酸化物は金属錯体
を形成して溶解する。絶縁体基板を該金属錯体を含む溶
液に接触させ、該金属錯体を熱分解させることにより該
絶縁体基板上に密着性の良好な導電性金属酸化物皮膜が
約１〜２μｍ／ｈｒ程度の速度で成膜する。こうして金
属酸化物皮膜を形成した場合、表面が適度の荒れてお
り、そのために粗化処理の必要なく、市販の触媒液を使
用して無電解めっきが好適に実施できる。その後、必要
に応じ、電気めっきにより金属皮膜を形成する。これら
プロセス段階が、低コスト、低温プロセス、高密着性、
ファインパターン化という要件をすべて満足させる。
2 及びＩｎ2 Ｏ3 のうちから選ばれた１種または複数種
の混合物を構成する金属の金属錯体を形成する。錯化剤
を加えることによって、通常、金属水酸化物は金属錯体
を形成して溶解する。絶縁体基板を該金属錯体を含む溶
液に接触させ、該金属錯体を熱分解させることにより該
絶縁体基板上に密着性の良好な導電性金属酸化物皮膜が
約１〜２μｍ／ｈｒ程度の速度で成膜する。こうして金
属酸化物皮膜を形成した場合、表面が適度の荒れてお
り、そのために粗化処理の必要なく、市販の触媒液を使
用して無電解めっきが好適に実施できる。その後、必要
に応じ、電気めっきにより金属皮膜を形成する。これら
プロセス段階が、低コスト、低温プロセス、高密着性、
ファインパターン化という要件をすべて満足させる。
【００１０】
【発明の具体的な説明】本発明において用いられる絶縁
体基板としては、アルミナ、窒化アルミニウムのような
セラミックス、ガラス、エポキシ、フェノール樹脂とい
ったプラスチック等の絶縁体が挙げられる。具体的に
は、例えばプリント配線板用の基板などへのメタライズ
への適用が考えられる。ハイブリッドＩＣ基板やプラズ
マディスプレイ用電極が用途例である。
体基板としては、アルミナ、窒化アルミニウムのような
セラミックス、ガラス、エポキシ、フェノール樹脂とい
ったプラスチック等の絶縁体が挙げられる。具体的に
は、例えばプリント配線板用の基板などへのメタライズ
への適用が考えられる。ハイブリッドＩＣ基板やプラズ
マディスプレイ用電極が用途例である。
【００１１】酸化物としては、ＺｎＯ、ＳｎＯ2 、Ｔｉ
Ｏ2 、Ｉｎ2 Ｏ3 等並びにその混合物が挙げられる。従
って、これらの酸化物を形成する金属イオン源として、
Ｚｎ塩、Ｓｎ塩、Ｔｉ塩、Ｉｎ塩などを含む水溶液が用
いられる。濃度は、条件にもよるが、通常０．０１〜１
０ｍｏｌ／ｌが好ましい。濃度が低過ぎると、最終的な
金属酸化物皮膜の成膜速度が遅くなり、他方濃度が高す
ぎると均一な金属酸化物皮膜が形成されない。
Ｏ2 、Ｉｎ2 Ｏ3 等並びにその混合物が挙げられる。従
って、これらの酸化物を形成する金属イオン源として、
Ｚｎ塩、Ｓｎ塩、Ｔｉ塩、Ｉｎ塩などを含む水溶液が用
いられる。濃度は、条件にもよるが、通常０．０１〜１
０ｍｏｌ／ｌが好ましい。濃度が低過ぎると、最終的な
金属酸化物皮膜の成膜速度が遅くなり、他方濃度が高す
ぎると均一な金属酸化物皮膜が形成されない。
【００１２】本発明に用いられるアルカリ水溶液として
は、ＮａＯＨまたはＫＯＨを金属イオン源濃度に応じて
金属水酸化物形成に適正な範囲で、一般に０．５〜１０
ｍｏｌ／ｌになるように加える。これによって、金属水
酸化物が形成され、沈澱となる場合もある。
は、ＮａＯＨまたはＫＯＨを金属イオン源濃度に応じて
金属水酸化物形成に適正な範囲で、一般に０．５〜１０
ｍｏｌ／ｌになるように加える。これによって、金属水
酸化物が形成され、沈澱となる場合もある。
【００１３】錯化剤としては、トリエタノールアミンま
たはアンモニアが用いられる。添加する錯化剤の濃度は
０．１〜１０ｍｏｌ／ｌが好ましい。錯化剤を加えるこ
とによって、通常、金属水酸化物は金属錯体を形成して
溶解する。錯化剤の濃度は金属錯体を形成するに十分な
量とされる。
たはアンモニアが用いられる。添加する錯化剤の濃度は
０．１〜１０ｍｏｌ／ｌが好ましい。錯化剤を加えるこ
とによって、通常、金属水酸化物は金属錯体を形成して
溶解する。錯化剤の濃度は金属錯体を形成するに十分な
量とされる。
【００１４】この金属錯体を含む溶液と絶縁体基板とを
接触し、例えば金属錯体を含む溶液中に絶縁体基板を浸
漬し、４０〜１００℃で０．５〜１０時間程度加熱す
る。この加熱処理により、絶縁体基板上に金属酸化物の
皮膜が形成される。加熱温度及び加熱時間は、金属に応
じて、所定厚さの金属酸化物の皮膜を形成するように適
宜選択される。例えば、酸化亜鉛を成膜する場合には５
０〜９５℃に加熱される。金属酸化物皮膜の成膜速度は
約１〜２μｍ／時間程度である。酸化物皮膜の厚さは１
〜１０μｍ程度にするのが一般的であるが、これに限定
されるものではない。浸漬操作を所望回数繰り返すこと
により、皮膜の厚さを調節することができる。
接触し、例えば金属錯体を含む溶液中に絶縁体基板を浸
漬し、４０〜１００℃で０．５〜１０時間程度加熱す
る。この加熱処理により、絶縁体基板上に金属酸化物の
皮膜が形成される。加熱温度及び加熱時間は、金属に応
じて、所定厚さの金属酸化物の皮膜を形成するように適
宜選択される。例えば、酸化亜鉛を成膜する場合には５
０〜９５℃に加熱される。金属酸化物皮膜の成膜速度は
約１〜２μｍ／時間程度である。酸化物皮膜の厚さは１
〜１０μｍ程度にするのが一般的であるが、これに限定
されるものではない。浸漬操作を所望回数繰り返すこと
により、皮膜の厚さを調節することができる。
【００１５】無電解めっきの前処理として触媒付与がな
される。触媒付与は一般的に実施されている方法に従え
ばよく、例えば次のような前処理工程が実施される： （ａ）コンディショニング 弱アルカリ性コンディショナーを使用して、界面活性剤
等の成分により汚れ等を除去し、表面に電荷を与え、Ｐ
ｄコロイド吸着を行い易くする。 （ｂ）水洗 （ｃ）プレディップ 弱アルカリ性（ｐＨ１０．５）の、有機キレート剤を含
むプレディップ液への浸漬を行うことにより、次工程の
触媒液が希釈するのを防ぐ。 （ｄ）触媒付与 弱アルカリ性（ｐＨ１０．５）触媒液を使用してＰｄ触
媒を付ける工程であり、Ｐｄ−有機錯体が表面に吸着す
る。 （ｅ）還元処理 触媒工程で吸着したＰｄ−有機錯体を還元してＰｄ核を
残し、有機キレート剤を除去する。 （ｆ）水洗
される。触媒付与は一般的に実施されている方法に従え
ばよく、例えば次のような前処理工程が実施される： （ａ）コンディショニング 弱アルカリ性コンディショナーを使用して、界面活性剤
等の成分により汚れ等を除去し、表面に電荷を与え、Ｐ
ｄコロイド吸着を行い易くする。 （ｂ）水洗 （ｃ）プレディップ 弱アルカリ性（ｐＨ１０．５）の、有機キレート剤を含
むプレディップ液への浸漬を行うことにより、次工程の
触媒液が希釈するのを防ぐ。 （ｄ）触媒付与 弱アルカリ性（ｐＨ１０．５）触媒液を使用してＰｄ触
媒を付ける工程であり、Ｐｄ−有機錯体が表面に吸着す
る。 （ｅ）還元処理 触媒工程で吸着したＰｄ−有機錯体を還元してＰｄ核を
残し、有機キレート剤を除去する。 （ｆ）水洗
【００１６】その後、無電解めっき工程が実施される。
これは、薄付け無電解めっきを行った後に電気めっきを
行うか、または厚付け無電解めっきを行うことによりメ
タル層（Ｃｕ、Ｎｉなど）を形成する。酸化物が溶解し
ないようにアルカリ性のめっき液を使用する。無電解め
っき液の代表例として、銅めっきを挙げることができ、
その条件例は次の通りである： （無電解銅めっき条件） ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ ：Ｃｕとして０．５〜１０ｇ／ｌ ＮａＯＨ ：５〜１５ｇ／ｌ ＨＣＨＯ ：３７％溶液を５〜３０ｍｌ／ｌ 安定剤（例 ＥＤＴＡ）：適量 添加剤 ：適量
これは、薄付け無電解めっきを行った後に電気めっきを
行うか、または厚付け無電解めっきを行うことによりメ
タル層（Ｃｕ、Ｎｉなど）を形成する。酸化物が溶解し
ないようにアルカリ性のめっき液を使用する。無電解め
っき液の代表例として、銅めっきを挙げることができ、
その条件例は次の通りである： （無電解銅めっき条件） ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ ：Ｃｕとして０．５〜１０ｇ／ｌ ＮａＯＨ ：５〜１５ｇ／ｌ ＨＣＨＯ ：３７％溶液を５〜３０ｍｌ／ｌ 安定剤（例 ＥＤＴＡ）：適量 添加剤 ：適量
【００１７】この後、必要に応じ、無電解めっき皮膜付
き絶縁体基板をカソード電極として電解法により該絶縁
体基板上に銅、ニッケル、白金族金属、金、銀等の貴金
属、はんだ等の金属皮膜が形成される。使用する浴は、
従来から使用されているめっき浴がいずれも使用でき
る。例えば、銅めっきの場合、次の条件を使用すること
ができる： （ピロリン酸銅めっき条件） ピロリン酸銅 ：８０〜１００ｇ／ｌ ピロリン酸カリウム：３００〜４００ｇ／ｌ アンモニア ：２．５〜５．０ml／ｌ 添加剤 ：適量 ｐＨ ：８．４〜９．０ 温度 ：４５〜５５℃ 電流密度 ：２．０〜３．５Ａ／ｄｍ2
き絶縁体基板をカソード電極として電解法により該絶縁
体基板上に銅、ニッケル、白金族金属、金、銀等の貴金
属、はんだ等の金属皮膜が形成される。使用する浴は、
従来から使用されているめっき浴がいずれも使用でき
る。例えば、銅めっきの場合、次の条件を使用すること
ができる： （ピロリン酸銅めっき条件） ピロリン酸銅 ：８０〜１００ｇ／ｌ ピロリン酸カリウム：３００〜４００ｇ／ｌ アンモニア ：２．５〜５．０ml／ｌ 添加剤 ：適量 ｐＨ ：８．４〜９．０ 温度 ：４５〜５５℃ 電流密度 ：２．０〜３．５Ａ／ｄｍ2
【００１８】この後、パターン化、表面処理、追加的な
皮膜形成その他の所要の処理が行われる。
皮膜形成その他の所要の処理が行われる。
【００１９】
【実施例１】アルミナ基板（９６％Ａｌ2 Ｏ3 、５ｃｍ
×５ｃｍ角）上に銅をメタライズする実施例を示す。ア
ルミナ基板を１ mol／ｌのＺｎＣｌ2 ＋３．５ mol／ｌ
のＮａＯＨ＋５０ｍｌの２５％アンモニア水溶液に６０
℃で３ｈｒ浸漬することにより酸化亜鉛成膜を形成し
た。
×５ｃｍ角）上に銅をメタライズする実施例を示す。ア
ルミナ基板を１ mol／ｌのＺｎＣｌ2 ＋３．５ mol／ｌ
のＮａＯＨ＋５０ｍｌの２５％アンモニア水溶液に６０
℃で３ｈｒ浸漬することにより酸化亜鉛成膜を形成し
た。
【００２０】無電解めっきの前処理として次の工程を実
施した： （ａ）コンディショニング：ジャパンエナジー製、商品
名ＣＰ−１０２５コンディショナーを使用し、７０℃で
５分間実施。 （ｂ）水洗 （ｃ）プレディップ：ジャパンエナジー製、商品名ＣＰ
−３０４０プレディップ液を使用し、２５℃で１分間実
施。 （ｄ）触媒付与：ジャパンエナジー製、商品名ＣＰ−３
３４０触媒液を使用し、６０℃で５分間実施。 （ｅ）水洗 （ｆ）還元：ジャパンエナジー製、商品名ＣＰ−４０４
１還元液を使用し、２５℃で５分間実施。 （ｇ）水洗
施した： （ａ）コンディショニング：ジャパンエナジー製、商品
名ＣＰ−１０２５コンディショナーを使用し、７０℃で
５分間実施。 （ｂ）水洗 （ｃ）プレディップ：ジャパンエナジー製、商品名ＣＰ
−３０４０プレディップ液を使用し、２５℃で１分間実
施。 （ｄ）触媒付与：ジャパンエナジー製、商品名ＣＰ−３
３４０触媒液を使用し、６０℃で５分間実施。 （ｅ）水洗 （ｆ）還元：ジャパンエナジー製、商品名ＣＰ−４０４
１還元液を使用し、２５℃で５分間実施。 （ｇ）水洗
【００２１】次いで、薄付け無電解めっきを次の条件で
行った： （薄付け無電解銅めっき条件） ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ ：１０ｇ／ｌ ＮａＯＨ ：１０ｇ／ｌ ＨＣＨＯ ：３７％溶液を１５ｍｌ／ｌ ＥＤＴＡ・４Ｎａ・４Ｈ2 Ｏ：３０ｇ／ｌ 添加剤 ：適量 温度及び時間 ：２５℃×１５分 薄付け無電解銅めっき皮膜の密着性は良好であった。
行った： （薄付け無電解銅めっき条件） ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ ：１０ｇ／ｌ ＮａＯＨ ：１０ｇ／ｌ ＨＣＨＯ ：３７％溶液を１５ｍｌ／ｌ ＥＤＴＡ・４Ｎａ・４Ｈ2 Ｏ：３０ｇ／ｌ 添加剤 ：適量 温度及び時間 ：２５℃×１５分 薄付け無電解銅めっき皮膜の密着性は良好であった。
【００２２】
【実施例２】実施例１に続いて、水洗後、ピロリン酸銅
めっき浴を使用して銅の電解めっきを行った。電解めっ
き条件は次の通りとした： （ピロリン酸銅電解めっき条件） ピロリン酸銅 ：９０ｇ／ｌ ピロリン酸カリウム：３５０ｇ／ｌ アンモニア ：３ml／ｌ 添加剤 ：適量 ｐＨ ：８．８ 温度 ：５０℃ 電流密度 ：２．８Ａ／ｄｍ2
めっき浴を使用して銅の電解めっきを行った。電解めっ
き条件は次の通りとした： （ピロリン酸銅電解めっき条件） ピロリン酸銅 ：９０ｇ／ｌ ピロリン酸カリウム：３５０ｇ／ｌ アンモニア ：３ml／ｌ 添加剤 ：適量 ｐＨ ：８．８ 温度 ：５０℃ 電流密度 ：２．８Ａ／ｄｍ2
【００２３】水洗後、上記条件で作成したサンプルを２
ｍｍ×２ｍｍにパターニングしプルテストを行った。そ
の結果、密着強度は２ｍｍ角で４ｋｇｆであった。
ｍｍ×２ｍｍにパターニングしプルテストを行った。そ
の結果、密着強度は２ｍｍ角で４ｋｇｆであった。
【００２４】
【発明の効果】酸化亜鉛のような金属酸化物が成膜され
たとき、表面が適度に荒れているため粗化の必要がな
い。従って、市販の触媒液を使用できるため管理が容易
で液寿命が長い。低温プロセスであるため、低融点物質
をメタライズできる。また、物理蒸着法と比して低コス
トである。基板の粗化が不要なので、メタライズ層のフ
ァインパターン化が可能でありまたメタライズ層のふく
れがおこりにくい。
たとき、表面が適度に荒れているため粗化の必要がな
い。従って、市販の触媒液を使用できるため管理が容易
で液寿命が長い。低温プロセスであるため、低融点物質
をメタライズできる。また、物理蒸着法と比して低コス
トである。基板の粗化が不要なので、メタライズ層のフ
ァインパターン化が可能でありまたメタライズ層のふく
れがおこりにくい。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/18 Ｂ 7511−4Ｅ
Claims (10)
- 【請求項１】 アルカリ水溶液中で金属酸化物を構成す
る金属の金属錯体を形成し、該金属錯体を含む溶液に絶
縁体基板を接触させ、該金属錯体を熱分解させることに
より該絶縁体基板上に金属酸化物皮膜を形成し、その
後、該金属酸化物皮膜上にアルカリ触媒溶液中でパラジ
ウムを付与した後、無電解めっき液中で金属皮膜を形成
することを特徴とする絶縁体のメタライズ方法。 - 【請求項２】 アルカリ水溶液中で金属酸化物を構成す
る金属の金属錯体を形成し、該金属錯体を含む溶液に絶
縁体基板を接触させ、該金属錯体を熱分解させることに
より該絶縁体基板上に金属酸化物皮膜を形成し、その
後、該金属酸化物皮膜上にアルカリ触媒溶液中でパラジ
ウムを付与した後、無電解めっき液中で金属皮膜を形成
し、さらに電気めっきにより金属皮膜を形成することを
特徴とする絶縁体のメタライズ方法。 - 【請求項３】 金属酸化物皮膜がＺｎＯ、ＳｎＯ2 、Ｔ
ｉＯ2 、及びＩｎ2Ｏ3 のうちから選ばれた１種または
複数種の混合物であることを特徴とする請求項１または
２の絶縁体のメタライズ方法。 - 【請求項４】 金属錯体を形成するための錯化剤がトリ
エタノールアミンまたはアンモニアであることを特徴と
する請求項１〜３のいずれかの絶縁体のメタライズ方
法。 - 【請求項５】 アルカリ水溶液中で亜鉛の水酸化物を形
成し、該水酸化物にトリエタノールアミンまたはアンモ
ニアから選択される錯化剤を加えることにより亜鉛錯体
を形成し、該亜鉛錯体を含む溶液に絶縁体基板を接触さ
せ、該亜鉛錯体を熱分解させることにより該絶縁体基板
上に酸化亜鉛皮膜を形成し、その後、該酸化亜鉛皮膜上
にアルカリ触媒溶液中でパラジウムを付与した後、無電
解めっき液中で金属皮膜を形成することを特徴とする絶
縁体のメタライズ方法。 - 【請求項６】 アルカリ水溶液中で亜鉛の水酸化物を形
成し、該水酸化物にトリエタノールアミンまたはアンモ
ニアから選択される錯化剤を加えることにより亜鉛錯体
を形成し、該亜鉛錯体を含む溶液に絶縁体基板を接触さ
せ、該亜鉛錯体を熱分解させることにより該絶縁体基板
上に酸化亜鉛皮膜を形成し、その後、該酸化亜鉛皮膜上
にアルカリ触媒溶液中でパラジウムを付与した後、無電
解めっき液中で金属皮膜を形成し、さらに電気めっきに
より金属皮膜を形成することを特徴とする絶縁体のメタ
ライズ方法。 - 【請求項７】 絶縁体がセラミックスであることを特徴
とする請求項１〜６のいずれか絶縁体のメタライズ方
法。 - 【請求項８】 絶縁体がガラスであることを特徴とする
請求項１〜６のいずれか絶縁体のメタライズ方法。 - 【請求項９】 絶縁体がプラスチックであることを特徴
とする請求項１〜６のいずれか絶縁体のメタライズ方
法。 - 【請求項１０】 絶縁体がプリント配線板用基板である
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか絶縁体のメタ
ライズ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31237094A JPH08144061A (ja) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | 絶縁体のメタライズ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31237094A JPH08144061A (ja) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | 絶縁体のメタライズ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08144061A true JPH08144061A (ja) | 1996-06-04 |
Family
ID=18028445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31237094A Withdrawn JPH08144061A (ja) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | 絶縁体のメタライズ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08144061A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001158991A (ja) * | 1999-12-02 | 2001-06-12 | Ishihara Chem Co Ltd | チタン用の電気メッキ前処理液、並びに当該液を用いた電気メッキ前処理方法 |
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-
1994
- 1994-11-24 JP JP31237094A patent/JPH08144061A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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