JPH01210871A - 表面電位分布と対応する電気信号の発生装置 - Google Patents
表面電位分布と対応する電気信号の発生装置Info
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- JPH01210871A JPH01210871A JP63035524A JP3552488A JPH01210871A JP H01210871 A JPH01210871 A JP H01210871A JP 63035524 A JP63035524 A JP 63035524A JP 3552488 A JP3552488 A JP 3552488A JP H01210871 A JPH01210871 A JP H01210871A
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- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
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- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は表面電位分布と対応する電気４３号の発生′４
Ａ置に関する。
Ａ置に関する。
（従来の技術）
表面電位を検出する手段としては従来から各種の直流型
表面電位計や交流型表面電位計などで採用されている各
種の手段が知られている。
表面電位計や交流型表面電位計などで採用されている各
種の手段が知られている。
（発明が解決しようとする問題点）
ところが、従来の表面電位計は被検出体の表面の１個所
の表面電位を測定するものであり、被検出体の表面に１
次元的または２次元的に形成された電荷像と対応する電
気信号を取出すような目的には適していなかった。
の表面電位を測定するものであり、被検出体の表面に１
次元的または２次元的に形成された電荷像と対応する電
気信号を取出すような目的には適していなかった。
ところで、近年になって高画質・高解像度の再生画像に
対する要望が高まるのに応じて、テレビジョン方式につ
いても、いわゆるＥＤＴＶ、ＨＤＴＶなどの新しい諸方
式が提案されて来ていることも周知のとおりであるが、
高画質・高解像度の再生画像が得られるようにするため
には、高画質・高解像度の再生画像を再生させうるよう
な映像信号を発生させることのできる撮像装置が必要と
されるが、撮像素子として撮像管が使用されている撮像
装置においては、撮像管における電子ビーム径の微小化
に限界があるために、電子ビーム径の微小化による高解
像度化が望めないこと、及び、撮像管のターゲット容量
はターゲット面積と対応して増大するものであるために
、ターゲット面精の増大による高解像度化も実現するこ
とができないこと、また、例えば動画の撮像装置の場合
には高解像度化に伴って映像信号の周波数帯域が数十Ｍ
）Ｔ ｚ〜数百Ｍ Ｈｚ以上にもなるためにＳ／Ｎの
点で問題になる、等の理由によって、撮像装置により高
画質・高解像度の再生画像を再生させうるような映像信
号を発生させることは困難である。
対する要望が高まるのに応じて、テレビジョン方式につ
いても、いわゆるＥＤＴＶ、ＨＤＴＶなどの新しい諸方
式が提案されて来ていることも周知のとおりであるが、
高画質・高解像度の再生画像が得られるようにするため
には、高画質・高解像度の再生画像を再生させうるよう
な映像信号を発生させることのできる撮像装置が必要と
されるが、撮像素子として撮像管が使用されている撮像
装置においては、撮像管における電子ビーム径の微小化
に限界があるために、電子ビーム径の微小化による高解
像度化が望めないこと、及び、撮像管のターゲット容量
はターゲット面積と対応して増大するものであるために
、ターゲット面精の増大による高解像度化も実現するこ
とができないこと、また、例えば動画の撮像装置の場合
には高解像度化に伴って映像信号の周波数帯域が数十Ｍ
）Ｔ ｚ〜数百Ｍ Ｈｚ以上にもなるためにＳ／Ｎの
点で問題になる、等の理由によって、撮像装置により高
画質・高解像度の再生画像を再生させうるような映像信
号を発生させることは困難である。
このように、従来の撮像装置はそれの構成のために不可
欠な撮像素子の存在によって、高画質・高解像度の再生
画像を再生させうるような映像信号を良好に発生させる
ことはできなかったが、前記の点を解決するために１本
出願人会社では先に。
欠な撮像素子の存在によって、高画質・高解像度の再生
画像を再生させうるような映像信号を良好に発生させる
ことはできなかったが、前記の点を解決するために１本
出願人会社では先に。
光−光変換素子を用いた撮像装置によって高解像度の光
学像を得るとともに、その光学像を光−電荷変換素子を
用いて電荷蓄積層を有する記録媒体に高解像度を有する
電荷像として記録させるようにした撮像方式ならびに記
録方式についての提案を行った。
学像を得るとともに、その光学像を光−電荷変換素子を
用いて電荷蓄積層を有する記録媒体に高解像度を有する
電荷像として記録させるようにした撮像方式ならびに記
録方式についての提案を行った。
ところが、前記した既提案方式によって記録された電荷
像は、従来の一般的な表面電位計を使用しても電荷像と
対応する時系列的な電気信号として取出すことができな
いので、電荷像を時系列的な電気信号として容易に取出
すことのできる電気信号発生装置の出現が強く要望され
た。
像は、従来の一般的な表面電位計を使用しても電荷像と
対応する時系列的な電気信号として取出すことができな
いので、電荷像を時系列的な電気信号として容易に取出
すことのできる電気信号発生装置の出現が強く要望され
た。
（問題点を解決するための手段）
本発明は被検出体の複数個所における個々の個所の表面
電位と対応して静電誘導によって生じた電圧が個別にゲ
ート電極に与えられる複数の電圧検出用電界効果トラン
ジスタと、前記した複数の電圧検出用電界効果トランジ
スタの出力信号を個別に開閉制御するアナログ・スイッ
チング手段と、前記した被検出体の複数個所における個
々の個所の表面電位と対応して静電誘導によって生じた
電圧と対応する電圧が予め定められた順序にアナログ・
スイッチング手段を介して共通の出力線に送出されるよ
うに、前記したアナログ・スイッチング手段に開閉制御
信号を供給する手段とを備えてなる表面電位分布と対応
する電気信号の発生装置を提供するものである。
電位と対応して静電誘導によって生じた電圧が個別にゲ
ート電極に与えられる複数の電圧検出用電界効果トラン
ジスタと、前記した複数の電圧検出用電界効果トランジ
スタの出力信号を個別に開閉制御するアナログ・スイッ
チング手段と、前記した被検出体の複数個所における個
々の個所の表面電位と対応して静電誘導によって生じた
電圧と対応する電圧が予め定められた順序にアナログ・
スイッチング手段を介して共通の出力線に送出されるよ
うに、前記したアナログ・スイッチング手段に開閉制御
信号を供給する手段とを備えてなる表面電位分布と対応
する電気信号の発生装置を提供するものである。
（実施例）
以下、添付図面を参照して本発明の表面電位分布と対応
する電気信号の発生装置の具体的な内容について詳細に
説明する。第１図は本発明の表面電位分布と対応する電
気信号の発生装置の一実施例の概略構成を示すブロック
図であり、また、第２図と第５図及び第８図ならびに第
９図は検出用電極を設けて構成されている構造体（検出
ヘッド）の構成例を示す図、第３図は動作説明用の波形
図、第４図及び第６図ならびに第７図は動作説明用の一
部の側面図、第１０図は動作説明用の斜視図である。
する電気信号の発生装置の具体的な内容について詳細に
説明する。第１図は本発明の表面電位分布と対応する電
気信号の発生装置の一実施例の概略構成を示すブロック
図であり、また、第２図と第５図及び第８図ならびに第
９図は検出用電極を設けて構成されている構造体（検出
ヘッド）の構成例を示す図、第３図は動作説明用の波形
図、第４図及び第６図ならびに第７図は動作説明用の一
部の側面図、第１０図は動作説明用の斜視図である。
第１図においてＥ ＤＩ、 Ｅ Ｄ２． Ｅ Ｄ３−Ｅ
Ｄｎは微小な相互間隔で等間隔に配列されている微小
な電圧検出用電極であり、これらの電圧検出用電極Ｅ
Ｄｉ、 Ｅ Ｄ２． Ｅ Ｄ３−＝Ｅ Ｄｎは、それぞ
れ個別の接続線Ｑ １． Ｑ ２． Ｑ ３・・・Ｑｎ
によって電圧検出用電界効果トランジスタＤＰＩ、ＤＦ
２．ＤＦ３・・・ＤＦｎのゲー１へ電極に接続されてい
る。
Ｄｎは微小な相互間隔で等間隔に配列されている微小
な電圧検出用電極であり、これらの電圧検出用電極Ｅ
Ｄｉ、 Ｅ Ｄ２． Ｅ Ｄ３−＝Ｅ Ｄｎは、それぞ
れ個別の接続線Ｑ １． Ｑ ２． Ｑ ３・・・Ｑｎ
によって電圧検出用電界効果トランジスタＤＰＩ、ＤＦ
２．ＤＦ３・・・ＤＦｎのゲー１へ電極に接続されてい
る。
前記した各電圧検出用電界効果トランジスタＤＦｌ、Ｄ
Ｆ２．ＤＦ３・・・ＤＦｎのドレイン電極は動作用電源
Ｖに対して共通に接続されていて、一定の電圧が供給さ
れており、また、前記した各電圧検出用電界効果トラン
ジスタＤＰＩ、ＤＦ２．ＤＦ３・・・ＤＦｎのソース電
極は、それぞれ個別のスイッチング用電界効果トランジ
スタＳＦＩ、ＳＦ２．ＳＦ３・・・ＳＦｎにおける対応
するもののドレイン電極に接続されており、さらに前記
の個別のスイッチング用電界効果トランジスタＳＦＩ、
ＳＦ２．ＳＦ３・・・ＳＦｎにおける各ソース電極は共
通に接続されて出力端子１に接続されている。第１図中
のＲｅは負荷抵抗を示している。
Ｆ２．ＤＦ３・・・ＤＦｎのドレイン電極は動作用電源
Ｖに対して共通に接続されていて、一定の電圧が供給さ
れており、また、前記した各電圧検出用電界効果トラン
ジスタＤＰＩ、ＤＦ２．ＤＦ３・・・ＤＦｎのソース電
極は、それぞれ個別のスイッチング用電界効果トランジ
スタＳＦＩ、ＳＦ２．ＳＦ３・・・ＳＦｎにおける対応
するもののドレイン電極に接続されており、さらに前記
の個別のスイッチング用電界効果トランジスタＳＦＩ、
ＳＦ２．ＳＦ３・・・ＳＦｎにおける各ソース電極は共
通に接続されて出力端子１に接続されている。第１図中
のＲｅは負荷抵抗を示している。
前記の個別のスイッチング用電界効果トランジスタＳ
Ｆｌ、 Ｓ Ｆ２．Ｓ Ｆ３−８ Ｆ ｎにおける各ゲ
ート電極には、シフトレジスタＳＲからスイッチングパ
ルスＰｉ、Ｐ２．Ｐ３・・・Ｐｎが供給されているが、
前記したシフトレジスタＳＲから出力されるスイッチン
グパルスＰＬ、Ｐ２．Ｐ３・・・Ｐｎは、第３図に例示
されている波形図から明らかなように、シフトレジスタ
ＳＲのクロック端子２に供給されている第３図の（ａ）
に示されているクロック信号Ｐｃによって、第３図の（
ｂ）〜（ｄ）に例示されているように時間軸上でＰＩ→
Ｐ２→Ｐ３→・・・のように順次にシフトレジスタＳＲ
から出力されるから、前記した個別のスイッチング用電
界効果トランジスタＳ Ｆｌ、 Ｓ Ｆ２．Ｓ Ｆ３−
８ Ｆ ｎの内の選択された次々の１個のものが時間軸
」二で順次にオンの状態にされて行く。
Ｆｌ、 Ｓ Ｆ２．Ｓ Ｆ３−８ Ｆ ｎにおける各ゲ
ート電極には、シフトレジスタＳＲからスイッチングパ
ルスＰｉ、Ｐ２．Ｐ３・・・Ｐｎが供給されているが、
前記したシフトレジスタＳＲから出力されるスイッチン
グパルスＰＬ、Ｐ２．Ｐ３・・・Ｐｎは、第３図に例示
されている波形図から明らかなように、シフトレジスタ
ＳＲのクロック端子２に供給されている第３図の（ａ）
に示されているクロック信号Ｐｃによって、第３図の（
ｂ）〜（ｄ）に例示されているように時間軸上でＰＩ→
Ｐ２→Ｐ３→・・・のように順次にシフトレジスタＳＲ
から出力されるから、前記した個別のスイッチング用電
界効果トランジスタＳ Ｆｌ、 Ｓ Ｆ２．Ｓ Ｆ３−
８ Ｆ ｎの内の選択された次々の１個のものが時間軸
」二で順次にオンの状態にされて行く。
それで、それぞれ個別の接続線Ｑ １． Ｑ ２． Ｑ
３・・・ｆｉｎによって電圧検出用電界効果トランジ
スタＤＦｌ、ＤＦ２．ＤＦ３−ＤＦｎのゲート電極に接
続されている複数の電圧検出用電極ＥＩ）！、 ＥＤ２
． ＥＤ３・・・ＥＤｎに生じている被検出体の複数個
所における個々の個所の表面電位と対応する電圧は、前
記した複数の電圧検出用電界効果１〜ランジスタＤＦｌ
、 Ｄ Ｆ２． Ｄ Ｆ３・＝Ｄ Ｆｎのソース側から
、それぞれ対応する個別のスイッチング用電界効果１〜
ランジスタＳ Ｆｌ、 Ｓ Ｆ２．Ｓ Ｆ３−８ Ｆ’
ｎのドレインに供給されているから、前記したシフト
レジ；（りＳＲからスイッチングパルスＰＬ、Ｐ２．
Ｆ３・・が順次に出力されるのに従って次々にオンの状
態にされる個別のスイッチング用電界効果トランジスタ
Ｓ Ｆｌ、 Ｓ Ｆ２． Ｓ Ｆ３− Ｓ Ｆ ｎのソ
ース側からは、被検出体の複数個所における個々の個所
の表面電位と対応して静電誘導によって個別の電圧検出
用電極ＥＤＩｖＥＤ２．ＥＤ３−・・ＥＤｎに生じた電
圧と対応している電圧が、時間軸上に直列的に出力端子
１に送出されることになる。
３・・・ｆｉｎによって電圧検出用電界効果トランジ
スタＤＦｌ、ＤＦ２．ＤＦ３−ＤＦｎのゲート電極に接
続されている複数の電圧検出用電極ＥＩ）！、 ＥＤ２
． ＥＤ３・・・ＥＤｎに生じている被検出体の複数個
所における個々の個所の表面電位と対応する電圧は、前
記した複数の電圧検出用電界効果１〜ランジスタＤＦｌ
、 Ｄ Ｆ２． Ｄ Ｆ３・＝Ｄ Ｆｎのソース側から
、それぞれ対応する個別のスイッチング用電界効果１〜
ランジスタＳ Ｆｌ、 Ｓ Ｆ２．Ｓ Ｆ３−８ Ｆ’
ｎのドレインに供給されているから、前記したシフト
レジ；（りＳＲからスイッチングパルスＰＬ、Ｐ２．
Ｆ３・・が順次に出力されるのに従って次々にオンの状
態にされる個別のスイッチング用電界効果トランジスタ
Ｓ Ｆｌ、 Ｓ Ｆ２． Ｓ Ｆ３− Ｓ Ｆ ｎのソ
ース側からは、被検出体の複数個所における個々の個所
の表面電位と対応して静電誘導によって個別の電圧検出
用電極ＥＤＩｖＥＤ２．ＥＤ３−・・ＥＤｎに生じた電
圧と対応している電圧が、時間軸上に直列的に出力端子
１に送出されることになる。
したがって２例えば第２図示のように複数の電圧検出用
電極Ｅ Ｄｉ、 Ｅ Ｄ２． Ｅ Ｄ３−＝Ｅ Ｄｎが
１直線上に配列しているように設けられている検出ヘッ
ドと被検出体とを、前記した複数の電圧検出用電極ＥＤ
ｌ、ＥＤ２．ＥＤ３・＝ＥＤｎが整列している方向と直
交する方向に相対的に移動させると、被検出体に形成さ
れている２次元的な電荷像と対応している時系列的な電
気信号が出力端子１に送出されることになる。 □ また、検出ヘッドとして複数の電圧検出用電極ＥＤ、Ｅ
Ｄ、ＥＤ・・・ＥＤが２次元的に配列されている第９図
示のような構成態様のものが使用された場合には、２個
のシフトレジスタを使用して直交する２方向で電圧検出
用電極ＥＤ、ＥＤ、ＥＤ・・・ＥＤの１つずつが選択さ
れるようにする周知の技術手段を適用することにより、
検出ヘッドと被検出体との相対的な位置関係を固定とし
たままで、被検出体に形成されている２次元的な電荷像
と対応している時系列的な電気信号が出力端子１に送出
できることはいうまでもない。
電極Ｅ Ｄｉ、 Ｅ Ｄ２． Ｅ Ｄ３−＝Ｅ Ｄｎが
１直線上に配列しているように設けられている検出ヘッ
ドと被検出体とを、前記した複数の電圧検出用電極ＥＤ
ｌ、ＥＤ２．ＥＤ３・＝ＥＤｎが整列している方向と直
交する方向に相対的に移動させると、被検出体に形成さ
れている２次元的な電荷像と対応している時系列的な電
気信号が出力端子１に送出されることになる。 □ また、検出ヘッドとして複数の電圧検出用電極ＥＤ、Ｅ
Ｄ、ＥＤ・・・ＥＤが２次元的に配列されている第９図
示のような構成態様のものが使用された場合には、２個
のシフトレジスタを使用して直交する２方向で電圧検出
用電極ＥＤ、ＥＤ、ＥＤ・・・ＥＤの１つずつが選択さ
れるようにする周知の技術手段を適用することにより、
検出ヘッドと被検出体との相対的な位置関係を固定とし
たままで、被検出体に形成されている２次元的な電荷像
と対応している時系列的な電気信号が出力端子１に送出
できることはいうまでもない。
第２図示の検出ヘッドは、複数の電圧検出用電極Ｅ Ｄ
ｌ、 Ｅ Ｄ２． Ｅ Ｄ３−Ｅ Ｄｎや接続線Ｑ１〜
Ｑｎなどを周知の薄膜技術によって基体Ｂ １）に形成
させた構成態様のものである（この点は第５図及び第８
図ならびに第９図示の検出ヘッドについても同様である
）。
ｌ、 Ｅ Ｄ２． Ｅ Ｄ３−Ｅ Ｄｎや接続線Ｑ１〜
Ｑｎなどを周知の薄膜技術によって基体Ｂ １）に形成
させた構成態様のものである（この点は第５図及び第８
図ならびに第９図示の検出ヘッドについても同様である
）。
これまでの説明では、検出ヘッドに設けられる電圧検出
用の電極によって被検出体の表面電位を検出し、それを
電圧検出用電界効果トランジスタのゲート電極に接続線
を介して供給するものとされていたが、本発明の実施に
当っては電圧検出用電界効果トランジスタのゲート電極
を電圧検出用のＮ、極に兼用させた構成としてもよい。
用の電極によって被検出体の表面電位を検出し、それを
電圧検出用電界効果トランジスタのゲート電極に接続線
を介して供給するものとされていたが、本発明の実施に
当っては電圧検出用電界効果トランジスタのゲート電極
を電圧検出用のＮ、極に兼用させた構成としてもよい。
前記のような第１図示の本発明の表面電位分布と対応す
る電気信号の発生装置においては、被検出体の表面電位
と対応する電圧を静電誘導現象によって微小な大きさの
電圧検出用電極に発生させるようにしているために、電
圧検出用電極ＥＤＩ。
る電気信号の発生装置においては、被検出体の表面電位
と対応する電圧を静電誘導現象によって微小な大きさの
電圧検出用電極に発生させるようにしているために、電
圧検出用電極ＥＤＩ。
ＥＤ２．ＥＤ３・・・ＥＤｎと電圧検出用電界効果トラ
ンジスタＤＰＩ、１）Ｆ２．ＤＦ３・・ＤＦｎとの間を
接続している接続線Ｉｌｌ、Ｒ，２，Ｑ３・・Ｑｎに、
外部の電界に基づいて静電誘導により電圧が発生した場
合には被検出体の電荷像と正確に対応している電気信号
を発生できないことになる。
ンジスタＤＰＩ、１）Ｆ２．ＤＦ３・・ＤＦｎとの間を
接続している接続線Ｉｌｌ、Ｒ，２，Ｑ３・・Ｑｎに、
外部の電界に基づいて静電誘導により電圧が発生した場
合には被検出体の電荷像と正確に対応している電気信号
を発生できないことになる。
第４図及び第５図は、前記のように電圧検出用電極ＥＤ
Ｉ、ＥＤ２．ＥＤ３−ＥＤｎと電圧検出用電界効果トラ
ンジスタＤ Ｆｌ、 Ｄ Ｆ２． Ｄ Ｆ３・・・Ｄ
Ｆｎとの間を接続している接続線ｆｌ １． Ｑ ２．
ｆｌ ３・・・Ｑ、ｎに、外部の電界に基づいて静電
誘４により電圧が発生しないように接続線Ｑ１．Ｑ２．
Ｑ３・・・Ｑｎの部分に静電遮ＭＳを施した場合を説明
するための図であり、第４図中におけるブロックＥＤＣ
は、例えば第ｒ図中の電圧検出用電界効果トランジスタ
ＤＦＩ〜ＤＦｎ、スイッチング用電界効果Ｉ−ランジス
タ５Ｆｌ−８Ｆｎ、シフ１〜レジスタＳＲ１負荷抵抗Ｒ
Ｑなどを含んで構成さ九でいる回路部分と対応するよう
な構成を有する回路を示している。
Ｉ、ＥＤ２．ＥＤ３−ＥＤｎと電圧検出用電界効果トラ
ンジスタＤ Ｆｌ、 Ｄ Ｆ２． Ｄ Ｆ３・・・Ｄ
Ｆｎとの間を接続している接続線ｆｌ １． Ｑ ２．
ｆｌ ３・・・Ｑ、ｎに、外部の電界に基づいて静電
誘４により電圧が発生しないように接続線Ｑ１．Ｑ２．
Ｑ３・・・Ｑｎの部分に静電遮ＭＳを施した場合を説明
するための図であり、第４図中におけるブロックＥＤＣ
は、例えば第ｒ図中の電圧検出用電界効果トランジスタ
ＤＦＩ〜ＤＦｎ、スイッチング用電界効果Ｉ−ランジス
タ５Ｆｌ−８Ｆｎ、シフ１〜レジスタＳＲ１負荷抵抗Ｒ
Ｑなどを含んで構成さ九でいる回路部分と対応するよう
な構成を有する回路を示している。
第５図は複数の電圧検出用電極ＥＤＩ、 Ｅ、Ｄ２゜Ｅ
Ｄ３・・・や接続ａＱ１−Ｑｎなどを周知の薄膜技術に
よって基体ＢＰに形成させた後に、接続ｆｉＱｔ〜Ｑｎ
の部分に絶縁物質層Ｔ Ｌを付着させ１次いで、基体Ｂ
Ｐの−Ｆ面に静電遮蔽のための導電物質層Ｓを付着させ
た構成の検出ヘッドを示している。
Ｄ３・・・や接続ａＱ１−Ｑｎなどを周知の薄膜技術に
よって基体ＢＰに形成させた後に、接続ｆｉＱｔ〜Ｑｎ
の部分に絶縁物質層Ｔ Ｌを付着させ１次いで、基体Ｂ
Ｐの−Ｆ面に静電遮蔽のための導電物質層Ｓを付着させ
た構成の検出ヘッドを示している。
ところで、前記した検出ヘッドによって被検出体の表面
電位分布を高い分解能で検出しようとする場合には、当
然のことながら検出ヘッドに設けられるべき極めて微小
な面積を有する複数の電圧検出用電極ＥＤＩ、ＥＤ２．
ＥＤ３・・・が極めて微小な間隔で整列されている状態
のものとなされる。
電位分布を高い分解能で検出しようとする場合には、当
然のことながら検出ヘッドに設けられるべき極めて微小
な面積を有する複数の電圧検出用電極ＥＤＩ、ＥＤ２．
ＥＤ３・・・が極めて微小な間隔で整列されている状態
のものとなされる。
そのために、ある特定な電圧検出用電極によって検出さ
れるべき被検出体○の表面の電荷による電界が、第６図
中の点線図示のように隣接する電圧検出用電極でも検出
されるようになり、そのために被検出体の電荷像と正確
に対応している電気信号を発生できないことになること
も起こる。
れるべき被検出体○の表面の電荷による電界が、第６図
中の点線図示のように隣接する電圧検出用電極でも検出
されるようになり、そのために被検出体の電荷像と正確
に対応している電気信号を発生できないことになること
も起こる。
第７図乃至第９図は、第６図を参照して記述したように
、ある特定な電圧検出用電極によって検出されるべき被
検出体Ｏの表面の電荷による電界が、その電圧検出用電
極に隣接している電圧検出用電極では検出されることが
ないように、隣接する電圧検出用電極の間の部分に静電
遮ＷｉＳを施すような構成とした検出ヘッドを説明する
ための図である。
、ある特定な電圧検出用電極によって検出されるべき被
検出体Ｏの表面の電荷による電界が、その電圧検出用電
極に隣接している電圧検出用電極では検出されることが
ないように、隣接する電圧検出用電極の間の部分に静電
遮ＷｉＳを施すような構成とした検出ヘッドを説明する
ための図である。
第８図は複数の電圧検出用電ｌ４ＥＤ１．ＥＤ２゜ＥＤ
３・・・や接続線Ｑｌ−Ｑｎなどを周知の薄膜技術によ
って基体ＢＰに形成させた後に、接続ｓＱｌ〜Ｑｎの部
分に絶縁物質層ＩＬを付着させ、次いで、基体ＢＰの上
面と、基体ＢＰの電圧検出用電極ＥＤＩ、ＥＤ２．ＥＤ
３・・・の形成面における電圧検出用電極ＥＤＩ、ＥＤ
２．ＥＤ３・・・の形成部分とその周囲の僅かな部分と
を除く部分とに静電遮蔽のための導電物質層Ｓを付着さ
せた構成の検出へラドを示している。
３・・・や接続線Ｑｌ−Ｑｎなどを周知の薄膜技術によ
って基体ＢＰに形成させた後に、接続ｓＱｌ〜Ｑｎの部
分に絶縁物質層ＩＬを付着させ、次いで、基体ＢＰの上
面と、基体ＢＰの電圧検出用電極ＥＤＩ、ＥＤ２．ＥＤ
３・・・の形成面における電圧検出用電極ＥＤＩ、ＥＤ
２．ＥＤ３・・・の形成部分とその周囲の僅かな部分と
を除く部分とに静電遮蔽のための導電物質層Ｓを付着さ
せた構成の検出へラドを示している。
また、第９図は検出ヘッドの基体ＢＰに複数の電圧検出
用電極ＥＤ、ＥＤ、ＥＤ・・・や接続線などを周知の薄
膜技術によって基体ＢＰに形成させた後に、接続線Ｑ１
〜Ｑｎの部分に絶縁物質層ＩＬを付着させ１次いで、基
体ＢＰの電圧検出用電極ＥＤ、ＥＤ、ＥＤ・・・の形成
面における電圧検出用電極ＥＤ、ＥＤ、ＥＤ・・・の形
成部分とその周囲の僅かな部分とを除く部分に静電遮蔽
のための導電物質層Ｓを付着させた構成の検出ヘッドを
示している。
用電極ＥＤ、ＥＤ、ＥＤ・・・や接続線などを周知の薄
膜技術によって基体ＢＰに形成させた後に、接続線Ｑ１
〜Ｑｎの部分に絶縁物質層ＩＬを付着させ１次いで、基
体ＢＰの電圧検出用電極ＥＤ、ＥＤ、ＥＤ・・・の形成
面における電圧検出用電極ＥＤ、ＥＤ、ＥＤ・・・の形
成部分とその周囲の僅かな部分とを除く部分に静電遮蔽
のための導電物質層Ｓを付着させた構成の検出ヘッドを
示している。
このように、隣接する電圧検出用電極の間の部分に静電
遮ＷｉＳを設けると、第７図に図示説明されているよう
に、ある特定な電圧検出用″、ｔＨ４によって検出され
るべき被検出体Ｏの表面の電荷による電界が、隣接する
電圧検出用′電極では検出されないようになり、そのた
めに被検出体の電荷像と正確に対応している電気信しが
発生できるのである。
遮ＷｉＳを設けると、第７図に図示説明されているよう
に、ある特定な電圧検出用″、ｔＨ４によって検出され
るべき被検出体Ｏの表面の電荷による電界が、隣接する
電圧検出用′電極では検出されないようになり、そのた
めに被検出体の電荷像と正確に対応している電気信しが
発生できるのである。
これまで述へたところから明らかなように、本発明の表
面電位分布と対応する電気信号の発生装置では、電圧検
出用１′！！極を被検出体０における表面に接近させて
、電圧検出用電極に被検出体○の表面電位から静電誘導
によって電圧を発生させるようにしているものであるか
ら、電圧検出用電極と被検出体○の表面との距離が変化
すると、電圧検出用電極に被検出体Ｏの表面電位から静
電誘導によって発生する電圧値が変動することになる。
面電位分布と対応する電気信号の発生装置では、電圧検
出用１′！！極を被検出体０における表面に接近させて
、電圧検出用電極に被検出体○の表面電位から静電誘導
によって電圧を発生させるようにしているものであるか
ら、電圧検出用電極と被検出体○の表面との距離が変化
すると、電圧検出用電極に被検出体Ｏの表面電位から静
電誘導によって発生する電圧値が変動することになる。
第１０図は被検出体Ｏの表面と電圧検出用の電極との距
離が、被検出体０と電圧検出用の電極とが第１０図中の
矢印Ｙ方向に相対的に移動されても一定に保持されるよ
うに、電圧検出用電極を設けである検出ヘッドＥＤＡと
被検出体Ｏの表面との間にスペーサＳＰＩ、ＳＰ２を介
在させた構成を示している。前記したスペーサＳＰＩ、
ＳＰ２の厚さは、電圧検出用電極の形状寸法と、電圧検
出用電極の配置間隔と、得ようとしている解像度とに応
じて所定のように定められる。
離が、被検出体０と電圧検出用の電極とが第１０図中の
矢印Ｙ方向に相対的に移動されても一定に保持されるよ
うに、電圧検出用電極を設けである検出ヘッドＥＤＡと
被検出体Ｏの表面との間にスペーサＳＰＩ、ＳＰ２を介
在させた構成を示している。前記したスペーサＳＰＩ、
ＳＰ２の厚さは、電圧検出用電極の形状寸法と、電圧検
出用電極の配置間隔と、得ようとしている解像度とに応
じて所定のように定められる。
一例を挙げて説明すると、電圧検出用電極が一辺が２０
ミクロンの正方形であり、電圧検出用電極が１０ミクロ
ンの間隔で配置されている場合に、３０本／ｍ＋＋＋の
解像度を得ようとするときの前記したスペーサＳｌ）］
、ＳＰ２としては、そのの厚さが３０ミクロン以下のも
のを使用すればよい。
ミクロンの正方形であり、電圧検出用電極が１０ミクロ
ンの間隔で配置されている場合に、３０本／ｍ＋＋＋の
解像度を得ようとするときの前記したスペーサＳｌ）］
、ＳＰ２としては、そのの厚さが３０ミクロン以下のも
のを使用すればよい。
（発明の効果）
以−ヒ、詳細に説明したところから明らかなように、本
発明の表面電位分布と対応する電気信号の発生装置は、
被検出体の複数個所における個々の個所の表面電位と対
応して静電誘導によって生じた電圧が個別にゲート電極
に与えられる複数の電圧検出用電界効果トランジスタと
、前記した複数の電圧検出用電界効果トランジスタの出
力（ｉｉ号を個別に開閉制御するアナログ・スイッチン
グ手段と、前記した被検出体の複数個所における個々の
個所の表面電位と対応して静ｔｌ￥導によって生じた電
圧と対応する電圧が予め定められた順序にアナログ・ス
イッチング手段を介して共通の出力線に送出されるよう
に、前記したアナログ・スイッチング手段に開閉制御信
号を供給する手段とをイイａえてなるものであるから、
この本発明の表面電位分布と対応する電気信号の発生装
置では５例えば記録媒体の表面に電荷像の形態で記録さ
れた情報を、電荷像と対応する時系列的な電気信号とし
て容易、かつ、正確に取出すことができるのであり、本
発明によれば既述した従来の問題点は良好に解決できる
のである。
発明の表面電位分布と対応する電気信号の発生装置は、
被検出体の複数個所における個々の個所の表面電位と対
応して静電誘導によって生じた電圧が個別にゲート電極
に与えられる複数の電圧検出用電界効果トランジスタと
、前記した複数の電圧検出用電界効果トランジスタの出
力（ｉｉ号を個別に開閉制御するアナログ・スイッチン
グ手段と、前記した被検出体の複数個所における個々の
個所の表面電位と対応して静ｔｌ￥導によって生じた電
圧と対応する電圧が予め定められた順序にアナログ・ス
イッチング手段を介して共通の出力線に送出されるよう
に、前記したアナログ・スイッチング手段に開閉制御信
号を供給する手段とをイイａえてなるものであるから、
この本発明の表面電位分布と対応する電気信号の発生装
置では５例えば記録媒体の表面に電荷像の形態で記録さ
れた情報を、電荷像と対応する時系列的な電気信号とし
て容易、かつ、正確に取出すことができるのであり、本
発明によれば既述した従来の問題点は良好に解決できる
のである。
第１図は本発明の表面電位分布と対応する電気信号の発
生装置の一実施例の概略構成を示すブロック図、第２図
と第５図及び第８図ならびに第９図は検出用電極を設け
た構造体（検出ヘッド）の構成例を示す図、第３図は動
作説明用の波形図、第４図及び第６図ならびに第７図は
動作説明用の一部の側面図、第１０図は動作説明用の斜
視図である。 ＥＤ、ＥＤＩ、ＥＤ２．ＥＤ３−ＥＤｎ−電圧検出用電
極、 Ｑ １． Ｑ ２． Ｑ ３− Ｑ ｎ−接続線
、ＤＦＬ、ＤＦ２．ＤＦ３・・・ＤＦｎ・・・電圧検出
用電界効果トランジスタ、Ｓ Ｆｌ、 Ｓ Ｆ２．Ｓ
Ｆ３〜Ｓ Ｆ ｎ−スイッチング用電界効果トランジス
タ、ＲＱ・・・負荷抵抗、ＳＲ・・・シフ］〜レジスタ
、Ｓ・・・静電遮蔽のための導電物質層、Ｏ・・・被検
出体、ＢＰ・・・基体、ＩＬ・・・絶縁物質層、１・・
・出力端子、 特許出願人 日本ビクター株式会社 １．Ｓ
生装置の一実施例の概略構成を示すブロック図、第２図
と第５図及び第８図ならびに第９図は検出用電極を設け
た構造体（検出ヘッド）の構成例を示す図、第３図は動
作説明用の波形図、第４図及び第６図ならびに第７図は
動作説明用の一部の側面図、第１０図は動作説明用の斜
視図である。 ＥＤ、ＥＤＩ、ＥＤ２．ＥＤ３−ＥＤｎ−電圧検出用電
極、 Ｑ １． Ｑ ２． Ｑ ３− Ｑ ｎ−接続線
、ＤＦＬ、ＤＦ２．ＤＦ３・・・ＤＦｎ・・・電圧検出
用電界効果トランジスタ、Ｓ Ｆｌ、 Ｓ Ｆ２．Ｓ
Ｆ３〜Ｓ Ｆ ｎ−スイッチング用電界効果トランジス
タ、ＲＱ・・・負荷抵抗、ＳＲ・・・シフ］〜レジスタ
、Ｓ・・・静電遮蔽のための導電物質層、Ｏ・・・被検
出体、ＢＰ・・・基体、ＩＬ・・・絶縁物質層、１・・
・出力端子、 特許出願人 日本ビクター株式会社 １．Ｓ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、被検出体の複数個所における個々の個所の表面電位
と対応して静電誘導によって生じた電圧が個別にゲート
電極に与えられる複数の電圧検出用電界効果トランジス
タと、前記した複数の電圧検出用電界効果トランジスタ
の出力信号を個別に開閉制御するアナログ・スイッチン
グ手段と、前記した被検出体の複数個所における個々の
個所の表面電位と対応して静電誘導によって生じた電圧
と対応する電圧が予め定められた順序にアナログ・スイ
ッチング手段を介して共通の出力線に送出されるように
、前記したアナログ・スイッチング手段に開閉制御信号
を供給する手段とを備えてなる表面電位分布と対応する
電気信号の発生装置２、電圧検出用の電極から電圧検出
用電界効果トランジスタのゲート電極までの接続線を静
電遮蔽した第１項記載の表面電位分布と対応する電気信
号の発生装置 ３、電圧検出用電界効果トランジスタのゲート電極を電
圧検出用の電極に兼用させた第１項記載の表面電位分布
と対応する電気信号の発生装置 ４、電圧検出用の電極の相互間を静電遮蔽した第１項、
または第２項あるいは第３項記載の表面電位分布と対応
する電気信号の発生装置 ５、被検出体の表面と電圧検出用の電極との距離が、被
検出体と電圧検出用の電極との相対的な変位によっても
一定に保持されるように、電圧検出用の電極を設けた構
造体と被検出体の表面との間にスペーサを介在させた第
１項記載の表面電位分布と対応する電気信号の発生装置
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63035524A JPH01210871A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 表面電位分布と対応する電気信号の発生装置 |
| US07/309,504 US5018018A (en) | 1988-02-18 | 1989-02-13 | Apparatus for detecting distribution of electric surface potential |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63035524A JPH01210871A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 表面電位分布と対応する電気信号の発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01210871A true JPH01210871A (ja) | 1989-08-24 |
Family
ID=12444136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63035524A Pending JPH01210871A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 表面電位分布と対応する電気信号の発生装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5018018A (ja) |
| JP (1) | JPH01210871A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005351627A (ja) * | 2004-06-08 | 2005-12-22 | Canon Inc | 電位測定装置および画像形成装置 |
| JP2008203256A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Xerox Corp | 電界プローブおよびその製造方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5268763A (en) * | 1988-05-10 | 1993-12-07 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Apparatus for recording a charge latent image on a medium and for producing color signals from the charge latent image |
| US5260796A (en) * | 1988-05-10 | 1993-11-09 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Apparatus detecting distribution of surface potential on a medium holding charge latent image |
| FR2870037B1 (fr) * | 2004-05-04 | 2006-07-14 | Commissariat Energie Atomique | Systeme d'enregistrement d'informations et procede d'utilisation d'un tel systeme |
| US7337419B2 (en) * | 2004-07-29 | 2008-02-26 | Stmicroelectronics, Inc. | Crosstalk noise reduction circuit and method |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4319284A (en) * | 1979-10-12 | 1982-03-09 | Rca Corporation | Repetitive readout of electrostatically stored information |
| JPS59108463A (ja) * | 1982-12-14 | 1984-06-22 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JPS60254886A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-16 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JPS6333075A (ja) * | 1986-07-26 | 1988-02-12 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
-
1988
- 1988-02-18 JP JP63035524A patent/JPH01210871A/ja active Pending
-
1989
- 1989-02-13 US US07/309,504 patent/US5018018A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005351627A (ja) * | 2004-06-08 | 2005-12-22 | Canon Inc | 電位測定装置および画像形成装置 |
| JP2008203256A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Xerox Corp | 電界プローブおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5018018A (en) | 1991-05-21 |
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