JPS60254886A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS60254886A JPS60254886A JP59109615A JP10961584A JPS60254886A JP S60254886 A JPS60254886 A JP S60254886A JP 59109615 A JP59109615 A JP 59109615A JP 10961584 A JP10961584 A JP 10961584A JP S60254886 A JPS60254886 A JP S60254886A
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- Japan
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- gate
- electrode
- imaging device
- state imaging
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/196—Junction field effect transistor [JFET] image sensors; Static induction transistor [SIT] image sensors
Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、静電誘導形トランジスタを用いた固体撮像
装置に関する。
装置に関する。
従来、固体撮像装置としては、ＣＣＤ、ＢＢＤ等の電荷
転送素子を用いたものや、ＭＯＳ）ランジスタを用いた
ものなどが広く用いられている。
転送素子を用いたものや、ＭＯＳ）ランジスタを用いた
ものなどが広く用いられている。
しかし、これらの固体撮像装置は電荷転送時に電荷の漏
れがあること、及び光検出感度が低いことなどの問題点
がある。
れがあること、及び光検出感度が低いことなどの問題点
がある。
これらの問題点を解決するものとして、静電誘導形トラ
ンジスタ（Ｓｔａｔｉｃ Ｉｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｔｒａ
ｎｓｉｓｔｏｒ：以下ＳＩＴという）を用いたものが、
新たに提案されている。たとえばＳＩＴを光検出素子及
びスイッチング素子として一つの画素を構成した固体撮
像装置が、特開昭５８−１０５６７２号に捉案されてい
る。本発明者は、更に、上記ＳＩＴを用いた固体撮像装
置を改良し、高感度で、且つ製造容易とした固体撮像装
置を、特願昭５８−１６５２３７号で提案している。
ンジスタ（Ｓｔａｔｉｃ Ｉｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｔｒａ
ｎｓｉｓｔｏｒ：以下ＳＩＴという）を用いたものが、
新たに提案されている。たとえばＳＩＴを光検出素子及
びスイッチング素子として一つの画素を構成した固体撮
像装置が、特開昭５８−１０５６７２号に捉案されてい
る。本発明者は、更に、上記ＳＩＴを用いた固体撮像装
置を改良し、高感度で、且つ製造容易とした固体撮像装
置を、特願昭５８−１６５２３７号で提案している。
本発明者の提案した上記固体撮像装置は、光入力による
蓄積電荷を非破壊のまま画素信号を読み出し、各画素の
光電荷の蓄積時間を大にして高感度のビデオ信号を得る
ようにするものである。
蓄積電荷を非破壊のまま画素信号を読み出し、各画素の
光電荷の蓄積時間を大にして高感度のビデオ信号を得る
ようにするものである。
第１図＾は、かかる固体撮像装置の１画素を構成するＳ
ＩＴの断面図であり、第１図ＦＢ）は固体撮像装置全体
の回路構成図である。ＳＴＴは、第１図へに示すように
、ドレインを構成するｎ゛シリコン基板１上に、不純物
濃度の低いｎ−シリコンエピタキシャル層２を成長させ
、このエピタキシャル層２の表面に、熱拡散法などによ
りｎ゛ソース領域３、ｐ゛ゲーｆｉｌ域４，４を形成す
る。ゲート領域４上にはＳｉＯ□等の絶縁膜５が被着さ
れ、更にその上に被着されたゲート電極６とによりコン
デンサ７が形成されている。８は両ゲート電極６．６に
接続されたゲート端子である。９は各セルを構成する単
位ＳＩＴを分離するために形成された埋込絶縁物などか
らなる分離領域である。ｎ−エピタキシャル層２はＳＩ
Ｔのチャネル領域を構成するものである。
ＩＴの断面図であり、第１図ＦＢ）は固体撮像装置全体
の回路構成図である。ＳＴＴは、第１図へに示すように
、ドレインを構成するｎ゛シリコン基板１上に、不純物
濃度の低いｎ−シリコンエピタキシャル層２を成長させ
、このエピタキシャル層２の表面に、熱拡散法などによ
りｎ゛ソース領域３、ｐ゛ゲーｆｉｌ域４，４を形成す
る。ゲート領域４上にはＳｉＯ□等の絶縁膜５が被着さ
れ、更にその上に被着されたゲート電極６とによりコン
デンサ７が形成されている。８は両ゲート電極６．６に
接続されたゲート端子である。９は各セルを構成する単
位ＳＩＴを分離するために形成された埋込絶縁物などか
らなる分離領域である。ｎ−エピタキシャル層２はＳＩ
Ｔのチャネル領域を構成するものである。
このような構成のＳＩＴにおいて光入力が与えられると
、チャネル領域２内、あるいはゲート空乏層内で、正孔
−電子対が生成され、このうち電子は接地されたドレイ
ンｌに流れ去るが、正孔は信号蓄積ゲート領域４に蓄積
され、これに接続されたゲートコンデンサ７を充電し、
ゲート電位を４ Ｖ ６だけ変化させる。ここでゲート
コンデンサ７の容量をＣＧとし、光入力によって発生さ
れ、信号蓄積ゲート領域４に蓄積された電荷を。、とす
ると、−Ｖ ｃ ＝ Ｑ Ｌ ／ Ｃｃとなる。ある蓄
積時間が経過した後、ゲート端子８にゲート読出しパル
スＶφ６が与えられると、ゲート電位はＶ釦に６ Ｖ
６が加わったものとなり、信号蓄積ゲート領域４とソー
ス領域３との間の電位は低下して空乏層が減少し、ソー
ス・ドレイン間に光入力に対応したドレイン電流が流れ
る。このドレイン電流は、ＳｒＴの増幅作用のためム■
６が増幅変倍されたものとなり、大きなものとなる。な
お、ＳＩＴのソースとドレインとを入れ替えても同様の
動作をするものである。
、チャネル領域２内、あるいはゲート空乏層内で、正孔
−電子対が生成され、このうち電子は接地されたドレイ
ンｌに流れ去るが、正孔は信号蓄積ゲート領域４に蓄積
され、これに接続されたゲートコンデンサ７を充電し、
ゲート電位を４ Ｖ ６だけ変化させる。ここでゲート
コンデンサ７の容量をＣＧとし、光入力によって発生さ
れ、信号蓄積ゲート領域４に蓄積された電荷を。、とす
ると、−Ｖ ｃ ＝ Ｑ Ｌ ／ Ｃｃとなる。ある蓄
積時間が経過した後、ゲート端子８にゲート読出しパル
スＶφ６が与えられると、ゲート電位はＶ釦に６ Ｖ
６が加わったものとなり、信号蓄積ゲート領域４とソー
ス領域３との間の電位は低下して空乏層が減少し、ソー
ス・ドレイン間に光入力に対応したドレイン電流が流れ
る。このドレイン電流は、ＳｒＴの増幅作用のためム■
６が増幅変倍されたものとなり、大きなものとなる。な
お、ＳＩＴのソースとドレインとを入れ替えても同様の
動作をするものである。
そして、上記固体撮像装置は、第１図（Ｂｌに示すよう
に、上記構成のノーマリ−オン形のＳＩＴをマトリック
ス状に配列し、ＸＹアドレス方式により信号を読出すよ
うに構成している。すなわち、マトリックス状に配列さ
れた各画素を構成する５ＩＴ１０−１．、１０−＋ｚ、
・・・・・・１Ｏ−ｆｆｉ、の各ドレインは接地され、
Ｘ方向に配列された各行の３１７群のゲート端子は、行
ラインＩＬ、、ｕ−ｚ＋・・・・・１１−７にそれぞれ
接続されている。またＹ方向に配列された各列の３１７
群のソースは、列ライン１２−、、１２−２゜・・・・
・１２□に接続され、これらの列ラインは、それぞれ列
選択用トランジスタ１３−１．１１．・・・・・１３−
□を介して、ビデオライン１４に共通に接続されている
。ビデオライン１４には負荷抵抗１５を介して、ビデオ
電圧■、が加えられている。
に、上記構成のノーマリ−オン形のＳＩＴをマトリック
ス状に配列し、ＸＹアドレス方式により信号を読出すよ
うに構成している。すなわち、マトリックス状に配列さ
れた各画素を構成する５ＩＴ１０−１．、１０−＋ｚ、
・・・・・・１Ｏ−ｆｆｉ、の各ドレインは接地され、
Ｘ方向に配列された各行の３１７群のゲート端子は、行
ラインＩＬ、、ｕ−ｚ＋・・・・・１１−７にそれぞれ
接続されている。またＹ方向に配列された各列の３１７
群のソースは、列ライン１２−、、１２−２゜・・・・
・１２□に接続され、これらの列ラインは、それぞれ列
選択用トランジスタ１３−１．１１．・・・・・１３−
□を介して、ビデオライン１４に共通に接続されている
。ビデオライン１４には負荷抵抗１５を介して、ビデオ
電圧■、が加えられている。
そして、行ライン１１−１１１１−２．・・・・・１１
−ｍは垂直走査回路１６に接続され、それぞれ垂直走査
信号φＧ＋。
−ｍは垂直走査回路１６に接続され、それぞれ垂直走査
信号φＧ＋。
φＧ２＋・・・・・φＧｌｌが加わるようになっている
。また、列選択用トランジスタ１３−、、１３−２．・
・・・・１３−、、のゲート端子は、水平走査回路１７
に接続され、水平走査信号φＳＩ＋ φＳ２＋・・・・
・φＳ、ｌが加わるように構成されている。
。また、列選択用トランジスタ１３−、、１３−２．・
・・・・１３−、、のゲート端子は、水平走査回路１７
に接続され、水平走査信号φＳＩ＋ φＳ２＋・・・・
・φＳ、ｌが加わるように構成されている。
次に、第１図（Ｃ１に示した、かかる撮像装置を動作さ
せるための信号波形図に晶づいて、垂直走査信号φＧ及
び水平走査信号φＳについて説明する。
せるための信号波形図に晶づいて、垂直走査信号φＧ及
び水平走査信号φＳについて説明する。
行ラインに加えられる信号φＧ＋＋ φＧ２＋・・・・
・は、小さい振幅電圧Ｖβと、それより大きい振幅電圧
ＶφＲより成るもので、一つの行ラインの走査期間ｔＨ
の間は■内、次の行ラインの水平走査に移るまでのブラ
ンキング期間ｔ［ｌＬには■φ８の値になるように設定
されている。列選択用トランジスタのゲート端子に加え
られる水平走査信号φＳＩ＋ φＳ２゜・・・・φＳｆ
ｉは、列ラインを選択するための信号で、低レベルは列
選択用トランジスタをオフ（ＯＦＦ）、高レベルはオン
（ＯＮ）する電圧値になるように設定されている。
・は、小さい振幅電圧Ｖβと、それより大きい振幅電圧
ＶφＲより成るもので、一つの行ラインの走査期間ｔＨ
の間は■内、次の行ラインの水平走査に移るまでのブラ
ンキング期間ｔ［ｌＬには■φ８の値になるように設定
されている。列選択用トランジスタのゲート端子に加え
られる水平走査信号φＳＩ＋ φＳ２゜・・・・φＳｆ
ｉは、列ラインを選択するための信号で、低レベルは列
選択用トランジスタをオフ（ＯＦＦ）、高レベルはオン
（ＯＮ）する電圧値になるように設定されている。
第１図（Ｂｌに於いて、上記垂直走査回路１６の作動に
より垂直走査信号φＧ、が電圧■φ０になると、行ライ
ン１１−２に接続された３１７群が選択され、上記水平
走査回路１７より出力される水平走査信号φＳＩ＋φＳ
２．・・・・・φＳ、、により列選択トランジスタ１３
− Ｉ。
より垂直走査信号φＧ、が電圧■φ０になると、行ライ
ン１１−２に接続された３１７群が選択され、上記水平
走査回路１７より出力される水平走査信号φＳＩ＋φＳ
２．・・・・・φＳ、、により列選択トランジスタ１３
− Ｉ。
１３−ｚ、・・・・・１３−、、が順次オン（ＯＮ）す
ると、順次Ｓ Ｉ Ｔｌ０−＋＋、 １０−＋□、・・
・・・・１０−１゜の光信号がビデオライン１４より出
力される。続いて、上記３１７群は垂直走査信号φＧ１
が高レベルの電圧■酉になったとき、リセットされる。
ると、順次Ｓ Ｉ Ｔｌ０−＋＋、 １０−＋□、・・
・・・・１０−１゜の光信号がビデオライン１４より出
力される。続いて、上記３１７群は垂直走査信号φＧ１
が高レベルの電圧■酉になったとき、リセットされる。
次に、垂直走査信号φＧ２が電圧Ｖμになると行ライン
１１−２に接続された３１７群が選択され、水平走査信
号φＳ＋、ψＳ２．・・・・・φＳ、ｌにより５ＩＴＩ
Ｏ−、、、１０−、□、・・・・・・１０−ｚ、ｌの光
信号が順次読出され、続いてリセットされる。
１１−２に接続された３１７群が選択され、水平走査信
号φＳ＋、ψＳ２．・・・・・φＳ、ｌにより５ＩＴＩ
Ｏ−、、、１０−、□、・・・・・・１０−ｚ、ｌの光
信号が順次読出され、続いてリセットされる。
以下、同様にして順次各画素の光信号が読出され、１フ
イールドのビデオ信号が得られる。
イールドのビデオ信号が得られる。
ところで、上記の固体撮像装置は、次に示す様な欠点を
有する。すなわち、固体撮像装置に光が入射したときの
光電荷蓄積は、各ＳＩＴのチャネル領域２内あるいはゲ
ート空乏層内でおこなわれる。これは、第１図（８）に
示したＳＩＴ断面図において、ゲート領域４と分離領域
９との間の部分、あるいはゲートｗ４＠４の下の部分に
相当する。このうちゲート領Ｍｉ４と分１％ｌＩ領ｉ９
との間の部分は、画素を微小化していくときには、それ
に伴い小さくしていかざるを得ない。このため光電荷蓄
積に寄与するのは、ゲート領域４の下の部分となるが、
この部分に光が到達するには、Ｐ゛ゲーＦｉｌ域内を通
過しなければならない。ところでＰ１ゲート領域の深さ
Ｘ、は、ＳｒＴの増巾率を大きくするためには、２〜４
μｍ程度にかなり大きくする必要がある。このため光が
透過するときに、特に短波長の光（青色光）はＰ゛ゲー
ト領域内で吸収されてしまい、ゲート領域下にはほとん
ど到達しない。
有する。すなわち、固体撮像装置に光が入射したときの
光電荷蓄積は、各ＳＩＴのチャネル領域２内あるいはゲ
ート空乏層内でおこなわれる。これは、第１図（８）に
示したＳＩＴ断面図において、ゲート領域４と分離領域
９との間の部分、あるいはゲートｗ４＠４の下の部分に
相当する。このうちゲート領Ｍｉ４と分１％ｌＩ領ｉ９
との間の部分は、画素を微小化していくときには、それ
に伴い小さくしていかざるを得ない。このため光電荷蓄
積に寄与するのは、ゲート領域４の下の部分となるが、
この部分に光が到達するには、Ｐ゛ゲーＦｉｌ域内を通
過しなければならない。ところでＰ１ゲート領域の深さ
Ｘ、は、ＳｒＴの増巾率を大きくするためには、２〜４
μｍ程度にかなり大きくする必要がある。このため光が
透過するときに、特に短波長の光（青色光）はＰ゛ゲー
ト領域内で吸収されてしまい、ゲート領域下にはほとん
ど到達しない。
第２図に、シリコンの光吸収係数αの波長依存特性を示
す。λ−〇、ａμｍの場合、α−６Ｘ１０’ｃ１１１−
’であるから、Ｐ゛シリコン領域３μｍとすると、光
透過率は、ｅ ＝１．５ Ｘｌ０−１ｌと極めて小さく
なる。したがって、青色光に対する光感度は低いものと
なってしまい、カラー撮像用の固体撮像装置としては望
ましくない特性であり、かかる構成では、全波長領域に
亘り高感度のカラー撮像用の固体撮像装置は得られない
という問題点があった。
す。λ−〇、ａμｍの場合、α−６Ｘ１０’ｃ１１１−
’であるから、Ｐ゛シリコン領域３μｍとすると、光
透過率は、ｅ ＝１．５ Ｘｌ０−１ｌと極めて小さく
なる。したがって、青色光に対する光感度は低いものと
なってしまい、カラー撮像用の固体撮像装置としては望
ましくない特性であり、かかる構成では、全波長領域に
亘り高感度のカラー撮像用の固体撮像装置は得られない
という問題点があった。
本発明は、上記光に提案したＳＩＴを用いた固体撮像装
置における問題点を解決すべくなされたもので、画素寸
法が微小であっても、受光効率が高く、全波長領域に亘
り高感度で且つ高密度のカラー撮像に適した固体撮像装
置を提供することを目的とする。
置における問題点を解決すべくなされたもので、画素寸
法が微小であっても、受光効率が高く、全波長領域に亘
り高感度で且つ高密度のカラー撮像に適した固体撮像装
置を提供することを目的とする。
本発明は、行選択信号を印加する複数の行ラインと、列
選択信号を印加する複数の列ラインと、列ラインに接続
された一方の主電極と共通に接続された他方の主電極と
主電極間に配設されたチャネル領域とゲート領域とから
なるＳＩＴと、該ＳＩＴのゲート領域と行ラインとの間
に接続されたコンデンサと、該ゲート領域に接続された
光導電膜とを備え、入射光量に応じて前記光導電膜の抵
抗値が変化することを利用して、ＳＩＴのゲート電位を
変化させて信号を読出し、受光効率が高く、全波長領域
に亘り高感度のビデオ信号を得るようにするものである
。
選択信号を印加する複数の列ラインと、列ラインに接続
された一方の主電極と共通に接続された他方の主電極と
主電極間に配設されたチャネル領域とゲート領域とから
なるＳＩＴと、該ＳＩＴのゲート領域と行ラインとの間
に接続されたコンデンサと、該ゲート領域に接続された
光導電膜とを備え、入射光量に応じて前記光導電膜の抵
抗値が変化することを利用して、ＳＩＴのゲート電位を
変化させて信号を読出し、受光効率が高く、全波長領域
に亘り高感度のビデオ信号を得るようにするものである
。
以下本発明の実施例について説明する。第３図へは、本
発明の固体撮像装置の第１実施例の構成を示す平面図で
、第３図（Ｂｌはｘ−ｘ’線に沿った断面図である。図
において２１はＳ’ＪＴのドレインを構成するｎ゛シリ
コン基板２２はチャネルを構成するｎ−エビクキシャル
層、２３はＳＩＴのソース、２４はＳＩＴのＰ＋ゲート
領域である。２５は各画素を構成する単位ＳＩＴを分離
するための分離領域である。２６は５ｉ０２、Ｐ Ｓ
Ｇ （ｆ’ｈｏｓｐｈｏ ５ｉｌｉｃａｔｅＧｌａｓｓ
）等から成る絶縁膜である。２７はモリブデン等の金属
からなるゲート電極であり、絶縁膜２６に形成したコン
タクトホール２８によりゲート領域２４と接合されてい
る。２９はソース２３に接続されたソ−スミ極であり、
一方向に配列された３１７群のソースを互いに接続して
いる。３０はゲート電極２７上に形成された光導電膜で
あり、アモルファスシリコン、あるいはＺｎ５ｅ等の化
合物半導体で構成されている。３１は光導電膜３０上に
形成された透明電極であり、ソース電極２９と直交する
方向の一方向に配列された３１７群に沿って配設されて
いる。
発明の固体撮像装置の第１実施例の構成を示す平面図で
、第３図（Ｂｌはｘ−ｘ’線に沿った断面図である。図
において２１はＳ’ＪＴのドレインを構成するｎ゛シリ
コン基板２２はチャネルを構成するｎ−エビクキシャル
層、２３はＳＩＴのソース、２４はＳＩＴのＰ＋ゲート
領域である。２５は各画素を構成する単位ＳＩＴを分離
するための分離領域である。２６は５ｉ０２、Ｐ Ｓ
Ｇ （ｆ’ｈｏｓｐｈｏ ５ｉｌｉｃａｔｅＧｌａｓｓ
）等から成る絶縁膜である。２７はモリブデン等の金属
からなるゲート電極であり、絶縁膜２６に形成したコン
タクトホール２８によりゲート領域２４と接合されてい
る。２９はソース２３に接続されたソ−スミ極であり、
一方向に配列された３１７群のソースを互いに接続して
いる。３０はゲート電極２７上に形成された光導電膜で
あり、アモルファスシリコン、あるいはＺｎ５ｅ等の化
合物半導体で構成されている。３１は光導電膜３０上に
形成された透明電極であり、ソース電極２９と直交する
方向の一方向に配列された３１７群に沿って配設されて
いる。
このように構成された固体撮像装置において、ゲート電
極２７と透明電極３１およびそれらの間にはさまれた光
導電膜３０とがコンデンサを形成している。また、透明
電極３１が第１図ＦＢ＋に示した行ライン１１−、、
ＩＬ２．・・・・・と同等の行ラインを構成し、ソース
電極２９が同じく列ライン１２−１．１２−ｚ＋・・・
・・と同等の列ラインを構成しており、全体として、第
１図（Ｂｌに示したものと同等の回路が構成されている
。よって第１図（Ｂｌを利用して動作説明等を行なうこ
ととする。
極２７と透明電極３１およびそれらの間にはさまれた光
導電膜３０とがコンデンサを形成している。また、透明
電極３１が第１図ＦＢ＋に示した行ライン１１−、、
ＩＬ２．・・・・・と同等の行ラインを構成し、ソース
電極２９が同じく列ライン１２−１．１２−ｚ＋・・・
・・と同等の列ラインを構成しており、全体として、第
１図（Ｂｌに示したものと同等の回路が構成されている
。よって第１図（Ｂｌを利用して動作説明等を行なうこ
ととする。
次に、このように構成された固体撮像装置に、第１図（
Ｃ１の波形図に示される信号が加わったときの動作を説
明する。
Ｃ１の波形図に示される信号が加わったときの動作を説
明する。
まず、垂直走査信号φＧ、が電圧ＶφＲとなると、行ラ
インＩＬ１に電圧ｖφＲが加わり、Ｓ Ｔ Ｔｌ０−＋
＋。
インＩＬ１に電圧ｖφＲが加わり、Ｓ Ｔ Ｔｌ０−＋
＋。
１０−＋ｚ、・・・・１０−、、のゲート・トレイン間
のｐｎ接合が順バイアスされる。このため、ゲート電極
２７−光導電膜３０−透明電極３１から成るコンデンサ
は電圧（ＶφＲ−φＢ）まで充電される。ここでφＢは
ｐｎ接合の順方向電圧である。その後垂直走査信号φＧ
１がＯ■となると、上記コンデンサに電圧（■φＲ−φ
Ｂ）が保たれ、Ｓ Ｉ Ｔｌ０−＋＋、 １０−＋□。
のｐｎ接合が順バイアスされる。このため、ゲート電極
２７−光導電膜３０−透明電極３１から成るコンデンサ
は電圧（ＶφＲ−φＢ）まで充電される。ここでφＢは
ｐｎ接合の順方向電圧である。その後垂直走査信号φＧ
１がＯ■となると、上記コンデンサに電圧（■φＲ−φ
Ｂ）が保たれ、Ｓ Ｉ Ｔｌ０−＋＋、 １０−＋□。
・・・・・・１０− 、ｌｌの各ゲート電位■６は、−
（ｖφ８−φＢ）となる。
（ｖφ８−φＢ）となる。
この状態で光入射が無ければ、ゲート電位■。
はそのまま保たれるが、光入射があると光導電膜３０の
抵抗が低下するため、コンデンサが放電１７、ゲート電
位ｖＧは上昇する。この電位上昇は、画素ごとに入射し
た光量にほぼ比例したものとなる。
抵抗が低下するため、コンデンサが放電１７、ゲート電
位ｖＧは上昇する。この電位上昇は、画素ごとに入射し
た光量にほぼ比例したものとなる。
読出し周期後に垂直走査信号φＧ１がＶφ。となると、
行ライン１１−１に電圧■φ０が加わる。このためＳ
Ｉ Ｔｌ０−＋＋、 １０−＋□、・・・・・・１０−
、、のゲート電位はさらに■ＩＩＩＧだけ上昇する。こ
のため、列選択信号φＳ５．φＳ２．・・・・・φＳ７
により、列選択トランジスタ１３−１．１３−２．・・
・・・・・・・１３−、ｌが順次オンするに従い、Ｓ
Ｉ Ｔｌ０−１１．１０−１２．・・・・・・１０−、
、、の入射光に比例した信号がビデオライン２４より出
力される。
行ライン１１−１に電圧■φ０が加わる。このためＳ
Ｉ Ｔｌ０−＋＋、 １０−＋□、・・・・・・１０−
、、のゲート電位はさらに■ＩＩＩＧだけ上昇する。こ
のため、列選択信号φＳ５．φＳ２．・・・・・φＳ７
により、列選択トランジスタ１３−１．１３−２．・・
・・・・・・・１３−、ｌが順次オンするに従い、Ｓ
Ｉ Ｔｌ０−１１．１０−１２．・・・・・・１０−、
、、の入射光に比例した信号がビデオライン２４より出
力される。
続いて垂直走査信号φＧ１が電圧■φ４．となると、先
に述ヘタようニＳ Ｉ Ｔｌ０−＋＋、 １０−＋ｚ、
”””１０−＋−の各ゲートは同時にリセットされ、
電位−（■■−φＢ）となる。以後、同様の動作が、順
次、垂直走査信号φＧ２．φＧ３．・・・・・φＧｍの
印加により行ライン１１４．・・・・・１１−、Ｉに接
続された各３１７群においてもおこなわれ、一画面ごと
に、Ｓ Ｉ Ｔｌ０−ｚ。
に述ヘタようニＳ Ｉ Ｔｌ０−＋＋、 １０−＋ｚ、
”””１０−＋−の各ゲートは同時にリセットされ、
電位−（■■−φＢ）となる。以後、同様の動作が、順
次、垂直走査信号φＧ２．φＧ３．・・・・・φＧｍの
印加により行ライン１１４．・・・・・１１−、Ｉに接
続された各３１７群においてもおこなわれ、一画面ごと
に、Ｓ Ｉ Ｔｌ０−ｚ。
１０−１□、・・・・・・ｉｏ−、、，１０−２，、１
０−２□、・・・・・・１０−、、．１０−ｍｌ、 １
０−．２．・・・・・・・・１０−１の順で、順次各画
素の入射光に比例した信号が読出されて、ビデオ信号が
得られる。
０−２□、・・・・・・１０−、、．１０−ｍｌ、 １
０−．２．・・・・・・・・１０−１の順で、順次各画
素の入射光に比例した信号が読出されて、ビデオ信号が
得られる。
以上説明したように、この実施例で示した構成により、
ビデオ信号読出しの可能な固体撮像装置が得られるが、
この構成によれば、光電変換がゲート電極」二に形成し
た光導電膜でおこなわれるため、分光感度が＝１視域全
般にわたって高い好ましい特性のものとなる。また、受
光部分の開口率が高く、高密度・高集積化に適したもの
となる。
ビデオ信号読出しの可能な固体撮像装置が得られるが、
この構成によれば、光電変換がゲート電極」二に形成し
た光導電膜でおこなわれるため、分光感度が＝１視域全
般にわたって高い好ましい特性のものとなる。また、受
光部分の開口率が高く、高密度・高集積化に適したもの
となる。
第４図（８）は、本発明の他の実施例の構成を示す平面
図であり、第４図（８）はそのｘ−ｘ’線に沿った断面
図である。
図であり、第４図（８）はそのｘ−ｘ’線に沿った断面
図である。
この実施例において、ＳＩ’ｒのトレインを構成するシ
リコン基板２１上に、チャネルを構成するエピタキシャ
ル層２２、ＳＩＴのソース領域２３、ゲート領域２４が
形成されている点は、第１実施例と同様である。この実
施例では、分離領域２５内に溝が形成され、その溝内に
、延長されたゲート電極２７、誘電体膜３２、キャパシ
タ電極３３が順次積層されている。この積層構成は、た
とえば次の工程により形成される。
リコン基板２１上に、チャネルを構成するエピタキシャ
ル層２２、ＳＩＴのソース領域２３、ゲート領域２４が
形成されている点は、第１実施例と同様である。この実
施例では、分離領域２５内に溝が形成され、その溝内に
、延長されたゲート電極２７、誘電体膜３２、キャパシ
タ電極３３が順次積層されている。この積層構成は、た
とえば次の工程により形成される。
（１） エピタキシャル層２２をリアクティブイオンエ
ツチング（ＲＩ Ｂ）することによるＵｉＪＩの形成（
２１Ｕ＠部分のエピタキシャル層の熱酸化にょるＳｉＯ
□膜の形成 （３）ゲート電極２７となるポリシリコン膜のＣＶＤ法
による形成 （４） ポリシリコン膜の熱酸化によるＳｉＯ□からな
る誘電体膜３２の形成 （５ン 光導電ＩＩ！３０をゲート電極２７上に形成し
た後のキャパシタ電極３３の形成 なお、２９はソース電極、３１は光導電膜３０上にキャ
パシタ電極３３と接触して形成された透明電極で、これ
らの電極は互いに直交して配置されていて、第１実施例
と同様に、列ライン及び行ラインを構成している。
ツチング（ＲＩ Ｂ）することによるＵｉＪＩの形成（
２１Ｕ＠部分のエピタキシャル層の熱酸化にょるＳｉＯ
□膜の形成 （３）ゲート電極２７となるポリシリコン膜のＣＶＤ法
による形成 （４） ポリシリコン膜の熱酸化によるＳｉＯ□からな
る誘電体膜３２の形成 （５ン 光導電ＩＩ！３０をゲート電極２７上に形成し
た後のキャパシタ電極３３の形成 なお、２９はソース電極、３１は光導電膜３０上にキャ
パシタ電極３３と接触して形成された透明電極で、これ
らの電極は互いに直交して配置されていて、第１実施例
と同様に、列ライン及び行ラインを構成している。
そしてこの実施例では、ゲート電極２７と誘電体膜３２
及びキャパシタ電極３３とがコンデンサを形成しており
、このコンデンサは、ゲート領域２４と誘明電極３１と
の間に、ゲート電極２７と光導電膜３０および透明電極
３１とから成るコンデンサと並列に接続されている。こ
のため両者のコンデンサによる容量値は、第１実施例の
ものに比較し、かなり大きいものとなる。
及びキャパシタ電極３３とがコンデンサを形成しており
、このコンデンサは、ゲート領域２４と誘明電極３１と
の間に、ゲート電極２７と光導電膜３０および透明電極
３１とから成るコンデンサと並列に接続されている。こ
のため両者のコンデンサによる容量値は、第１実施例の
ものに比較し、かなり大きいものとなる。
通常、光導電膜３０の厚さは、十分な光感度をとるため
数μｍとなっている。このため第１実施例におけるコン
デンサの容量値は、信号電荷を十分蓄積するには不足す
ることもある。この実施例はこの欠点を補うものであり
、しかも、この実施例では、分Ｈ９＝Ｍ域を利用してコ
ンデンサを形成しているため、小面積で大きい容量値を
得ることが可能である。動作は第１実施例と同一である
。
数μｍとなっている。このため第１実施例におけるコン
デンサの容量値は、信号電荷を十分蓄積するには不足す
ることもある。この実施例はこの欠点を補うものであり
、しかも、この実施例では、分Ｈ９＝Ｍ域を利用してコ
ンデンサを形成しているため、小面積で大きい容量値を
得ることが可能である。動作は第１実施例と同一である
。
第５図へは、更に他の実施例の構成を示す平面図であり
、同図（Ｅｌｌは、そのｘ−ｘ’線に沿った断面図であ
る。
、同図（Ｅｌｌは、そのｘ−ｘ’線に沿った断面図であ
る。
この実施例において、ＳＩＴのドレインを構成するシリ
コン基板２１上に、チャネルを構成するエビクキシャル
層２２、ＳＩＴのソース領域２３、ゲート領域２４が形
成されている点については、第１及び第２実施例と同様
である。
コン基板２１上に、チャネルを構成するエビクキシャル
層２２、ＳＩＴのソース領域２３、ゲート領域２４が形
成されている点については、第１及び第２実施例と同様
である。
この実施例では、ゲート領域２４上の一部に、薄いＳｉ
Ｏ□等からなる誘電体膜３４及びキャパシタ電極３５が
積層された％ｌＴＭが形成されている。そして、これら
の各構成部材２４．３４．３５でコンデンサを形成して
おり、一方向に配列された各キャパシタ電極３５は互い
に接続されている。ゲート領域２４の他の部分には、コ
ンタクトホール２８を通してゲート電極２７が接続され
ている。そして、ゲート電極２７とキャパシタ電極３５
とは、ＰＳＧ等から成る眉間絶縁膜３６により分離され
ている。ゲート電極２７上には、光導電膜３０及び−透
明電極３１が形成されているが、この実施例においては
、光導電膜３０及び透明電極３１は、パターンを形成せ
ず、一様に形成されている。そして、キャパシタ電極３
５及びソース電極２９とは互いに直交し、それぞれ行ラ
イン及び列ラインを形成するように構成されている。
Ｏ□等からなる誘電体膜３４及びキャパシタ電極３５が
積層された％ｌＴＭが形成されている。そして、これら
の各構成部材２４．３４．３５でコンデンサを形成して
おり、一方向に配列された各キャパシタ電極３５は互い
に接続されている。ゲート領域２４の他の部分には、コ
ンタクトホール２８を通してゲート電極２７が接続され
ている。そして、ゲート電極２７とキャパシタ電極３５
とは、ＰＳＧ等から成る眉間絶縁膜３６により分離され
ている。ゲート電極２７上には、光導電膜３０及び−透
明電極３１が形成されているが、この実施例においては
、光導電膜３０及び透明電極３１は、パターンを形成せ
ず、一様に形成されている。そして、キャパシタ電極３
５及びソース電極２９とは互いに直交し、それぞれ行ラ
イン及び列ラインを形成するように構成されている。
この実施例による固体撮像装置の回路構成は、第６図に
示す通りである。第１図ｆＢ）に示した符号と同一符号
を付した部分は、同−又は同等の構成部材を示す。
示す通りである。第１図ｆＢ）に示した符号と同一符号
を付した部分は、同−又は同等の構成部材を示す。
キャパシタ電極３５が行ライン１１−、、１１−ｚ＋・
・・・・・・１ｌ−ＴＩを、ソース電極が列ライン１２
−＋、 １２−２．・・・・・・・・・１２−ｆｉを構
成しており、各画素を構成するＳＩ Ｔｌ０−＋＋、
１．０−＋□、・・・・・・１０−、、の各ゲート領域
２４には、光導電膜３０、透明電極３１カイら成るコン
デンサ４０−＋＋、４Ｏ−Ｉｔ、 ”””４０−１１−
が接続されている。
・・・・・・１ｌ−ＴＩを、ソース電極が列ライン１２
−＋、 １２−２．・・・・・・・・・１２−ｆｉを構
成しており、各画素を構成するＳＩ Ｔｌ０−＋＋、
１．０−＋□、・・・・・・１０−、、の各ゲート領域
２４には、光導電膜３０、透明電極３１カイら成るコン
デンサ４０−＋＋、４Ｏ−Ｉｔ、 ”””４０−１１−
が接続されている。
そして、これらのコンデンサ４０−＋＋、４０〜１２．
・・・・・・４０−、、の外部電極を構成する一様に形
成されている透明電極３１には、ターゲット電Ｈｖｔが
接続されている。
・・・・・・４０−、、の外部電極を構成する一様に形
成されている透明電極３１には、ターゲット電Ｈｖｔが
接続されている。
次に、このように構成された回路構成をもつ固体撮像装
置に、第１図（Ｃ）の波形図に示される信号が加わった
ときの動作を説明する。
置に、第１図（Ｃ）の波形図に示される信号が加わった
ときの動作を説明する。
まず、垂直走査信号φＧ、が電圧■φ２となると、行ラ
イン１１−１に電圧■翻が加わり、Ｓ Ｉ Ｔｌ０−ｚ
。
イン１１−１に電圧■翻が加わり、Ｓ Ｉ Ｔｌ０−ｚ
。
１０−＋ｚ、 ０１１６．４０−＋−のゲー１− ・ド
レイン間のｐｎ接合が順バイアスされ、ゲート領域２４
−誘電体膜３４−キャパシタ電極３５から成るコンデン
サ４０−ｚ。
レイン間のｐｎ接合が順バイアスされ、ゲート領域２４
−誘電体膜３４−キャパシタ電極３５から成るコンデン
サ４０−ｚ。
４０−１２． ” ” ” ４０−１は、（ｖ、１ＪＲ
−φＢ）まで充電される。続いて、垂直走査信号φＧ１
がＯｖとなると、Ｓ Ｉ Ｔｌ（Ｌ＋＋、 １０−＋□
、・・・・・・１０− ＋ 、、のゲート電位は−（Ｖ
φＲ−φＢ）となる。この後光入射があると、光導電膜
３０の抵抗率が低下するため、各ＳＩＴのゲート領域２
４にターゲット電源■１から透明電極３１、光導電膜３
０を通して電流が流れ、各ＳＩＴのゲート電位は上昇す
る。この電位」二昇は画素ごとに入射した光量にほぼ比
例する。
−φＢ）まで充電される。続いて、垂直走査信号φＧ１
がＯｖとなると、Ｓ Ｉ Ｔｌ（Ｌ＋＋、 １０−＋□
、・・・・・・１０− ＋ 、、のゲート電位は−（Ｖ
φＲ−φＢ）となる。この後光入射があると、光導電膜
３０の抵抗率が低下するため、各ＳＩＴのゲート領域２
４にターゲット電源■１から透明電極３１、光導電膜３
０を通して電流が流れ、各ＳＩＴのゲート電位は上昇す
る。この電位」二昇は画素ごとに入射した光量にほぼ比
例する。
読出し周！す１後に垂直走査信号φＧ、がＶ 、１．、
、となると、行ライン１】−１に電圧Ｖφ０が加わり、
このためＳ Ｉ Ｔｌ０−＋＋、 １ｏ−１□、・・・
・・・１０− 、、ｌのゲート電位は更にＶβだけ上昇
する。したがって、列選択信号φＳ５．φＳｚ、・・・
・・φＳアにより、列選択トランジスタＩＬ、、！３〜
２．・・・・・・・１３−、が順次オンするにしたがい
、Ｓ Ｔ Ｔｌ０−＋＋、 １０−＋□、・・・・・・
１０−１．、の信号がビデオライン２４より出力される
。以下同様にして一画面のビデオ信号が順次読出される
。
、となると、行ライン１】−１に電圧Ｖφ０が加わり、
このためＳ Ｉ Ｔｌ０−＋＋、 １ｏ−１□、・・・
・・・１０− 、、ｌのゲート電位は更にＶβだけ上昇
する。したがって、列選択信号φＳ５．φＳｚ、・・・
・・φＳアにより、列選択トランジスタＩＬ、、！３〜
２．・・・・・・・１３−、が順次オンするにしたがい
、Ｓ Ｔ Ｔｌ０−＋＋、 １０−＋□、・・・・・・
１０−１．、の信号がビデオライン２４より出力される
。以下同様にして一画面のビデオ信号が順次読出される
。
この実施例においては、光導電膜及び透明電極のパター
ニングを必要としないため、製造容易となる利点がある
。
ニングを必要としないため、製造容易となる利点がある
。
以上実施例に基づいて詳細に説明したように、本発明は
、受光領域となる光導電膜を、各画素を構成するＳＩＴ
のゲート領域に接続してその上部に配設したので、画素
寸法を微小化しても、受光効率が高く、可視光の全波長
領域に亘り感度を高くすることができ、高密度で、且つ
高感度のカラー撮像に適した固体撮像装置を得ることが
できる。
、受光領域となる光導電膜を、各画素を構成するＳＩＴ
のゲート領域に接続してその上部に配設したので、画素
寸法を微小化しても、受光効率が高く、可視光の全波長
領域に亘り感度を高くすることができ、高密度で、且つ
高感度のカラー撮像に適した固体撮像装置を得ることが
できる。
また、本発明に、１、る撮橡装置番、二おいてし、し、
他画素への信号の混入がなくなり、したがって解像度が
高く、またカラー撮像時の混色がなくなるという効果が
得られる。
他画素への信号の混入がなくなり、したがって解像度が
高く、またカラー撮像時の混色がなくなるという効果が
得られる。
第１図へは、先に提案した固体撮像装置の一画素を構成
するＳＩＴの断面図、第１図（Ｂｌは、該装置全体の回
路構成図、第１図＋ＣＩは、該装置の動作用信号波形図
、第２図は、シリコンの光吸収係数の波長依存性を示す
図、第３図（８）は、本発明の固体撮像装置の第１実施
例の構成を示す平面図、第３図（Ｂ）は、そのｘ−ｘ’
線に沿った断面図、第４図へは、第２実施例の構成を示
す平面図、第４図（８）は、同しくその断面図、第５０
八は、第３実施例の構成を示す平面図、第５図ｆＢｌは
、同じくその断面図、第６図は、第３実施例の回路構成
図である。 図において、１，２１はドレイン、２，２２はチャネル
領域、３，２３はソース、４．２４はゲート領域、６は
ゲート電極、７はコンデンサ、１０−、、．１０．□Ｉ
□。 、・・・はＳＩＴ、１１−＋＋ １ｌ−ｉｔ・・・・・
は行ライン、１２−１＋ １２−２＋・・・・は列ライ
ン、１３−１．１３−ｚ＋・・・・・は列選択トランジ
スタ、１４はビデオライン、１６は垂直走査回路、１７
は水平走査回路、２５は分離領域、２６は絶縁膜、２７
はゲート電極、２９はソース電極、３０は光導電膜、３
１は透明電極、３２．３４は誘電体膜、３３、３５はキ
ャパシタ電極、３６は絶縁膜を示す。 特許出願人 オリンパス光学工業株式会社代理人弁理士
最 上 健 治 第１図 （Ａ） （Ｂ） 第１図 （Ｃ） φＳ３ 人（ＡＩＩＩＪ 東３図 （Ａ） （Ｂ） 第４図 （Ａ） （Ｂ） ３２ ２５ ２４ ２３ ／ｚ Ｚ’） １１第５図 （Ａ） （Ｂ） 手続補正書 昭和５９年 ７月２４日 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５９年 特 許 願 第１０９６１５号２、発明の
名称 固体撮像装置 ３、補正をする者 ４、代理人 ６、補正により増加する発明の数 な し７、補正の対
象 明細書の発明の詳細な説明の欄８、補正の内容 明細書第８頁２０行にｒ ｅ ＝１．５ ｘｌＯ−”Ｊ
とあるのを、［６−ＩＩ／ｌ）”ｘ３ｘ／ρ−”＝１．
５ Ｘｌ０−”ｊ ｉｉ正ｔル。 以上
するＳＩＴの断面図、第１図（Ｂｌは、該装置全体の回
路構成図、第１図＋ＣＩは、該装置の動作用信号波形図
、第２図は、シリコンの光吸収係数の波長依存性を示す
図、第３図（８）は、本発明の固体撮像装置の第１実施
例の構成を示す平面図、第３図（Ｂ）は、そのｘ−ｘ’
線に沿った断面図、第４図へは、第２実施例の構成を示
す平面図、第４図（８）は、同しくその断面図、第５０
八は、第３実施例の構成を示す平面図、第５図ｆＢｌは
、同じくその断面図、第６図は、第３実施例の回路構成
図である。 図において、１，２１はドレイン、２，２２はチャネル
領域、３，２３はソース、４．２４はゲート領域、６は
ゲート電極、７はコンデンサ、１０−、、．１０．□Ｉ
□。 、・・・はＳＩＴ、１１−＋＋ １ｌ−ｉｔ・・・・・
は行ライン、１２−１＋ １２−２＋・・・・は列ライ
ン、１３−１．１３−ｚ＋・・・・・は列選択トランジ
スタ、１４はビデオライン、１６は垂直走査回路、１７
は水平走査回路、２５は分離領域、２６は絶縁膜、２７
はゲート電極、２９はソース電極、３０は光導電膜、３
１は透明電極、３２．３４は誘電体膜、３３、３５はキ
ャパシタ電極、３６は絶縁膜を示す。 特許出願人 オリンパス光学工業株式会社代理人弁理士
最 上 健 治 第１図 （Ａ） （Ｂ） 第１図 （Ｃ） φＳ３ 人（ＡＩＩＩＪ 東３図 （Ａ） （Ｂ） 第４図 （Ａ） （Ｂ） ３２ ２５ ２４ ２３ ／ｚ Ｚ’） １１第５図 （Ａ） （Ｂ） 手続補正書 昭和５９年 ７月２４日 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５９年 特 許 願 第１０９６１５号２、発明の
名称 固体撮像装置 ３、補正をする者 ４、代理人 ６、補正により増加する発明の数 な し７、補正の対
象 明細書の発明の詳細な説明の欄８、補正の内容 明細書第８頁２０行にｒ ｅ ＝１．５ ｘｌＯ−”Ｊ
とあるのを、［６−ＩＩ／ｌ）”ｘ３ｘ／ρ−”＝１．
５ Ｘｌ０−”ｊ ｉｉ正ｔル。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【１） 行選択制御信号を印加する複数の行ラインと、
列選択信号を印加する複数の列ラインと、列ラインに接
続された一方の主電極と共通に接続された他方の主電極
と主電極間に配設されたチャネル領域とゲート領域とか
らなる画素を構成する静電誘導形トランジスタと、該ト
ランジスタのゲート領域と行ラインとの間に接続された
コンデンサと、前記ゲート領域に接続された光導電膜と
を備えたことを特徴とする固体撮像装置。 （２）前記コンデンサは、前記ゲート領域と前記行ライ
ンとそれらの間に配設された光導電膜とにより構成され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の固
体撮像装置。 （３）前記コンデンサは、前記ゲート領域と前記行ライ
ンとそれらの間に配設された絶縁膜とで構成され、前記
ゲート領域に接続された光導電膜にはターゲット電圧が
印加された透明電極が配設されていることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の固体撮像装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59109615A JPS60254886A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 固体撮像装置 |
| US06/736,073 US4644402A (en) | 1984-05-31 | 1985-05-20 | Solid state image sensor |
| DE3519077A DE3519077C2 (de) | 1984-05-31 | 1985-05-28 | Festkörper-Bildsensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59109615A JPS60254886A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60254886A true JPS60254886A (ja) | 1985-12-16 |
Family
ID=14514783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59109615A Pending JPS60254886A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 固体撮像装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4644402A (ja) |
| JP (1) | JPS60254886A (ja) |
| DE (1) | DE3519077C2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63174480A (ja) * | 1987-01-14 | 1988-07-18 | Hitachi Ltd | 光電変換装置 |
Families Citing this family (8)
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|---|---|---|---|---|
| JPH0652786B2 (ja) * | 1986-05-13 | 1994-07-06 | 三菱電機株式会社 | 固体撮像素子 |
| JPS6442992A (en) * | 1987-08-08 | 1989-02-15 | Olympus Optical Co | Solid-state image pickup device |
| JPH01210871A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-24 | Victor Co Of Japan Ltd | 表面電位分布と対応する電気信号の発生装置 |
| US5245452A (en) * | 1988-06-24 | 1993-09-14 | Matsushita Electronics Corporation | Active matric drive liquid crystal display device using polycrystalline silicon pixel electrodes |
| US5138416A (en) * | 1991-07-12 | 1992-08-11 | Xerox Corporation | Multi-color photosensitive element with heterojunctions |
| US5317174A (en) * | 1993-02-19 | 1994-05-31 | Texas Instruments Incorporated | Bulk charge modulated device photocell |
| JPH06334920A (ja) * | 1993-03-23 | 1994-12-02 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 固体撮像素子とその駆動方法 |
| JP5076528B2 (ja) * | 2007-02-06 | 2012-11-21 | 株式会社ニコン | 光電変換部の連結／分離構造、固体撮像素子及び撮像装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3906544A (en) * | 1971-07-14 | 1975-09-16 | Gen Electric | Semiconductor imaging detector device |
| JPS5850030B2 (ja) * | 1979-03-08 | 1983-11-08 | 日本放送協会 | 光電変換装置およびそれを用いた固体撮像板 |
| JPS6033342B2 (ja) * | 1979-06-04 | 1985-08-02 | 株式会社日立製作所 | 固体撮像装置 |
| JPS585086A (ja) * | 1981-07-01 | 1983-01-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JPS58105672A (ja) * | 1981-12-17 | 1983-06-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体撮像装置 |
| JPS59108457A (ja) * | 1982-12-14 | 1984-06-22 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像素子 |
| JPH0744661B2 (ja) * | 1982-12-14 | 1995-05-15 | オリンパス光学工業株式会社 | 固体撮像装置 |
| JPS59108476A (ja) * | 1982-12-14 | 1984-06-22 | Junichi Nishizawa | ２次元固体撮像装置及びその読出し方法 |
| JPS59148473A (ja) * | 1983-02-14 | 1984-08-25 | Junichi Nishizawa | ２次元固体撮像装置の読出し方法 |
| JPS59153381A (ja) * | 1983-02-22 | 1984-09-01 | Junichi Nishizawa | ２次元固体撮像装置 |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP59109615A patent/JPS60254886A/ja active Pending
-
1985
- 1985-05-20 US US06/736,073 patent/US4644402A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-05-28 DE DE3519077A patent/DE3519077C2/de not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63174480A (ja) * | 1987-01-14 | 1988-07-18 | Hitachi Ltd | 光電変換装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3519077A1 (de) | 1985-12-05 |
| DE3519077C2 (de) | 1987-03-19 |
| US4644402A (en) | 1987-02-17 |
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