JPH0121107B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0121107B2 JPH0121107B2 JP56117192A JP11719281A JPH0121107B2 JP H0121107 B2 JPH0121107 B2 JP H0121107B2 JP 56117192 A JP56117192 A JP 56117192A JP 11719281 A JP11719281 A JP 11719281A JP H0121107 B2 JPH0121107 B2 JP H0121107B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tin
- indium
- glass substrate
- composition
- lactate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/27—Oxides by oxidation of a coating previously applied
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、導電性被膜の成膜法さらに詳しくは
酸化インジウムを主体とする導電性被膜の成膜法
に関する。
酸化インジウムを主体とする導電性被膜の成膜法
に関する。
ガラス基板上への導電性被膜の成膜法として、
真空蒸着法、スパツタ法、CVD法、スプレー法、
塗布法等が従来から知られているが、真空蒸着
法、スパツタ法では量産化が困難で、かつ、製造
価格が高くなる欠点を有しており、また、CVD
法、スプレー法、塗布法等は大量の溶媒を使用す
るため安全性、分解ガスの処理、液の管理等の諸
問題を解決しなければならない。
真空蒸着法、スパツタ法、CVD法、スプレー法、
塗布法等が従来から知られているが、真空蒸着
法、スパツタ法では量産化が困難で、かつ、製造
価格が高くなる欠点を有しており、また、CVD
法、スプレー法、塗布法等は大量の溶媒を使用す
るため安全性、分解ガスの処理、液の管理等の諸
問題を解決しなければならない。
本発明は、前記公知の成膜法の欠点を改良した
安全かつ容易な導電性被膜の成膜法を提供するこ
とを目的とする。
安全かつ容易な導電性被膜の成膜法を提供するこ
とを目的とする。
本発明者等は前記目的を達成すべく鋭意研究の
結果、高温に加熱したガラス基板面に、粉末有機
金属組成物を吹付けることにより、均質かつ、一
様な厚みの金属酸化物被膜が形成されることを見
出し本発明を完成した。
結果、高温に加熱したガラス基板面に、粉末有機
金属組成物を吹付けることにより、均質かつ、一
様な厚みの金属酸化物被膜が形成されることを見
出し本発明を完成した。
本発明は、高温のガラス基板表面に、気流中に
おいて、 (a) 粉末の、乳酸インジウム及び/又は蓚酸イン
ジウム と、 (b) 粉末の、蓚酸スズ、乳酸スズ及び酢酸スズか
らなる群より選ばれた一種以上 とからなる組成物を接触せしめることを特徴とす
る導電性被膜の成膜法である。
おいて、 (a) 粉末の、乳酸インジウム及び/又は蓚酸イン
ジウム と、 (b) 粉末の、蓚酸スズ、乳酸スズ及び酢酸スズか
らなる群より選ばれた一種以上 とからなる組成物を接触せしめることを特徴とす
る導電性被膜の成膜法である。
本発明において、粉末有機インジウム化合物と
して室温下において固体である有機インジウム化
合物のいずれをも使用しうるが、乳酸インジウ
ム、蓚酸インジウム等を使用するのが、合成の容
易さ、化合物の安定性等から好ましい。
して室温下において固体である有機インジウム化
合物のいずれをも使用しうるが、乳酸インジウ
ム、蓚酸インジウム等を使用するのが、合成の容
易さ、化合物の安定性等から好ましい。
また、粉末有機スズ化合物としては、スズの蓚
酸塩、乳酸塩、酢酸塩等が使用でき、ドープ剤と
して使用される。ドープ剤としてのスズの使用量
は、インジウム1原子に対し、スズ0.01〜0.3の
原子比で使用出来るが、0.05〜0.15の原子比が好
ましい。
酸塩、乳酸塩、酢酸塩等が使用でき、ドープ剤と
して使用される。ドープ剤としてのスズの使用量
は、インジウム1原子に対し、スズ0.01〜0.3の
原子比で使用出来るが、0.05〜0.15の原子比が好
ましい。
使用する粉末の粒径は10μ以下が好ましく、望
ましくは、1μ以下の粉末が更に適している。
ましくは、1μ以下の粉末が更に適している。
本発明において、前記粉末有機インジウム化合
物と、粉末有機スズ化合物とからなる組成物中に
一定量の空気を吹込み浮遊せしめ、該組成物粉末
を含有する気流を、あらかじめ400〜650℃の温度
に加熱せしめたガラス基板表面に一定時間吹付け
ることにより、酸化インジウムを主体とする導電
性被膜が該ガラス基板表面に形成される。ガラス
基板の温度は、使用する化合物の種類により異な
るが、500〜600℃が好ましい。また、吹付け時間
を調整することにより、任意の膜厚および表面抵
抗値を得ることができる。
物と、粉末有機スズ化合物とからなる組成物中に
一定量の空気を吹込み浮遊せしめ、該組成物粉末
を含有する気流を、あらかじめ400〜650℃の温度
に加熱せしめたガラス基板表面に一定時間吹付け
ることにより、酸化インジウムを主体とする導電
性被膜が該ガラス基板表面に形成される。ガラス
基板の温度は、使用する化合物の種類により異な
るが、500〜600℃が好ましい。また、吹付け時間
を調整することにより、任意の膜厚および表面抵
抗値を得ることができる。
本発明は、簡単な操作で均質かつ、一様な厚み
の導電性被膜を容易に形成し得る導電性被膜の成
膜法を提供するものであり、その産業的意義は大
きい。
の導電性被膜を容易に形成し得る導電性被膜の成
膜法を提供するものであり、その産業的意義は大
きい。
以下、本発明を実施例によりさらに詳しく説明
する。ただし、本発明は下記実施例に限定される
ものではない。
する。ただし、本発明は下記実施例に限定される
ものではない。
実施例 1
ホツトプレート上に5cm×5cmのアルカリガラ
スを置きガラスの表面温度を550℃に保持した後、
5μ以下に粉砕した乳酸インジウムと乳酸スズと
のIn/Sn=10/1の混合組成物中に1/minの
速度で空気を吹込み導管により加熱された前記ガ
ラス基板上に10分間吹付けた。
スを置きガラスの表面温度を550℃に保持した後、
5μ以下に粉砕した乳酸インジウムと乳酸スズと
のIn/Sn=10/1の混合組成物中に1/minの
速度で空気を吹込み導管により加熱された前記ガ
ラス基板上に10分間吹付けた。
得られた被膜は、透明で固く表面抵抗値は50
Ω/sqであつた。
Ω/sqであつた。
実施例 2
粉砕された蓚酸インジウムと蓚酸スズとのIn/
sn=10/1の混合組成物中に1.5/minの速度
で空気を吹込み、600℃の表面温度に加熱された
ガラス基板上に3分間吹付けた。
sn=10/1の混合組成物中に1.5/minの速度
で空気を吹込み、600℃の表面温度に加熱された
ガラス基板上に3分間吹付けた。
得られた被膜は透明で固く表面抵抗値は、60
Ω/sqであつた。
Ω/sqであつた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 高温のガラス基板表面に、気流中において、 (a) 粉末の、乳酸インジウム及び/又は蓚酸イン
ジウム と、 (b) 粉末の、蓚酸スズ、乳酸スズ及び酢酸スズか
らなる群より選ばれた一種以上 とからなる組成物を接触せしめることを特徴とす
る導電性被膜の成膜法。 2 ガラス基板の表面温度が400〜650℃である特
許請求の範囲第1項記載の成膜法。 3 スズ原子のインジウム原子に対する比が0.01
〜0.3である組成物を用いる特許請求の範囲第1
項記載の成膜法。 4 組成物を気流中に浮遊分散せしめ、加熱され
たガラス基板上に吹付ける特許請求の範囲第1項
記載の成膜法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11719281A JPS5820754A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 導電性被膜の成膜法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11719281A JPS5820754A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 導電性被膜の成膜法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5820754A JPS5820754A (ja) | 1983-02-07 |
| JPH0121107B2 true JPH0121107B2 (ja) | 1989-04-19 |
Family
ID=14705676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11719281A Granted JPS5820754A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 導電性被膜の成膜法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5820754A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2584392B1 (fr) * | 1985-07-03 | 1992-02-14 | Saint Gobain Vitrage | Traitement de couches minces d'oxyde metallique ou de metal en vue de modifier leurs caracteristiques |
| FR2576324B1 (fr) * | 1985-01-22 | 1989-10-27 | Saint Gobain Vitrage | Poudre a base de formiate d'indium pour la formation d'une couche mince sur un substrat, notamment en verre, son procede de preparation et procede de formation d'une couche a partir d'une telle poudre |
| US6380101B1 (en) * | 2000-04-18 | 2002-04-30 | International Business Machines Corporation | Method of forming patterned indium zinc oxide and indium tin oxide films via microcontact printing and uses thereof |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4015724A (en) * | 1975-08-21 | 1977-04-05 | Paper Converting Machine Company | Method and apparatus for handling substacks of business forms to develop balanced stacks |
| JPS5319013A (en) * | 1976-08-05 | 1978-02-21 | Fujitsu Ltd | Writing circuit for magnetic memory apparatus |
| JPS5663844A (en) * | 1979-10-31 | 1981-05-30 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Forming method of metal oxide coat |
-
1981
- 1981-07-28 JP JP11719281A patent/JPS5820754A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5820754A (ja) | 1983-02-07 |
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