JPS5820754A - 導電性被膜の成膜法 - Google Patents
導電性被膜の成膜法Info
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- JPS5820754A JPS5820754A JP11719281A JP11719281A JPS5820754A JP S5820754 A JPS5820754 A JP S5820754A JP 11719281 A JP11719281 A JP 11719281A JP 11719281 A JP11719281 A JP 11719281A JP S5820754 A JPS5820754 A JP S5820754A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/27—Oxides by oxidation of a coating previously applied
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、導電性被膜の成膜法さらに詳しくＦｉ酸化イ
ンジウムを主体とする導電性被膜の成膜法に関する。
ンジウムを主体とする導電性被膜の成膜法に関する。
ガラス基板上への導電性被膜の成膜法として、真空蒸着
法、スパッタ法、ＣＶＤ法、スプレー法、塗布法尋が従
来から知られているが、真空蒸着法、ス／々ツタ法では
量産化が困難で、かつ、製造価格が高くなる欠点を有し
ており、また、ＣＶＤ法、スプレー法、塗布法尋は大量
の溶媒を使用するため安全性、分解ガスの地理、液の管
理等の諸問題を解決しなければならない。
法、スパッタ法、ＣＶＤ法、スプレー法、塗布法尋が従
来から知られているが、真空蒸着法、ス／々ツタ法では
量産化が困難で、かつ、製造価格が高くなる欠点を有し
ており、また、ＣＶＤ法、スプレー法、塗布法尋は大量
の溶媒を使用するため安全性、分解ガスの地理、液の管
理等の諸問題を解決しなければならない。
本妬明は、前記公知の成膜法の欠点を改良した安全かつ
容易な導電性被膜の成膜法を提供することを目的とする
。
容易な導電性被膜の成膜法を提供することを目的とする
。
本発明者等は前記目的を達成すべく鋭意研究の結果、高
温に加熱し九ガラス基板面に、粉末有機金属組成物を吹
付けることにより、均質かつ、一様な厚みの金属酸化物
被膜が形成されることを見出し本発明を完成した。
温に加熱し九ガラス基板面に、粉末有機金属組成物を吹
付けることにより、均質かつ、一様な厚みの金属酸化物
被膜が形成されることを見出し本発明を完成した。
本発明は、高温のガラス基板表面に、気流中において粉
末有機インジウム化合物と粉末有機スズ化合物とからな
る組成物を接触せしめることを特徴とする導電性被膜の
成膜法である。
末有機インジウム化合物と粉末有機スズ化合物とからな
る組成物を接触せしめることを特徴とする導電性被膜の
成膜法である。
本発明において、粉末有機インジウム化合物として室温
下において固体である有機インジウム化合物のいずれを
も使用しうるが、トリスアセチルアセトナトインジウム
、乳酸インジウム、ｇ酸インノウム等を使用するのが、
合成の容易さ、化合物の安定性等から好ましい。
下において固体である有機インジウム化合物のいずれを
も使用しうるが、トリスアセチルアセトナトインジウム
、乳酸インジウム、ｇ酸インノウム等を使用するのが、
合成の容易さ、化合物の安定性等から好ましい。
また、粉末有機スズ化合物としては、スズの蓚酸塩、乳
酸塩、酢酸塩′Ｊ＃が使用でき、ドープ剤として使用さ
れる。ドープ剤としてのスズの使用量は、インジウム１
原子に対し、スズ０．０１〜０．３の原子比で使用出来
るが、０．０５〜０．１５の原子比が好ましい。
酸塩、酢酸塩′Ｊ＃が使用でき、ドープ剤として使用さ
れる。ドープ剤としてのスズの使用量は、インジウム１
原子に対し、スズ０．０１〜０．３の原子比で使用出来
るが、０．０５〜０．１５の原子比が好ましい。
使用する粉末の粒径は１０μ以下が好ましく、望ましく
は、１μ以下の粉末が更に適している。
は、１μ以下の粉末が更に適している。
本発明において、前記粉末有機インジウム化合物と、粉
末有機スズ化合物とからなる組成物中に一定量の空気を
吹込み浮遊せしめ、該組成物粉末を含有する気流を、゛
あらかじめ４００〜６５０℃の温度に加熱せしめたガラ
ス基板表面に一定時間吹付けることにより、酸化インジ
ウムを主体とする導電性被膜が該ガラス基板表面に形成
される。ガラス基板の温度は、使用する化合物の１１類
により異なるが、５００〜６００℃が好ましい。また、
吹付は時間を調整することにより、任意の膜厚および表
面抵抗値を得ることができる。
末有機スズ化合物とからなる組成物中に一定量の空気を
吹込み浮遊せしめ、該組成物粉末を含有する気流を、゛
あらかじめ４００〜６５０℃の温度に加熱せしめたガラ
ス基板表面に一定時間吹付けることにより、酸化インジ
ウムを主体とする導電性被膜が該ガラス基板表面に形成
される。ガラス基板の温度は、使用する化合物の１１類
により異なるが、５００〜６００℃が好ましい。また、
吹付は時間を調整することにより、任意の膜厚および表
面抵抗値を得ることができる。
本発明は、簡単な操作で均質かつ、一様な厚みの導電性
被膜を容易に形成し得る導電性被膜の成膜法を提供する
ものであ少、その産業的意義は大きい。
被膜を容易に形成し得る導電性被膜の成膜法を提供する
ものであ少、その産業的意義は大きい。
以下、本発明を実施例によシさらに詳しく説明する。た
だし、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
だし、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
実施例１
ホットプレート上に５３Ｘ５ｍのアルカリガラスを置き
ガラスの表面温度を５５０℃に保持した後、５μ以下に
粉砕した乳酸インジウムと乳酸スズとの工ｎ／５ｎ＝Ｉ
Ｖ１の混合組成物中ＶＣ１ｔ／―の速度で空気を吹込み
導管により加熱された前記ガラス基板上にｉｏ分間吹付
けた。
ガラスの表面温度を５５０℃に保持した後、５μ以下に
粉砕した乳酸インジウムと乳酸スズとの工ｎ／５ｎ＝Ｉ
Ｖ１の混合組成物中ＶＣ１ｔ／―の速度で空気を吹込み
導管により加熱された前記ガラス基板上にｉｏ分間吹付
けた。
得られた被膜は、透明で固く表面抵抗値は（資）Ω／ａ
ｑであった。
ｑであった。
実施例２
粉砕された蓚酸インジウムと蓚酸スズとの工ｎ／５ｎ＝
ｌＯ／１の混合組成物中に１．５ ｔ／―の速度で空気
を吹込み、６００℃の表面温度に加熱されたガラス基板
上に３分間吹付けた。
ｌＯ／１の混合組成物中に１．５ ｔ／―の速度で空気
を吹込み、６００℃の表面温度に加熱されたガラス基板
上に３分間吹付けた。
得られた被膜は透明で固く表面抵抗値は、ωΩ／ｓｑで
あった。
あった。
出 願 人 日本曹達株式会社
代 理 人 伊 藤 晴 ２同
横 山 吉 集＝２Ｃ。
横 山 吉 集＝２Ｃ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｉ、、ｗｉのガラス基板表面に、気流中において、粉末
有機インノウム化合物と粉末有機スズ化合物とからなる
組成物を接触せしめることを特徴とする導電性被膜の成
膜法。 ２、ガラス基板の表面温度が４００〜６５０℃である特
許請求の範囲第１項記載の成膜法。 ｊ、 スズ′原子のインジウム原子に対する比が０．０
１〜０．３である組成物を用いる特許請求の範囲第１項
記載の成膜法。 ４、組成物を気流中に浮遊分散せしめ、加熱されたガラ
ス基板上に吹付ける特許請求の範囲第１項記載の成膜法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11719281A JPS5820754A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 導電性被膜の成膜法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11719281A JPS5820754A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 導電性被膜の成膜法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5820754A true JPS5820754A (ja) | 1983-02-07 |
| JPH0121107B2 JPH0121107B2 (ja) | 1989-04-19 |
Family
ID=14705676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11719281A Granted JPS5820754A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 導電性被膜の成膜法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5820754A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61194181A (ja) * | 1985-01-22 | 1986-08-28 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 基体上に薄層を形成する方法 |
| JPS627844A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-14 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 特性改良のための金属酸化物または金属薄層の処理 |
| KR100436379B1 (ko) * | 2000-04-18 | 2004-06-16 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 마이크로콘택트 프린팅을 통해 패턴화된 인듐-아연 산화물및 인듐-주석 산화물 필름을 제조하는 방법 및 그의 용도 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5227165A (en) * | 1975-08-21 | 1977-03-01 | Paper Converting Machine Co | Business form substack processor for making balanced stack |
| JPS5319013A (en) * | 1976-08-05 | 1978-02-21 | Fujitsu Ltd | Writing circuit for magnetic memory apparatus |
| JPS5663844A (en) * | 1979-10-31 | 1981-05-30 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Forming method of metal oxide coat |
-
1981
- 1981-07-28 JP JP11719281A patent/JPS5820754A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5227165A (en) * | 1975-08-21 | 1977-03-01 | Paper Converting Machine Co | Business form substack processor for making balanced stack |
| JPS5319013A (en) * | 1976-08-05 | 1978-02-21 | Fujitsu Ltd | Writing circuit for magnetic memory apparatus |
| JPS5663844A (en) * | 1979-10-31 | 1981-05-30 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Forming method of metal oxide coat |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61194181A (ja) * | 1985-01-22 | 1986-08-28 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 基体上に薄層を形成する方法 |
| JPS627844A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-14 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 特性改良のための金属酸化物または金属薄層の処理 |
| KR100436379B1 (ko) * | 2000-04-18 | 2004-06-16 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 마이크로콘택트 프린팅을 통해 패턴화된 인듐-아연 산화물및 인듐-주석 산화물 필름을 제조하는 방법 및 그의 용도 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0121107B2 (ja) | 1989-04-19 |
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