JPH01212434A - 成膜方法 - Google Patents
成膜方法Info
- Publication number
- JPH01212434A JPH01212434A JP63037961A JP3796188A JPH01212434A JP H01212434 A JPH01212434 A JP H01212434A JP 63037961 A JP63037961 A JP 63037961A JP 3796188 A JP3796188 A JP 3796188A JP H01212434 A JPH01212434 A JP H01212434A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- film deposition
- substrate
- chamber
- gasses
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
Ｕ】 産業上の利用分野
本発明は原料ガスを分解し基板上に膜を成膜する成膜方
法に関し、例えばｐ１ｎ重合管備えた光起電力装置の半
導体膜の成膜に好適に用いられる。 切従米の技術 基板上に膜組成や、組成比の異な、た異種膜を原料ガス
の分解により成膜する方法として、単一の成膜室セ原料
ガｈを底膜すべき層毎に切替える単室方式と、各層毎に
専用の成膜！を１１１１え、各成膜終了後基板を大気に
曝丁ことなく移動せしめる分離方式が現存する。 単室方式は上述の如く原料ガスの切替えるだけでＡ′種
膜の成膜が可能なこと、省スペース型であること等の理
□由で用いられるものの、特開昭５６−１１４３８７号
公報に開示された如（、前工程での残留不純物による影
響等により高品質な膜が得られないために、現在では上
記先行技術のように分離方式が主流となっている。 然し乍ら、斯る分離方式により成膜された膜を謂かてみ
ると、同時に一連の成膜を終えた膜間の膜組成比のパッ
ク’ａｒｔ小さいものの、Ｓな、たときに成膜した膜間
のパラつきは大きく、例えばｐ型半導体膜、 Ｈａｌｔ
真性］半導体膜及びｎ型半一体膜の導電−が異なる膜を
専用のｐ型成膜室、１１成躾室、ｎ層成ＷＡＭにこの順
序で基板を移動させ、成膜したところ、原料ガスとして
導入していない酸素及び窒素が成る膜中には多量に含ま
れたり、またｌ型半導体膜Ｋｉ！ｆｆ工程のｐ型決定不
純物のみならず後工程のｎ型決定不純物も混入している
ことがある。上記酸素及び窒素は大気中からのリーキン
グにより一定量の混入は避は虐ｉものの、そのｉｌをも
上図、ている。 し惨 発明が解決し１５とする課題 本発明は上述の如く原料ガスとして成膜室に導入してい
ない不純物の混入をより一層低減しようとするものであ
る。 に）課題を解決する九めの手段 本発明は、成膜されるべき膜を支持する基板の４＠方向
に潟、て、少なくとも各々に導入される原料ガスに異種
ガスを含む複数の成膜遼を配置すると共に、成膜室間Ｋ
Ａ種ガスの移動を気密に封止する封止手段を設け、各成
膜室で異な、た膜を基板上に成膜する成膜方法であつて
、上記基板の移動方向前方の成膜室にて膜を成膜後、上
記封止手段を開き異種ガスの混入を防止しつつ後方の成
膜室に成膜された基板のみを移動せしめ、上記封止手段
を閉じて後方の成膜ＮＫで基板上に異な、た膜を積層せ
しめることを特徴とする。 （ホ）作用 上述の如く前方の成膜室にて成膜後、後方の成膜室には
異種ガスの混入を防止しつつ基板のみを移動せしめるこ
とによ、て、大気中のガスや前工程の異種ガスの成膜室
への不所望な取り込みが減少する。 （へ）実施例 第１面は本発明成膜方法を、第２図に示す如くガラス等
の透尤注絶嫌板４１）の−主面ＫＩＴＯやＳｎｏｗ等の
透明電極膜（２）が予め被着された導電性基板（３）よ
Ｋｐ型型半体体膜４９）、１ｆｆｉ半導体膜（４１）、
ｎＮｉ半導体膜
法に関し、例えばｐ１ｎ重合管備えた光起電力装置の半
導体膜の成膜に好適に用いられる。 切従米の技術 基板上に膜組成や、組成比の異な、た異種膜を原料ガス
の分解により成膜する方法として、単一の成膜室セ原料
ガｈを底膜すべき層毎に切替える単室方式と、各層毎に
専用の成膜！を１１１１え、各成膜終了後基板を大気に
曝丁ことなく移動せしめる分離方式が現存する。 単室方式は上述の如く原料ガスの切替えるだけでＡ′種
膜の成膜が可能なこと、省スペース型であること等の理
□由で用いられるものの、特開昭５６−１１４３８７号
公報に開示された如（、前工程での残留不純物による影
響等により高品質な膜が得られないために、現在では上
記先行技術のように分離方式が主流となっている。 然し乍ら、斯る分離方式により成膜された膜を謂かてみ
ると、同時に一連の成膜を終えた膜間の膜組成比のパッ
ク’ａｒｔ小さいものの、Ｓな、たときに成膜した膜間
のパラつきは大きく、例えばｐ型半導体膜、 Ｈａｌｔ
真性］半導体膜及びｎ型半一体膜の導電−が異なる膜を
専用のｐ型成膜室、１１成躾室、ｎ層成ＷＡＭにこの順
序で基板を移動させ、成膜したところ、原料ガスとして
導入していない酸素及び窒素が成る膜中には多量に含ま
れたり、またｌ型半導体膜Ｋｉ！ｆｆ工程のｐ型決定不
純物のみならず後工程のｎ型決定不純物も混入している
ことがある。上記酸素及び窒素は大気中からのリーキン
グにより一定量の混入は避は虐ｉものの、そのｉｌをも
上図、ている。 し惨 発明が解決し１５とする課題 本発明は上述の如く原料ガスとして成膜室に導入してい
ない不純物の混入をより一層低減しようとするものであ
る。 に）課題を解決する九めの手段 本発明は、成膜されるべき膜を支持する基板の４＠方向
に潟、て、少なくとも各々に導入される原料ガスに異種
ガスを含む複数の成膜遼を配置すると共に、成膜室間Ｋ
Ａ種ガスの移動を気密に封止する封止手段を設け、各成
膜室で異な、た膜を基板上に成膜する成膜方法であつて
、上記基板の移動方向前方の成膜室にて膜を成膜後、上
記封止手段を開き異種ガスの混入を防止しつつ後方の成
膜室に成膜された基板のみを移動せしめ、上記封止手段
を閉じて後方の成膜ＮＫで基板上に異な、た膜を積層せ
しめることを特徴とする。 （ホ）作用 上述の如く前方の成膜室にて成膜後、後方の成膜室には
異種ガスの混入を防止しつつ基板のみを移動せしめるこ
とによ、て、大気中のガスや前工程の異種ガスの成膜室
への不所望な取り込みが減少する。 （へ）実施例 第１面は本発明成膜方法を、第２図に示す如くガラス等
の透尤注絶嫌板４１）の−主面ＫＩＴＯやＳｎｏｗ等の
透明電極膜（２）が予め被着された導電性基板（３）よ
Ｋｐ型型半体体膜４９）、１ｆｆｉ半導体膜（４１）、
ｎＮｉ半導体膜
【４ｎ】の光１！変換膜（４）を成膜し
、最後に金属電極膜（５）を被着し次光起電力装置の製
造方法に適用した実施例を示している。 成膜室α０は基板（３）の移動方向前方からｐ型半導体
成膜Ｎ（以下ｐ型室と略す）（ＩＯｐ）、 ｌ型半導体
成膜室（以下１１１１！と略す）（１０１）及びｎ型半
導体成膜室（以下ｎｆｆ１璽と賂す） （１０１１）の
互いに＠接した３厘からなり、ｐｊｌ富（ＩＯＰ）の更
に前方には基板（３３を受は入れろ際当該ｐ！！ＩＩ宣
（１０ｐ）が大気に開放されるのを防止する仕込室αＤ
が設けられていると共に、ｎ型室ＣＩｏｎ）の後方には
成膜後の基板（３）を取り出す際当該ｎｌｌ宣（Ｉｏｎ
）の大気への開放を防止する取出室αりが設置されてい
る。斯る一層の仕込３ｍ（１１）、 Ｉｌｌ宣（１０Ｐ
）、１ｆｆｉ呈（ＩＧｌ）、ｎ！！Ｉ宣ＣＩｏｎ）及び
取出室αりの各々には真空排気系αＪが設られ、更に６
宣の１［ＩＫｔ；Ｃ各々基板（３）の移動を許容すると
共に、異種ガスの混入を防止する開閉自在な仕切弁＜１
４＆）〜（１４ｄ）が設けられている。当然仕込室（１
ｍ）と大気との間には入口弁１５１が設けられ、ｔた取
出室α４には出口弁舖が配置されている。 ＰＭｊＩｊｉｌ（１０ｐ）、１１１！（１０１）、ｎｌ
ｌ意（１０ｎ］の各成膜Ｎはヒータ顛を内蔵した上部電
極（１８１１）と高周波電源（ＩＩに連なる下部電極（
１８ｂ）との間で１ｌｉｌｉ周波プラズマを励起し、原
料ガス供給源（２０ｐ）（２０１）（２０ｎ）に連なる
下部ＩＥ＠ （１８ｂ）の上部電極対向面に離散的に穿
たれ次多数のＲＬ科ガス放出孔
、最後に金属電極膜（５）を被着し次光起電力装置の製
造方法に適用した実施例を示している。 成膜室α０は基板（３）の移動方向前方からｐ型半導体
成膜Ｎ（以下ｐ型室と略す）（ＩＯｐ）、 ｌ型半導体
成膜室（以下１１１１！と略す）（１０１）及びｎ型半
導体成膜室（以下ｎｆｆ１璽と賂す） （１０１１）の
互いに＠接した３厘からなり、ｐｊｌ富（ＩＯＰ）の更
に前方には基板（３３を受は入れろ際当該ｐ！！ＩＩ宣
（１０ｐ）が大気に開放されるのを防止する仕込室αＤ
が設けられていると共に、ｎ型室ＣＩｏｎ）の後方には
成膜後の基板（３）を取り出す際当該ｎｌｌ宣（Ｉｏｎ
）の大気への開放を防止する取出室αりが設置されてい
る。斯る一層の仕込３ｍ（１１）、 Ｉｌｌ宣（１０Ｐ
）、１ｆｆｉ呈（ＩＧｌ）、ｎ！！Ｉ宣ＣＩｏｎ）及び
取出室αりの各々には真空排気系αＪが設られ、更に６
宣の１［ＩＫｔ；Ｃ各々基板（３）の移動を許容すると
共に、異種ガスの混入を防止する開閉自在な仕切弁＜１
４＆）〜（１４ｄ）が設けられている。当然仕込室（１
ｍ）と大気との間には入口弁１５１が設けられ、ｔた取
出室α４には出口弁舖が配置されている。 ＰＭｊＩｊｉｌ（１０ｐ）、１１１！（１０１）、ｎｌ
ｌ意（１０ｎ］の各成膜Ｎはヒータ顛を内蔵した上部電
極（１８１１）と高周波電源（ＩＩに連なる下部電極（
１８ｂ）との間で１ｌｉｌｉ周波プラズマを励起し、原
料ガス供給源（２０ｐ）（２０１）（２０ｎ）に連なる
下部ＩＥ＠ （１８ｂ）の上部電極対向面に離散的に穿
たれ次多数のＲＬ科ガス放出孔
【−示せず】から導入さ
れる原料ガスをプラズマ分解して、斯る上部・下部ｗＬ
極（１８＆）−（１８ｂ）間に配置される基板（３）上
にｐｍ。 ！！ｊ１、ｎｍｏ半導体膜（４ｐ〕、（４１人（４ｎ〕
を堆積せしめる構成となっておシ、この構成自体は各量
結合星の高Ｗ４ｔ＆プラズマＣＶＤ装置として知られて
いる。そして仕し！５麗０１Ｊ＆Ｃは基板（３３をプレ
ヒートすると−タ顛が設けられ、窒素、アルゴン等の不
活性ガスが不活性ガス供給源（２１＆）から供給される
。斯る不活性ガス供給源（２１ｂ）は取出室０にも不活
性ガスを個別に供給すべて設置されている。 而して、本発明の特徴は６憲αυ、（ＩＯＰ）。 ｃ Ｉｏ ｔ ）、（１０ｎ）、ｌａをコノ順序に基板
（３３ｔ ＃ 動せしめる搬送形態にある。ＭＬＩち本
発明における基板（３）の搬送には、先行技術に開示さ
れｔように適当なパレットやトレイ等の基板ホルダを一
切使用せず、基板（３）のみを直接後方の成膜厘Ｋｓ動
せしめる構成としている。第１図に示され次実施例にあ
、てはプラズマ分解が発生する上部−下部電極（１８Ｌ
）・（１８ｂ）間を基板（３）の移動乃至配置領域とし
、基板（３）の移動方向の両１１に搬送モータのと関連
付けられた上部搬送ローラ群Ｃ２３＆）と下部搬送ロー
ラ＃（２３ｂ）を基板（３）のほぼ厚みに相当する間隔
を隔てて対向配置し、斯る上部・下部搬送ａ−ラ群（２
３１＆）・（２３ｂ）で基板（３）を挾持しながら回転
することによ、て基板（３）を順次後方に搬送する構成
とな、ている。 第３（２）は上部を極（１８１１）側から下部電極（１
８ｂ）を臨んだ状態を模式的に示したものであり、上部
搬送ローラ群（２３＆）は省略されている。 第４図は搬送ローラ群を構成する一つの搬送ローラΩの
具体例を示すものであシ、搬送モータのと連なる回転軸
（２３０）にベアリング（２３１）を貫挿し、その最外
周には凹凸４が刻設された耐熱性のゴム（２３２）が設
けられ基板（３）の破損を回避すると共に、スムーズな
搬送を可能ならしめている。 基板（３１への成膜は下記のようにして行なわｎる。 先ず仕込室ｆｌＤＫ基板（３）を仕込み、案内を高真空
に引き不活性ガス中で基板
れる原料ガスをプラズマ分解して、斯る上部・下部ｗＬ
極（１８＆）−（１８ｂ）間に配置される基板（３）上
にｐｍ。 ！！ｊ１、ｎｍｏ半導体膜（４ｐ〕、（４１人（４ｎ〕
を堆積せしめる構成となっておシ、この構成自体は各量
結合星の高Ｗ４ｔ＆プラズマＣＶＤ装置として知られて
いる。そして仕し！５麗０１Ｊ＆Ｃは基板（３３をプレ
ヒートすると−タ顛が設けられ、窒素、アルゴン等の不
活性ガスが不活性ガス供給源（２１＆）から供給される
。斯る不活性ガス供給源（２１ｂ）は取出室０にも不活
性ガスを個別に供給すべて設置されている。 而して、本発明の特徴は６憲αυ、（ＩＯＰ）。 ｃ Ｉｏ ｔ ）、（１０ｎ）、ｌａをコノ順序に基板
（３３ｔ ＃ 動せしめる搬送形態にある。ＭＬＩち本
発明における基板（３）の搬送には、先行技術に開示さ
れｔように適当なパレットやトレイ等の基板ホルダを一
切使用せず、基板（３）のみを直接後方の成膜厘Ｋｓ動
せしめる構成としている。第１図に示され次実施例にあ
、てはプラズマ分解が発生する上部−下部電極（１８Ｌ
）・（１８ｂ）間を基板（３）の移動乃至配置領域とし
、基板（３）の移動方向の両１１に搬送モータのと関連
付けられた上部搬送ローラ群Ｃ２３＆）と下部搬送ロー
ラ＃（２３ｂ）を基板（３）のほぼ厚みに相当する間隔
を隔てて対向配置し、斯る上部・下部搬送ａ−ラ群（２
３１＆）・（２３ｂ）で基板（３）を挾持しながら回転
することによ、て基板（３）を順次後方に搬送する構成
とな、ている。 第３（２）は上部を極（１８１１）側から下部電極（１
８ｂ）を臨んだ状態を模式的に示したものであり、上部
搬送ローラ群（２３＆）は省略されている。 第４図は搬送ローラ群を構成する一つの搬送ローラΩの
具体例を示すものであシ、搬送モータのと連なる回転軸
（２３０）にベアリング（２３１）を貫挿し、その最外
周には凹凸４が刻設された耐熱性のゴム（２３２）が設
けられ基板（３）の破損を回避すると共に、スムーズな
搬送を可能ならしめている。 基板（３１への成膜は下記のようにして行なわｎる。 先ず仕込室ｆｌＤＫ基板（３）を仕込み、案内を高真空
に引き不活性ガス中で基板
【３）を所定温度にプレヒー
トした後、不活性ガスの供ｉＩ＆を停止し高真空状態と
して仕切弁（１４＆）を開き、ｐ型室（ＩＯＰ）に基板
（３）のみを搬送せしめる。基板（３７が予定位置に到
着すると、移動を停止し、仕切９Ｐ（１４Ｊｌ）を閉じ
て、線群ガスを導入すると共にプラズマを励起し、！＆
板（３）上にｐｍ半導体膜（４Ｐ）を成膜する。 このときの原料ガスはモノシラン（ＳｉＨｎ）ガスを主
体とし、光学的禁止帯幅調整元素としてのカーボン０を
含むメタン（ＣＨ４）、及びｐ型決定不純物としてのボ
ａ：／■を含むジボラン（ＢｚＨ６）が用いられボロン
ドープのアモルファスシリコンカーバイドが形成される
。成膜後、原料ガスの供給を停止しｐｉｌｌ室（ＩＯＰ
）を一旦高真交にし、同じく高真空か、共通の原料ガス
であるＳｉＨ４のみが供給された状態のｌ型室（１０１
）との仕切弁（１４ｂ）を開き基板（３）のみを移動せ
しめる。移動完了後仕切弁（１４ｂ）を閉じｌ型室（１
０１）Ｋて５ＩＨ４ガスのみを原料ガスとしノンドープ
のアモルファスシリコンからなる！型半導体膜【４１】
がｐ型半導体膜（４ｐ〕上に堆積される。斯る１型宣（
１０１）の成膜において注目すべきは、ｐｕｇ（ＩＯＰ
）から移動してき九ものは必要不可欠な基板（３）のみ
である。従つて、１ｆｆｉ呈（１０１）への移動の際、
ｐ型室（ＩＯｐ）の異種ガスであるＣＨ４やＢｚＨ６を
速断すれば、斯る異種ガスが基板ホルダに付着して混入
することもなく、また基板ホルダは大式中の醗素や窒素
とめ、九不純物を吸蔵しており、更には前回の成膜過程
でｎ型決定不純物をも付着していることから、ｌ型室（
１０１）で放出したシ、またプラズマによるスパッタ効
果によりた九き出されたりすることもないので、極めて
不純物の混入の少ない画品質な膜が得られる。 ｉｆｉ半導体膜（４１］の成膜後、仕切弁（１４ｅ）を
開き高真空状態のｎ型！１ＣＩｏｎ）に基板（３）を移
動せしめる。このときｎ型半導体膜（４ｎ〕がリンドー
プのアモルファスシリコンであると、ｌ型室（１０１）
の原料ガス５ｉＨ４はｎ型！（１０１１）の原料ガスと
共通であるので、異種ガスであるｎ型決定不純物のリン
［Ｆ］を含むＰＨｓがｌｆｉ室（１０１）Ｋ浸入するこ
とがないように注意する。移動が終了すると仕切弁（１
４０）を閉じ、供給が停止していたＳｉＨ４及びＰＨｘ
の原料ガスを導入し、ｎ型半導体膜（４ｎ・）を成膜す
る。 成膜が終了すると、ｎ型！（１０１）を高真空状態とし
、仕切弁（１４ｄ）を開いて取出室αりに基板（３）の
みを移動せしめ、仕切弁（１４ｄ）が閉塞後取出Ｎａり
の出口弁１ｅｆ：開き成膜が終了した基板を取り出す。 そして、 ｎｆｆ１半導体膜（４ｎ）上に金属電ｆｆｌ
（５）を蒸層し、光起電力装置の基本構造が完成する
。 斯る成膜のフローは一つの基板（３）について説明した
が、一つの基板（３）が移動すれば、他の基板（３）が
補元され連続的な成膜が行なわれている。 このようＫして成膜された膜中の不純物を調べてみると
、基板ホルダを使用した従来の分離方式では緩素が５
Ｘ １０”ａｔｍ−／ｃｃ、 ｉｌ素カ５ｘｌｏ”ｊｌ
ｔｍ、１０（！含まｔＬテｔｎ７ｔのが、夫”ｉ〜２Ｘ
ＩＱ１９ａｔｍ、／Ｃｃ、ｌＸｌ０ ａｔｍ、／ｃｃ
Ｋ激ｉｇＬ７’ｔ。更に１型半導体膜（４ｎ〕中のボロ
ン磯度についても５〜１０ＸＩ Ｏ”ａｔｍ、／ａｃ
カＩＸＩ ｇ ”ａｔｍ、／ｃｃに減少し次ことを確認
した。そして、斯る不純物の減少の結果高品質な膜が得
られることから、光電変換効率において、初期値で５９
６の上昇がみられ、を九九劣化（経時劣化〕で劣化する
割合が５第少なくな、た。 尚、以上の実施例における基板搬送手段は上部拳下部搬
送ローラ＃（２３＆）−（２３ｂ）を用い友が、第５因
に示す如く上部・下部搬送ローラ膵（２：１）−（２３
ｂ）Ｏ！５に基板（３）を挾持するのでになく、底面（
下部］と側面に下部・側面搬送ローラ群（２３ｂＨ２３
ｃ）を当接せしめる構成としたり、無端ベルトの上に基
板（３）を載置し搬送する構成としたりしても良く、ま
た地の構成であ、ても良い。 （ト）発明の効果 本発明成膜方法は大気中のガスや前工程の異種ガスの成
膜迩への不所望な取り込みが減少するので、Ｉ＆板ホル
ダを使用する方式に比して原料ガスとして成膜室に導入
していない不純物の混入を１５−１−低減せしめること
ができると共に、斯る要がなく膜質の改善のみならず生
産性の同上も肉れる。
トした後、不活性ガスの供ｉＩ＆を停止し高真空状態と
して仕切弁（１４＆）を開き、ｐ型室（ＩＯＰ）に基板
（３）のみを搬送せしめる。基板（３７が予定位置に到
着すると、移動を停止し、仕切９Ｐ（１４Ｊｌ）を閉じ
て、線群ガスを導入すると共にプラズマを励起し、！＆
板（３）上にｐｍ半導体膜（４Ｐ）を成膜する。 このときの原料ガスはモノシラン（ＳｉＨｎ）ガスを主
体とし、光学的禁止帯幅調整元素としてのカーボン０を
含むメタン（ＣＨ４）、及びｐ型決定不純物としてのボ
ａ：／■を含むジボラン（ＢｚＨ６）が用いられボロン
ドープのアモルファスシリコンカーバイドが形成される
。成膜後、原料ガスの供給を停止しｐｉｌｌ室（ＩＯＰ
）を一旦高真交にし、同じく高真空か、共通の原料ガス
であるＳｉＨ４のみが供給された状態のｌ型室（１０１
）との仕切弁（１４ｂ）を開き基板（３）のみを移動せ
しめる。移動完了後仕切弁（１４ｂ）を閉じｌ型室（１
０１）Ｋて５ＩＨ４ガスのみを原料ガスとしノンドープ
のアモルファスシリコンからなる！型半導体膜【４１】
がｐ型半導体膜（４ｐ〕上に堆積される。斯る１型宣（
１０１）の成膜において注目すべきは、ｐｕｇ（ＩＯＰ
）から移動してき九ものは必要不可欠な基板（３）のみ
である。従つて、１ｆｆｉ呈（１０１）への移動の際、
ｐ型室（ＩＯｐ）の異種ガスであるＣＨ４やＢｚＨ６を
速断すれば、斯る異種ガスが基板ホルダに付着して混入
することもなく、また基板ホルダは大式中の醗素や窒素
とめ、九不純物を吸蔵しており、更には前回の成膜過程
でｎ型決定不純物をも付着していることから、ｌ型室（
１０１）で放出したシ、またプラズマによるスパッタ効
果によりた九き出されたりすることもないので、極めて
不純物の混入の少ない画品質な膜が得られる。 ｉｆｉ半導体膜（４１］の成膜後、仕切弁（１４ｅ）を
開き高真空状態のｎ型！１ＣＩｏｎ）に基板（３）を移
動せしめる。このときｎ型半導体膜（４ｎ〕がリンドー
プのアモルファスシリコンであると、ｌ型室（１０１）
の原料ガス５ｉＨ４はｎ型！（１０１１）の原料ガスと
共通であるので、異種ガスであるｎ型決定不純物のリン
［Ｆ］を含むＰＨｓがｌｆｉ室（１０１）Ｋ浸入するこ
とがないように注意する。移動が終了すると仕切弁（１
４０）を閉じ、供給が停止していたＳｉＨ４及びＰＨｘ
の原料ガスを導入し、ｎ型半導体膜（４ｎ・）を成膜す
る。 成膜が終了すると、ｎ型！（１０１）を高真空状態とし
、仕切弁（１４ｄ）を開いて取出室αりに基板（３）の
みを移動せしめ、仕切弁（１４ｄ）が閉塞後取出Ｎａり
の出口弁１ｅｆ：開き成膜が終了した基板を取り出す。 そして、 ｎｆｆ１半導体膜（４ｎ）上に金属電ｆｆｌ
（５）を蒸層し、光起電力装置の基本構造が完成する
。 斯る成膜のフローは一つの基板（３）について説明した
が、一つの基板（３）が移動すれば、他の基板（３）が
補元され連続的な成膜が行なわれている。 このようＫして成膜された膜中の不純物を調べてみると
、基板ホルダを使用した従来の分離方式では緩素が５
Ｘ １０”ａｔｍ−／ｃｃ、 ｉｌ素カ５ｘｌｏ”ｊｌ
ｔｍ、１０（！含まｔＬテｔｎ７ｔのが、夫”ｉ〜２Ｘ
ＩＱ１９ａｔｍ、／Ｃｃ、ｌＸｌ０ ａｔｍ、／ｃｃ
Ｋ激ｉｇＬ７’ｔ。更に１型半導体膜（４ｎ〕中のボロ
ン磯度についても５〜１０ＸＩ Ｏ”ａｔｍ、／ａｃ
カＩＸＩ ｇ ”ａｔｍ、／ｃｃに減少し次ことを確認
した。そして、斯る不純物の減少の結果高品質な膜が得
られることから、光電変換効率において、初期値で５９
６の上昇がみられ、を九九劣化（経時劣化〕で劣化する
割合が５第少なくな、た。 尚、以上の実施例における基板搬送手段は上部拳下部搬
送ローラ＃（２３＆）−（２３ｂ）を用い友が、第５因
に示す如く上部・下部搬送ローラ膵（２：１）−（２３
ｂ）Ｏ！５に基板（３）を挾持するのでになく、底面（
下部］と側面に下部・側面搬送ローラ群（２３ｂＨ２３
ｃ）を当接せしめる構成としたり、無端ベルトの上に基
板（３）を載置し搬送する構成としたりしても良く、ま
た地の構成であ、ても良い。 （ト）発明の効果 本発明成膜方法は大気中のガスや前工程の異種ガスの成
膜迩への不所望な取り込みが減少するので、Ｉ＆板ホル
ダを使用する方式に比して原料ガスとして成膜室に導入
していない不純物の混入を１５−１−低減せしめること
ができると共に、斯る要がなく膜質の改善のみならず生
産性の同上も肉れる。
第１１ｉ３は本発明成膜方法を説明するための成膜装置
の模式図、第２図は本発明成膜方法にエフ製造しようと
する基本的光起電力装置の断面図、第３肉ｒｔ第１因の
要部を示す上面図、第４図は搬送ローラの具体例の斜視
図、４５図は他の搬送手段の具体例の模式図を夫々示し
ている。 （３）・・・基板、αａ−・・成膜室、（ＩＯＰ）・−
ｐ型（半導体成膜］呈、（１０１）・・・１ｆｆｉ（半
導体成膜）Ｊ （Ｉｏｎ）−ｎ型（半導体成膜〕璽、（
２３ｊＬ）・（２３ｂ）・・・上部・下部搬送ａ−ラ。
の模式図、第２図は本発明成膜方法にエフ製造しようと
する基本的光起電力装置の断面図、第３肉ｒｔ第１因の
要部を示す上面図、第４図は搬送ローラの具体例の斜視
図、４５図は他の搬送手段の具体例の模式図を夫々示し
ている。 （３）・・・基板、αａ−・・成膜室、（ＩＯＰ）・−
ｐ型（半導体成膜］呈、（１０１）・・・１ｆｆｉ（半
導体成膜）Ｊ （Ｉｏｎ）−ｎ型（半導体成膜〕璽、（
２３ｊＬ）・（２３ｂ）・・・上部・下部搬送ａ−ラ。
Claims (1)
- （１）成膜されるべき膜を支持する基板の移動方向に沿
って、少なくとも各々に導入される原料ガスに異種ガス
を含む複数の成膜室を配置すると共に、成膜室間に異種
ガスの移動を気密に封止する封止手段を設け、各成膜室
で異なった膜を基板上に成膜する成膜方法であって、上
記基板の移動方向前方の成膜室にて膜を成膜後、上記封
止手段を開き異種ガスの混入を防止しつつ後方の成膜室
に成膜された基板のみを移動せしめ、上記封止手段を閉
じて後方の成膜室にて基板上に異なった膜を積層せしめ
ることを特徴とした成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63037961A JPH01212434A (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63037961A JPH01212434A (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01212434A true JPH01212434A (ja) | 1989-08-25 |
Family
ID=12512156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63037961A Pending JPH01212434A (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01212434A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002115073A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-04-19 | Kobe Steel Ltd | プラズマ処理装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58169980A (ja) * | 1982-03-19 | 1983-10-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光起電力素子の製造方法 |
-
1988
- 1988-02-19 JP JP63037961A patent/JPH01212434A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58169980A (ja) * | 1982-03-19 | 1983-10-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光起電力素子の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002115073A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-04-19 | Kobe Steel Ltd | プラズマ処理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4770029B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置及び太陽電池の製造方法 | |
| JP3067940B2 (ja) | 窒化ケイ素薄膜の蒸着 | |
| US9157145B2 (en) | Processing tool with combined sputter and evaporation deposition sources | |
| US8865259B2 (en) | Method and system for inline chemical vapor deposition | |
| US10508332B2 (en) | Film formation apparatus, film formation method, and manufacturing method of solar battery | |
| KR20140037198A (ko) | 인라인 화학 기상 증착을 위한 방법 및 시스템 | |
| JPS58199571A (ja) | 光起電力デバイス製造装置用のガス・ゲ−ト | |
| JPS6257270B2 (ja) | ||
| WO2011139472A2 (en) | Inline chemical vapor deposition system | |
| EP1122336A2 (en) | Apparatus and method for forming a deposited film by means of plasma CVD | |
| CN101999173B (zh) | 薄膜太阳能电池制造装置 | |
| WO2011148924A1 (ja) | 成膜装置 | |
| TWI531674B (zh) | 多處氣體饋送裝置與方法 | |
| JP2891808B2 (ja) | 半導体素子の連続的製造装置及び製造方法 | |
| JPS61110772A (ja) | 多層薄膜形成装置 | |
| JPH09213636A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH06177409A (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JP3069682B2 (ja) | 反応室のクリーニング方法 | |
| JPS5850735A (ja) | 量産型薄膜生成装置 | |
| JPH01231315A (ja) | 結晶半導体薄膜製造装置 | |
| JPH0563223A (ja) | 非単結晶タンデム型太陽電池の製法及びそれに用いる製造装置 | |
| JP2815711B2 (ja) | 薄膜半導体装置製造装置 | |
| JPS59220918A (ja) | 気相成長法 | |
| KR101431168B1 (ko) | 성막 장치, 성막 장치의 유지보수 방법 | |
| JPS6030182A (ja) | 非晶質光起電力素子の製造装置 |