JPH01213031A - チューナ回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、テレビジョン信号あるいはＣ，ＡＴＶ信号を
受信する受像機におけるチューナ回路装置に関するもの
であり、更に詳しくは、集積回路化を図ったかかるチュ
ーナ回路装置に関する。

〔従来の技術〕

テレビジョン信号やＣＡＴＶＡＴＶ信号する受像機にお
けるチューナ回路で、集積回路ＣＴＣ）化を図った例と
しては特開昭５７−１２５５３３号公報や特開昭６０−
１４９２２６号公報に記載の例のように、Ｓｉバイポー
ラトランジスタを用いた集積化回路デバイスを挙げ得る
が、それも動作周波数の関係で混合回路や発振回路の集
積回路化はＶＨＦ受信バンド用のそれのみに限られてい
た。

〔発明が解決しようとする課題〕

このように、従来技術では、Ｓｉバイポーラトランジス
タによって集積化を図る都合上、その動作周波数によっ
て制限を受け、ＵＨＦバンド用の混合回路や発振回路の
集積回路化は実現されておらず、その結果チューナ回路
の集積化による回路規模の低減効果が十分得られていな
いという問題があった。またＳｔバイポーラトランジス
タ自体が歪特性において劣る性質のものであるため、こ
れにより構成した混合回路等も必然的に混変調妨害等を
含む３次歪性能において劣るという問題があった。

本発明の目的は、ＶＨＦのみならずＵＨＦバンドをも含
む広帯域な信号受信用の混合回路を少なくとも集積回路
化して、回路規模の充分な低減効果を得るようにすると
共に、３次歪性能においても良好であるようなチューナ
回路装置を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕 上記課題は、Ｓｉバイポーラトランジスタに代えて、動
作周波数の高いＧａＡｓＭＥＳ　　ＦＥＴによって少な
くとも混合回路を集積回路化することとし、そのことに
より混合回路をＵＨＦおよびＶＨＦバンド兼用のＧａＡ
ｓＭＥＳ　　ＦＥＴ　　ＩＣとして実現することにより
解決される。

〔作用］ 集積化回路デバイスとしてのＧａＡｓＭＥＳＦＥＴはそ
の動作周波数が高＜ＵＨＦＨＦパフ上の周波数帯での混
合２発振動作を確保できるとともに、ＦＥＴ構成とする
ことによりＳｔバイポーラトランジスタで構成した場合
より良好な３次歪性能を得ることができる。このように
ＦＥＴの低歪スイッチング特性等を利用し、ＶＨＦバン
ドとＵＨＦハンド兼用の混合器をＧａＡｓＭＥＳ　　Ｆ
ＥＴ構造のＩＣとして実現することにより、構成素子数
の少ない集積回路（ｒｃ）から成るチューナ回路を得る
ことができる。

〔実施例〕

次に図を参照して本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の第１の実施例を示す回路図である。し
かし第１図は一見複雑で見難いので、第１図の概略構成
を示したブロック図である第１Ａ図を参照してそのあら
ましを先ず説明する。

第１Ａ図において、１はＵＨＦ入力端子、２はＶＨＦ入
力端子、３は■Ｆ出力端子、１０はＵＨＦ入力可変同調
回路、１１はＵＨＦ段間可変複同調回路、２１はＵＨＦ
−ＲＦ増幅器、１２はＶＨＦ入力可変同調回路、１３は
ＶＨＦ段間可変複同調回路、２２はＶＨＦ　−ＲＦ増幅
器、１４は混合回路、１５は発振回路、１６はＵＨＦ可
変共振回路、１７はＶＨＦ可変共振回路、１８は混合出
力ＩＦフィルタ、１９はＩＦ増幅回路、である。

混合回路１４は、成る第１の動作モードにおいては、Ｕ
ＨＦ入力端子ｌから１０．２１．１１のルートでバッフ
ァＦＥＴを介して入力されるＵＨＦバンドの信号と、Ｕ
ＨＦ可変共振回路１６と発振回路１５とが動作すること
により発生し入力してくる発振出力信号と、を混合し、
混合出力をＩＦフィルタ１８を介してＩＦ増幅回路１９
に向けｔ出力する。又、混合回路１４は、第２の動作モ
ードにおいては、ＶＨＦ入力端子２から１２．２２．１
３のルートでバッファＦＥＴを介して入力されるＶＨＦ
ハンドの信号と、ＶＨＦ可変共振回路１７と発振回路１
５とが動作することにより発生し入力してくる発振出力
信号と、を混合し、混合出力をＩＦフィルタ１８を介し
てＩＦ増幅回路１９に向けて出力する。

このようにして混合回路１４はＵＨＦ用とＶＨＦ用に共
用される。

以上を念頭において第１図を参照すれば、その理解が少
しは容易になると思われる。そこで再び第１図を参照す
る。

第１図において、１はＵＨＦ信号入力端子、２はＶＨＦ
信号入力端子、３はＩＦ信号出力端子、４は十Ｂ電源端
子、５はＵＨＦ電源端子（ＢいＦ）、６はＶＨＦ電源端
子（ＢｖＨ，）、７は可変容量ダイオードへの同調制御
電圧端子（ＶＴ）、８は■ＨＦローバンド電源端子（Ｂ
Ｌ）　、９はＶＨＦハイバンド電源端子（ＢＨ）、であ
る。１０はＵ）ＩＦ入力可変同調回路、１１はＵＨＦ段
間可変複同副回路、１２はＶＨＦ入力可変同調回路、１
３はＶＨＦ段間可変複同調回路、１４は混合回路、１５
は発振回路、１６゛はＵＨＦ可変共振回路、１７はＶＨ
Ｆ可変共振回路、１８は混合出力ＩＦフィルタ、１９は
ＩＦ増幅回路、２０はＩＦ出力フィルタ、２１はＵＨＦ
−ＲＦ増幅器、２２はＶＨＦ・ＲＦ増幅器、４００はＧ
ａＡｓＭＥＳ　　ＦＥＴによる集積回路化部分、である
。

入力信号はそれぞれの受信バンド入力端子１゜２に加え
られたあと、受信バンドに応じ、入力可変同調回路１０
．１２でおおよその帯域を選択された後、ＲＦ増幅器２
１．２２で増幅され段間可変複同調回路１１．１３でさ
らに帯域選択され混合器１４に入力される。混合器１４
では、各バンドの可変共振回路１６．１７の共振周波数
に応じて発振する発振回路（可変発振回路）１５からの
発振信号と上述の入力信号とを混合して周波数変換した
後出力し、混合出力ＩＦフィルタ１８でＩＦ信号成分を
取り出し、ＩＦ増幅回路１９で増幅しＩＦ出力フィルタ
２０を経てＩＦ信号出力端子３からＩＦ倍信号して出力
する。

次に第１図に示す回路を各ブロック毎にとりあげてその
詳細な説明を行う。

ＵＨＦ入力可変同調回路１０は入力端子１００、出力端
子１０１、可変容量ダイオード１０２、トラッキング容
量１０３、共振インダクタ１０４からなり、可変容量ダ
イオード１０２の容量を可変して同調周波数を可変して
いる。ＵＨＦ段間可変複同調回路１１は入力端子１０５
、出力端子１０６、可変容量ダイオード１０７，１０８
、共振インダクタ１０９，１１０、トラッキング容量１
１１．１１２、結合コンデンサ１１３，１１４からなり
、共振インダクタ１０９，１１０は誘導結合しており、
可変容量ダイオード１１１，１１２の容量を可変させ、
可変複同調回路を構成している。

ＶＨＦ入力可変同調回路１２は可変容量ダイオード１２
２、トラッキング容量１２３、ハイバンドコイル１２４
、ローバンドコイル１２５、スイッチ回路１２６からな
り、スイッチ回路１２６はローバンド（ＢＬ）およびハ
イバンド（Ｂｌｌ）の電圧によりスインチングダイオー
ド（図示せず）をハイバンド受信時オン、ローバンド受
信時オフさせることにより、同一可変容量ダイオードで
受信バンドをローバンドとハイバンドに切換えている。

ＶＨＦ段間可変複同調回路１３は、入力端子１２７、出
力端子１２８、可変容量ダイオード１２９．１３０、ト
ラッキング容量１３１，１３２、ハイバンドコイル１３
３，１３５、ローバンドコイル１３４，１３６、スイッ
チ回路１３７，１３８、結合コンデンサ１３９，１４０
からなり、スイッチ回路１３７，１３８は前述したスイ
ッチ回路１２６と同様にＢｔ、Ｂｏ雷電圧よりオン・オ
フして（図示せず）ローバンドとハイバンドに同調周波
数バンドを切換えている。またローバンドコイル１３３
と１３５、ハイバンドコイル１３４と１３６はそれぞれ
誘導結合しており複同調回路を構成している。

発振回路１５は、ゲートを接地された発振用ＵＨＦバン
ド用ＦＥＴ３０．ＶＨＦバンド用ＦＥＴ３１を含み、発
振用ＦＥＴ３０，３１のソースから発振信号を抵抗３２
．３３を経て取り出し、バッファ用ＦＥＴ３４，３５の
ゲートに信号を入力し、バッファ用ＦＥＴ３４，３５の
ソースを共通接続してＶＨＦおよびＵＨＦの発振信号を
差動増幅器３８で増幅する構成になっており、３６．３
７はバイアス抵抗、３９は十Ｂ電源入力端子で、差動増
幅器３８、ＦＥＴ３４．３．５のドレインに電源電圧を
供給している。

４０は接地端子で差動増幅器３８の一方の入力端子から
入力した発振信号を平衡出力とするため、他方の入力端
子をコンデンサ４７で接地している。

４１．４２は発振信号平衡出力端子、４３はＵＨＦバン
ド用発振ＦＥＴ３０のソース端子、４４はドレイン端子
であり、４５はＶＨＦバンド用発振ＦＥＴ３１のソース
端子、４６はドレイン端子である。

ＵＨＦ可変共振回路１６は、帰還容量５０，５１、結合
コンデンサ５２、トラッキング容量５３、共振インダク
タ５４、可変容量ダイオード５５から構成されており、
帰還容量５０．５１を発振用ＦＥＴ３０のドレイン・ソ
ース間および、ソース・アース間に付加してタラップ発
振回路を構成させて発振動作を行ない、結合コンデンサ
５２により共振回路と結合させ、可変容量ダイオード５
５の同調容量を可変させて発振周波数を制御している。

また発振用ＦＥＴ３０のドレイン端子４４には高周波チ
ョークコイル５７を経てＵＨＦバンド電圧（Ｂ　ＬＩＩ
ＩＦ）が印加されてＵＨＦバンドのみの発振動作を行な
う。発振用ＦＥＴ３０のソース端子４３にはソースバイ
アス抵抗５６が接続されている。なお発振用ＦＥＴ３０
，３１はデプレッションタイプのＦＥＴを使用しており
、ゲートが零電位でもバイアス電流が流れるようになっ
ている。

ＶＨＦ可変共振回路１７は帰還容量６０，６１、結合コ
ンデンサ６２、トラッキング容量６６、可変容量ダイオ
ード６５、ハイバンドコイル６３、ローバンドコイル６
４、スイッチ回路６８、ソースバイアス抵抗６７、ソー
ス接続端子７０、ドレイン接続端子６９より構成されて
おり、ＵＨＦ可　　。

変共振回路１６と同様にクラップ発振回路動作を行ない
、結合コンデンサ６２を経て共振回路と結合させるとと
もにスイッチ回路６８をオン・オフすることにより発振
周波数帯をローバンド（オフ）とハイバンド（オン）に
切換え、可変容量ダイオード６５の容量を可変すること
により発振周波数を制御している。また発振用ＦＥＴ３
１のドレイン端子４６には高周波チョークコイル７１を
経てＶＨＦバンド電圧（Ｂｖ、Ｆ）が印加されており、
■ＨＦバンドのみの発振動作を行なう。５８．５９はバ
イパスコンデンサである。

なお以上の回路動作の説明では、可変容量ダイオードへ
の同調制御電圧（ＶＴ）の印加バイアス回路は省略して
あり、以後の説明にてもこの点は同様である。

混合回路１４はＵＨＦ入力端子７２、ＶＨＦ入力端子７
３、変換信号出力端子７４，７５、発振信号入力端子７
６．７７、混合用ＦＥＴ７８，７９．８０，８１、バッ
ファ用ＦＥＴ８２，８３、バイアス抵抗８４，８５、歪
改善用抵抗８６より構成されている。

ＦＥＴ７Ｂと８０のドレイン、ＦＥＴ７９と８１のドレ
インをそれぞれ接続して変換信号出力端子７４．７５に
出力するとともに、ＦＥＴ７８とＦＥＴ８１のゲート、
ＦＥＴ７９と８０のゲートをそれぞれ接続して発振信号
入力端子７６．７７からの逆位相の平衡発振信号を印加
し、さらにＦＥＴ７Ｂと７９のソース、ＦＥＴ８０と８
１のソースのそれぞれを接続してバッファ用ＦＥ７８２
゜８３からの逆位相の差動ＲＦ信号を入力するＤＢＭ（
ダブルバランスミクサ）構成になっている。

バッファ増幅用ＦＥＴ８２．８３のゲートバイアス回路
は省略しである。ＵＨＦバンド受信時には端子７２から
ＵＨＦ　−ＲＦ倍信号入力されＦＥＴ８２のゲートに入
力される。ＦＥＴ８２，８３は差動増幅器構成となって
おり、ＦＥＴ８３のゲート端子は結合コンデンサ１４０
を介してトラッキング容量１３２、可変容量ダイオード
１３０の容量で接地され、ＦＥＴ８２からの信号は、不
平衡・平衡変換され、ＦＥＴ７８〜８１のＤＢＭの各々
のソースに逆位相の平衡ＲＦ信号が入力される。

一方ＶＨＦバンド受信時にはＶ）（Ｆ　−ＲＦ倍信号Ｆ
ＥＴ８３のゲートに入力され、この時ＦＥＴ８２のゲー
トは結合コンデンサ１１４を介して共振インダクタ１１
０、トラッキング容量１１２、可変容量ダイオード１０
８からなる低インピーダンス回路で接地され、ＵＨＦバ
ンド受信時と同様にＶＨＦ　−ＲＦ倍信号不平衡・平衡
変換され差動信号がＦＥＴ７Ｂ〜８１で構成されたＤＢ
Ｍの各々のソースに入力される。

混合出力フィルタ回路１８は変換信号入力端子８６．８
７、同調容量８８、ＩＦ同調インダクタ９２、結合用ダ
ンピング抵抗９０、異常発振防止用抵抗８９、結合コン
デンサ９１、十Ｂ電源端子９３、ＩＦ信号出力端子９４
からなり、混合回路１４のＦＥＴ７８〜８１のドレイン
に、抵抗８９および、１Ｆ同調インタリタ９２を介し十
Ｂ電圧を供給するとともに、同調容量８８およびＩＦ同
調インダクタ９２による共振周波数をＩＦ信号周波（例
えば国内では５７ＭＨｚ付近）に合わせ変換信号からＩ
Ｆ信号成分を取り出し、抵抗９０および結合コンデンサ
９１を経てＩＦ信号出力端子９４からＩＦ信号成分が出
力される。１５６はバイパスコンデンサである。

１Ｆ増幅回路１９はデュアルゲートＦＥ７９５、バイア
ス抵抗９６．９７、ＩＦ信号入力端子９９、ＩＦ信号出
力端子１６０からなり、デュアルゲートＦＥＴ９５の第
１ゲート（Ｇ１）に信号を入力して、ドレインより出力
する増幅器で、第２ゲー）　（Ｇ２）は利得制御端子９
８の印加バイアスにより増幅度（利得）が制御される構
成になっている。

１５０はバイパスコンデンサ、１５１，１５４゜１５５
はバイアス抵抗、１５２，１５３は直流スイッチングダ
イオードであり、ＶＨＦバンド受信時には電源ＢｖＨＦ
が抵抗１５５を介して印加され、スイッチングダイオー
ド１５３をオンにして、低いバイアス値に設定し利得を
低く設定している。

またＵＨＦバント受信時には電源Ｂ　ＬＩＮＦがバイア
ス抵抗１５４を介して印加されスイッチングダイオード
１５２をオンにして高いバイアスにして利得を増加させ
るようにバイアス抵抗が選択されている。

１Ｆ出力フイルタ２０はＩＦ信号入力端子１６１、ＩＦ
出力コイル１５７、バイアス抵抗１５９、＋Ｂ電源入力
端子１５８、結合コンデンサ１６０、コンデンサ１６２
からなり、コンデンサ１６２とＩＦ出力コイル１５７よ
りＩＦ同調フィルタを構成し結合コンデンサ１６０を介
してＩＦ出力端子３からＩＦ倍信号出力するとともに、
抵抗１５９およびＩＦ出力コイル１５７を介してＩＦ増
幅回路１９のＦＥＴ９５のドレインに十Ｂ電圧を供給し
ている。

一方ＵＨＦ　−ＲＦ増幅器２１にはＢ　ＬＩＩＩＦが、
ＶＨＦ　−ＲＦ増幅器にはＢ　ＶＭＦのそれぞれのバン
ド電圧が印加され、各バンド受信時のみ動作するように
なっている。

第１図に示す本発明の実施例で各バンドの受信動作につ
いて以下、説明する。■ＨＦバンド受信時にはＵＨＦ−
ＲＦ増幅器２１と発振回路１５の発振用ＦＥＴ３０の電
源をオフにしてＵＨＦ発振動作を停止するとともに、混
合回路１４にＵＨＦ信号が入力されＶＨＦ発振信号の高
調波により周波数変換された不要信号が出力されるのを
防止するとともに、ＩＦ増幅回路１９の利得を低く設定
して、ＲＦ増幅素子の受信バンドによる利得偏差を補正
している。

ＵＨＦバンド受信時にはＶＨＦ　−ＲＦ増幅器２２と発
振回路の発振用ＦＥＴ３１の電源をオフにしてＶＨＦ発
振動作を停止するとともに、ＶＨＦバンド信号が混合回
路１４に入力されるのを防止するとともにＩＦ増幅回路
１９の利得を高く設定し７ＵＨＦ　−ＲＦ増幅器２１（
７）Ｖｌ−ＩＦ−ＲＦ増幅器２２より利得が低下する分
を補正して、ＶＨＦバンドとＵＨＦバンドのチューナと
しての電力利得をほぼ同一になるようにしている。

次に本実施例の混合回路１４の特性について説明する。

第２図は、第１図に示す混合回路１４の変換利得の周波
数特性を従来のＳｉバイボーラドランジスタを用いたＤ
ＢＭ　（ダブルバランスミキサ）のそれと比較して示し
た特性図であり、第３図は３次歪性能について同じよう
に比較して示した特性図である。ＩＦ出力周波数を５８
ＭＨｚとし、入力周波数および発振周波数を可変して変
換利得を示したのが第２図であり、　２’　ＯｄＢｍの
２波（周波数ｆ、、ｆ２）を入力して３次歪性能（信号
出力レベルと　２ｆ２−ｆ、あるいは２ｆ、−ｆ２構成
との比）を示したものが第３図である。

本実施例に用いたＥＦＥＴはＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ構造
でゲート長は量産が容易な１μｍのものでありｆＬは１
８ＧＨｚと高い。このためＳｉバイポーラトランジスタ
では量産が容易なプロセスでのｆｔが６Ｃ；Ｈｚ程度で
あり第２図に示すように、Ｓｉバイポーラトランジスタ
によるＤＢＭの変換利得は６００ＭＨｚ以上で急激に低
下しているのに対し、ＧａＡｓＭＥＳ　　ＦＥ、Ｔを用
いた本実施例のＤＢＭはＩＧＨｚ以上でも変換利得が低
下しな（、ＶＨＦバンドとＵＨＦバンドで混合回路を兼
用可能とする広帯域動作が得られている。

また第３図に示す３次歪性能でもＦＥＴ構造ということ
により従来のＳｉバイポーラトランジスタで構成したＤ
ＢＭより２０ｄＢ以上良好な値が得られていることが分
かる。

また第１図のＩＦ増幅回路１９はデュアルゲー）ＦＥＴ
構造（９５）とし、第２ゲートの電圧を制御して利得を
可変しており、Ｓｉバイポーラトランジスタなどでの利
得制御に伴なう３次歪性能の劣化も少ない。

さらにＵＨＦバンドとＶＨＦバントでＩＦフィルタ１８
を共用しており受信バンドによってＩＦ同調状態が異な
るという問題もない。

第１図の実施例では、先にも述べたように、４００はＧ
ａＡｓＭＥＳ　　ＦＥＴによる集積回路化部分を示して
おり、ＵＨＦバンドとＶＨＦバンドの発振回路とＩＦ増
幅回路を含み、ＵＨＦバンドとＶＨＦバンドで混合回路
や発振増幅部を兼用していることもあいまって構成素子
数が少なく、１チップＩＣとして構成して用いているこ
とにより回路構成素子数が少なく３次歪性能の良好なチ
ュ−子回路装置が得られる。

第４図は本発明の第２の実施例の要部としてチューナ回
路装置における混合回路の部分だけを示した回路図であ
り、他の回路部分は第１図のそれと同一なので省略しで
ある。

第４図の混合回路１４′で７８〜８１はＦＥＴでＤＢＭ
回路を構成しており、１７０と１７１はバッファ用ＦＥ
Ｔ、１７２，１７３はバイアス抵抗である。バッファ用
ＦＥＴ１７０．１７１はゲートが接地された増幅器構成
になっておりそれぞれのソース端子にＵＨＦ入力端子７
２．ＶＨＦ入力端子７３からＲＦ（ｆｉが入力される構
成になっている。

バッファ用ＦＥＴ１７０、あるいは１７１のドレインか
ら出力されたＲＦ倍信号ＦＥＴ７Ｂと７９、あるいはＦ
ＥＴ８０と８１のソースに入力されバランスミクサ動作
を行ない、ＩＦ倍信号変換信号出力端子をＶＨＦバンド
とＵＨＦバンドで兼用して用いている。

この混合回路では、第１図に示すチューナ回路装置のゲ
ートから信号を入力する混合回路１４よりさらに３次歪
性能が良好であり、より歪特性の良好なチューナ回路装
置が得られるという利点を有する。

第５図は本発明の第３の実施例の要部として、チューナ
回路装置の一部分を示した回路図である。

すなわち可変複同調回路１１．１３と混合回路１４との
間に切換回路を設けた構成を示しており、他の回路部分
は第１図あるいは第４図に示す回路構成と同一であり省
略しである。

第５図において、１８０，１８１はスイッチングダイオ
ード、１８２，１８３は結合コンデンサ、１８４〜１８
８はバイアス抵抗、１８９はバイパスコンデンサである
。

ＶＨＦバンド受信時には電源Ｂ　Ｖ）ＩＦがバイアス抵
抗１８５を介して加わることによりスイッチングダイオ
ード１８０をオンにして、ＵＨＦ可変複同調回路１１か
らの信号を減衰させ混合回路１４への信号入力を阻止し
ている。つまりこの時、スイッチングダイオード１８１
はオフであり、ＶＨＦ可変複同調回路１３の信号は混合
回路１４へほぼ減衰なしに伝達されている。

ＵＨＦバンド受信時には逆にスイッチングダイオード１
８１をオンにしてＶＨＦ可変複同調回路１３からの信号
を減衰させ阻止するとともにスイッチングダイオード１
８０をオフにしてＵＨＦ可変複同調回路１１からの信号
をほぼ減衰なしに伝達しており、本実施例によれば他の
受信バンド信号による妨害特性のより少ないチューナ回
路装置が得られるという利点を有する。

第６図は本発明の第４の実施例を示す回路図である。本
実施例ではＶＨＦ可変同調回路１２′。

１３′としてＣＡＴＶ信号をも受信可能な広帯同調回路
を用い（１２’、１３’の詳細は後述）、さらに集積回
路化部分４０１から分かるように、切換回路の一分をＧ
ａＡｓＭＥＳ　　ＦＥＴにより構成するとともに、混合
回路１４′の利得を受信バンドにより切換える構成をと
っている。本図においても第１図におけるのと同様な回
路については説明を略し同一番号を付している。

第６図で１１′はＵＨＦ可変複同調回路で、２００は結
合イ、ンダクタであり、共振インダクタ１１０と主に結
合するが、共振インダクタ１０９とも疎結合しており、
結合コンデンサ１１４を介して出力端子１０６より信号
が取り出されている。

第６図で１２’、１３’は広帯域可変同調回路、１７′
は広帯域可変共振回路であり、それぞれ詳細な回路構成
を第７図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）に示しである。

第７図（ａ）でＶＨＦ入力可変同調回路１２′は、入力
端子１２０、出力端子１２１、ローバンドコイル２３１
、ハイバンドコイル２３０、高可変容量ダイオード２３
２、可変容量ダイオード２３３、スイッチ回路２３４か
らなり、高可変容量ダイオード２３２と、ハイバンドコ
イル２３０（スイッチ２３４がオン）あるいはハイバン
ドコイル２３０とローバンドコイル２３１との直列イン
ダクタ（スイッチ２３４がオフ）と可変容量ダイオード
２３３により共振回路を構成して、可変容量ダイオード
２３２，２３３の容量を変え同調周波数をローバンドと
ハイバンドで可変させている。

第７図（ｂ）はＶＨＦ段間可変複同調回路１３′を示す
回路図で入力端子１２７、出力端子１２８、高可変容量
ダイオード２３５，２３６、可変容量ダイオード２３７
，２３８、ハイバンドコイル２３９．２４０、スイッチ
回路２４１，２４２、結合コンデンサ２４５，２４６か
らなり、スイッチ回路２４３，２４４を制御して、ハイ
バンド（オン）ローバンド（オフ）に同調周波数帯を切
換えるとともに、ハイバンドコイル２３９と２４０およ
びローバンドコイル２４１と２４２をそれぞれ誘導結合
させ、高可変容量ダイオード２３５，２３６、可変容量
ダイオード２３７．２３８の容量を可変して同調周波数
を可変する可変複同調回路を構成している。

第７図（Ｃ）はＶＨＦ可変共振回路１７′を示す回路図
で、高可変容量ダイオード２５０、可変容量ダイオード
２５１，２５２、ハイバンド用コイル２５３、ローバン
ド用コイル２５４、スイッチ回路２５５，２５６、結合
コンデンサ２５７゜２５８、高周波チョークコイル２５
９、トラッキング容量２６０，２６５、バイアス抵抗２
６１〜２６３、バイパスコンデンサ２６４からなり、発
振回路１５のＶＨＦ発振用ＦＥＴ３１のソース端につな
がる端子７０には高周波チョークコイル２５９とバイア
ス抵抗２６２によりソース端子をハイインピーダンスの
状態にして発振用バイアス電流を流すとともに、ドレイ
ン端子へ接続される端子６９との間に結合コンデンサ２
５７，２５８を介して可変容量ダイオード２５１を、端
子６９とアース間に可変容量ダイオード２５２．）ラッ
キング容量２６５を帰還容量として接続し、発振周波数
に連動して（同調制御電圧により）可変容量ダイオード
の容量を可変させゲート接地タラップ発振回路動作をテ
レビ放送帯からＣＡＴＶ信号周波数帯（９０〜５２０　
ＭＨｚ）で連続して発振可能なようにしている。

ハイバンド受信時には、スイッチ２５５，２５６をオン
にしてほぼ可変容量ダイオード２５１゜２５２、トラッ
キング容量２６０と２６５の並列容量との直列容量値と
高可変容量ダイオード２５０とハイバンドコイル２５３
による共振回路により、またローバンド受信時には、ス
イッチ２５５゜２５６をオフにしてほぼ可変容量ダイオ
ード２５１．２５２、トラッキング容量２６５の直列容
量値と高可変容量ダイオード２５０とハイバンドコイル
２５３とローバンドコイル２５４の直列インダクタンス
との共振回路により、それぞれ共振周波数が決定され各
可変容量ダイオードの容量を変え、共振周波数を変化さ
せ発振周波数を制御している。

第８図は、第６図に示した実施例としてのチューナ回路
装置の同調周波数特性を示す特性図で、約５０〜４７０
ＭＨｚの周波数を同調制御電圧１〜２５Ｖで２バンドで
カバーしており、この時、高可変容量ダイオードの容量
変化率ｎを１５以上、また可変容量ダイオードの容量変
化率ｎを１０以上に選択している。

第６図における混合回路１４＃はＤＢＭ構成のＦＥＴ７
８〜８１、差動対をなすバッファ増幅ＦＥｒ２Ｏ３，２
０４、定電流源ＦＥＴ２０５，２０６、インピーダンス
変化用ＦＥ７２０２、スイッチ用ＦＥＴ２０１，２０７
、バイアス抵抗２０９〜２１３、十Ｂ電源端子２２３、
スイッチ端子２２２、利得制御端子２２０、高周波接地
端子２２１、歪改善用抵抗２０８から構成されている。

定電流源用ＦＥＴ２０５，２０６のゲートは接地され、
バイアス抵抗２１５，２１６とＦＥＴのしきい電圧値に
より決定される定電流が流れる。

インピーダンス変換用ＦＥＴ２０２はゲートが接地され
バイアス抵抗２１１により同様電流が流れ、この動作電
流とバイアス抵抗２１０によって十Ｂ電源電圧より低下
した電圧がバッファ用ＦＥＴ２０３のゲートおよびバイ
アス抵抗２０９を介してバッファ用ＦＥＴ２０４のゲー
トに電圧が印加されている。

スイッチ用ＦＥＴ２０７の一端は直流的には浮いており
バイパスコンデンサ２２４により高周波接地されてスイ
ッチ端子２０３にバイアス抵抗２２２を介して電圧が印
加されるとスイッチ用ＦＥＴ２２２がオンしハソファ用
ＦＥＴ２０３のゲート端子を高周波的に短絡する。また
利得制御用ＦＥＴ２０１はハンファ用ＦＥＴ２０３，２
０４のソース間に接地され利得制御端子２２０よりバイ
アス抵抗２１４を介して電圧が印加されるとオンして歪
改善用抵抗２０８によって利得が低下していたバッファ
増幅ＦＥＴの利得を高める。

第６図に示した実施例でＶＨＦバンド受信時には電源Ｂ
　ＶＨＦをスイッチ端子２２２に印加して差動対をなす
バッファ増幅ＦＥＴの一方のゲートを高周波的に短絡し
て一方のＦＥＴ２０４のゲートからＲＦ信号を入力して
、差動対における入力信号の不平衡・平衡変換動作を行
ない、ＦＥＴ７８〜８１で構成されるＤＢＭ平衡ＲＦ信
号を入力するとともに、ＵＨＦ可変複同調回路１１′か
らのＵＨＦ信号を減衰させ、ＤＢＭへのＵＨＦ信号入力
を阻止しＶＨＦ受信時、ＶＨＦ発振信号の高周波による
不要信号出力を防止する。

また、歪改善用抵抗２０日によりバッファ増幅差動増幅
器としての３次歪性能をさらに高め、広帯域同調回路に
よって可変同調回路の通過帯域幅が拡がり３次歪妨害特
性が劣化するのを防止して３次歪特性の良好なＶＨＦバ
ンド受信動作を行なっている。

ＵＨＦバンド受信時には誘導結合により低インピーダン
スでＵＨＦ可変複同調回路１１′から出力されるＵＨＦ
信号をインピーダンス変換用ＦＥＴ２０２の低インピー
ダンス入力であるソースに入力してドレインからハイイ
ンピーダンスで取り出しバッファ増幅Ｆ　Ｅ’Ｔ　２０
３のゲートに信号を伝達するとともに、もう一方の差動
対のＦＥＴ２０４のゲートをＶＨＦ可変複同調回路１３
′の結合コンデンサ２４６、可変容量ダイオード２３８
により高周波的に短絡して不平衡・平衡変換を行ないＦ
ＥＴ７８〜８１のＤＢＭへＵＨＦ　−ＲＦ平衡信号を入
力する。

この時利得制御端子２２２にＵＨＦバンド電圧Ｂ　ＬＩ
ＭＦを印加してＦＥＴ２０１をオンさせ利得を増しＲＦ
増幅器でＵＨＦバンドの利得がＶＨＦバンドに比べ低く
なる点を一部補正すると共にＩＦ増幅回路１９の利得制
御端子９８にもＢい、を印加してバイアス電圧を高めＩ
Ｆ増幅器としての利得を高め、ＶＨＦバンド受信時とＵ
’ＨＦバンド受信時のチューナとしての利得をほぼ等し
くしている。

なお第６図において、先にも述べたように４０１はＧａ
ＡｓＭＥＳ　　ＦＥＴを用いた集積回路化部分であり、
これによって第１図、第４図に示した実施例と同様に構
成素子数が少なく回路構成が簡単で３次歪特性の良好な
チューナ回路装置が得られる。

本実施例においてはＵＨＦ可変複同調回路との結合をイ
ンダクタによる誘導結合で可能としており、ＵＨＦ可変
複同調回路で知られている３本の共振インダクタによる
イメージ妨害信号トラップが容易に形成され妨害の少な
いＵ、ＨＦバンド受信が行なえる。また第５図に示した
ＵＨ，Ｆ信号阻止（減衰）回路の一部をも集積回路化し
てチューナ回路全体を簡略化できるという効果を有する
。

ざらにＶＨＦバンド（５０〜４７０Ｍ七）を２バンドに
分割して広帯域に可変同調回路を構成する場合には可変
同調回路の通常帯域幅が拡がりＣＡＴＶ信号などの多波
の信号が混合回路に入力されるがＧａＡｓＭＥＳ　　Ｆ
ＥＴを用いた混合回路構成により広帯域動作と良好な３
次歪性能と相まって妨害の少ないＶＨＦバンド受信がＶ
ＨＦ２バンド可変同調回路でも実現できるという利点を
有する。

また発振信号のＶＨＦ入力端子３への漏洩は、混合回路
がＤＢＭ構成となっているため混合回路入力端への漏洩
も少なく、この結果ＶＨＦ２バンド可変同調回路で通過
帯域幅が拡がり帯域外減衰度が劣化しても発振信号のＶ
ＨＦ入力端子３への漏洩の少ないチューナ回路装置が実
現できる。

第９図は本発明の第５の実施例としてのチューナ回路装
置を示す回路図である。同図において、３３０は入力可
変同調回路、３４０はＲＦ増幅器、３５０は段間可変複
同調回路、１４′＃は混合回路である。可変同調回路と
して、−個の可変容量ダイオードでＶＨＦとＵＨＦバン
ドを同時に同調が可能ないわゆる２点で同調可能な回路
を用い、ＵＨＦバンドとＶＨＦバンドを同一の増幅器お
よび同調回路を用いて構成したチューナ回路装置を示し
ている。

第１０図は同調回路の基本的な回路構成を示す回路図、
第１１図はその共振特性を示す特性図である。

第１０図でコンデンサ３６２、同調インダクタ３６３．
３６４、可変容量ダイオード３６５、端子３６０，３６
１、パンバスコンデンサ３６６からなり、端子３６０と
３６１の間のリアクタンスは第１１図に示すようにＶＨ
ＦハイバンドとＵＨＦハンドの２点でリアクタンスが無
限大になり２点で同調が可能であり、可変容量ダイオー
ド３６５の容量を換えることにより、同時に２点の同調
周波数が変えられる構成になっている。

同調インダクタとしてはＵＨＦバンドでは主に同調イン
ダクタ３６３の値が、ＶＨＦバンドでは同調インダクタ
３６４の値が支配的であり、同調インダクタ３６４の値
を切り換えて値を大きくすることによりＶＨＦローバン
ドでの受信が可能である。

上記した２点同調回路を用いた第９図の入力可変同調回
路３３０は、ＵＨＦ入力端子２８３、ＶＨＦ入力端子２
６９、出力端子２８４、可変容量ダイオード２７２、主
にＵＨＦハンド同調コイル２７４、ＶＨＦハイバンド用
同調コイル２７７゜２７８、ＶＨＦローバンド用同調コ
イル２７９゜２８０、ＶＨＦ帯の信号を減衰するノ＼イ
バスフィルタ２７０、ＵＨＦ帯の信号を減衰するローパ
スフィルタ２７１、トラッキング容量２７６、結合コン
デンサ２７５、バイパスコンデンサ２８１と結合入力共
振インダクタ２７３からなり、ＵＨＦ信号はバイパスフ
ィルタ２７０を経て共振インダクタ２７６と同調コイル
２７４を誘導結合させている。

Ｖ　ＨＦ　信号はローパスフィルタ２７１を経てローバ
ンド受信時にはスイッチ回路２８２をオフにしてローバ
ンド同調インダクタンスを入力回路インピーダンスに合
わせてステンプア・ノブ入力とするため分割したローバ
ンド用コイル２７９，２８０の接続点に入力する。

ハイバンド受信時にはスイッチ回路２８２をオンにして
同様にステップ入力とするため分割したハイバンド用同
調コイル２７７．２８２の接続点に入力する。いずれの
受信バンドでも可変容量ダイオード２７２の容量を可変
することにより同調周波数を可変させている。

３５０は可変複同調回路で入力端子３１１、可変容量ダ
イオード２８６．２８．７、主にＵＨＦバンド用同調コ
イル２８８，２８９、ＶＨＦハイバンド用同調コイル２
９０，２９１、ＶＨＦローバンド用同調コイル２９２，
２９３、トラッキング容量２９６，２９７、結合用共振
インダクタ３０１、結合コンデンサ２９８，２９９，３
００、スイッチ２９４，２９５、ＶＨＦ出力端子３１２
、ＵＨＦ出力端子３１３からなり、ＵＨＦバンドおよび
ＶＨＦハイバンド受信時はスイッチ２９４゜２９５をオ
ンにして、またローバンド受信時にはスイッチ２９４，
２９５をオフにして受信バンドを切換えるとともにＵＨ
Ｆバンド用同調コイル２８８と２８９、ＶＨＦハイバン
ト用同調コイル２９０と２９１、ＶＨＦローバンド用同
調コイル２９２と２９５をそれぞれ誘導結合させるとと
もに可変容量ダイオード２８６，２８７の容量を変え同
調周波数を変化させ可変複同調回路の動作を行なわせて
いる。

１４″′は混合回路であり、第６図に示す本発明の第３
の実施例の混合回路にＦＥＴ３２０およびバイアス抵抗
３２１，３２２よりなるスイッチ回路を設けた構成にな
っており、３２３は高周波接地端子、３２４はバイパス
コンデンサである。

第９図に示す実施例ではＵＨＦはＶＨＦで別々に可変共
振回路を設け、ＶＨＦバンド受信時にはＶＨＦ発振動作
を行なうとともにスイッチ端子２２２にバイアス電圧を
印加してＵＨＦ信号入力を阻止、減衰させ差動ＦＥＴ２
０４のゲートに信号を入力する。

ＵＨＦバンド受信時には利得制御兼用スイッチ端子にＢ
ｔｌＨＦ電圧を印加し、混合回路での利得補正を行なう
とともにＶＨＦ信号を阻止、減衰させるとともにＩＦ増
幅回路１９の利得制御端子９８に高いバイアス電圧を与
え利得を増大させている。

本実施例ではＵＨＦとＶＨＦ受信バンドで同時に同調点
が存在する可変複同調回路からの信号をＶＨＦハンドで
は容量結合させ、ＵＨＦバンドでは小インダクタンスの
共振インダクタによりＶＨＦ信号を減衰させ、誘導結合
させ取り出した信号を混合回路の差動対をなすバッファ
増幅ＦＥＴのそれぞれのゲートに入力するとともに、他
方の受信バンドで他方のゲートを接地し、信号を減衰阻
止する構成になついてるので、より妨害の少ないチュー
ナ回路装置が得られる。

本実施例ではさらにＶＨＦ信号の出力端子３１２と混合
回路１４″のＶＨＦ信号入力端子２０７の間にＵＨＦバ
ンド信号を阻止減衰するローパスフィルタを設ける（図
示せず）とＶＨＦバンド受信時のＵＨＦハンド信号によ
る妨害除去効果を高めることができる。

４０１′はＧａＡｓＭＥＳ　　ＦＥＴによる集積回路化
部分でありＲＦ増幅器を１系統で可変同調回路もＵＨＦ
、ＶＨＦバンド兼用であり、混合回路の広帯域動作と良
好な３次歪特性により、低歪で回路構成が簡単なフルパ
ントチューナ回路装置が得られるという利点を有する。

以上述べた本発明の実施例においては、チューナ回路装
置としての利得切換はＶＨＦバンドとＵＨＦバンドのみ
で行なっていたが、ＶＨＦバンドをさらに分割して例え
ばＶ’ＨＦローバンドとハイバンドでさらに利得切換を
行なってもよい。

また発振回路はＧａＡｓＭＥＳ　　ＦＥＴにより構成し
ているが、発振回路のみを別口路とし、Ｓｉバイポーラ
トランジスタを用い発振増幅のみをＧａＡｓＭＥＳ　　
ＦＥＴを用いて集積回路化しチューナ回路装置に用いて
もよい。また混合回路の入力のスイッチ回路は様々な回
路構成が考えられ、本発明の実施例では信号端子とアー
ス間を短絡しているが、信号端子間にスイッチを設ける
構成でもよい。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、混合回路としてＧ
ａＡｓＭＥＳ　　ＦＥＴを用い、ＵＨＦバンドとＶＨＦ
ハンドで兼用して用いるとともに、ＩＦ増幅回路および
発振回路をも含め集積回路化し、１チップ化して使用す
るようにすれば、素子数が少なく回路構成が簡単で３次
歪性能の良好なチューナ回路装置が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例としてのチューナ回路装置を
示す回路図、第１Ａ図は第１図の概略構成を示すブロッ
ク図、第２図は第１図における混合回路の変換利得の周
波数特性を従来技術によるそれと比較して示す特性図、
第３図は第１図における混合回路の３次歪性能の周波数
特性を従来技術によるそれと比較して示す特性図、第４
図、第５図はそれぞれ本発明の他の実施例の要部を示す
回路図、第６図は本発明の別の実施例を示す回路図、第
７図は第６図における要部の詳細を示す回路図、第８図
は第６図に示した実施例の同調周波数特性を示す特性図
、第９図は本発明の更に別の実施例を示す回路図、第１
０図は同調回路の基本的な回路構成を示す回路図、第１
１図はその共振特性を示す特性図、である。 符号の説明 ■・・・ＵＨＦ入力端子、２・・・ＶＨＦ入力端子、３
・・・ＩＦ出力端子、１０・・・ＵＨＦ入力可変同調回
路、１１・・・ＵＨＦ段間可変複同調回路、１２．１２
’・・・ＶＨＦ入力可変同調回路、１３．１３’・・・
ＶＨＦ段間可変複同調回路、１４．１４’、１４″。 １４″・・・混合回路、１５・・・発振回路、１６・・
・ＵＨＦ可変共振回路、１７．１７’・・・ＶＨＦ可変
共振回路、１８・・・混合出力ＩＦフィルタ、１９・・
・ＩＦ増幅回路、２０・・・ＩＦ出力フィルタ、２１・
・・ＵＨＦ−ＲＦ増幅器、２２・・・ＶＨＦ　−ＲＦ増
幅器、３３０・・・入力可変同調回路、３５０・・・段
間可変複同調回路、３４０・・・ＲＦ増幅器、４００，
４０１゜４０１′・・・集積回路化部分 代理人　弁理士　並　木　昭　夫 第４図 第５図 第７図 （Ｇ）　　　　　（ｂ） Ｌ　　　　　　　　　　　　　　　１ 第８図 ゴ清敷（ＭＨｚ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ＶＨＦバンド用の第１のＲＦ増幅器、可変同調回路
   および可変発振器と、ＵＨＦバンド用の第２のＲＦ増幅
   器、可変同調回路および可変発振器と、 第１の動作モードにおいては、前記第１のＲＦ増幅器、
   可変同調回路によりＲＦ増幅され同調をとられた第１の
   同調出力電圧と前記第１の可変発振器からの発振出力と
   を入力されて中間周波出力に変換して出力するＶＨＦバ
   ンド用の混合器として動作し、第２の動作モードにおい
   ては、前記第２のＲＦ増幅器、可変同調回路によりＲＦ
   増幅され同調をとられた第２の同調出力電圧と前記第２
   の可変発振器からの発振出力とを入力されて中間周波出
   力に変換して出力するＵＨＦバンド用の混合器として動
   作し、かつＧａＡｓＭＥＳＦＥＴにより構成されたＶＨ
   Ｆバンド、ＵＨＦバンド共用の混合器と、 前記第１の動作モードでは、前記第１のＲＦ増幅器、可
   変同調回路および可変発振器に対する供給電源をオンし
   て、前記第２のＲＦ増幅器、可変同調回路および可変発
   振器に対する供給電源をオフし、前記第２の動作モード
   では、その逆に供給電源を切り換える電源オン・オフ手
   段と、 前記共用の混合器からの中間周波出力を入力され増幅し
   て出力するＩＦ増幅回路と、から成ることを特徴とする
   チューナ回路装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載のチューナ回路装置にお
   いて、前記ＶＨＦバンドはＣＡＴＶ信号周波数帯域をも
   含むものとし、該ＣＡＴＶ信号周波数帯域をも含む前記
   ＶＨＦバンドをハイバンドとローバンドに分け、それぞ
   れのバンドに同調可能となる２組のコイルとして前記第
   １の可変同調回路を構成する同調コイルを使い分けるこ
   とを特徴とするチューナ回路装置。 ３、特許請求の範囲第１項記載のチューナ回路装置にお
   いて、前記混合器が第１の動作モードにあってＶＨＦバ
   ンドを受信中であるか、第２の動作モードにあってＵＨ
   Ｆバンドを受信中であるか、に応じて前記ＩＦ増幅回路
   の利得を可変制御する手段を具備したことを特徴とする
   チューナ回路装置。 ４、特許請求の範囲第１項記載のチューナ回路装置にお
   いて、前記混合器の前記第１の同調出力電圧（ＶＨＦバ
   ンド）信号の入力端子又は前記第２の同調出力電圧（Ｕ
   ＨＦバンド）信号の入力端子の何れか一方または双方に
   、他バンドの信号の入力端子へ入力する信号を阻止し或
   いは許す切換回路を具備したことを特徴とするチューナ
   回路装置。 ５、ＶＨＦバンド用の第１のＲＦ増幅器、可変同調回路
   および可変発振器と、ＵＨＦバンド用の第２のＲＦ増幅
   器、可変同調回路および可変発振器と、 第１の動作モードにおいては、前記第１のＲＦ増幅器、
   可変同調回路によりＲＦ増幅され同調をとられた第１の
   同調出力電圧と前記第１の可変発振器からの発振出力と
   を入力されて中間周波出力に変換して出力するＶＨＦバ
   ンド用の混合器として動作し、第２の動作モードにおい
   ては、前記第２のＲＦ増幅器、可変同調回路によりＲＦ
   増幅され同調をとられた第２の同調出力電圧と前記第２
   の可変発振器からの発振出力とを入力されて中間周波出
   力に変換して出力するＵＨＦバンド用の混合器として動
   作するＶＨＦバンド、ＵＨＦバンド共用の混合器と、 前記第１の動作モードでは、前記第１のＲＦ増幅器、可
   変同調回路および可変発振器に対する供給電源をオンし
   て、前記第２のＲＦ増幅器、可変同調回路および可変発
   振器に対する供給電源をオフし、前記第２の動作モード
   では、その逆に供給電源を切り換える電源オン・オフ手
   段と、 前記共用の混合器からの中間周波出力を入力され増幅し
   て出力するＩＦ増幅回路と、から成るチューナ回路装置
   において、前記共用の混合器、前記ＩＦ増幅回路および
   前記第１および第２の発振器の全体を１チップＩＣとし
   てＧａＡｓＭＥＳＦＥＴを用いて集積回路化したことを
   特徴とするチューナ回路装置。