JPH01213336A - 半導体封止樹脂組成物 - Google Patents

半導体封止樹脂組成物

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JPH01213336A
JPH01213336A JP3752288A JP3752288A JPH01213336A JP H01213336 A JPH01213336 A JP H01213336A JP 3752288 A JP3752288 A JP 3752288A JP 3752288 A JP3752288 A JP 3752288A JP H01213336 A JPH01213336 A JP H01213336A
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JP
Japan
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group
aminophenoxy
bis
bismaleimide
resin
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Pending
Application number
JP3752288A
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English (en)
Inventor
Yuji Okitsu
興津 雄二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Toatsu Chemicals Inc
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Mitsui Toatsu Chemicals Inc
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、低応力、低熱膨張率で、なおかつ耐熱性を損
なうことなく、耐熱衝撃性、半田耐熱性に優れた、高信
鎖性を要求される半導体等電子部品の封止用に適した半
導体封止用樹脂組成物に関するものである。
〔従来の技術〕
近年、半導体を封止する方法としてエポキシ樹脂に代表
される熱硬化性樹脂を使用したいわゆるプラスチック封
止が原料の低度、大量生産に適するといった経済的利点
をいかして広く実用化されている。特に多官能エポキシ
樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、無機質充填材を主
成分とした樹脂組成物が耐熱性、成形性、電気特性に優
れているため封止樹脂の主流となっている。
〔発明が解決しようとする課題〕
一方、半導体チップの高集積化が進み、それに伴いチッ
プサイズが大型化してきた。またパッケージの形状は基
板への高密度実装化、表面実装化に伴い、チップの大型
化とは逆にフラットパッケージに見られる如く小型化・
薄型化の傾向にある、このため従来の封止樹脂では見ら
れなかった不良現象が派生するようになった。すなわち
、封止樹脂とチップの熱膨張率の差に起因する樹脂の応
力がチップの大型化、樹脂層の薄肉化のため、熱衝撃に
よりパッシベーション膜のクラック、あるいは封止樹脂
のクラックといった破壊現象を引き起こし、又表面実装
化に伴いパッケージそのものが半田浴温度にさらされる
ため、パッケージ内の水分が2.激に膨張し、パッケー
ジにクラックといった破壊現象を引き起こし、半導体の
耐湿性を低下させ、ひいては信転性を低下させる原因と
なっている。従って、封止樹脂としてはこの応力の小さ
く、半田耐熱性の優れた封止樹脂の開発が望まれている
応力を小さくする方法としては、樹脂の熱膨張率を小さ
くしてチップのそれとの差を小さくする事が考えられる
が、樹脂の熱膨張率とチップのそれとの差は大きく、こ
れを縮めるためには熱膨張率の小さい無機質充填材を樹
脂中に多量に使用しなければならないが、現在すでにか
なり多量の無機質充填材が使用されていて、更にこれを
増量する事は成形性の悪化の原因となる。一方、樹脂の
弾性率を下げて応力を小さくするという目的で可塑材を
添加したり、可撓性を有したエポキシ樹脂あるいはフェ
ノール樹脂を用いたりする事が試みられたが、この方法
により得られた硬化物は耐熱性の点で問題があった。
また特開昭58−108220に代表される如くゴム粒
子を封止樹脂中に分散させる事により耐熱性を保持しつ
つ、耐クラツク性を付与する方法等も発明されているが
、半田浴の如き封止樹脂のガラス転移温度を超える高温
における耐衝撃性に劣る等いくつかの問題点があった。
本発明は、高集積回路等の高い信転性を要求される半導
体の封止用樹脂に対して要求されている、応力が小さく
耐熱衝撃性、更に半田耐熱性等に優れた半導体封止用樹
脂組成物を提供することを目的とする。
〔課題を解決する為の手段〕
本発明者等は種々検討した結果、特定の構造を有するビ
スマレイミド化合物とノボラック型フェノール樹脂を硬
化反応せしめたものが、応力を小さくし、耐衝撃性に優
れた樹脂を提供することを見出し、本発明に達した。
即ち本発明は、一般式(1) (式中、RはOまたは−Q−X−Q−よりなる2価の基
を表わし、Xは直結、炭素数1〜10の2価の炭化水素
基、6フツ素化されたイソプロピリデン基、カルボニル
基、チオ基、スルフィニル基、スルホニル基又はオキシ
ドから成る群より選ばれた基を表わす、) にて表わされるビスマレイミド化合物とノボラック型フ
ェノール樹脂を必須成分とする半導体封止用樹脂組成物
である。
前記一般式(1)で表されるビスマレイミド化合物は通
常公知の方法により一般式(n)で表されるジアミン化
合物と無水マレイン酸を縮合・脱水反応させて容易に製
造できる。
(式中、Rは前記と同様の意味を表す)(II)のジア
ミン化合物は、具体的には1.3−ビス(3−アミノフ
ェノキシ)ベンゼン、ビス(3−アミノフェノキシ)メ
タン、1.1−ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フ
ェニル〕エタン、l、2−ビス〔4−(3−アミノフェ
ノキシ)フェニル〕エタン、2.2=ビス(4−(3−
アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2.2−ビス
(4−(3−アミノフェノキシ)フェニルコブタン、2
.2−ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フェニル)
−1,1,1,3,3,3−へキサフルオロプロパン、
4.4°−ビス(3−アミノフェノキシ)ビフェニル、
ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フェニルコケトン
、ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕スル
フィド、ビス(4−(3−アミノフエノキシ)フェニル
〕スルホキシド、ビス(4−(3−アミノフェノキシ)
フェニル〕スルホン、ビス〔4−(3−アミノフェノキ
シ)フェニルフェーテル等があげられ、これらは単独あ
るいは二種以上混合して用いられる。
−C式(II)のジアミン化合物と無水マレイン酸を縮
合・脱水反応して得られるビスマレイミド化合物は、具
体的には、N、N’−1,3−ビス(3−アミノフェノ
キシ)ベンゼンビスマレイミド、N、N“−ビス(4−
(3−アミノフェノキシ)フェニルコメタンビスマレイ
ミド、N、N’−1,1−ビス(4−(3−アミノフェ
ノキシ)フェニル〕エタンビスマレイミド、N、N’−
1,2−(4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]エ
タンビスマレイミド、N、N’−1,2−(4−(3−
アミノフェノキシ)フェニル〕エタンビスマレイミド、
N、N’−2,2−ビス(4−(3−アミノフェノキシ
)フェニル〕プロパンビスマレイミド、N、N’−2,
2−ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フェニルコブ
タンビスマレイミド、 N、N’−2,2−ビス(4−
(3−アミノフェノキシ)フェニル−1,1,1,3,
3,3−へキサフルオロプロパンビスマレイミド、N、
N’−4,4’−ビス(3−アミノフェノキシ)ビフェ
ニルビスマレイミド、N、N“−ビス(4−(3−アミ
ノフェノキシ)フェニル]ケトンビスマレイミド、N、
N’−ビス〔4−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕
スルフィドビスマレイミド、N、 N’−ビス(4−(
3−アミノフェノキシ)フェニル〕スルホキシドビスマ
レイミド、N、 N’−ビス(4−(3−アミノフェノ
キシ)フェニル〕スルホンビスマレイミド、N、N’−
ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フェニルフェーテ
ル等があげられる。
本発明に用いられるノボラック型フェノール樹脂は通常
のものであって良いが、フリーフェノールがなるべく少
ないもので、軟化点が80〜105°Cのものが好まし
い。
ノボラック型フェノール樹脂の使用量は通常ビスマレイ
ミド100重量部に対し10〜500重量部の範囲であ
る。
本発明において、樹脂組成物を硬化せしめるにあたって
は硬化促進剤としてホスフィン類を用いると良い、ホス
フィン類としては、例えばトリフェニルホスフィン、ト
リー4−メチルフェニルホスフィン、トリー4−メトキ
シフェニルホスフィン、トIjブチルホスフィン、トリ
オクチルホスフィン、トリー2−シアノエチルホスフィ
ンなどをあげることができる。
ホスフィン類の使用量はビスマレイミド化合物とノボラ
ック型フェノール樹脂の総量100重量部に対し0.1
〜10重量部が好ましい。
又必要に応じて有機過酸化物を併用することもできる。
有機過酸化物としては、ジ−t−ブチルパーオキサイド
、t−ブチルクミルパーオキサイド、ジクミルパーオキ
サイド、1.3−ビス−(を−ブチルパーオキシ−イソ
プロビル)ベンゼン、1.1−ジ−t−ブチルパーオキ
シ−3,3,5−)リメチルシクロヘキサン、1.1−
ジ−t−ブチルパーオキシシクロヘキサンなどのジアル
キルパーオキサイド、t−ブチルパーベンゾエートなど
のアルキルパーエステルをあげることができる。有機過
酸化物の添加量は、ビスマレイミド樹脂100重量部に
対し0.1〜5重量部が好ましい。
本発明の組成物は前述のものの外、必要に応じてエポキ
シ樹脂、シリコーンオイル、充填剤、シランカップリン
グ剤、離型剤、着色剤、難燃剤などを配合し、混合、混
練し成形材料とする。
〔実施例〕
実施例1 第1表に示す配合で、一般式(1)で表されるビスマレ
イミド化合物、ノボラック型フェノール樹脂、硬化促進
剤、有機過酸化物、シリカ粉末、シランカップリング剤
、ワックス、着色剤、難燃剤を配合し、ロール混練して
成形材料を得た。
比較例1 第1表に示す配合で、−i式(+)で表されるビスマレ
イミド化合物以外のビスマレイミド化合物とノボラック
型フェノール樹脂を実施例と同様に配合混練し成形材料
を得た。
比較例2 第1表に示す配合で、エポキシ樹脂、ノボラック型フェ
ノール樹脂を実施例と同様に配合、混練し成形材料を得
た。
各成形材料を用い、トランスファー成形(180’C,
30Kg/cJ  3分間)により、試験用の100ピ
ンフラツトパツケージ(20+11111X30111
111X 2.5mm 、10mm X IQmmの試
験用素子搭載)及び物性測定用の試験片を成形し、18
0’Cで6時間後硬化した。
試験結果を表−2に示す。
*4  EOCN      日本(1(IIEOcN
をシリコーン変性表−2 〔発明の効果〕 実施例及び比較例にて説明した如く、本発明による半導
体封止用樹脂組成物は、従来上として用いられて来た多
官能エポキシ樹脂、ノボラックフェノール樹脂を主成分
とした封止樹脂に比較してガラス転位温度が高く、低熱
膨張であるまた、一般式(1)で表されるビスマレイミ
ド化合物以外のビスマレイミド化合物とノボラック型フ
ェノール樹脂を主成分とした封止樹脂に比較して、吸水
率が小さく、可撓性に冨み、低応力化されており、又流
動性が高く、半田耐熱性に優れている。
本発明の樹脂組成物を集積度の高い大型の半導体装置、
あるいは表面実装用半導体装置の封止に用いた場合、優
れた信頬性を得ることが出来、工業的に有益な発明であ
る。
特許出願人  三井東圧化学株式会社 手続ネ市正古: (自発) 昭和63年6月21日 特許庁長官 吉 1)文 毅 殴 l。事件の表示 事件との関係  特許出願人 住所 東京都千代田区霞が関三丁目2番5号名称(31
2)  三井東圧化学株式会社4、補正により増加する
請求項の数 零5、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 (1)明細書の第3頁第5〜6行にr −、、、−クラ
ンク、あるいは −」とあるを「−クラック、アルミ配
線のスライドあるいは− 」と訂正する。
(2)同第8頁の第11行と12行の間に次の文を挿入
する。
「作業性、成形性を含めると特にN、N’−2,2−ビ
ス(4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン
ビスマレイミド、N、N’−ビス[4−(3−アミノフ
ェノキシ)フェニル]スルフィドビスマレイミドがイ3
れている。
また上記マレイミド化合物は単独で使用しても併用して
もよく、必要に応じて上記マレイミド化合物以外のマレ
イミド化合物を併用してもよい。」(3)同第8頁18
行と19行の間に次の文を挿入する。
「本発明の樹脂組成物を製造するには例えば後述の実施
例のように各成分を配合、混練してもよいし、マレイミ
ドをノボラックフェノール樹脂に?8解させた後、配合
、混練してもよい。」(4)同第10頁第2〜3行に「
本発明の−−−−−−−−−−・、シリコーンオイル 
−”’−”Jとあるを次のように訂正する。
「更にアゾビスイソブチロニトリルのごときアブ化合物
、イミダゾール類、3級アミン類、4級アンモニウム塩
、有機金属化合物等の硬化促進剤を併用することもでき
る。
本発明の組成物は前述のものの外、必要に応してエポキ
シ樹脂、ノボラック型フェノール樹脂以外のフェノール
樹脂たとえばノボラック型フェノール樹脂、アミン類、
各種反応希釈剤、シリコーンオイル−”’−’−J (5)同第1O頁第7行に「実施例1」とあるを「実施
例1〜3Jと訂正する。
(6)同第12真の表−1を別紙lのように訂正する。
(7)同第13頁の表−2を別紙2のように訂正する。
以上 [′A+駈l〕 (重量部) プロパンビスマレイミド *3  N、N’−ビス(4−(3−アミノフェノキシ
)フェニル]スルフィドビスマレイミド

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、Rは▲数式、化学式、表等があります▼または
    ▲数式、化学式、表等があります▼よりな る2価の基を表わし、Xは直結、炭素数1〜10の2価
    の炭化水素基、6フッ素化されたイソプロピリデン基、
    カルボニル基、チオ基、スルフィニル基、スルホニル基
    又はオキシドから成る群より選ばれた基を表わす。) にて表わされるビスマレイミド化合物とノボラック型フ
    ェノール樹脂を必須成分とする半導体封止用樹脂組成物
JP3752288A 1988-02-22 1988-02-22 半導体封止樹脂組成物 Pending JPH01213336A (ja)

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JP3752288A JPH01213336A (ja) 1988-02-22 1988-02-22 半導体封止樹脂組成物

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JP3752288A JPH01213336A (ja) 1988-02-22 1988-02-22 半導体封止樹脂組成物

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009263624A (ja) * 2008-03-31 2009-11-12 Mitsubishi Plastics Inc ビスマレイミド系組成物

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009263624A (ja) * 2008-03-31 2009-11-12 Mitsubishi Plastics Inc ビスマレイミド系組成物

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